「IN GATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate insulator 10 has a thick film portion 24 thicker than a part above the channel region in the gate-length direction at least in part where the gate insulator is in contact with the boundary surface of the body layer 4 at the end in the gate-width direction.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜１０は、ゲート幅方向端部におけるボディ層４の境界面と接する少なくとも一部に、ゲート長方向のチャネル領域上部よりも膜厚が厚い厚膜部２４を有する。 - 特許庁

GATE DRIVE CIRCUIT IN POWER CONVERTER例文帳に追加

電力変換器におけるゲート駆動回路 - 特許庁

TOLL GATE SYSTEM IN TOLL ROAD例文帳に追加

有料道路における料金所システム - 特許庁

DROP BAR HOLDING MECHANISM IN EXPANSION GATE DOOR例文帳に追加

伸縮門扉における落し棒の保持機構 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DETECTING VEHICLE BODY IN GATE TYPE CAR WASHING MACHINE例文帳に追加

門型洗車機における車体検出方法及び装置 - 特許庁

CONTROL CIRCUIT BUILT-IN INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

制御回路内蔵絶縁ゲート半導体装置 - 特許庁

INSTALLING STRUCTURE OF OVERTURNING PREVENTIVE METAL FITTING IN EXTENSIBLE/CONTRACTIBLE GATE DOOR例文帳に追加

伸縮門扉における転倒防止金具の取付構造 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR GUIDING TO BOARDING GATE IN AIRPORT例文帳に追加

空港内搭乗ゲート案内システム及び方法 - 特許庁

INLET GATE MEMBER IN A PACHINKO BALL RETURNING MACHINE例文帳に追加

パチンコ玉還元機における入口ゲート部材 - 特許庁

TAIL GATE STOPPER FITTING STRUCTURE IN AUTOMOBILE例文帳に追加

自動車におけるテールゲート用ストッパの取付構造 - 特許庁

VEHICLE SHAPE DETECTION METHOD IN GATE-TYPE CAR WASHING MACHINE例文帳に追加

門型洗車機における車形検出方法 - 特許庁

To leave the gate trace 7 in the recessed part 5, a part having smaller thickness than a gate part part 6b outside the recessed part 5 is provided in a gate part part 6a in the recessed part 5, and the gate part 6 is cut in the recessed part 5.例文帳に追加

ゲート痕７を凹部５内に残すには、凹部５内のゲート部部分６ａに凹部５外のゲート部部分６ｂよりも厚みの薄い部分を設けることにより、ゲート部６を凹部５内で切断する。 - 特許庁

In this method, a gate conductor line is formed.例文帳に追加

この方法において、ゲート導体線が形成される。 - 特許庁

and in another moment the heavy gate closed behind it. 例文帳に追加

そして次の瞬間、棺の背後で重い門は閉ざされた。 - Charles Dickens『奇妙な依頼人』

In ends of the juxtaposed gate patterns 21, 22, and opposite ends of the juxtaposed gate patterns 23, 24, the end of the gate pattern 21 projects toward the gate patterns 23, 24 beyond the end of the gate pattern 22, the opposite end of the gate pattern 24 projects toward the gate patterns 21, 22 beyond the opposite end of the gate pattern 23.例文帳に追加

並列に並ぶゲートパターン２１，２２の端部と、並列に並ぶゲートパターン２３，２４の対向端部とにおいて、ゲートパターン２１の端部はゲートパターン２２の端部よりもゲートパターン２３，２４の方に突き出ており、ゲートパターン２４の対向端部はゲートパターン２３の対向端部よりも、ゲートパターン２１，２２の方に突き出ている。 - 特許庁

If a negative gate is connected to the upper part of an AND gate or an OR gate in a fault tree, it is successively rewritten with two negative gates at the lower part of the OR gate or the AND gate by a conversion formula between a logical product and a logical sum, and the negative gate positioned at the upper part of the AND gate or the OR gate is removed.例文帳に追加

フォールトツリーにおいてＡＮＤゲート又はＯＲゲートの上方に否定ゲートが接続されていれば、論理積及び論理和間の変換式により、これらをＯＲゲート又はＡＮＤゲートの下方の２つの否定ゲートに順次書き換えて、ＡＮＤゲート又はＯＲゲートの上方に位置する否定ゲートを除去していく。 - 特許庁

