「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electrode modifying film which does not obstruct the diffusion of a measuring target substance to an electrode, can control the diffusion only of an impurity substance or can separate the measuring potential of the measuring target substance and the measuring potential of the impurity substance and has good adhesion.例文帳に追加

測定対象物質の電極上への拡散を阻害せず、夾雑物質のみの拡散を制御することのできる、或いは、測定対象物質の測定電位と夾雑物質の測定電位を分離させることのでき、かつ密着性の良い電極修飾膜を提供する。 - 特許庁

An N-type first impurity diffusion region that includes a drain region 12 and a drain-side drift region 7 and an N-type second impurity diffusion region that includes a source region 13 and a source-side drift region 8 are formed on a P-type well 10, with a channel region ch interposed therebetween.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０上に、チャネル領域ｃｈを隔てて、ドレイン領域１２及びドレイン側ドリフト領域７を含むＮ型の第一不純物拡散領域と、ソース領域１２及びそース側ドリフト領域８を含むＮ型の第二不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

An isolation insulating layer 6 isolates a region where the source-drain region 11 is formed from the impurity diffusion region 14 for control gate by surrounding the periphery of the impurity diffusion region 14 for control gate while reaching the buried insulating layer 2 from the surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

分離絶縁層６は、半導体層３の表面から埋め込み絶縁層２に達しながらコントロールゲート用不純物拡散領域１４の周囲を取り囲むことで、ソース／ドレイン領域１１が形成された領域とコントロールゲート用不純物拡散領域１４とを分け隔てている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100, where a memory cell transistor and impurity diffusion layer 111 are formed, a first interlayer insulating film 112, having a first plug 113 connected with the memory cell transistor and a second plug 114 connected with the impurity diffusion layer 111, is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device having dual gate electrodes 17 and 18 and such a structure that an insulating film 9 for preventing diffusion of impurity is formed in the dual gate electrodes 17 and 18, the insulating film 9 is selectively formed only in the electrode 18 having the higher impurity diffusion coefficient.例文帳に追加

デュアルゲート電極１７，１８を有し、かつ、デュアルゲート電極中に不純物拡散防止のための絶縁膜９を配した構造を持つ半導体装置において、該絶縁膜９を、ゲート電極中の不純物の拡散係数の高い方の電極１８にのみ選択的に形成する。 - 特許庁

This semiconductor device 100 includes an MOSFET 110 having: a gate electrode 115 formed above a silicon substrate 101; and a first impurity diffusion region 103 and a second impurity diffusion region 105, formed in the silicon substrate 101 in different sides of the gate electrode 115.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１の上部に設けられたゲート電極１１５と、ゲート電極１１５の異なる側方においてシリコン基板１０１に設けられた第一不純物拡散領域１０３および第二不純物拡散領域１０５とを有するＭＯＳＦＥＴ１１０を含む。 - 特許庁

The gate wiring 105 has a dummy contact 105b, having a symmetrical shape to the contact 105a as holding the p-type impurity diffusion region 101, while having the dummy contact 105c, having the symmetrical shape to the contact 105a as holding the n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

また、ゲート配線１０５は、Ｐ型不純物拡散領域１０１を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｂを有すると共に、Ｎ型不純物拡散領域１０２を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｃを有する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100 where a memory cell transistor and an impurity diffusion layer 111 are formed, a first inter-layer insulation film 112 provided with a first plug 113 connected to the memory cell transistor and a second plug 114 connected to the impurity diffusion layer 111 is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁

To suppress the distribution of an extended diffusion layer in the channel direction upon the formation of the extended diffusion layer by preventing an ion-implanted impurity from penetrating an offset sidewall.例文帳に追加

エクステンション拡散層を形成する際に、イオン注入される不純物がオフセットサイドウォールを突き抜けることを防止して、エクステンション拡散層がチャネル方向へ分布することを抑制することである。 - 特許庁

A diffusion suppression layer for suppressing the diffusion of an impurity contained in a base region in a collector region is provided in the connecting surface of a collector region and the base region of the bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのコレクタ領域とベース領域との接合面に、ベース領域に含有させた不純物がコレクタ領域に拡散するのを抑制するための拡散抑制層を設けることとした。 - 特許庁

A diffusion conductor 9 is formed onto the torsion bar 3 by the impurity diffusion, and the aluminum wiring 6 is arranged in plurally divided wiring patterns in the axial direction of the torsion bar 3 on the diffusive conductor 9.例文帳に追加

