「In-layer variable」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The inductor is formed in an insulating layer 16 which is provided on the variable capacity diode.例文帳に追加

インダクタ部は、可変容量ダイオード上に設けられた絶縁層16に形成される。 - 特許庁

Variable adjustment of a visual angle direction in multiple view can be carried out arbitrarily by performing variable adjustment of the refractive index of the liquid lens layer 36.例文帳に追加

液体レンズ層36の屈折率を可変調整することにより、マルチプルビューでの視角方向を任意に可変調整できる。 - 特許庁

As for the paper printed by the common information printing part B, variable information is printed in the variable information printing part C, and after the printed paper is dried in a drying part D, a repellent layer is formed in a repellent layer forming part E and a false adhesive layer is formed in a false adhesive layer forming part F.例文帳に追加

共通情報印刷部Ｂで印刷された用紙は可変情報印刷部Ｃで可変情報が印刷され、乾燥部Ｄでの乾燥後、はじき層形成部Ｅではじき層が形成され、擬似接着層形成部Ｆで擬似接着層が形成される。 - 特許庁

The variable resistance layer 13 is a layer having a characteristic for producing change in crystal phase by the application of an electric field.例文帳に追加

可変抵抗層１３は、電界が印加されることにより結晶相に変化が生じる特性を有する層である。 - 特許庁

In the packaging material formed by laminating a base material layer, an adhesive layer and a heat adhesive resin layer in the order, a variable information printed layer printed by a thermal printer is mounted between the base material layer and the heat adhesive resin layer.例文帳に追加

基材層、接着層、熱接着性樹脂層を順に積層した包装材であって、前記基材層と前記熱接着性樹脂層との間にサーマルプリンターで印字された可変情報印字層が設けられたことを特徴とする包装材。 - 特許庁

The variable resistive element comprises a variable resistive layer in which a resistance value changes between a low-resistance state and a high-resistance state.例文帳に追加

可変抵抗素子は、低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗値を変化させるように構成された可変抵抗層を備える。 - 特許庁

Capacitance of the variable capacitor 30 is controlled by a voltage that is applied between an emitter layer 3 and a collector layer 4 in the bipolar transistor.例文帳に追加

可変容量素子３０の容量はバイポーラトランジスタのエミッタ層３とコレクタ層４間に印加する電圧により制御される。 - 特許庁

To obtain a mirror with variable reflectivity mirror in which lowering of reflectivity in a color fade time of a coloring layer is prevented or suppressed.例文帳に追加

着色層の消色時における反射率の低下を防止又は抑制できる反射率可変ミラーを得る。 - 特許庁

In the variable resistance element, the lower and upper electrodes 19, 21 have respective contact areas to the variable resistance layer 20 that are different from each other.例文帳に追加

可変抵抗素子部では、下部電極１９と上部電極２１とが、可変抵抗層２０に対する接続面積が相違する構成となっている。 - 特許庁

The variable length packets written in the respective memories 108 and 110 are read by a variable length packet data transmitting part 112, and transmitted to a terminal or a host layer.例文帳に追加

それぞれのメモリ108,110に書き込まれた可変長パケットは、可変長パケットデータ送信部112 により読み出されて端末または上位レイヤに送信される。 - 特許庁

By applying a voltage pulse to the first and second electrodes 111, 112 sandwiching the variable resistance layer 120 in the variable resistance element unit 100, carriers are injected into the variable resistance layer 120, whose resistance increases in response to the carrier injection by three or more orders of magnitude.例文帳に追加

可変抵抗素子部１００では、可変抵抗層１２０を挟む第１電極１１１と第２電極１１２とに、電圧パルスを印加することによって可変抵抗層１２０にキャリアの注入を行い、その抵抗値を３桁以上増大される。 - 特許庁

A variable length encoding unit 13 performs variable length encoding on a maximum CU division layer number indicating a division layer number of a portion in the deepest layer of a quadtree structure in each LCU, and also performs variable length encoding on a division flag indicating whether a CU other than CUs belonging to the deepest layer is divided into a quadtree by a block division unit 2.例文帳に追加

可変長符号化部１３が、各々のＬＣＵにおける四分木構造で階層が最も深い部分の分割階層数を示す最大ＣＵ分割階層数を可変長符号化するとともに、最も深い階層に属するＣＵ以外のＣＵがブロック分割部２によって四分木分割されているか否かを示す分割フラグを可変長符号化する。 - 特許庁

Since the intermediate layer receiving a comparatively weak magnetic field in the variable magnetic-force magnets 3 is composed of the variable magnetic-force magnets 3b having the weak coercive force, the whole of the variable magnetic-force magnets 3 is magnetized uniformly.例文帳に追加

可変磁力磁石３の比較的弱い磁界が加わる中層部が、保持力の弱い可変磁力磁石３ｂによって構成されているので、可変磁力磁石３全体を均一に磁化できる。 - 特許庁

To prevent a communication controller which processes a variable length frame, in which control information is transferred by means of a protocol existing in a trailer section from transferring a control frame which is not required by a higher-order layer to the higher-order layer at the time of processing the variable length frame in the layer 2 of an OSI(open system interconnection) reference model.例文帳に追加

