意味 | 例文 (999件) |
IN GATEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 16642件
An independently controllable control gate is situated in the trench isolated from the floating gate, and capacitively coupled with the floating gate.例文帳に追加
また、独立制御可能な制御ゲートはトレンチ内にあり、浮遊ゲートから絶縁され、浮遊ゲートと容量結合する。 - 特許庁
To assure connection between a gate contact and a gate electrode without processing a gate electrode in three-dimensional structure by photolithography.例文帳に追加
立体構造のゲート電極をフォトリソグラフィで加工することなく、ゲートコンタクトとゲート電極との接続を確保する。 - 特許庁
To suppress damage to a gate insulating film during a step of removing a gate electrode in a semiconductor device having a dual metal gate structure.例文帳に追加
デュアルメタルゲート構造を有する半導体装置において、ゲート電極除去する工程において、ゲート絶縁膜に与える損傷を抑える。 - 特許庁
To provide a method of forming a second gate dielectric layer different in thickness from a first gate dielectric layer without causing damage to the first gate dielectric layer on a semiconductor device substrate.例文帳に追加
半導体デバイス基板の第1ゲート誘電層に害を与えずに、異なる厚さの第2ゲート誘電層を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for forming a gate electrode having further fined gate length by restraining variations in gate length.例文帳に追加
ゲート長のバラつきを抑え、さらに微細化したゲート長の異なるゲート電極を形成することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
In a single screw compressor, a gate rotor assembly (60) is constituted by a gate rotor (50) and a gate rotor supporting member (55).例文帳に追加
シングルスクリュー圧縮機では、ゲートロータ(50)とゲートロータ支持部材(55)とによってゲートロータ組立体(60)が構成される。 - 特許庁
A gate contact hole 15 is formed continuously on a first insulating film 9 so that a gate electrode and the gate wiring are put in contact.例文帳に追加
第1の絶縁膜9にゲートコンタクトホール15を連続的に形成し、ゲート電極とゲート配線をコンタクトさせている。 - 特許庁
To improve reliability of a gate insulating film in a MOS-type transistor having a gate electrode and an extremely thin gate insulating film.例文帳に追加
ゲート電極と極薄のゲート絶縁膜とを有するMOS型のトランジスタにおけるゲート絶縁膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁
In the present method of manufacturing a thin film transistor, a gate electrode is first formed on a substrate and then the gate electrode is covered with a gate insulating film.例文帳に追加
本発明による薄膜トランジスタの製造方法では、まず、基板上にゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜でゲート電極を覆う。 - 特許庁
NOZZLE GATE OPENING AND CLOSING TIMING ADJUSTING MECHANISM IN MULTIPOINT GATE INJECTION MOLDING MACHINE AND MULTIPOINT GATE INJECTION MOLDING METHOD例文帳に追加
多点ゲート射出成形機におけるノズルゲート開閉タイミング調整機構及び多点ゲート射出成形方法 - 特許庁
When selecting the gate line 6 or the data line 7 (in the embodiment, the gate line 6), a decoder (gate selection decoder 13) is used.例文帳に追加
ゲートライン6またはデータライン7(この例ではゲートライン6)を選択するのに、デコーダ(ゲート選択デコーダ13)を用いる。 - 特許庁
This pump gate facility is provided with a gate door body 11 capable of opening and closing a water channel 4 and the pump 12 incorporated in the gate door body 11.例文帳に追加
ポンプゲート設備は、水路4を開閉可能なゲート扉体11と、ゲート扉体11に内蔵されたポンプ12とを備える。 - 特許庁
In this case, a wakeup signal is applied through an EXOR gate 18, AND gate 15, and OR gate 12 to the microcomputer 2.例文帳に追加
この場合、EXORゲート18、ANDゲート15、およびORゲート12を介して、ウェイクアップ信号がマイコン2に与えられる。 - 特許庁
A gate electrode 11 is formed on the gate insulating film 9 so that it faces the region 12 with the gate insulating film 9 being interposed in between them.例文帳に追加
ゲート絶縁膜9の上には、ゲート絶縁膜9を挟んで領域12に対向するようにゲート電極11が形成されている。 - 特許庁
A gate electrode 16 is arranged opposed to the wall surface 9 in such a manner that a gate insulating film 15 is sandwiched between the wall surface and the gate electrode.例文帳に追加
そして、この壁面9には、ゲート絶縁膜15を挟んで、ゲート電極16が対向配置されている。 - 特許庁
Ring-shaped gate grooves 14 are formed on internal surfaces of the side walls respectively, and the rings 21 of the ring gate body are housed in the gate grooves.例文帳に追加
左右の側壁の内面にはそれぞれリング状の戸溝14が形成され、この戸溝にはリングゲート本体のリング部21が収納される。 - 特許庁
