「IN GATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the strict definition, a sando indicates only the passage within the grounds defined by a torii (an archway to a Shinto shrine) or a sanmon gate (a temple gate). 例文帳に追加

狭義には、鳥居や山門などの結界内の通路のみを示す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A long time ago, a wooden gate was put in the open section and two turrets were built on either side near the gate for emergencies. 例文帳に追加

古くは開口に木戸等の門を設け、両脇に櫓(城郭)を建てて攻め手に備えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Uchi-masugata was an inner enclosure placed inside Koguchi in Kuruwa, and a gate was fixed to it to make the second gate. 例文帳に追加

内枡形は、曲輪の虎口の内側に小さな方形空間を造り第二の門を築く。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

There are also illustrations in which the gate on the north gallery is depicted as Kaimei-mon Gate but these are also incorrect. 例文帳に追加

また一部図版に北廊の門を開明門とするものもあるがこれもまた誤りである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Located between Giyoden Hall (Treasure Hall) and Shunkyoden Hall, the gate faced Gekka-mon Gate on the west side of the south garden in an east-west direction. 例文帳に追加

宜陽殿と春興殿との間にあり、南庭西側の月華門とは東西に相対する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Located between Kyoshoden Hall (Palace Archive Hall) and Anpukuden Hall, the gate faced Nikka-mon Gate on the east side of the south garden in an east-west direction. 例文帳に追加

校書殿と安福殿との間にあり、南庭東側の日華門とは東西に相対する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Higashidaimon Gate of Toji Temple in Kyoto is also known as "Akazunomon" (the unopened gate). 例文帳に追加

京都にある東(とう)寺(じ)の東(ひがし)大(だい)門(もん)は｢不開(あかずの)門(もん)｣としても知られている。 - 浜島書店 Catch a Wave

To provide a gate insulating transistor having a ferroelectric dielectric layer in a gate insulator.例文帳に追加

ゲート絶縁体中に強誘電体層を備えたゲート絶縁トランジスターを提供すること。 - 特許庁

When the voltage value of the gate terminal 2 reaches V_1, I_2 is supplied to the gate terminal 2 in addition to I_1.例文帳に追加

ゲート端子２の電圧値がＶ_１に達すると、Ｉ_１に加えてＩ_２をゲート端子２に供給する。 - 特許庁

A gate electrode (6) is arranged in the trench (4) via a gate insulating film (5).例文帳に追加

トレンチ（４）内にゲート絶縁膜（５）を介してゲート電極（６）が配設される。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING GATE ELECTRODE HAVING TWO WORK FUNCTIONS IN SEMICONDUCTOR GATE例文帳に追加

半導体デバイス中に二つの仕事関数を持つゲート電極を形成する方法とシステム - 特許庁

A gate electrode (6) is located in each trench adjacent to the main cell via a gate insulation film (5).例文帳に追加

メインセルに隣接するトレンチ内にゲート絶縁膜（５）を介してゲート電極（６）が配設される。 - 特許庁

A gate electrode 6 is installed in the trench, adjoining the main cell via a gate insulation film 5.例文帳に追加

メインセルに隣接するトレンチ内にゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が配設される。 - 特許庁

A gate electrode 4C is formed through a gate insulation film 3B in the logic circuit 40.例文帳に追加

論理回路部４０にはゲート絶縁膜３Ｂを介してゲート電極４Ｃ形成されている。 - 特許庁

N-type gate electrodes 5 are embedded in the trenches T respectively through the intermediary of gate insulating films 4.例文帳に追加

トレンチＴにゲート絶縁膜４を介してＮ型のゲート電極５が埋め込まれている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a gate insulating film 22 and a gate electrode 23 are formed on an n-type semiconductor substrate 21.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２及びゲート電極２３が形成されている。 - 特許庁

The first dummy gate electrodes 222 face in the same direction as a gate electrode 112.例文帳に追加

第１のダミーゲート電極２２２は、ゲート電極１１２と同一方向を向いている。 - 特許庁

The gate electrode 3 comprises a tantalum nitride layer 4 at least in a region contacting the gate insulating layer 2.例文帳に追加

ゲート電極３は、少なくともゲート絶縁層２に接する領域に窒化タンタル層４を有する。 - 特許庁

A gate electrode 8 is embedded inside of the gate insulating film 7 in the trench 6.例文帳に追加

トレンチ６内におけるゲート絶縁膜７の内側には、ゲート電極８が埋設されている。 - 特許庁

The drain-gate connect layer is positioned in a layer above the gate electrode layers 21a, 21b.例文帳に追加

ドレイン−ゲート接続層は、ゲート電極層２１ａ、２１ｂより上の層に位置する。 - 特許庁

A gate insulation film 7 and a gate electrode 8 are formed in a trench 21.例文帳に追加

トレンチ２１内には、ゲート絶縁膜７およびゲート電極８が形成されている。 - 特許庁

A gate insulation layer 10 and a gate electrode 9 are formed in the trench 21.例文帳に追加

