「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which segregation of impurity in an offset impurity diffusion layer at LOCOS oxidation is suppressed and good element isolation is made with a LOCOS oxide film and the offset impurity diffused layer, so that superior and stable properties of the semiconductor device formed in an element region is obtained.例文帳に追加

本発明は、ＬＯＣＯＳ酸化時におけるオフセット不純物拡散層の不純物の偏析を抑制して、ＬＯＣＯＳ酸化膜及びオフセット不純物拡散層によって良好な素子分離を行い、素子領域に形成する半導体装置の特性を良好かつ安定したものにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The impurities 110 are introduced into a silicon substrate 101 using a silicon nitride film pattern 107 and a polycrystal silicon film pattern 108 as a mask, a high concentration impurity diffusion layers of an N type (N^+ type diffusion layers 111, 112) are formed at positions of a source region and a drain region of the MOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、シリコン窒化膜パターン１０７、多結晶シリコン膜パターン１０８をマスクにして、不純物１１０を導入し、ＭＯＳ型トランジスタのソース領域、及びドレイン領域の位置に、Ｎ型の高濃度不純物拡散層（Ｎ^+型拡散層１１１、１１２）を形成する。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by sharply and shallowly junction impurity concentration profiles in a channel-diffusion layer and to realize a microfabricated device that maintains high drive power by the channel-diffusion layer of low resistance with full activation density.例文帳に追加

チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a plurality of MOS transistors (high-voltage P-channel MOS transistors 11) each having an impurity region (N-type well region 51) of a first conductivity type and a low-concentration diffusion region (P-type offset diffusion region 3) of a second conductivity type, and the element isolation region 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の不純物領域（Ｎ型ウェル領域５１）と、第２導電型の低濃度拡散領域（Ｐ型オフセット拡散領域３）を有する複数のＭＯＳトランジスタ（高圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１）と、素子分離領域６を有する。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

The element isolation insulating film 132 is formed thicker than the element isolation insulating film 134, and in the n-type source side diffusion region 114, the peak concentration section having a highest impurity concentration is formed in a deeper position than in the n-type drain side diffusion region 112.例文帳に追加

ここで、素子分離絶縁膜１３２が素子分離絶縁膜１３４よりも膜厚が厚く形成され、ｎ型ソース側拡散領域１１４において、ｎ型ドレイン側拡散領域１１２よりも、不純物の濃度が最も高いピーク濃度部分が深い位置に形成されている。 - 特許庁

To this end, liquids 2-1, 2-2 containing impurities to be diffused at the concentrations suitable, respectively, for the regions of the semiconductor substrate 1 for forming the impurity diffusion regions 4-1, 4-2, are applied by an ink jet application method for serving as diffusion sources.例文帳に追加

そのために、半導体基板１の表面の不純物拡散領域４−１、４−２を形成すべき各領域上に、拡散すべき不純物をそれぞれその領域に対応する濃度で含んだ液体２−１、２−２を、インクジェット塗布法によって拡散源として塗布する。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

The second layer is provided between the processing layer and the clad layer, and has a first conductivity type formed of either one of a region having a higher impurity density than that of the current diffusion layer and a region having a dopant different from that of the current diffusion layer.例文帳に追加

第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

With the side wall insulating film and etching stopper film as masks, a conductive impurity D2 is introduced by allowing it to transmit the etching stopper film on the upper layer of the substrate, to form a source/drain diffusion layer 12.例文帳に追加

次に、サイドウォール絶縁膜およびエッチングストッパ膜をマスクとして、基板の上層のエッチングストッパ膜を透過させて導電性不純物Ｄ２を導入し、ソース・ドレイン拡散層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode array the light emitting section of which can be improved in integration density by adopting a constitution in which element separation by impurity diffusion can be performed easily, and to provide a method of manufacturing the array.例文帳に追加

不純物拡散による素子分離が容易な構成を採用することによって発光部の集積密度を上げることができるＬＥＤアレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation composition which is used for an application diffusion method, which can diffuse high-concentration impurity into a silicon wafer, and which can form a silica-based film simultaneously.例文帳に追加