In first and second gate electrodes 6a, 6b constituting a gate electrode 6, a gate length W6b of the second gate electrode 6b is configured to be shorter than a gate length W6a of the first gate electrode 6a, and the gate length W6b of the second gate electrode 6b is configured to be shorter to the extent that a short channel effect generates.例文帳に追加

ゲート電極６を構成する第１及び第２ゲート電極６ａ，６ｂにおいて、第１ゲート電極６ａのゲート長Ｗ６ａよりも、第２ゲート電極６ｂのゲート長Ｗ６ｂを短く構成し、かつ、第２ゲート電極６ｂのゲート長Ｗ６ｂを、短チャネル効果を発生させる程度に短く構成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate electrode in a nonvolatile memory device which can prevent an undercut from being formed in a control gate in a gate electrode etching process for defining the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極を定義するためのゲート電極エッチング工程の際にコントロールゲートにアンダーカットが形成されることを防止することが可能な不揮発性メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

The gate of a cell transistor ST-side part of an EEPROM which is shorter in length than that of the gate electrode 41 of a peripheral transistor CT is covered with a first insulating film 37 and annealed in an oxidizing atmosphere, where the gate of a cell transistor ST is shorter in length than that of the gate electrode 41 of a peripheral transistor CT.例文帳に追加

たとえば、周辺トランジスタＣＴのゲート電極部４１よりもゲート長が短い、セルトランジスタＳＴ側を第１の絶縁膜３７によって覆った状態で、酸化雰囲気中にてアニールする。 - 特許庁

In a method for shearing a gate 3 of a preform 1, the gate is moved in contact with a fixed edge 4 and the gate is sheared by making the fixed edge bite in the gate relatively.例文帳に追加

プリフォーム１のゲート３の剪断方法は、ゲートを固定刃４に接触させながら移動させ、相対的に固定刃をゲートに喰い込ませることにより、ゲートを剪断する。 - 特許庁

The first gate 210 includes a gate insulating film formed in a bottom surface in a first concave portion formed in the insulating film; a gate electrode formed over the gate insulating film in the first concave portion; and a protective insulating film 140 formed on the gate electrode in the first concave portion.例文帳に追加

第１のゲート２１０は、絶縁膜中に形成された第１の凹部内の底面に形成されたゲート絶縁膜、当該第１の凹部内のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、および当該第１の凹部内のゲート電極上に形成された保護絶縁膜１４０を含む。 - 特許庁

Around 3 p.m. Naganori, who was put in the cage by feudal retainers of Ichinoseki Domain, was carried to Tamura mansion in Shiba Atago (current Shinbashi Minato Ward, Tokyo), leaving Edo-jo Castle through Hirakawaguchi-mon gate, which was Fujo-mon gate (Fujo-mon gate means that the gate using to carry out the dead or criminals). 例文帳に追加

未の下刻（午後3時頃）、一関藩士らによって網駕籠に乗せられた長矩は、不浄門とされた平川口門より江戸城を出ると芝愛宕下（現東京都港区新橋）にある田村邸へと送られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A gate trench 13 is formed in a semiconductor substrate 10, and a gate electrode 16 is formed via a gate insulating film 14 in this gate trench 13.例文帳に追加

半導体基板１０にはゲートトレンチ１３が形成されており、このゲートトレンチ１３にはゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film.例文帳に追加

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。 - 特許庁

On the interface between the gate insulating film 60 and the gate electrode 70, a plurality of particles of silicon nitride 80 are scatteringly buried in the gate electrode 70 in contact with the gate insulating film 60.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６０とゲート電極７０との界面において、複数のシリコンナイトライド粒子８０がゲート絶縁膜６０に接触した状態でゲート電極７０に点在して埋め込まれている。 - 特許庁

A part of a cylindrical pump casing 11 having a horizontal axis orthogonal to the lifting direction of a gate 5 is projected from the gate 5 and inserted in the range of the thickness of the gate 5 to be built in the gate 5.例文帳に追加

門扉５の昇降方向に対して直交する水平軸心を有する円筒状ポンプケーシング１１，１１の一部を門扉５から突出させて門扉５の厚み範囲内に挿入させた状態で門扉５に内蔵設置する。 - 特許庁

In a trench type insulating gate semiconductor device 100, a width of an electrical load storing layer 113 in an array direction of a gate electrode 120 and a dummy gate 121 (gate electrode 120) is set to 1.4 μm or less.例文帳に追加

