「IN GATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate electrode 22a has a damascene structure formed by embedding a metal film in the gate electrode forming opening 20a provided by removing a first dummy gate electrode 14a formed at the same time as the gate electrode 14c.例文帳に追加

ゲート電極２２ａは、ゲート電極１４ｃと同時に形成した第１のダミーゲート電極１４ａを除去して設けられたゲート電極形成用開口２０ａ内に金属膜を埋め込んで形成されたダマシン構造を有する。 - 特許庁

The transfer gate electrode 12, multiplication gate electrode 13 and read-out gate electrode 14 are formed at predetermined intervals in a predetermined region on the top surface of the gate insulating film 11.例文帳に追加

転送ゲート電極１２、増倍ゲート電極１３および読出ゲート電極１４は、ゲート絶縁膜１１の上面上の所定領域に所定の間隔を隔てて形成されている。 - 特許庁

In addition, a gate insulating film 5 and a gate electrode 6 are formed one after another and a gate sidewall spacer 7 is formed around the gate electrode 6 on the area of the semiconductor layer 3 which becomes a channel.例文帳に追加

また、半導体層３のうちのチャネルとなる領域上には、ゲート絶縁膜５とゲート電極６とが順に形成されており、ゲート電極６を囲むようにゲート側壁スペーサ７が形成されている。 - 特許庁

In the gate region deriving the gate conductor 30 to the surface of the substrate, the inside of the gate region trench 22 is completely filled with the gate conductor 30.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとして電流を駆動する活性領域では、活性領域トレンチ内にゲート導電体および柱状ドレイン電極を設け、ドレイン電極とゲート導電体とのオーバーラップ容量を小さくする。 - 特許庁

SCR is usually in an off state, but is turned on when the voltage of the gate exceeds a prescribed threshold value, and a prescribed gate current flows between the gate and a cathode, so that a current flows between the gate and the cathode.例文帳に追加

ＳＣＲは、通常はオフ状態であるが、ゲートの電圧が所定のしきい値を超えてゲート・カソード間に所定のゲート電流が流れると、ＳＣＲはトリガーされてオンとなり、アノード・カソード間に電流が流れる。 - 特許庁

The multi-finger gate includes a plurality of gate fingers 452 formed in the active region, and a gate connection part 454 which connects the gate fingers to one another and is formed between two active regions.例文帳に追加

マルチフィンガーゲートは、アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー４５２、及びゲートフィンガーを互いに接続して二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部４５４を含む。 - 特許庁

The gate insulating film comprises a first gate insulating film 30 as a lower layer and a second gate insulating film 32 as an upper layer having a higher etching rate than that of the first gate insulating film in order from the ground side.例文帳に追加

このゲート絶縁膜は、下地側から下層の第１ゲート絶縁膜３０と第１ゲート絶縁膜のエッチングレートより大なるエッチングレートを有する上層の第２ゲート絶縁膜３２から成る窒化シリコン膜である。 - 特許庁

The select control device comprises a gate mechanism having the plurality of gates having shift positions for specifying speed stages and a select positioning mechanism for relatively displacing the actual gate to the desired gate of the gate mechanism in the direction of select during shift.例文帳に追加

車速段を規定するシフト位置を有する複数のゲートをもつゲート機構と、変速時に実ゲートをゲート機構のうち所望のゲートにセレクト方向に相対変位させるセレクト位置決め機構とを具備する。 - 特許庁

To prevent electrical short circuit between the gate electrode of a circuit element having a one-layer gate structure and a substrate in a semiconductor memory having a two-layer gate structure and a one-layer gate structure.例文帳に追加

２層ゲート構造と１層ゲート構造を有する半導体記憶装置において１層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

To measure a gate oxide film even for a MOS semiconductor device in which the protective diode of the gate oxide film is formed by making it possible to energize only the gate oxide film without interposing a gate protective diode.例文帳に追加

ゲート保護ダイオードを介さずにゲート酸化膜のみに通電することができるようにして、ゲート酸化膜の保護ダイオードを作り込んだMOS型半導体装置であっても、ゲート酸化膜の測定を可能にする。 - 特許庁

Gate drive circuits 12 supply a gate signal to the gate of each of a plurality of voltage-driven type semiconductor elements 11 connected in series via a gate resistor 13.例文帳に追加

ゲート駆動回路１２は、直列接続された複数個の電圧駆動型半導体素子１１各々の電圧駆動型半導体素子のゲートにゲート抵抗１３を介してゲート信号を供給する。 - 特許庁

The metal is higher in concentration on an interface between the gate insulating film 114 and gate electrode 121 of the FET 104 than on an interface between the gate insulating film 114 and gate electrode 126 of the FET 102.例文帳に追加