トーションバー３に不純物拡散による拡散導通部９を形成し、拡散導通部９上にトーションバー３の軸方向で複数に分断した配線パターンのアルミニウム配線６を配置する。 - 特許庁

To provide a method for controlling electrical characteristics of a semiconductor layer by which an n type diffusion layer and a p type diffusion layer that have low resistance and high impurity density can be very simply formed.例文帳に追加

極めて簡単な方法で、低抵抗・高不純物密度のｎ型拡散層及びｐ型拡散層を形成することが出来る半導体層の電気的特性制御方法を提供する。 - 特許庁

For its sake, the doping treatment is performed separately in two times by changing its accelerating voltage, when forming a low concentration impurity diffusion region and a high concentration diffusion region existing under the tapered section of a gate electrode.例文帳に追加

そのため、ゲート電極のテーパー部の下方に存在する低濃度不純物領域と、高濃度不純物領域を形成する際、加速電圧を変えて少なくとも２回に分けてドーピング処理を行なう。 - 特許庁

A third N-type semiconductor layer 18 having a large diffusion coefficient is diffused on and near one surface of a first N-type semiconductor layer 2, which is highly doped with an impurity having a small diffusion coefficient.例文帳に追加

拡散係数の小さい不純物が高濃度に有する第１Ｎ型半導体層２の一方の表面とその近傍に，拡散係数の大きい第３Ｎ型半導体層１８を拡散させる。 - 特許庁

The diffusion agent composition used for forming an impurity diffusion layer into a semiconductor substrate contains: an impurity diffusion composition (A); a silicon compound (B); and a solvent (C) containing a solvent (C1) having a boiling point of 100°C or less, a solvent (C2) having a boiling point of 120-180°C and a solvent (C3) having a boiling point of 240-300°C.例文帳に追加

拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分（Ａ）と、ケイ素化合物（Ｂ）と、沸点が１００℃以下である溶剤（Ｃ１）、沸点が１２０〜１８０℃である溶剤（Ｃ２）、および沸点が２４０〜３００℃である溶剤（Ｃ３）を含む溶剤（Ｃ）と、を含有する。 - 特許庁

To provide a method for producing an In sputtering target, capable of reducing impurity content by suppressing diffusion of Cu from a backing plate.例文帳に追加

バッキングプレートからのＣｕの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なＩｎスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The lower edge of the gate insulating film 4 is formed on an impurity diffusion layer, so that the reliability of the gate insulating film 4 can be prevented from being deteriorated.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４の下端部が不純物拡散層上に形成されているので、ゲート絶縁膜４の信頼性が低下することがない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element, which prevents the increase in the diffusion speed of impurity and can obtain the epitaxial silicon layer channel of high quality.例文帳に追加

不純物の拡散速度増加を防止し、高品質のエピタキシャルシリコン層チャネルを得られる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a hard-to-remove compound is formed on a silicon semiconductor substrate when a diffusion region is formed using a liquid state impurity source.例文帳に追加

液状不純物源を使用して拡散領域を形成すると、除去し難い化合物がシリコン半導体基板上に形成される。 - 特許庁

The MOSFET region 10 includes a p+ type diffusion region 5 provided in a p type base region 3 and having a first impurity concentration.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ領域１０は、ｐ型ベース領域３に設けられ第１の不純物濃度を有するｐ＋型拡散領域５を備える。 - 特許庁

Boron is diffused on one surface of a Si substrate 2 and the Si substrate 2 is etched on the other side to expose an impurity diffusion layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の一方表面にボロンを拡散し、他方表面からＳｉ基板２をエッチングし、不純物拡散層１２を露出させる。 - 特許庁

A P-type isolation region 2 is formed in part by the diffusion of the P-type impurity in the upper face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、Ｐ型分離領域２が部分的に形成されている。 - 特許庁

If the n-type impurity is subsequently doped, the stress-caused enhanced diffusion does not take place, and a projection is not formed at a junction interface.例文帳に追加

その後にＮ型不純物を添加すれば応力起因の増速拡散は発生することはなく、接合界面の突起は発生しない。 - 特許庁

After forming the TEOS oxide film 10, the high concentration impurity diffusion regions 1d, 1e are formed to depths d1, d2 by the ion implantation.例文帳に追加