トレンチ型絶縁ゲート半導体装置１００は、ゲート電極１２０およびダミーゲート１２１（ゲート電極１２０）の配列方向における電荷蓄積層１１３の幅が、１．４μｍ以下とされる。 - 特許庁

The transistor is formed of the diffusion layer 103 and the gate polysilicon 104 that serves as the gate electrode, and the net-like gate polysilicon wiring 101 and the gate polysilicon 104 in the transistor are formed on in the same process.例文帳に追加

トランジスタは、拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成され、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、トランジスタのゲートポリシリ１０４は、同一工程で形成される。 - 特許庁

The cold cathode includes a gate insulation layer divided into the first gate insulation layer and the second gate insulation layer, and the first gate insulation layer has fine holes in which electron sources that are connected to high resistance layers in parallel are disposed.例文帳に追加

本願の冷陰極は、ゲート絶縁層を第１のゲート絶縁層、第２のゲート絶縁層で構成し、第１のゲート絶縁層は細孔を有し、細孔には電子源を配設し、電子源は高抵抗層に対して並列に接続される。 - 特許庁

The gate electrode of the selection transistor in the first memory cell is connected to a first gate line, and the gate electrode of the selection transistor in the second memory cell is connected to a second gate line.例文帳に追加

第一のメモリセルにおける選択トランジスタのゲート電極は、第一のゲート線に接続され、第二のメモリセルにおける選択トランジスタのゲート電極は、第二のゲート線に接続される。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device of split gate structure, memory cells of different gate lengths are integrated because read-out current and read and write endurance are in tradeoff condition due to the gate length of a memory gate.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電流と書き換え耐性はメモリゲートのゲート長によりトレードオフの関係にあるため、ゲート長の異なるメモリセルを集積する。 - 特許庁

Consequently, the finished gate lengths of the transistors TrA-TrF can be fixed roughly to a fixed value by suppressing the effect of the increase in the gate length caused by a hammer head and the increase in the gate length caused by gate flaring.例文帳に追加

その結果、ハンマヘッドによるゲート長太り及びゲートフレアリングによるゲート長太りの効果が抑制され、ＴｒＡ〜ＴｒＦの仕上がりゲート長をほぼ一定値にすることが可能となる。 - 特許庁

A lifting and openably installed first gate 3 is installed at a drain gutter gate 2 having a drain port 6, and the second gate 15 lifting in the same direction and openably installed is mounted in contact with the first gate 3.例文帳に追加

排水口６を有する排水樋門２に昇降して開閉自在に設置される第１ゲート３を設け、この第１ゲート３に当接して同じ方向に昇降し、開閉自在に設置される第２ゲート１５を搭載する。 - 特許庁

After the gate oxide film of a thin film region is selectively removed, a second gate oxide film forming step is performed to form a second gate oxide film 15A in the thin film region, and a gate oxide film 15B is formed in a thick film region.例文帳に追加

薄膜部領域のゲート酸化膜を選択的に除去した後、第２のゲート酸化膜形成工程を行って、薄膜部領域に第２のゲート酸化膜１５Ａを形成し、厚膜部領域にゲート酸化膜１５Ｂを形成する。 - 特許庁

A second input terminal of the second NOR gate, a second input terminal of the third NOR gate are respectively connected to a CON2 terminal and a CON3 terminal, and the output terminals are connected to the gate lines in odd number and the gate lines in even number.例文帳に追加

また、第２ノアゲートの第２入力端、第３ノアゲートの第２入力端は、各々ＣＯＮ２端子、ＣＯＮ３端子と連結されており、各々の出力端は、奇数番目のゲート線、偶数番目のゲート線と連結されている。 - 特許庁

In a T-shaped cross-sectional gate electrode on which gate resistance is reduced, an insulating film 13, which is formed between a gate electrode 11 and a semiconductor substrate 10 for the purpose of retaining the gate electrode 11, is partially removed in the width direction (longitudinal direction).例文帳に追加

ゲート抵抗を低減する断面Ｔ字型ゲート電極において、ゲート電極と半導体基板の間にゲート電極を保持するため形成する絶縁膜をゲート電極の幅（長手方向）において部分的に除去する。 - 特許庁

To provide an NMOS logic gate with lower power than that of an ECL gate at a higher speed than that of a CMOS gate, that can be in use in a hybrid form with them and to provide a semiconductor device using the logic gate.例文帳に追加