塗布拡散法に用いる膜形成組成物であって、シリコンウエハに、より高い濃度の不純物を拡散することができ、更に、同時にシリカ系被膜を形成することが可能な膜組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor device, and its fabricating method, in which the identical potential can be applied to a well in units of potential being applied to an impurity diffusion layer and the well potential can be stabilized.例文帳に追加

不純物拡散層へ電位を与える単位で、ウエルへ同一電位を与えることができ、ウエル電位を安定化し、高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus.例文帳に追加

ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

The floating diffusion part 120 includes: a first region 121; and a second region 122 formed in the first region 121, and higher in concentration of impurity than the first region 121.例文帳に追加

フローティングディフュージョン部１２０は、第１の領域１２１と、第１の領域１２１内に形成され、第１の領域１２１よりも不純物の濃度が高い第２の領域１２２とを有している。 - 特許庁

The impurity selective diffusion region 7 is composed of a first region 7b formed to the lower section of a contact section 7a (a p-side electrode 11) and second regions 7c excepting the first region 7b.例文帳に追加

この不純物選択拡散領域７は、コンタクト部７ａ（ｐ側電極１１）の下方に形成された第１領域７ｂと、第１領域７ｂ以外の第２領域７ｃとから構成されている。 - 特許庁

In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.例文帳に追加

素子分離領域の端部において、シリコン層４の上面内には、ＳＴＩ１０の一部上面内に埋め込まれる格好で、ｐ^+型の不純物拡散領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁

To provide a fuel cell system which can operate at high efficiency for a long period of time through prevention of diffusion of impurity ion into an electrolyte film.例文帳に追加

金属配管やガス、金属製セパレータ板から、金属イオンをはじめとする不純物イオンが高分子電解質膜に拡散し、膜のイオン交換サイトにトラップされ、電解質膜自身のイオン伝導性が低下する。 - 特許庁

To rapidly perform a reading operation by lowering the resistance of a bit line, and to attain a refinement concerning a nonvolatile semiconductor storage device where an impurity diffusion layer is made to be the bit line.例文帳に追加

不純物拡散層をビットラインとする不揮発性半導体記憶装置において、ビットラインの低抵抗化により読み出し動作の高速化を実現できると共に微細化をも実現できるようにする。 - 特許庁

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

またソース２６とドレイン２８と同一の導電層で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁

To provide a light-receiving element having wavelength pass-band characteristics in which a high sensitivity rate is obtained, even in a thin filter layer, and the depth of impurity diffusion in a light-receiving part is equivalent to that of conventional pin photodiodes.例文帳に追加

薄いフィルタ層でも高い感度比が得られ、受光部における不純物拡散の深さは従来のｐｉｎフォトダイオードと同等である長波長パスバンド特性を有する受光素子を提供する。 - 特許庁

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer.例文帳に追加

次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.例文帳に追加

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming an impurity diffusion region in a desired region even when the ion implantation of 500 keV to 3000 keV is performed.例文帳に追加

５００ｋｅＶ〜３０００ｋｅＶのエネルギーイオン注入を行っても、目的とする領域に精度良く、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which a separating color insulating film separating an electrode wiring of a trench type capacitor and an impurity diffusion layer can be formed to a uniform film thickness.例文帳に追加

トレンチ型キャパシタの電極配線と不純物拡散層を電気的に分離する分離カラー絶縁膜の膜厚を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In an n-type semiconductor substrate 105, a through-hole 105c penetrating from one principal surface side to the other principal surface side is formed between adjacent p-type impurity diffusion regions 109.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０５には、隣接するｐ型不純物拡散領域１０９間に、一方の主面側から他方の主面側に貫通する貫通孔１０５ｃが形成されている。 - 特許庁

A second insulating film 7 whose thickness is 400 nm is formed on the substrate, and a contact hole 8 is formed through the second insulating film 7 and the first insulating film 6a, and reaches the impurity diffusion layer 5.例文帳に追加

基板上に、厚さ４００ｎｍの第２絶縁膜７を形成し、第２絶縁膜７及び第１絶縁膜６ａを貫通して不純物拡散層５に到達するコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

