「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The rubbing directions RD1 and RD2 of the pair of alignment films are oriented toward a side of a main diffusion source of the impurity ions.例文帳に追加

一対の配向膜のラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２は不純物イオンの主要拡散源側に向けられる。 - 特許庁

A first impurity diffusion region is formed on a surface layer portion of the semiconductor substrate on the inner side of the seal ring.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域が、シールリングよりも内側において、半導体基板の表層部に形成される。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a second current narrow layer 15b made of GaAs is removed in the impurity diffusion areas Za, Zb.例文帳に追加

その後、不純物拡散領域Ｚａ，Ｚｂにおける、ＧａＡｓからなる第２の電流狭窄層１５ｂを除去する。 - 特許庁

If the impurity diffusion layer is shallow, the resistance is high, and a series resistance of a photodiode becomes high, and response speed is slow.例文帳に追加

不純物拡散層が浅いと抵抗が高く、フォトダイオードの直列抵抗が高くなって応答速度が遅くなる。 - 特許庁

A p-type InP impurity diffusion region which constitutes a light receiver 9 is provided in part of the i-type InP window layer.例文帳に追加

ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。 - 特許庁

It is sufficient that this film thickness be the thickness for it to function as a diffusion barrier for impurity or implantation barrier for a carrier.例文帳に追加

この膜厚は、不純物の拡散バリアあるいはキャリアの注入バリアとして機能する膜厚であれば良い。 - 特許庁

An impurity diffusion region whose conductivity-type is opposite to that of a well under an element isolation region is made to serve as a shielding layer.例文帳に追加

また、素子分離領域下のウエルにこれとは逆導電型の不純物拡散領域をシールド層としてもよい。 - 特許庁

By the group V element, diffusion of impurity ions, such as sodium ions, aluminium ions and the like, being contained in the substrate 1 is prevented.例文帳に追加

Ｖ族元素により、絶縁層基板１に含有されるナトリウムやアルミ等の不純物イオンの拡散を防止する。 - 特許庁

An extension layer 2 is formed by impurity diffusion from the Schottky source/drain 12 to the lower edge of a gate insulating film 4.例文帳に追加

ショットキーソース・ドレイン１２からゲート絶縁膜４下端部まで不純物拡散によりエクステンション層２を形成する。 - 特許庁

A pn junction 6s is formed to the semiconductor columns 10a to 10c that is longer than diffusion depth of the p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型の不純物の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ａ〜１０ｃにはｐｎ接合６ｓが形成される。 - 特許庁

In a frame sensor manufacturing method, the impurity is distributed by the ion implanting method or thermal diffusion method.例文帳に追加

又は、その火炎センサの製造方法において、前記不純物をイオン注入法あるいは熱拡散法により分布させる。 - 特許庁

Thereafter, impurity ions are implanted with this gate electrode 15 as a mask, thereby forming a source/drain diffusion layer 16.例文帳に追加

その後、このゲート電極１５をマスクに不純物イオン注入することにより、ソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁

The impurity diffusion layer 122 is electrically connected to a wiring layer 162 provided on the SOI layer 140.例文帳に追加

不純物拡散層１２２は、ＳＯＩ層１４０の上に設けられた配線層１６２と電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus that can activate an implanted impurity while suppressing diffusion of the impurity, and can recover a crystal defect introduced during the impurity implantation.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつ活性化を行うことができ、しかも不純物注入時に導入された結晶欠陥の回復をも行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion agent composition which has superior film forming property and diffusion property and is capable of suitably adopting for a screen printing method and a roll coating printing method, and to provide a forming method for an impurity diffusion layer using the diffusion agent composition and a solar cell.例文帳に追加

優れた塗膜形成性や拡散性を有するとともに、スクリーン印刷法やロールコート印刷法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method for diffusing impurity in a semiconductor wafer by which dispersion of sheet resistance and generation of surface defect can be restrained, even when high concentration impurity diffusion is conducted.例文帳に追加

高濃度の不純物拡散を行う場合であっても、シート抵抗のバラツキや表面欠陥の発生を抑制できる半導体ウェーハへの不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁

Since the width of a low-concentration impurity region for securing a withstand voltage can be adjusted with the thickness of a semiconductor layer, a conventional low-concentration impurity region by diffusion of impurities can be omitted.例文帳に追加

半導体層の厚みで耐圧を確保する低濃度不純物領域の幅を調整できるので、従来の不純物の拡散による低濃度不純物領域を省くことができる。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

To provide a method of surely and selectively forming an impurity diffusion region without needing a complicated process, and manufacturing an electrode including such an impurity diffusing agent layer.例文帳に追加

複雑な工程を必要とすることなく確実かつ選択的に不純物拡散領域を形成し、このような不純物拡散剤層を含む電極を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

A floating diffusion region 131 formed in the p-type impurity layer 113 and a transfer gate electrode 123 formed surrounding the floating diffusion region 131 are provided on the first surface 1 side on the n-type impurity layer 111.例文帳に追加

ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。 - 特許庁

The non-volatile memory device of the present invention includes first and second impurity diffusion regions formed on a semiconductor substrate and a memory cell formed over a channel region between the first and second impurity diffusion regions of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、半導体基板に形成された第１及び第２不純物拡散領域、前記第１及び第２不純物拡散領域の間の半導体基板のチャンネル領域上に形成されたメモリセルを含む。 - 特許庁

A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.例文帳に追加

第２の素子は、第１の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第２のボディ領域３１と、第２の不純物拡散層７と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第３の不純物拡散層９とを有する。 - 特許庁

A dummy resistance for adjustment with the direction <100> as a longitudinal direction is connected in series to an impurity diffused resistor diffusion layer in parallel with the longitudinal direction of the rotating shaft in an impurity diffusion layer constituting the built-in bridge circuit of the strain sensor chip.例文帳に追加

ひずみセンサチップの内蔵ブリッジ回路を構成する不純物拡散層のうち、回転軸の長手方向と平行となる不純物拡散抵抗拡散層に＜100＞方向を長手方向とする調整用のダミー抵抗を直列に接続する。 - 特許庁

The isolation region 30 between the analog circuit region 10 and the digital circuit region 20 is constituted so as to comprise heavily doped P^+ type impurity regions 4 and an N type diffusion layer 2, which is formed so as to be apart from the impurity regions 4 and have portions of a P^- type substrate region 1 between the diffusion layer and the impurity regions.例文帳に追加

アナログ回路領域１０とデジタル回路領域２０との間の分離領域３０は、高不純物濃度のＰ^+ 型の不純物領域４と、不純物領域４から離間して間にＰ^- 型基板領域１の部分を有して形成されたＮ型の拡散層２とを具備して構成されている。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁

The solar cell includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, and a first conductivity type impurity diffusion region and a plurality of second conductivity type impurity diffusion regions, formed on one surface side of the semiconductor substrate, wherein adjacent second conductivity type impurity diffusion regions are at an interval of ≤400 μm.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である太陽電池セルである。 - 特許庁

A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層３及び４からなるｐ型半導体領域は、第１の拡散深さ及び第１のピーク濃度を持つ第１のｐ型不純物濃度分布と第１の拡散深さよりも浅い第２の拡散深さ及び第１のピーク濃度よりも高い第２のピーク濃度を持つ第２のｐ型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

To suppress outer diffusion of impurity and to prevent the contact resistance of a source region connected to a source electrode from becoming high.例文帳に追加

不純物の外部拡散を抑制し、ソース電極と接続されるソース領域のコンタクト抵抗が高くならないようにする。 - 特許庁

The surrounding of the drain area 140 is surrounded by a diffusion area 100 having lower impurity concentration than that of the drain area.例文帳に追加

ドレイン領域１４０の周りは、ドレイン領域より不純物濃度が低い拡散領域１００により取り囲まれている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having reduced a bit line resistance and also reduced a short channel effect by diffusion of impurity.例文帳に追加

ビット線抵抗を低減すると共に、不純物の拡散による短チャネル効果が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

First and second impurity diffusion regions are arranged, at an interval, in a part of the surface layer part of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表層部の一部に、ある間隔を隔てて第１及び第２の不純物拡散領域が配置されている。 - 特許庁

After a process in which the second silicon oxide film is remained on the sidewalls of the gate electrode, an impurity diffusion layer is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

第２シリコン酸化膜をゲート電極の側壁部に残す工程の後、半導体基板に不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

This diode 10 is composed of pn bonding by means of a p-type impurity diffusion layer 11 and an n-type silicon substrate S.例文帳に追加

このダイオード１０は、ｐ型の不純物拡散層１１とｎ型のシリコン基板Ｓとによるｐｎ接合で構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of increasing the impurity concentrations on the surface of a diffusion layer at low cost.例文帳に追加

低コストで拡散層の表面の不純物濃度を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This can suppress impurity diffusion into deep region caused by ion channeling generated in doping by ion implantation.例文帳に追加

この結果、イオン注入によるドーピング時に発生するイオンのチャネリングによる深い領域までの不純物拡散を抑止できる。 - 特許庁

A Wheatstone bridge, that uses an impurity diffusion zone considering crystal orientation, is formed in a semiconductor single-crystal substrate.例文帳に追加

また、半導体単結晶基板において結晶方位を考慮に入れた不純物拡散層を用いたホイートストンブリッジを形成する。 - 特許庁

The TiW layer 7 prevents diffusion of elements between the impurity diffused layers 4 and 5 and between the Au layer 8 and the AuSn layer 9.例文帳に追加

ＴｉＷ層７は、不純物拡散層４，５とＡｕ層８、ＡｕＳｎ層９との間の元素の拡散を防止する。 - 特許庁

In each memory cell, an N-type first impurity diffusion area 3 is formed in a top layer of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

各メモリセルにおいて、半導体基板２の表層部には、Ｎ型の第１不純物拡散領域３が形成されている。 - 特許庁