「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Ions are implanted with conductor layer patterns 114b as a mask to form an embedded type impurity diffusion layer 120 near the surface of the semiconductor substrate between the patterns 114b.例文帳に追加

導電層パターン１１４ｂをマスクとしてイオン打ち込みを行い、これらの間の半導体基板の表面近傍に埋め込み型不純物拡散領域１２０を形成する。 - 特許庁

In the annealing process, only the silicon atoms in the vicinity of the surface of a silicon substrate 12 are selectively excited by the RLSA plasma, and the depth-direction impurity diffusion is suppressed.例文帳に追加

アニール工程では、ＲＬＳＡプラズマにより、シリコン基板１２表面近傍のシリコン原子のみが選択的に励起され、深さ方向への不純物拡散は抑制される。 - 特許庁

Thus, it is possible to reduced the influence of the code ion implantation on the low threshold transistor (a cell C under consideration) of a code ion implantation impurity diffusion region 3'.例文帳に追加

これにより、コードイオン注入によるコードイオン注入不純物拡散領域３’の低閾値トランジスタ（注目セルＣ）への影響を低減することが可能となる。 - 特許庁

To suppress the degradation of an effective isolation width between a well and a diffusion layer due to impurity ion implantation at the time of well formation at a prescribed incident angle.例文帳に追加

ウェル形成の際の不純物イオン注入を所定の入射角度をもって行うことに起因するウェルと拡散層間の実効的分離幅の劣化を抑える。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with an alignment mark which can be used for the alignment formed even after the impurity diffusion layer is formed with an epitaxial film flattened.例文帳に追加

エピタキシャル膜を平坦化して不純物拡散層を形成した後にも、アライメントに用いることができるアライメントマークが形成された半導体基板を提供する。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 116 with its impurity concentration higher than that of a semiconductor layer 101 is formed between the semiconductor substrate 100 and the semiconductor layer 101.例文帳に追加

半導体基板１００と半導体層１０１との間に、半導体層１０１よりも不純物濃度の高いＰ型埋め込み拡散層１１６を形成する。 - 特許庁

The electrode wing line 117 is formed on the thermal oxidation film 107, and the other end side of the electrode wiring is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 109.例文帳に追加

電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 - 特許庁

In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the breakdown voltage of a gate oxide film does not deteriorate even after long time heat treatment for impurity diffusion.例文帳に追加

不純物拡散のための長時間の熱処理を行っても、ゲート酸化膜の耐圧劣化が生じない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A contact plug 40, which is electrically connected to an impurity diffusion region between sidewalls of two adjacent memory cells 1, is provided by penetrating an interlayer insulation film 18.例文帳に追加

隣り合う２つのメモリセル１のサイドウォール間の不純物拡散領域に電気的接続されるコンタクトプラグ４０が、層間絶縁膜１８を貫通して設けられている。 - 特許庁

Even if a pinhole cannot be found by a visual check, a metal member and the impurity diffusion layer 101 short-circuit when a bump is formed and the pinhole is checked as a failure in an electric characteristic test.例文帳に追加

外観発見できないピンホールが発生してもバンプ形成時の金属部材が不純物拡散層１０１と短絡して電気特性試験で不良になる。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

In this near field light probe provided with a through hole 4 having the micro-opening 3 in the photodetector including the first conductive type semiconductor layer 1 and a second conductivity type impurity diffusion layer 2, the second conductivity type impurity diffusion area 5 is provided along an inner circumference of the through-hole 4 in the first conductivity type semiconductor layer 1.例文帳に追加

第一導電型の半導体層（１）及び第二導電型の不純物拡散層（２）を含む光検出器に微小開口（３）を有する貫通孔（４）を設けた、本発明の近接場光プローブは、第一導電型の半導体層（１）に、貫通孔（４）の内周に沿って、第二導電型の不純物拡散領域（５）を設けた。 - 特許庁

Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.例文帳に追加

したがって，コンタクト層１０５を介して半導体層１０４にｐ型不純物を拡散ドープすると，半導体層１０４には，高抵抗基板１０２に達する拡散深さＸｊ２の素子分離領域１０６と高抵抗基板１０２に達しない拡散深さＸｊ１の発光部１１０とが同時形成される。 - 特許庁