ＴＥＯＳ酸化膜１０を形成後に高濃度不純物拡散領域１ｄ、１ｅをイオン注入で深さｄ１、ｄ２で形成する。 - 特許庁

Each of the first and second transistors is constituted so as to contain a pair of impurity diffusion regions as a source and a drain and a gate electrode.例文帳に追加

第１及び第２のトランジスタの各々は、ソース及びドレインとなる一対の不純物拡散領域とゲート電極とを含んで構成される。 - 特許庁

An impurity diffusion layer, constituting the source region 15 and the drain region 16 of a pMOS 11, is formed very shallow depth, to an extent of 50 nm.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１１のソース領域１５およびドレイン電極１６を構成する不純物拡散層を５０ｎｍ程度の極浅に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves the insulation of an insulating film by suppressing an impurity diffusion in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散をより抑制し、絶縁膜の絶縁性が向上した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a fine contact without abnormally oxidizing a silicide layer provided on an impurity diffusion layer nor contaminating a film forming device.例文帳に追加

不純物拡散層上に設けたシリサイド層が異常酸化することなく、また成膜装置を汚染することなく、微細なコンタクトを形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, an impurity diffusion region is formed in the semiconductor substrate so as to be self-aligned with respect to the gate.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法では、前記ゲートと自己整合的に前記半導体基板内に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which decreases a dark current by including a floating diffusion region containing a plurality of impurity doping region.例文帳に追加

複数の不純物ドーピング領域を含むフローティング拡散領域を備えて暗電流を低減し得るＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

A source region 5 and an unnecessary N semiconductor region 28 are formed by diffusing an N impurity also using a P diffusion mask.例文帳に追加

Ｐ型拡散用マスクを兼用してＮ型不純物を拡散してソース領域５及び不要なＮ型半導体領域２８を形成する。 - 特許庁

The laser also has impurity-diffused areas 111 formed on the end faces of the laser by performing solid-phase Zn diffusion for forming the end-face window structures.例文帳に追加

１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域である。 - 特許庁

An impurity concentration of the reverse portion diffusion region 62 increases in a lateral direction from the side of a body region 88 to the side of a collector region 72.例文帳に追加

裏面部拡散領域６２の不純物濃度は、横方向に沿って、ボディ領域８８側からコレクタ領域７２側に向けて増加する。 - 特許庁

To provide a laser processing method and a laser processing apparatus in which variation in the impurity diffusion region of a substrate can be reduced.例文帳に追加

基板において不純物が拡散する領域のばらつきを抑えることができるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with a desired impurity profile by suppressing the diffusion of added impurities, and to provide a manufacturing method for the substrate.例文帳に追加

添加した不純物の拡散を抑制し、不純物プロファイルを所望のものにした半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 101 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 beneath the interlayer insulating film 11 facing the pad PAD.例文帳に追加

パッド部ＰＡＤと対向する層間の絶縁膜１１下の半導体基板１０表面に不純物拡散層１０１が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a shallow impurity diffusion region without inviting damages in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中にダメージを招かずに、浅い不純物拡散領域を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

On both sides of the gate electrode 103 on the silicon substrate 100, an impurity diffusion layer 109 is formed as grown up to source and drain regions.例文帳に追加

シリコン基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層１０９が形成されている。 - 特許庁

The first transistor 2-1 is disposed on the first impurity diffusion layer 206-10, so as to constitute a portion of the pixels, and is connected to the photodiode 1-1.例文帳に追加

第１トランジスタ2-1は、第１不純物拡散層206-10上に設けられ、画素の一部を構成すると共に、フォトダイオード1-1に接続される。 - 特許庁

Since the spacer layer 7 absorbs impurities diffused from the p-type clad layer 8, impurity diffusion to the optical guide layer 6 is prevented.例文帳に追加

このスペーサ層７がｐ型クラッド層８から拡散してくる不純物を吸収するので、光ガイド層６への不純物拡散が防止できる。 - 特許庁

On the other hand, fluorine ion is poured before or after pouring the impurity for forming the diffusion layer employing at least the gate electrode as the mask.例文帳に追加

また、この拡散層形成のための不純物注入の前又は後に、少なくともゲート電極をマスクとして、フッ素イオンを注入する。 - 特許庁

Therefore, concentration distribution of impurity is also suppressed in the well 10 after thermal diffusion, thereby suppressing fluctuation in the threshold voltage of transistor.例文帳に追加

このため、熱拡散後のウェル１０における不純物の濃度分布もばらつきが抑制され、トランジスタの閾値電圧のばらつきが抑制される。 - 特許庁