This significantly decreases a variation in contact area between the lower electrode 40 and a silicide film 23a on the surface of the impurity diffusion region 21a to stabilize electrical resistance between the both low.例文帳に追加

これにより、下部電極４０と、不純物拡散領域２１ａの表面のサリサイド膜２３ａとの接触面積のバラツキが大幅に低減し、両者間の電気抵抗が低く安定化する。 - 特許庁

To simultaneously eliminate occurrence of a void, a diffusion of an impurity in a doped insulator in a semiconductor substrate, etc. and thinning of a gate insulating film due to a silicon nitride film of problems with respect to a release of an element.例文帳に追加

素子分離に関する問題である、ボイドの発生、ドーピングされた絶縁体中の不純物の半導体基板等へ拡散、及び、シリコン窒化膜によるゲート絶縁膜の薄膜化を同時に解消する。 - 特許庁

The memory cell comprises a control electrode 30, a pair of impurity diffusion regions 21, 22 functioning as first and second main electrodes; resistance change sections 24, 26; and the charge accumulating sections 50, 52.例文帳に追加

メモリセルは、制御電極３０と、第１及び第２の主電極として働く、一対の不純物拡散領域２１、２２と、抵抗変化部２４、２６と、電荷蓄積部５０、５２とを有している。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 106a with an n-type impurity introduced thereinto is formed in the part of the write bit line 106 extending upward from the region of the read word line 110.例文帳に追加

また、読み出しワードライン１１０の領域より上方に延在している書き込みビットライン１０６の部分に、ｎ型不純物が導入されたｎ^+拡散領域１０６ａが形成されている。 - 特許庁

A P-type impurity diffusion layer 103 is formed on the surface of a semiconductor substrate 100, and then a gate electrode 102 is formed on the semiconductor substrate 100 through the intermediary of a gate insulating film 101.例文帳に追加

半導体基板１００の表面部にｐ型の不純物拡散層１０３を形成した後、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を介してゲート電極１０２を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride barrier layer for preventing the diffusion of in-gate electrode layer impurity is formed by the chemical reaction of tetrachlorosilane and ammonia between a gate electrode layer and a gate dielectric layer with a high dielectric coefficient.例文帳に追加

ゲート電極層と高誘電係数のゲート誘電層の間に、テトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、ゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する。 - 特許庁

A heterojunction allows a lower resistance of the internal base layer, while the diffusion of impurity at the internal base layer comprising the Si1-xGexCy layer formed by epitaxial growth is suppressed.例文帳に追加

ヘテロ接合を利用して、内部ベース層の低抵抗化を可能とし、かつ、エピタキシャル成長により形成されたＳｉ_1-x Ｇｅ_x Ｃ_y 層からなる内部ベース層における不純物の拡散を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a wiring structure which is adaptive to microfabrication and prevents a contact plug formed on an impurity diffusion region from short-circuiting with a nearby conductive material.例文帳に追加

微細化に対応可能であり、不純物拡散領域上に形成したコンタクトプラグが近傍の導電材料とショートすることを防止する配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

On the support substrate 2, the first non-movable electrode 7a made from impurity diffusion polysilicon is provided so that a facing area against the movable electrodes 6d changes according to the displacement of the beam structure 4.例文帳に追加

支持基板２には、梁構造体４の変位に応じて可動電極６ｄとの対向面積が変化するように配置された不純物拡散ポリシリコン製の第１の固定電極７ａが支持される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of high output and satisfactory reliability by preventing diffusion of impurity to an undoped optical guide layer, in the semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer.例文帳に追加

量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子においてアンドープ光ガイド層への不純物の拡散を防止することによって、高出力で信頼性の良好な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁

After forming a gate electrode 103 on a silicon substrate 100, impurity diffusion layers 109 to be source- drain regions are formed on both sides of the gate electrode 103 on the silicon substrate 100.例文帳に追加

シリコン基板１００上にゲート電極１０３を形成した後、シリコン基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層１０９を形成する。 - 特許庁