Then the p-type well diffusion region 11 of the protection element 41 included in the electrostatic protection circuit 2 is configured to have higher p-type impurity density than the p-type well diffusion region 4 of the NMOS transistor 31 included in the internal circuit 1.例文帳に追加

そして、静電気保護回路２に含まれる保護素子４１のｐ型ウェル拡散領域１１が、内部回路１に含まれるＮＭＯＳトランジスタ３１のｐ型ウェル拡散領域４よりもｐ型不純物濃度が高くなるように構成されている。 - 特許庁

According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to point defect (i.e., without using a conventional pair diffusion model).例文帳に追加

この方法によれば，従来のＦａｉｒモデルでは表せなかったＳｉ／ＳｉＯ_２界面における不純物パイルアップを，点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく（すなわち従来のペア拡散モデルを用いず）表すことが可能となる。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for restraining a diffusion layer from increasing in sheet resistance due to segregation of impurities and forming an impurity diffusion layer of shallow junction depth without contaminating a substrate.例文帳に追加

基板の汚染を発生させることなく、不純物の偏析に起因する拡散層のシート抵抗値の増大を抑制することができ、浅い接合深さの不純物拡散層を形成するのに好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can realize a conductive path for connecting the front and the rear of a semiconductor substrate using implanting of local impurity by ion implantation, local diffusion of an impurity by laser beam irradiating; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入による局所的な不純物の打ち込みや、レーザー光照射による局所的な不純物の拡散を用いて半導体基板の表裏をつなぐ導電路を実現することができる半導体素子及びその製造方法を得るものである。 - 特許庁

A protective film is deposited before high temperature annealing on the surface where a mask and oxide film 3, etc., are removed after impurity ions 5 are implanted in the surface layer, so that a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed form being desorbed from surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

Therefore, when the impurity region 132 is subjected to heat treatment process after ion implantation, the occurrence of potential decline in the readout gate section 140 is suppressed, and the blooming of the section 140 can be prevented so that the thermal diffusion in the impurity region 132 does not effect the gate section 140.例文帳に追加

したがって、Ｎ^- 型不純物領域１３２をイオン注入して熱工程にかける際に、熱拡散の影響が読み出しゲート部１４０に及ばないようにし、読み出しゲート部１４０のポテンシャル低下を抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

After the polycrystalline silicon layer 5 is formed via an insulation film 3 on one surface of a semiconductor substrate 1, a first oxide film 6, which does not comprise an impurity element adjusting the diffusion of an impurity element, is formed and then a second oxide film 7 comprising an impurity element is formed.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面上に絶縁膜３を介して多結晶シリコン層５を形成した後、不純物元素の拡散を調整する不純物元素を含まない第１の酸化膜６を形成し、次いで、不純物元素を含む第２の酸化膜７を形成したことを特徴とする多結晶シリコン抵抗５１の製造方法。 - 特許庁

That is, when a signal charge is transferred from the impurity diffusion region for electric charge storage to the charge detection part, a potential barrier is not generated between both thereof and complete transfer is realized.例文帳に追加

即ち、電荷蓄積用不純物拡散領域から電荷検出部に信号電荷を転送するときに、両者の間に電位の障壁は生じず、完全転送を実現できる。 - 特許庁

A connection part 12 is formed under the second impurity diffusion layer in the element forming film, and electrically connects a body region of the first element with a body region of the second element.例文帳に追加

接続部１２は、素子形成膜における第２の不純物拡散層の下方に形成され、第１の素子のボディ領域と第２の素子のボディ領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and manufacturing method thereof in which a silicide layer is suppressed from being spread to a first impurity diffusion layer and a plurality of kinds of transistors can be freely designed.例文帳に追加

シリサイド層が第１不純物拡散層まで拡がるのを抑制し、複数種類のトランジスタを自由に設計することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the impurity diffusion depth variation due to the stress variation in the protective films does not occur and hence the transistor characteristics such as threshold voltage variation does not occur.例文帳に追加