トレンチ２１内には、ゲート絶縁膜１０およびゲート電極９が形成されている。 - 特許庁

To detect defects that are present in a gate oxide film without removing gate electrodes.例文帳に追加

ゲート電極を除去せずにゲート酸化膜に存在する欠陥を検出する。 - 特許庁

A gate insulating film 6 and a gate electrode 4 are disposed in the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の中にゲート絶縁膜６とゲート電極４とが設けられている。 - 特許庁

In the trench 17, a gate electrode 18 is formed covering the gate oxide film 13B.例文帳に追加

トレンチ１７内には、ゲート酸化膜１３Ｂを覆って、ゲート電極１８が形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 120 is interposed in between the semiconductor substrate 105 and the control gate electrode 140.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２０は、半導体基板１０５と制御ゲート電極１４０との間に介在される。 - 特許庁

An active cell is formed in the structure of a gate electrode (polysilicon)/gate oxide film.例文帳に追加

能動セル部分はゲート電極（ポリシリコン）／ゲート酸化膜の構造とした。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a gate electrode is formed at first on a substrate through the gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置の製造において、まず、基板に、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

After that, the material of a gate electrode is embedded in the gate trench 6 and the opening 27.例文帳に追加

その後、ゲート電極の材料を、ゲートトレンチ６および開口２７に埋設する。 - 特許庁

A gate insulating film 14 and a gate electrode 15 are formed in the prescribed trench part 13 inside.例文帳に追加

所定の溝部１３内面にゲート絶縁膜１４及びゲート電極１５が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 5 is buried in the trench 17 with a gate insulation film 6 interposed.例文帳に追加

トレンチ１７内にはゲート絶縁膜６を介してゲート電極５が埋め込み形成される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMATION OF GATE OXIDE LAYER WITH VARITIES OF THICKNESSES IN GATE-DIELECTRIC STACK STRUCTURE例文帳に追加

ゲート誘電体積層構造体に複数種類の厚さのゲート酸化物層を形成する方法 - 特許庁

A gate electrode EV is embedded in the trenches through a gate insulating film 9.例文帳に追加

ゲート電極ＥＶはゲート絶縁膜９を介してトレンチに埋め込まれている。 - 特許庁

A gate insulation film 25 and a gate electrode 24 are arranged in the trench 31.例文帳に追加

トレンチ３１内にゲート絶縁膜２５とゲート電極２４とが配置されている。 - 特許庁

In the trench 11, a gate electrode 5 is provided through a gate insulating film 12.例文帳に追加

トレンチ１１内には、ゲート絶縁膜１２を介してゲート電極５が設けられている。 - 特許庁

GATE VALVE DEVICE, VACUUM PROCESSING DEVICE AND OPENING METHOD OF VALVE ELEMENT IN GATE VALVE DEVICE例文帳に追加

ゲートバルブ装置および真空処理装置およびゲートバルブ装置における弁体の開放方法。 - 特許庁

A gate electrode 11 is installed in the trench 9 and near it via a gate oxide film 10.例文帳に追加

トレンチ９内及びその近傍にはゲート酸化膜１０を介してゲート電極１１が配設される。 - 特許庁

The base station 10 registers the telephone number received from the gate 30 in cross reference with the gate 30.例文帳に追加

基地局10は、ゲート30から受信した当該電話番号をゲート30と関連付けて登録する。 - 特許庁

In a gate door, a gate door face plate 3 is surrounded with upper, lower, right, and left frame materials 1a, 1b, 2a, and 2b.例文帳に追加

上下及び左右の框材１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂにて門扉面板３を囲繞した門扉である。 - 特許庁

HIVE GATE STRUCTURE IN BEEHIVE, BEE HIVE HAVING THE SAME, AND COMPONENT OF HIVE GATE-OPENING AND CLOSING TOOL FOR BEEHIVE例文帳に追加

養蜂箱における巣門構造及びそれを備えた養蜂箱、養蜂箱用の巣門開閉具部品 - 特許庁

A gate electrode 3 and a diffusion interlayer 4 are formed over an Si substrate 1 with a gate oxide film 2 in between.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にゲート酸化膜２を介してゲート電極３、拡散層４を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed in the drift region 11 via a gate oxide film 3.例文帳に追加

上記ドリフト領域１１上にゲート酸化膜３を介してゲート電極１４を形成する。 - 特許庁

The floating diffusion layer is formed in the active region between the transfer gate and the reset gate.例文帳に追加

トランスファゲート及びリセットゲートの間の活性領域内に浮遊拡散層を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 24 has a region provided in a trench 23 via a gate insulation film 26.例文帳に追加

ゲート電極２４は、トレンチ２３内にゲート絶縁膜２６を介して配置された領域を有する。 - 特許庁

In the trench 7, a gate electrode 11 is buried with a gate insulating film 10 interposed.例文帳に追加

トレンチ７内には、ゲート絶縁膜１０を介して、ゲート電極１１が埋設されている。 - 特許庁