A floating gate 13 and a control gate 16 are periodically and alternately arranged in the first direction via a gate insulating film 12 on a substrate 11.例文帳に追加
基板11上にゲート絶縁膜12を介して、第1の方向に周期的に浮遊ゲート13と制御ゲート16とが交互に配列される。 - 特許庁
To prevent a short circuit between a contact and a gate electrode connected to a source-drain region in a gate structure formed by a gate last process.例文帳に追加
ゲートラストプロセスで形成されたゲート構造において、ソース・ドレイン領域に接続するコンタクトとゲート電極とのショートを防ぐ。 - 特許庁
The diameter of a gate hole opening part of an gate layer is made larger than that of the gate hole installed in an insulating layer.例文帳に追加
ゲート電極層のゲートホール開口部の径が絶縁層に設けたゲートホールの径よりも大きいこと。 - 特許庁
These gate opening (46) are arranged in a plurality of parallel rows, and each gate opening is located between two bands of the gate electrode.例文帳に追加
ここで、これらのゲート開口(46)は列をなして配置され、そして、各ゲート開口は、ゲート電極の2つのバンドの間に位置する。 - 特許庁
To improve a malfunction phenomenon due to the line delay between a gate driving circuit and a gate line of a gate-in-panel (GIP) type liquid crystal display device.例文帳に追加
ゲートインパネル(GIP)型の液晶表示装置のゲート駆動回路及びゲート配線のラインディレーによる誤作動現象を改善する。 - 特許庁
To prevent the occurrence of gate leakage current and to reduce gate capacitance, in a method of manufacturing a trench-gate type transistor.例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタの製造方法において、ゲートリーク電流の発生を防止すると共に、ゲート容量を低減する。 - 特許庁
The method for manufacturing the trench gate type semiconductor device comprises the steps of removing all oxide film after forming a trench, then forming a gate insulating film, and filling the gate electrode in the trench.例文帳に追加
トレンチ形成後、全ての酸化膜を除去し、その後、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極をトレンチ内に充填する。 - 特許庁
To provide an insulated gate type field effect transistor capable of improving reliability in a gate insulating film, and to provide a method of manufacturing the insulated gate type field effect transistor.例文帳に追加
ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることが可能な絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A drive circuit 10 applies a gate voltage to a gate terminal 16 of a device in accordance with a gate voltage control sequence.例文帳に追加
駆動回路(10)はゲート電圧制御シーケンスにしたがってデバイスのゲート端子(16)にゲート電圧を印加する。 - 特許庁
To reduce the gate resistance and the gate/drain capacitance simultaneously, in an MOS transistor of multi-fingered gate structure.例文帳に追加
多フィンガーゲート構造のMOSトランジスタにおいて、ゲート抵抗とゲート・ドレイン間容量を、同時に低減する。 - 特許庁
To provide a gate positioning device and a gate positioning method by which an optimum gate position is determined in a short time.例文帳に追加
短時間に最適なゲート位置を決定することができるゲート位置決定装置およびゲート位置決定方法を提供する。 - 特許庁
This receiver is provided with a tail gate 3 for closing a first opening 2 in a rear face of a container 1, and a sub-gate for closing a second opening 6 of the tail gate.例文帳に追加
コンテナ1後面の第1開口2を閉止するテールゲート3と、該テールゲートの第2開口6を閉止するサブゲート7とを設ける。 - 特許庁
To provide a gate door device having a small space of a door storage area in the gate door device for opening and closing a gate.例文帳に追加
門を開閉する門扉装置において、扉の収納領域のスペースが小さい門扉装置を提供すること。 - 特許庁
GATE PROCESSING DEVICE IN OPTICAL CODE DIVISION MULTIPLEXING RECEPTION DEVICE, GATE PROCESSING METHOD, AND GATE ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加
光符号分割多重受信装置におけるゲート処理装置、ゲート処理方法及びゲート調整方法 - 特許庁
To control variations of characteristics in a standard cell of which gate length of a gate or a dummy gate is irregular.例文帳に追加
ゲートもしくはダミーゲートのゲート長が不規則な標準セルにおいて、特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁
To make a gate cutting as a post-working unnecessary by a method wherein the residual amount of a gate mark is made small in an injection molding with the mold with the horn gate.例文帳に追加
ホーンゲートを持つ金型で射出成形を行う際に、ゲート跡残り量を小さくして、後加工としてのゲートカットを不要とする。 - 特許庁