従って、保護膜の応力のばらつきに起因する、不純物の拡散深さのばらつきが発生しなくなり、しきい値電圧のばらつき等のトランジスタ特性のばらつきが生じない。 - 特許庁

A silicide layer 18 is provided on a second conductivity type (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the region of the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can accurately form a high-density impurity layer in a thin silicon film, due to the diffusion of impurities from an intermediate layer to the thin silicon film.例文帳に追加

太陽電池において、中間層からシリコン薄膜への不純物の拡散により、シリコン薄膜中に高濃度の不純物層を精度よく形成できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

The silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１９が設けられている。 - 特許庁

A silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 16 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 19.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１８の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１６上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, P type diffusion regions 7 and 17 used as back gate regions are formed while shifting a peak of an impurity concentration.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、バックゲート領域として用いるＰ型の拡散層７、１７を形成する際に、それぞれの不純物濃度のピークをずらして形成する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor wherein the device characteristics of the transistor are not deteriorated, while impurity diffusion in the layers in the transistor is inhibited, and moreover by the generation of damage to the transistor due to an ion implantation into the layers or the like.例文帳に追加

不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses GIDL in a depletion layer formed between an impurity diffusion layer and a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、不純物拡散層と半導体基板との間に形成される空乏層中におけるＧＩＤＬを抑制することのできる半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To increase coupling ratio while maintaining reliability in nonvolatile semiconductor storage devices composed of impurity diffusion layers, where control gates are formed on semiconductor substrates.例文帳に追加

コントロールゲートが半導体基板に形成された不純物拡散層によって構成されている不揮発性半導体記憶装置において、信頼性を維持しつつ、カップリング比を大きくする。 - 特許庁

To form a memory cell region and a high concentration impurity diffusion region of a high-voltage transistor at the same time by ion implantation so that the high-voltage transistor side is shallower.例文帳に追加

メモリセル領域と高電圧トランジスタとの高濃度不純物拡散領域を同時にイオン注入で形成し、且つ高電圧トランジスタ側の方が浅くなるように形成する。 - 特許庁

To provide an elevator having a constitution for restraining the diffusion of fine substances such as an impurity floating in air between respective stories, in a building provided with the elevator.例文帳に追加

本発明は、エレベータの設置された建物において、各階間で空気中に浮遊する不純物など微細物質の拡散を抑えるための構成を備えるエレベータを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar battery cell that can manufacture a solar battery having superior photoelectric conversion efficiency, by removing a dead layer of a surface layer of an impurity diffusion layer in a simple and sure way.例文帳に追加

簡便かつ確実に不純物拡散層の表層のデッド層を除去して光電変換効率に優れた太陽電池を製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。 - 特許庁

The diffusion of the impurity can be suppressed first by keeping a semiconductor wafer W at a preheating temperature Tp satisfying a relation of tp≤847,500 exp (-0.01365 Tp) for a preheating time tp.例文帳に追加

まずｔｐ≦847500exp(-0.01365Ｔｐ)を満たすような予備加熱温度Ｔｐに半導体ウェハーＷを予備加熱時間ｔｐ維持することによって不純物の拡散を抑制することができる。 - 特許庁

The solution tank 11 is used for heating the GaN base semiconductor wafer 4, the solution tank 12 is used for impurity diffusion, and the solution tank 13 is used for cooling the GaN base semiconductor wafer 4.例文帳に追加

ここで、溶液槽１１はＧａＮ系半導体ウエハ４の加熱用、溶液槽１２は不純物拡散用、溶液槽１３はＧａＮ系半導体ウエハ４の冷却用である。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device of a CMD pixel, capable of accurately setting a relative position of an impurity diffusion layer and then setting a reset voltage for resetting stored charges low.例文帳に追加

不純物拡散層の相対位置を正確に設定したうえで、蓄積された電荷をリセットするためのリセット電圧を低く設定できるＣＭＤ画素の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device capable of efficiently transferring charge from a photodiode to a floating impurity diffusion area, and to provide its manufacturing method and a solid state imaging unit.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置とその製造方法、及び固体撮像装置ユニットを提供すること。 - 特許庁