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IN GATEの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 16642



例文

In addition, a gate electrode 6 is formed on the gate insulating film 5.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜5の上には、ゲート電極6が形成されている。 - 特許庁

A gate resistor 4 is inserted and fixed in the gate resistor hold unit 2a.例文帳に追加

ゲート抵抗保持部2aには、ゲート抵抗4が挿通され、固定される。 - 特許庁

A first region gate dielectric (504) is formed in the gate space.例文帳に追加

ゲートスペース内に第1の領域のゲート誘電体(504)が形成される。 - 特許庁

To eliminate malfunction in a gate drive circuit for driving the gate of a MOSFET.例文帳に追加

MOSFETのゲートを駆動するゲート駆動回路の誤動作をなくす。 - 特許庁

例文

GATE VALVE, AND METHOD OF REPLACING SEALANT IN GATE VALVE例文帳に追加

ゲート弁およびゲート弁におけるシール材の交換方法 - 特許庁


例文

GATE CUTTER IN SIDE GATE TYPE HOT RUNNER MOLD APPARATUS例文帳に追加

サイドゲ—ト式ホットランナ金型装置におけるゲ—ト切断装置 - 特許庁

GATE IN WATERWAY, AND BY-PASS GATE ON ABNORMAL WATER LEVEL例文帳に追加

水路におけるゲート及びそれを用いた異常水位時のバイパスゲート - 特許庁

The insulating film electrically isolates between the gate electrode and another gate electrode adjacent to the gate electrode in the gate width direction.例文帳に追加

絶縁膜により、ゲート電極と、該ゲート電極とゲート幅方向に沿って隣り合う他のゲート電極との間が電気的に分離されている。 - 特許庁

To increase a capacitance ratio between the capacitance between the gate and the emitter and the gate-collector capacitance, in an insulated gate bipolar transistor having a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有するIGBTにおいて、GE間容量とGC間容量との容量比を大きくすること。 - 特許庁

例文

To improve covering power of a gate insulating film's embedding to an edge portion of the gate groove bottom part in a damascene-type gate or replace-type gate.例文帳に追加

ダマシン型ゲートまたはリプレース型ゲートにおいて、ゲート溝底部のエッジ部に対するゲート絶縁膜埋め込みの被覆性を向上させる。 - 特許庁

例文

The gate oxide film 213 of the auxiliary gate 223a is thicker than the gate oxide film 211 of the floating gate 221b, and the size (gate width) of the auxiliary gate 223a in the extension direction of the word line WL is smaller than the gate length of the floating gate 221b in an extension direction of the word line WL.例文帳に追加

補助ゲート223aのゲート酸化膜213の厚さは、浮遊ゲート221bのゲート酸化膜211の厚さよりも薄く、ワード線WLの延在方向における補助ゲート223aの寸法(ゲート幅)は、ワード線WLの延在方向における浮遊ゲート221bのゲート長よりも小さい。 - 特許庁

The semiconductor film 12 of a TFT 3 has a double gate structure in which the film intersect one part of a gate line 2 twice and only a gate 15 remote from a data line 1 has a dual gate structure in which the semiconductor film 12 is held between the gate line 2 and a gate electrode 17 and a gate 14 has a single gate structure.例文帳に追加

TFT3の半導体膜12はゲート線2の一部と2回交差するダブルゲート構造であり、データ線1に遠いゲート15だけがゲート線2およびゲート電極17に半導体膜12が挟まれたデュアルゲート構造を有し、ゲート14は単一のゲート構造である。 - 特許庁

Shinmonzen-dori (literally, a new street in front of a gate) Street was given its name as opposed to the fact that the street running in front of the front gate of Chion-in Temple was named Komonzen-dori (literally, an old street in front of a gate) Street. 例文帳に追加

名前は知恩院の表門前の通りを古門前通と呼ぶことに対してつけられたという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the other hand, Taiseki-ji Temple of the Nikko School, who are the successors of the same kechimyaku (heritage of the Law) of Yuiju Ichinin (succeed everything that the master knows about the art to only one excellent disciple), has installed the So-mon gate (main gate) in Palace-style, made of dark wood (Kuro-mon gate), and a red lacquered Sanmon gate and Niten-mon gate with kikumon (chrysanthemum crest) and Chokushi-mon gate (the gate for the Imperial Envoys) and they showed the power of their religious school to the court nobles with architecture. 例文帳に追加

その一方、唯授一人の血脈相承者と称する日興門派の大石寺は総門を黒木の御所造(黒門)、三門は朱塗りで二天門には菊紋を施し勅使門を設けるなど、建築で自派の公家への影響力を主張した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The field gate electrodes 5 have a substantially equal gate length L mutually, and, when targeting an arbitrary field gate electrode 5, the field gate electrode 5 has a gate width beyond a gate width in the active area 3 of the arbitrary field gate electrode 5.例文帳に追加

フィールドゲート電極5は、互いにほぼ同じゲート長Lを有し、任意のフィールドゲート電極5に着目したときに、その任意のフィールドゲート電極5のアクティブエリア3内におけるゲート幅以上のゲート幅を有している。 - 特許庁

In the AND gate 72, a part of the active period of the enable pulse EN is used as a signal of the active period of a gate pulse GATE so that gate pulses GATE of each stage are not overlapped one another by taking logical product of the output pulses OUT1, OUT2.例文帳に追加

ANDゲート72は、出力パルスOUT1,OUT2の論理積を取ることで、各段のゲートパルスGATEが互いにオーバーラップしないように、イネーブルパルスENのアクティブ期間の一部をゲートパルスGATEのアクティブ期間の信号として用いる。 - 特許庁

A semiconductor device, when a gate electrode 1 is a metal gate electrode or a gate insulating film 4 is the high dielectric gate insulating film, includes a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 in order from the side of the gate electrode 1 between the gate electrode 1 and the gate insulating film 4.例文帳に追加

半導体装置を、ゲート電極1がメタルゲート電極であるか、又は、ゲート絶縁膜4が高誘電率ゲート絶縁膜である場合に、ゲート電極1とゲート絶縁膜4との間に、ゲート電極1側から順に、シリコン酸化膜2、シリコン窒化膜3を備えるものとする。 - 特許庁

The gate length of the second gate electrode 115B is made larger than the gate length of the first gate electrode 115A, and the thickness of the central part of the gate length direction in the second gate electrode 115B is made smaller than that of the first gate electrode 115A.例文帳に追加

第2のゲート電極115Bのゲート長は、第1のゲート電極115Aのゲート長よりも大きく、且つ、第2のゲート電極115Bにおけるゲート長方向の中央部の厚さは、第1のゲート電極115Aの厚さよりも小さい。 - 特許庁

The Nio-mon gate is a magnificent sangen-ikkomon gate (a 3x2-bay gate of an eight-legged style) of the irimoya style (a half-hipped roof) with a tochibuki roof (a type of board roofing in which boards are split along the straight grain and laid in such a way as to have a considerable overlap) has long been said to have been built in 680. 例文帳に追加

三間一戸、入母屋造、栩葺の堂々たる二王門は白鳳8年(680年)建立されたものと伝わっていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the state shown in the 1 (b), the gate delay is generated in the signal and a gate signal Bf on a gate bus line 2 is blunted.例文帳に追加

図1(b)に示す状態はゲート遅延が生じており、ゲート・バスライン2上のゲート信号Gfは鈍っている。 - 特許庁

In the state shown in the figure 1 (a), a gate delay is not generated in a gate signal Gn and the gate signal Gn has a pure rectangle shape.例文帳に追加

図1(a)に示す状態はゲート遅延が生じておらずゲート信号Gnはきれいな矩形状である。 - 特許庁

An auxiliary gate electrode, which is connected to the gate electrode and located on the gate electrode side, farther away from the semiconductor film than the gate electrode, is provided, and the semiconductor film is set smaller in width than in the auxiliary gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に接続し、半導体膜からゲート電極のある側でゲート電極よりも遠くに位置する副ゲート電極を備え、半導体膜の幅よりも副ゲート電極の幅のほうを広くする。 - 特許庁

Data are stored in the capacitor connected to the first gate electrode F-GATE, the second gate electrode S-GATE of the pair of gate electrodes is controlled and the data stored in the capacitor are read.例文帳に追加

第1のゲート電極F−GATEに接続した容量にデータを蓄え、一対のゲート電極のうち第2のゲート電極S−GATEを制御して容量に蓄えたデータを読み出す。 - 特許庁

The second dummy gate electrode 224 faces in a direction different from the direction in which the first dummy gate electrodes 222 face, for example a direction perpendicular to the first dummy gate electrodes 222, and connects a first dummy gate electrode 222 to another first dummy gate electrode 222.例文帳に追加

第2のダミーゲート電極224は、第1のダミーゲート電極222とは異なる方向、例えば直交する方向を向いており、第1のダミーゲート電極222を他の第1のダミーゲート電極222に接続している。 - 特許庁

Next, after the dummy gate pattern has been selectively removed, the gate insulating film is formed in an inner wall of a dent with the dummy gate pattern removed and a gate electrode is formed in a dent formed with the gate insulating film, sequentially.例文帳に追加

次に、ダミーゲートパターンを選択的に除去した後、ダミーゲートパターンが除去された凹部の内壁にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜が形成された凹部にゲート電極とを順次形成する。 - 特許庁

When difference in stress in the tensile direction between a gate insulating film 6 and a gate electrode 7 exceeds approximately 2×109 dyn/cm2 or more, only the gate electrode 7 tends to deform and the surrounding of the gate electrode 7 is peeled off from the gate insulating film 6.例文帳に追加

ゲート絶縁膜6にゲート電極7が引張方向の応力差が2×10^9dyn/cm^2 程度以上になるとゲート電極7だけが変形しようとしてゲート電極7の周囲がゲート絶縁膜6から剥離する。 - 特許庁

In this gate door mounting structure, the gate door 1 is bolt- fastened to a gate post 4 through a hinge 5, and a gate post side bolt hole 13 and a gate door side bolt hole 14 of the hinge 5 are formed in laterally long shape.例文帳に追加

門扉1を門柱4に丁番5を介してボルト止めする門扉の取り付け構造において、丁番5の門柱側ボルト孔13および門扉側ボルト孔14を横長に形成する。 - 特許庁

In his late years he lived at Kantei-in in front of the gate of Tofuku-ji Temple. 例文帳に追加

晩年は東福寺門前の乾亭院に住んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The San-mon Gate of Chion-in Temple (Chion-in Temple in Kyoto) 例文帳に追加

知恩院三門(京都・知恩院) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Gate pumps 6 and 6 are incorporated in a gate 5 openably supported through elevation movement at a gate 4 made of concrete built in a channel 1.例文帳に追加

水路1に設けたコンルリート製のゲート4に昇降運動により開閉自在に支持させた門扉5にゲートポンプ6,6が内蔵されている。 - 特許庁

The gate length in the upper portion of the gate electrode 103 is larger than that in the other portion of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極103の上部におけるゲート長は、ゲート電極の他の部分におけるゲート長よりも大きくなっている。 - 特許庁

To provide a sluice gate capable of removing impurities dissolved in flowing water passing the sluice gate in regard to the sluice gate.例文帳に追加

水門に係り、当該水門を通過する流水中に溶解した不純物を除去できるようにした水門を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent void from being formed at a boundary between a gate electrode embedded in a groove and a gate insulating film in a trench gate transistor.例文帳に追加

トレンチゲートトランジスタにおいて、溝に埋め込まれたゲート電極とゲート絶縁膜との界面にボイドが形成されることを防止する。 - 特許庁

A resistance value of the gate electrode in a place near the gate pad is higher than that in a place far from the gate pad.例文帳に追加

そして、該ゲート電極の抵抗値は、該ゲートパッドから近い場所の方が、該ゲートパッドから遠い場所よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁

To reduce variation in the threshold voltage of a trench gate type transistor, while maintaining the high gate breakdown strength of the transistor in the trench gate type transistor.例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタにおいて、高いゲート耐圧を維持しつつ、しきい値電圧の変動を少なくする。 - 特許庁

The gate driving part outputs the gate signal in order from the heading gate line in accordance with rise of the scan-start signal.例文帳に追加

ゲート駆動部はスキャン開始信号の立ち上がりに応じて先頭のゲートラインから順番にゲート信号を出力する。 - 特許庁

To improve a gate-source withstand voltage in a gate lead wiring region, in a trench gate type semiconductor device of a mesh structure.例文帳に追加

メッシュ構造のトレンチゲート型半導体装置において、ゲート引き出し配線領域におけるゲート・ソース間耐圧を向上させる。 - 特許庁

A gate electrode is formed in a matching region with the channel forming region, and a gate insulating film is formed in the region between the insulating non-monocrystal semiconductor layer and the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、絶縁非単結晶半導体層と前記ゲート電極との間に形成されている。 - 特許庁

To control variation in characteristics in a standard cell with irregular gate length of a gate or a dummy gate.例文帳に追加

ゲートもしくはダミーゲートのゲート長が不規則な標準セルにおいて、特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁

The ogre of Suzaku-mon Gate is said to have lived in the Suzaku-mon Gate of Heian-kyo (the ancient capital in what is now Kyoto). 例文帳に追加

朱雀門の鬼(すざくもんのおに)は、平安京の朱雀門に棲んでいたといわれる鬼。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, in order to match its roof with that of Shoin, it was re-roofed with thatch and finally became the sanmon gate (a temple gate) of Jiko-in Temple. 例文帳に追加

屋根を書院と合わせて茅葺きに葺き替えて慈光院の山門とされた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The front gate of Chizen-in Temple in Nagahama City is said to have been the karamete-mon gate of Nagahama-jo Castle. 例文帳に追加

同市内にある知善院の表門は、長浜城の搦手門を移したものと伝えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gap is formed in a position corresponding to a gate electrode in the gate electrode layer.例文帳に追加

ギャップは、ゲート電極層内のゲート電極に対応する位置に形成される。 - 特許庁

A shift gate 2a is formed in the fixed plate 2, and a gate 4a is formed in the regulating plate 4.例文帳に追加

固定プレート2には、シフトゲート2aが形成され、規制プレート4には、ゲート4aが形成されている。 - 特許庁

A gate electrode and a gate bus line are formed in the first PR process shown in a step S201.例文帳に追加

ステップS201に示す第1PR工程でゲート電極及びゲートバスラインを形成する。 - 特許庁

In each gate (51), a pressure introduction passage (52) which penetrates through each gate (51) in thickness direction thereof is formed.例文帳に追加

各ゲート(51)には、ゲート(51)を厚さ方向に貫通する圧力導入路(52)が形成される。 - 特許庁

To suppress variation in gate projection length in a semiconductor device with a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造の半導体装置において、ゲート突出長のばらつきを抑制すること。 - 特許庁

A floating gate pattern is formed in a region in which the active region and the control gate pattern intersect.例文帳に追加

活性領域と制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。 - 特許庁

A gate is located at each side of a silicon film which is about 80 nm or below in vertical thickness and positioned in a gate region.例文帳に追加

ゲートは、ゲート領域に位置する垂直厚約80nm以下のシリコン膜の両側にある。 - 特許庁

例文

A gate electrode 9a and, along the gate electrode 9a a plurality of island-shaped gate electrodes 9b formed in the same process as the gate electrode 9a are made on a silicon substrate 1 via a gate oxide film 7.例文帳に追加

シリコン基板1上に、ゲート酸化膜7を介して、ゲート電極9aと、ゲート電極9aと同じ工程で形成された複数の島状ゲート電極9bがゲート電極9aに沿って形成されている。 - 特許庁

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