ＦＥＴ１０４のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２１との界面における前記金属の濃度は、ＦＥＴ１０２のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２６との界面における前記金属の濃度よりも高い。 - 特許庁

In the peripheral area, a gate driving circuit 170 connected with the gate lines, and a logic circuit 180 for VI put between this gate driving circuit 170 and the gate lines are formed.例文帳に追加

周辺領域には、ゲート線と連結したゲート駆動回路１７０と、このゲート駆動回路１７０とゲート線との間に挿入されたＶＩ用論理回路１８０が形成されている。 - 特許庁

To repair a defect of a gate insulating film without oxidizing a metal gate electrode in a MISFET where the metal gate electrode is formed on the much thinned gate insulating film with a thickness of a silicon dioxide reduced thickness of less than 5 nm.例文帳に追加

二酸化シリコン換算膜厚が５ｎｍ未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したＭＩＳＦＥＴにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。 - 特許庁

A TFT 12 has a structure formed by laminating a bottom gate electrode 20, a bottom gate insulating film 17, a semiconductor layer 13, a top gate insulating film 18, a top gate electrode 14, and an interlayer insulating film 19 in this order.例文帳に追加

ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a damascene gate or a replaced gate, wherein the uneven gate pattern density is small, and in a CMP process of exposing the upper surface of a dummy gate, dishing does not occur.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

To restore defects of the gate insulating film which has an extremely small thickness of <5 nm (equivalent to silicon dioxide) of an MISFET, in which a metal gate electrode is formed on the gate insulating film without oxidizing the metal gate electrode.例文帳に追加

二酸化シリコン換算膜厚が５nm未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したＭＩＳＦＥＴにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。 - 特許庁

When a receiver of the home delivery box 3 passes by holding up a noncontact IC card 9 such as a member certificate over a gate, the gate ID of the passed gate is recorded in a gate ID recording part of the noncontact IC card 9.例文帳に追加

宅配箱３の受取人が、社員証等の非接触ＩＣカード９をゲートにかざして通過すると、非接触ＩＣカード９のゲートＩＤ記録部に通過したゲートのゲートＩＤを記録される。 - 特許庁

To provide a gate power supply device of a semiconductor element in which the gate power supply to the semiconductor element can be ensured even if a sound gate power supply cannot be obtained by a self-supply circuit of gate power supply.例文帳に追加

ゲート電源自給回路で健全なゲート電源を得ることができなかったとしても半導体素子へのゲート電源を確保できる半導体素子のゲート電源供給装置を提供することである。 - 特許庁

Each set of an arbitrary number of control gate electrode films is used as a transistor unit, and the insulating films among the gate electrodes, the floating gate electrode films, and the gate insulating films in each transistor unit are formed.例文帳に追加

この複数の制御ゲート電極膜の任意の数のもの毎を、それぞれトランジスタ単位となし、各トランジスタ単位におけるゲート電極間絶縁膜と浮遊ゲート電極膜とゲート絶縁膜とを形成する。 - 特許庁

A gate 2 has a first gate inner circumference surface 13 which is connected/installed in a flat state along the non-design molding surface 12 and a second gate inner circumference surface 14 facing the first gate inner circumference surface 13.例文帳に追加

ゲート２は、非意匠成形面１２に沿って平坦な状態で連設された第一のゲート内周面１３と、この第一のゲート内周面１３に対向する第二のゲート内周面１４とを備える。 - 特許庁

Next, an insulating layer is formed on the substrate so that the dummy gate insulator layer and a dummy gate electrode are embedded, and then the dummy gate insulating layer and the dummy gate electrode are removed from the insulating layer so as to form an opening in the insulating layer.例文帳に追加

次に、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を埋め込むように、基板上に絶縁膜を形成し、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を、絶縁膜から除去して、絶縁膜に開口を形成する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device further includes a step of removing the metal by polishing so that the upper surface of both the first gate 30 and second gate 31 is exposed and the metal is left in the first gate 30 and second gate 31 with different thickness.例文帳に追加

また、第１のゲート部３０及び第２のゲート部３１の上面が共に露出するようにメタルを研磨除去し、第１のゲート部３０と第２のゲート部３１で厚みの異なるメタルを残す工程を備えて構成される。 - 特許庁

To uniformly electrically press-contact a gate post element, in the outer peripheral gate structure or intermediate gate structure of a large-capacity element with a metallic current collecting gate electrodes.例文帳に追加

大容量素子の外周ゲート構造又は中間ゲート構造のゲートポスト電極をゲート集電金属電極に電気的に均一に圧接させる。 - 特許庁

Gate identification information received from each gate when a vehicle passes through an entrance/exit gate of a toll road and residual fuel amount information obtained from the vehicle at least every time the vehicle passes through the gate are stored in an IC card.例文帳に追加

有料道路の入／出口ゲートの通過時に各ゲートから受信したゲート識別情報と、少なくとも該各時点に車両から取得した燃料残量の情報とをＩＣカードに記憶する。 - 特許庁

An electromagnetic clutch is arranged between an electric motor for driving opening-closing of a tail gate and the tail gate, and a gas stay for energizing the tail gate in the opening direction is installed between the tail gate and a car body.例文帳に追加

テールゲートを開閉駆動する電動モータとテールゲートとの間に電磁クラッチを設け、テールゲートと車体との間にはテールゲートを開方向に付勢するガスステーを装着する。 - 特許庁

The image display is provided with: a plurality of pixels 4 arranged in a matrix; gate wires and source wires; and gate driver circuits 2, 3 for supplying a gate signal to the gate wire, on the same substrate.例文帳に追加

本発明に係る画像表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素４と、ゲート配線及びソース配線と、ゲート配線にゲート信号を供給するゲートドライバ回路２，３とを同一基板上に備える。 - 特許庁

To provide a folding door type navigation gate, in which a lower part of a door protrudes from a U-shaped gate frame when the gate is opened, and the lower part is brought into contact with a lake bottom or a dam bottom when the gate is used at the time of a low water level, thereby preventing the door from being related to damage.例文帳に追加

ゲートを開いた時扉の下部がＵ字状のゲートフレームより突出し、低水位時において使用する場合には、扉の下部が湖底ないしダムの底に接触し、扉の損傷に繋がるのを防止する。 - 特許庁

To reduce a passenger from being prohibited to exit an automatic ticket gate in a station where the automatic ticket gate and a platform are close to each other when the passenger passes through the automatic ticket gate after getting off a train; and accordingly, to reduce congestion around of the automatic ticket gate.例文帳に追加

乗客が降車により自動改札を通過する際に、自動改札とホームが近接する駅においても自動改札での出場を禁止されるケースを減少させ、またそれによって自動改札付近の混雑を緩和する。 - 特許庁

This forms a gate oxide film with uniform thickness in a succeeding gate oxide film formation processes prevents deterioration of the characteristics of the gate oxide film, and hence prevents lowering of the reliability of the gate oxide film.例文帳に追加

これにより後続のゲート酸化膜形成工程で均一な厚さのゲート酸化膜が形成できるので、ゲート酸化膜の特性の劣化が防止でき、ゲート酸化膜の信頼性が低下することが防止できる。 - 特許庁

In the operation control device for a construction machine, a gate lock switch opened and closed by a gate lock lever 15 comprises a gate lock first switch 37 and a gate lock second switch 38.例文帳に追加

ゲートロックレバー１５により開，閉成されるゲートロックスイッチを、ゲートロック第１スイッチ３７とゲートロック第２スイッチ３８とにより構成する。 - 特許庁

Disturbance defect of each memory cell is restrained by reducing the ratio W2/W1 between the gate width W1 of the gate oxide film 120 and the gate width W2 of the floating gate 140 in a channel width direction.例文帳に追加

チャネル幅方向にゲート酸化膜１２０のゲート幅Ｗ１と、フローティングゲート１４０のゲート幅Ｗ２との比Ｗ２／Ｗ１を小さくすることにより、各メモリセルのＤｉｓｔｕｒｂ不良を抑制する。 - 特許庁

To provide a drive circuit for an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) that solves a problem of disabled gate control by a large gate current at a high-speed in the case of switching gate resistors by an analog switch.例文帳に追加

ＩＧＢＴのドライブ回路として、ゲート抵抗をアナログスイッチで切り替えるには、高速で大きな電流によるゲート制御ができない。 - 特許庁

To provide a locking device of a gate, which is excellent in operability and which enables the operation of engagement/disengagement of the gate with/from a support to be performed with a gate opening operation through a one-touch operation; and to provide the gate.例文帳に追加

支持柱に対する門扉の係合解除操作を、門扉の開操作とともにワンタッチで行なうことができる、操作性に優れた門扉の係止装置および門扉を提供する。 - 特許庁

To perform a strength test by a testing device with a simple configuration, which loads pressure at a state close to a situation that a gate is actually used to a flat plate structure which receives hydraulic pressure of a gate, etc. in a water gate, a sluice gate, and a sluice pipe.例文帳に追加