ＥＣＬゲートより低電力で、ＣＭＯＳゲートより高速で、両者と混在して使用可能なＮＭＯＳの論理ゲート、それを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gate bar monitoring device for monitoring the gate bar 204 includes: a sensor section for measuring the distance between a first position in the gate bar 204 and a second position in the gate bar 204 or a third position in an object other than the gate bar 204; and a gate bar information output section for outputting the gate bar information showing the measurement result of the sensor section.例文帳に追加

遮断桿２０４を監視するための遮断桿監視装置であって、遮断桿２０４における第１の位置と、遮断桿２０４における第２の位置または遮断桿２０４以外の物体における第３の位置との間の距離を測定するためのセンサ部と、センサ部の測定結果を示す遮断桿情報を出力するための遮断桿情報出力部とを備える。 - 特許庁

Each of the field-effect transistors has a gate trench formed in a second region of the semiconductor substrate 10, gate insulating films formed on the bottom face and side faces of the gate trench, a gate electrode that touches the insulating-film liner 18a and the gate insulating film formed in the gate trench, and source and drain regions formed in the semiconductor substrate 10 and adjacent to the gate electrode.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半導体基板１０の第２部位内に形成されたゲートトレンチと、ゲートトレンチの底面上及び側面上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲートトレンチ内に形成され絶縁膜ライナー１８ａ及びゲート絶縁膜と接触するゲート電極と、半導体基板１０内に形成されゲート電極と隣接するソース／ドレイン領域とを有する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the end part on the gate electrode 4 side in a drift region 8 extends to the underneath of the gate electrode 4, and when the gate length of the gate electrode 4 is denoted by Lg, and the length of the portion 8a underneath the gate electrode 4 in the drift region 8 is denoted by Ld, Ld<Lg/2 is satisfied.例文帳に追加

ドリフト領域８におけるゲート電極４側の端部はゲート電極４下まで延びており、ゲート電極４のゲート長をＬｇ、ドリフト領域８におけるゲート電極４下の部分８ａの長さをＬｄとすると、Ｌｄ＜Ｌｇ／２である。 - 特許庁

There are many others, including the Goju-no-to (five-story pagoda), the Kyozo (scripture storehouse), Kyusho Myojin Shrine, the Goeido Chu-mon gate, the Kannondo, the Shoro (bell tower), the Nio-mon gate, the Chu-mon gate, and the Hombo Omote-mon gate (all important cultural properties), many of which were contributed by Iemitsu TOKUGAWA in the Kan'ei years. 例文帳に追加

その他、五重塔、経蔵、九所明神社本殿、御影堂中門、観音堂、鐘楼、仁王門、中門、本坊表門（以上重文）などがあり、大部分は徳川家光の寄進で寛永年間に整備されたものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As for the temple buildings of Gango-ji Temple in the Nara period, the Nandai-mon gate (literally, Great South Gate), Chu-mon gate (literally, Inner Gate), Kon-do Hall (Miroku Buddha is enshrined as Honzon), Ko-do Hall (lecture hall), Sho-do Hall (hall preserving the temple bell) and Jiki-do Hall (dining hall) were arranged on the straight from south to north. 例文帳に追加

奈良時代の元興寺伽藍は、南大門、中門、金堂（本尊は弥勒仏）、講堂、鐘堂、食堂（じきどう）が南北に一直線に並んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Passing through its Sanmon gate (temple gate) and going down the Sando (an approach to the temple), you will see Kimi-in Temple, Honbo (a main living quarter priest), and going up the stone steps farther, you will see Nio-mon Gate (Deva gate) and further up is Hondo. 例文帳に追加

山門を入り参道を進むと本坊の喜見院があり、そこから石段を上ったところに仁王門、さらに上ったところに本堂が建つ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An Oten-mon Gate (応天門 or 應天門.) was located on the back side of the palace of the Heijo-kyo Capital and another Oten-mon Gate on the back side of the palace of the Heian-kyo Capital: The Oten-mon Gate constituted the official gate to Chodoin (Hasshoin) where government operations and important ceremonies in the Imperial Court were executed. 例文帳に追加

応天門（おうてんもん、應天門）は、平城京、平安京大内裏にあった門で、朝廷内での政務・重要な儀式を行う場であった朝堂院（八省院）の正門であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス