「INTERCONNECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Two types of standard cells 101 and 151 having all the same layout pattern excepting the interconnect width are prepared.例文帳に追加

配線幅以外は全て同一のレイアウトパターンを備えた２種類のスタンダードセル１０１、１５１が用意される。 - 特許庁

Furthermore, a fine-pitch interconnect line pattern board which is comparatively expensive can be reduced in size to an irreducible minimum.例文帳に追加

さらに、比較的高コストとなる狭ピッチ配線パターンの基板を必要最小限の大きさにすることができる。 - 特許庁

As a result, the width of the interconnect 64 where the conductors are divided between the layers 36 and 52, can be substantially reduced.例文帳に追加

その結果、導体が層３６，５２間で分割される相互接続６４の幅が実質的に減少される。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DIAGNOSTIC APPROACH TO FAULT ISOLATION AT DEVICE LEVEL ON PERIPHERAL COMPONENT INTERCONNECT (PCI) BUS例文帳に追加

周辺装置相互接続（ＰＣＩ）バス上のデバイス・レベルの故障分離の診断手法のための方法およびシステム - 特許庁

To provide a method of polishing a patterned semiconductor wafer containing a copper interconnect metal with a polishing pad.例文帳に追加

局面は、銅配線金属を含有するパターン付き半導体ウエーハを、研磨パッドで研磨する方法を提供する。 - 特許庁

A protrusion 32 reaching the interior of the upper layer Cu interconnect line 41 is provided at the upper end of the Al plug 31.例文帳に追加

Ａｌプラグ３１の上端には、上層Ｃｕ配線４１の内部に到達する突出部３２を設ける。 - 特許庁

For example, an anticorrosive 2 on the surface of a lower layer interconnect line 11 is removed through irradiation only with the hydrogen active species 3.例文帳に追加

例えば、下層配線１１表面の防錆剤２は水素活性種３の照射のみにより除去する。 - 特許庁

A data transfer section 111 contained in a process 110 performs interconnect data transfer when the process is executed.例文帳に追加

プロセス１１０に含まれるデータ転送部１１１が、そのプロセスが実行されるときインターコネクトデータ転送を行なう。 - 特許庁

The aqueous polishing composition includes a corrosion inhibitor for limiting the removal of an interconnect metal with an acidic pH.例文帳に追加

水性研磨組成物は、酸性ｐＨで、配線金属の除去を制限するための腐食インヒビターを含む。 - 特許庁

COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT LINE SEED LAYER AND SEED LAYER FORMED USING THAT TARGET例文帳に追加

半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成したシード層 - 特許庁

METHOD OF FORMING SOLID BLIND VIAS THROUGH DIELECTRIC COATING ON HIGH DENSITY INTERCONNECT (HDI) SUBSTRATE MATERIALS例文帳に追加

高密度相互接続（ＨＤＩ）基材材料上の誘電コーティングを貫く固体ブラインドビアを形成する方法 - 特許庁

A NUMA computer system 50 has at least two nodes 52 coupled by a node interconnect switch 55.例文帳に追加

ＮＵＭＡコンピュータ・システム５０は、ノード相互接続スイッチ５５により結合される２つ以上のノード５２を含む。 - 特許庁

METHOD, SYSTEM, AND PROGRAM FOR CACHING DATA OF PERIPHERAL COMPONENT INTERCONNECT DEVICE EXPANSION READ-ONLY MEMORY例文帳に追加

周辺構成要素相互接続装置拡張読取り専用メモリ・データをキャッシュする方法、システムおよびプログラム - 特許庁

To provide a wiring connection structure capable of restraining voids from concentrating on an interconnect line under a via due to stress migration.例文帳に追加

ストレスマイグレーションによるビア下配線中のボイドの集中を抑制する配線接続構造を提供する。 - 特許庁

An interconnect structure is disclosed comprising a collection of input ports, a collection of output ports, and a switching element.例文帳に追加

入力ポートの集まり、出力ポートの集まり、およびスイッチング素子を含む相互接続構造が開示された。 - 特許庁

A fine interconnect line can be formed of the second conductive pattern 12B that is set small in thickness.例文帳に追加

また、薄く形成される第２の導電パターン１２Ｂを用いて微細な配線部を構成することもできる。 - 特許庁

A NUMA computer system 50 has at least two nodes 52 coupled by a node interconnect switch 55.例文帳に追加

ＮＵＭコンピュータシステム５０は、ノード相互接続スイッチ５５により結合されノード５２を２つ以上有している。 - 特許庁

To interconnect a plurality of film-enclosed batteries easily while maintaining airtightness on the inside and outside of the battery.例文帳に追加

複数のフィルム外装電池同士を容易に接続可能とし、かつ、電池内外の気密性を保持すること。 - 特許庁

Tubular outer and inner cylinders 2 and 6 are disposed in a ventilation hole 30 to interconnect the inside and the outside of a house wall.例文帳に追加

屋壁の内外をつなぐ換気孔３０内に筒状の外筒２及び内筒６が配設されている。 - 特許庁

A NUMA computer system 50 has at least two nodes 52 coupled by a node interconnect switch 55.例文帳に追加

ＮＵＭＡコンピュータ・システム５０は、ノード相互接続スイッチ５５により結合され、ノード５２を２つ以上有している。 - 特許庁

To provide a structure and method for a chip-scale package stacked on an interconnect film for a vertical assembly on a substrate.例文帳に追加

基板上の垂直組立体用の相互接続フィルム上にスタックするチップスケールパッケージの構造と方法。 - 特許庁

The written data are transferred to the shared memory 39 of the waiting system server device 13 via the interconnect 14.例文帳に追加

書き込まれたデータは、インターコネクト１４を通じて、待機系サーバ装置１３の共有メモリ３９に転送される。 - 特許庁

To certainly and electrically interconnect a plurality of conductive films formed on mutually different layers, for example.例文帳に追加

例えば、相互に異なる層に形成され複数の導電膜の夫々を相互に電気的に確実に接続する。 - 特許庁

This invention discloses an assembly, device and method related to the interconnect of solid oxide fuel cell.例文帳に追加

本発明は、固体酸化物燃料電池インターコネクトに関する組立体、装置及び方法を開示するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of micromachining re-interconnect line precisely and easily, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

再配線を微細で精密に加工することが容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnect and method for interconnecting a tightly packed electrical device array with a flex circuit.例文帳に追加

密集した電気デバイスアレイをフレックス回路と相互接続するための相互接続部及び方法を提供する。 - 特許庁

The legs of the joints 12a and 12b are connected with the interconnect lines 21a and 21b by solders 14a and 14b.例文帳に追加

接続部１２ａ，１２ｂは、脚部が半田１４ａ，１４ｂによって配線２１ａ，２１ｂに接続されている。 - 特許庁

Source and drain regions 9 in the top surface of the semiconductor substrate 1 are electrically connected to copper interconnect lines 29.例文帳に追加

半導体基板１の上面内のソース・ドレイン領域９は銅配線２９に電気的に接続されている。 - 特許庁

PROCESS FOR FORMING COPPER PATTERN INTERCONNECT LINE, SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED USING THAT METHOD, AND NANO COPPER METAL PARTICLE例文帳に追加

銅パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置、並びにナノ銅金属粒子 - 特許庁

Interconnection in the logical cells and interconnection between the logical cells are constituted only of upper n interconnect layer (n<m).例文帳に追加

論理セル内の配線および論理セル間の配線を、上位ｎ層の配線層（ｎ＜ｍ）のみを用いて構成する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR SUPPORTING PLURAL PERIPHERAL COMPONENTS INTERCONNECT BUSES SUPPORTING VARIOUS FREQUENCY OPERATIONS例文帳に追加

様々な周波数動作をサポ—トする複数の周辺構成要素相互接続バスをサポ—トする方法およびシステム - 特許庁

The connection interconnect 13 has a thickness larger than the first thickness and smaller than the second thickness.例文帳に追加

接続配線１３の厚さは、第1の厚さより大きく且つ第２の厚さより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING DUAL DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURE AND METAL ELECTRODE CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

デュアル・ダマーシン相互接続構造および金属電極コンデンサを有する集積回路デバイスとその製造方法 - 特許庁

IMPROVED NONVOLATILE REWRITABLE INTERCONNECT CELL HAVING WRITABLE EMBEDDED SOURCE/DRAIN IN SENSE TRANSISTOR例文帳に追加

センストランジスタ中の書き込み可能埋込ソ—ス／ドレインを有する改善された不揮発性再書き込み可能インタ—コネクトセル - 特許庁

The semiconductor chip includes an interconnect which is electrically independent of the internal circuit, and connected between the pair of pads.例文帳に追加

半導体チップは、内部回路から電気的に独立し、かつ一対のパッド間に接続された配線を含む。 - 特許庁

The method is disclosed for forming the copper interconnection conductor in order to interconnect and couple active and passive elements.例文帳に追加

能動及び受動素子を配線連結するために、銅配線導電体を形成する方法が開示される。 - 特許庁

These additional instructions extends conventional JTAG operation and enables the test of the high speed interconnect circuit.例文帳に追加

これらの追加された命令は従来型ＪＴＡＧ動作を拡張し、高速接続回路のテストを可能とする。 - 特許庁

In one example of the invention, an interconnect assembly comprises a substrate, a resilient contact element and a stop structure.例文帳に追加

本発明の一つの実施例では、相互接続アセンブリは基板と、弾性接触要素と、ストップ構造とからなる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for controlling transaction reordering by slave logic units coupled to the interconnect logic.例文帳に追加

相互接続論理に結合されたスレーブ論理ユニットによりトランザクションのリオーダを制御する装置と方法。 - 特許庁

Interconnect widths Ws1 and Wd1 of metal interconnects 108 and 110 in a cell are set thick in one standard cell 101, and interconnect widths Ws2 and Wd2 of metal interconnects 158 and 160 in a cell are set thinner than the interconnect widths Ws1 and Wd1 of one standard cell 101 (Ws2<Ws1, Wd2<Wd1).例文帳に追加

一方のスタンダードセル１０１は、セル内部のメタル配線１０８、１１０の配線幅Ｗｓ１、Ｗｄ１は太く、他方のスタンダードセル１５１では、セル内部のメタル配線１５８、１６０の配線幅Ｗｓ２、Ｗｄ２は、前記一方のスタンダードセル１０１の配線幅Ｗｓ１、Ｗｄ１よりも細く設定される（Ｗｓ２＜Ｗｓ１、Ｗｄ２＜Ｗｄ１）。 - 特許庁

Electric charges in an FIB electronic scanning utilized to specify a processing portion and electric charges in circuit correction processing using an FIB device are allowed to flow into a substrate, via the charge removing interconnect line 45 and the power interconnect line 43.例文帳に追加

加工部分を特定するために利用されるＦＩＢ電子走査における電荷、ＦＩＢ装置を用いた回路修正加工における電荷は、電荷除去用配線４５と電源配線４３を介して基板に流れる。 - 特許庁

A dummy interconnect line 13 and non-dummy interconnect lines 12a and 12b are then formed simultaneously on the first interlayer insulating film 10 and a second interlayer insulating film 11 is formed on the first interlayer insulating film 10 by plasma process.例文帳に追加

次に、第１層間絶縁膜１０に、ダミー配線１３と、非ダミー配線１２ａ及び１２ｂとを同時に形成し、更に、第１層間絶縁膜１０の上に、プラズマプロセスによって、第２層間絶縁膜１１を形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which low cost is realized, an interconnect line can be formed with good coverage in a contact hole of high aspect ratio, capacity of the interconnect line can be reduced, and multilevel metallization can be formed.例文帳に追加

本発明は、低コストを実現し、アスペクト比が高いコンタクトホールにカバレッジが良好な配線の形成や配線容量の低減、多層配線の形成が可能な半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁

Consequently, even if the potentials at the high resistance interconnect portion 103a and the low resistance interconnect portion 103b vary due to impact of transition noise from an adjacent interconnection, that variation has no effect on the output from the latch circuit 105.例文帳に追加

これにより、高抵抗配線部分１０３ａ及び低抵抗配線部分１０３ｂの電位が、隣接配線からの遷移ノイズの影響によって変動したときでも、その変動はラッチ回路１０５の出力に影響しない。 - 特許庁

Methods for producing air-gap-containing metal-insulator interconnect structures for VLSI and ULSI devices using a photo-patternable low k material as well as the air gap-containing metal-insulator interconnect structure that is formed are disclosed.例文帳に追加

ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低ｋ材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。 - 特許庁