水門、樋門、樋管におけるゲート等の水圧を受ける平板構造体に対し実際にゲートが使用される状況に近い状態での圧力を載荷する簡易な構成の試験装置により強度試験を行う。 - 特許庁

The first segment 21 has a girder height, in which the segment 21 is not brought into contact with a gate 6 for the opening section 3 when the gate 6 is pulled up, and is arranged so as not to be brought into contact with the gate 6 when the gate 5 is pulled up.例文帳に追加

第１セグメント２１は、開口部３のゲート６の引き上げ時に該ゲート６と接触しない桁高さを備え且つゲート６の引き上げ時に該ゲート６と接触しないように配置されている。 - 特許庁

An n-type channel MOS transistor M3 is provided in which the gate is connected to the gate and source connection part of the MOS transistor M2, the drain is connected to the VCC, and the gate is connected to the gate of the MOS transistor M1.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートとソースの結線部にゲートを、ＶＣＣにドレインを、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートにゲートをそれぞれ接続したｎ型チャネルＭＯＳトランジスタＭ３を設ける。 - 特許庁

To move a gate door only when consciously desiring to open and close the gate door, by preventing the situation of carelessly moving the gate door, when the gate door exists in a midway position except for a fully closed position and a fully opening position.例文帳に追加

門扉が完全に閉まった位置やいっぱいに開いた位置以外の途中の位置に存在している場合において、不用意に門扉が移動する事態を防止し、意識して門扉を開閉したい場合にのみ門扉を移動できるようにする。 - 特許庁

To provide an insulated gate semiconductor device, wherein the gate capacity is reduced for faster switching speed, while increase in gate resistance is prevented and the equal voltage is applied to the gate of each cell.例文帳に追加

ゲート容量を低減させて早いスイッチング速度を得ながら、ゲート抵抗の増大を防止し、各セルのゲートに等しい電圧を印加することができる絶縁ゲート型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent as much as possible generation of gate pulse-off conditions due to erroneous detection pulse in a gate feedback signal, while realizing a gate interlock due to the gate feedback signal.例文帳に追加

ゲートフィードバック信号によるゲートインターロックを実現しつつ、ゲートフィードバック信号に生ずる誤検出パルスによるゲートパルスオフの発生事態を可及的に防止する。 - 特許庁

In the second gate 45, a passage spacing XS at symmetrical counter-gate positions 45X holding the driving shaft 31 between them is set to be wider than a passage spacing GS at a gate position 45G where the first gate 47 is connected to the resin pool 46.例文帳に追加

第二ゲート４５は、樹脂溜まり４６に第一ゲート４７が接続したゲート位置４５Ｇの流路間隔ＧＳより、駆動軸３１を挟んで対称の反ゲート位置４５Ｘの流路間隔ＸＳが広く設定されている。 - 特許庁

For the non-power type gate providing a bearing shaft 12 of a gate body 10 to the vertical direction by inclining to an upstream side, an auxiliary load means 20 for applying load in the gate opening direction is provided to the gate body 10.例文帳に追加

ゲート本体１０の支持軸１２が鉛直方向に対して上流側に傾斜して設けられる無動力式ゲートにおいて、ゲート本体１０に対してゲート開放方向の荷重を与える補助荷重手段２０を設けた。 - 特許庁

In addition, a top gate-type TFT that is of the multi-gate structure and a top gate-type TFT that is of a single gate structure can be formed on the same substrate by merely changing the mask without increasing the number of processes.例文帳に追加

また、マスクを変更するだけで、工程数を増やすことなく、同一基板上に上記マルチゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴとシングルゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴを形成することができる。 - 特許庁

The forward voltage (gate voltage VG) across the gate-source of the JFET 2 is limited to a voltage value (Vo) lower than a built-in voltage between the gate and source, and therefore a gate current is also restrained.例文帳に追加

ＪＦＥＴ２のゲート−ソース間の順方向電圧（ゲート電圧VG）は、ゲート−ソース間のビルトイン電圧よりも低い値（Vo）に抑制され、ゲート電流IGも抑制されることになる。 - 特許庁

When passing by holding up also the home delivery box 3 over the gate, the gate ID of the passed gate is recorded in the gate ID recording part of a noncontact IC card 5 of the home delivery box 3.例文帳に追加

また、宅配箱３もゲートにかざして通過すると、宅配箱３の非接触ＩＣカード５のゲートＩＤ記録部に通過したゲートのゲートＩＤを記録される。 - 特許庁