To prevent the occurrence of a gate leak current and to reduce a gate capacitance in a trench gate type transistor.例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタにおいて、ゲートリーク電流の発生を防止すると共に、ゲート容量を低減する。 - 特許庁
To make sharper the acute angle section of a floating gate that opposes an erase gate, in a split-gate type nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加
スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置において、消去ゲートと対向するフローティングゲートの鋭角部をより尖らせること。 - 特許庁
To provide a trench gate type transistor which is prevented from generating a gate leak current and reduced in gate capacity.例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタにおいて、ゲートリーク電流の発生を防止すると共に、ゲート容量を低減する。 - 特許庁
In the case of using each gate inside, the user comes up to the prescribed distance range of the gate and makes the radio tag communicate with a gate managing device.例文帳に追加
場内各所のゲートを利用しようとする場合、ゲートに所定距離範囲まで近づいて無線タグをゲート管理装置20と交信させる。 - 特許庁
To improve controllability of a selection gate without increasing the length of the selection gate, in relation to a selection gate provided for a memory cell.例文帳に追加
メモリセルに対して設けられる選択ゲートについて、この選択ゲートのゲート長を長くすることなく、選択ゲートの制御性を向上させる。 - 特許庁
In a clamp transistor M12, a gate is connected to the source of the transistor MA and a source and a back gate are connected to the gate of the transistor M3.例文帳に追加
クランプ・トランジスタM12は、ゲートがトランジスタMAのソースに、ソースとバックゲートがトランジスタM3のゲートに結合される。 - 特許庁
In a test pattern 5 of a MOSFET, gate pads 1 and 2 are provided on both ends of a gate, respectively, and a gate resistance is measured between both pads 1 and 2.例文帳に追加
MOSFETのテストパターン5において、ゲート両端にゲートパッド1,2を設け、両パッド1,2間でゲート抵抗を測定する。 - 特許庁
HOT RUNNER AND VALVE GATE MOLD, AND METHOD FOR PREVENTING SOLIDIFYING OF RESIN ON PERIPHERY OF GATE HOLE IN USING THE HOT RUNNER AND VALVE GATE MOLD例文帳に追加
ホットランナー・バルブゲート金型及び該ホットランナー・バルブゲート金型の使用におけるゲート孔周辺樹脂の固化防止方法 - 特許庁
To reduce gate capacitance, to suppress the occurrence of and to improve a gate withstand voltage in a trench gate type transistor.例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタにおいて、ゲート容量の低減、結晶欠陥の発生の抑止、及びゲート耐圧の向上を図る。 - 特許庁
To provide a flash memory element in which the gate capacity coupling rate is enhanced between a floating gate and a control gate.例文帳に追加
フローティングゲートとコントロールゲートとの間のゲートキャパシティブカップリング率を向上させたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁
To perform a waste water treatment by disposing a second gate in a gate, mounting a pump on the second gate, and efficiently performing the opening and closing thereof.例文帳に追加
ゲート内に第2ゲートを配置して、この第2ゲートにポンプを搭載して、開閉を効率良く行い排水処理をする。 - 特許庁
It is considered one of the three great gates of Kyoto along with the Sam-mon Gate of Chion-in Temple and Mieido-mon Gate of Higashi Hongan-ji Temple. 例文帳に追加
知恩院三門、東本願寺御影堂門とともに、京都三大門の一つに数えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
(an ume tree forest grows outside of the romon gate (two-storey gate) and is open to the public for a fee when in season). 例文帳に追加
(楼門外には梅林もあり、シーズン中は有料で公開される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Niomon gate: Built in 1350; irimoya-zukuri style (building with a half-hipped roof); shingled-roof; single storey eight-legged gate. 例文帳に追加
仁王門-貞和6年(1350年)入母屋造、柿(こけら)葺き単層の八脚門。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The Honden (main hall), Haiden (hall of worship) and So-mon gate (main gate) were rebuilt in 1633 like the Hondo main hall of Kiyomizu-dera Temple. 例文帳に追加
本殿、拝殿、総門は清水寺本堂と同じく寛永10年(1633年)の再建である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
It is a romon gate (two-storied gate) of the Irimoya-zukuri (building with a half-hipped roof) style in front of the Kon-do Hall (the Great Buddha Hall). 例文帳に追加
金堂(大仏殿)の手前にある入母屋造の楼門(2階建ての門)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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