制御情報がトレイラ部に存在するプロトコルによって転送される可変長フレームの処理を行う通信制御装置に関し、ＯＳＩ参照モデルのレイヤ２での処理において、上位レイヤには不要である制御フレームは、上位レイヤに転送しないようにする。 - 特許庁

To form an antiferromagnetic layer in a higher-vacuum by suppressing inter-layer bonding caused between a fixed magnetized layer and a variable magnetized layer even when a Cu film forming a nonmagnetic layer is made thin.例文帳に追加

非磁性層となるＣｕ膜を薄膜化した場合でも、磁化固定層と磁化自由層との間に作用する層間結合を抑制することを可能とし、反強磁性層をより高真空の状態で成膜することを可能とする。 - 特許庁

b. Each lamp unit shall emit an anode light in white or variable white from its upper layer and another in red from its lower layer toward the direction of approaching aircraft at an angle indicated in Figure 2. 例文帳に追加

ｂ　各灯器は、上層が航空白又は航空可変白、下層が航空赤の光柱を航空機の進入してくる方向に対し第三図に示す角度で出すものであること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

b. Each lamp unit shall emit an anode light in white or variable white from its upper layer and another in red from its lower layer toward the direction of approaching aircraft at an angle indicated in Figure 6. 例文帳に追加

ｂ　各灯器は、上層が航空白又は航空可変白、下層が航空赤の光柱を航空機の進入してくる方向に対し第六図に示す角度で出すものであること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁

The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having a variable magnetization direction, a fourth ferromagnetic layer laminated on the third ferromagnetic layer and having magnetization fixed in a second direction and a second non-magnetic layer provided between the third ferromagnetic layer and the fourth ferromagnetic layer.例文帳に追加

第２積層部は、磁化の方向が可変である第３強磁性層と、第３強磁性層と積層され、第２方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。 - 特許庁

The first lamination part includes a first ferromagnetic layer having magnetization fixed in a first direction, a second ferromagnetic layer laminated on the first ferromagnetic layer and having a variable magnetization direction and a first non-magnetic layer provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

第１積層部は、第１方向に磁化が固定された第１強磁性層と、第１強磁性層と積層され、磁化の方向が可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。 - 特許庁

To provide a variable resistance layer that is composed of a metal oxide layer containing Hf suitable for a resistance changing operation in a resistance change type nonvolatile memory element.例文帳に追加

抵抗変化型の不揮発性記憶素子において、抵抗変化動作に適したHfを含有する金属酸化物層からなる可変抵抗層を提供する。 - 特許庁

Although a plurality of security layer (SL) packets can be multiplexed to a single physical layer (PL) packet in order to improve the efficiency, the SL packets may have a variable length.例文帳に追加

複数のセキュリティ層（ＳＬ）パケットは、効率性を高めるために単独のＰＬパケットに多重化され得るが、ＳＬパケットは可変の長さを有してもよい。 - 特許庁

A magnetic memory cell 40 has a data storage layer 50 for storing a variable magnetic field, a reference layer 54 in which a magnetization direction is pinned, and a tunnel barrier 52.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、変更可能な磁界を記憶するデータ記憶層５０と、磁化方向がピン留めされた基準層５４と、トンネル障壁５２とを有する。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetoresistive effect element 1 having a magnetic layer 11 variable in magnetization, a magnetic layer 13 fixed in magnetization, an intermediate layer 12, and a magnetic layer 15 variable in magnetization in a direction parallel with a film surface, and a magnetic layer 16 disposed on a side surface of the magnetoresistive effect element 1 via an insulating film to converge magnetic fields generated from an end part of the magnetic layer 15.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化が可変な磁性層１１と、磁化が固定された磁性層１３と、中間層１２と、膜面に対して平行方向の磁化が可変な磁性層１５とを有する磁気抵抗効果素子１と、絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子１の側面上に設けられ、磁性層１５の端部から発生する磁場を収束する磁性層１６と、を有する。 - 特許庁

To obtain a high performance variable capacitor having a maximum capacity variation ratio against an intended absolute capacity by effectively utilizing a capacity component in the horizontal direction of the variable capacitor to regulate a structure of each diffusion layer composing the variable capacitor, and minimizing an increase in the area of the variable capacitor.例文帳に追加

バリキャップの水平方向の容量成分を効果的に活用し、バリキャップを構成する各拡散層の構造を規定化することにより、所望の絶対容量に対して最大の容量変化比を有し、なおかつ、バリキャップの面積の増大を最小限に抑えた高性能なバリキャップを得る。 - 特許庁

The semiconductor element uses, as a channel layer, the variable resistance substance in which resistance varies according to applied voltage.例文帳に追加

印加された電圧によって抵抗が変化する抵抗変化物質をチャネル層として使用する半導体素子である。 - 特許庁

In this variable information recording medium, at least a thin metal reflection film layer 15, an OVD forming layer 14, a re-writing recording layer 13 and a transparent protective layer 12 are formed in the order named on the base material 11 of the information recording medium.例文帳に追加

情報記録媒体の基材１１上に少なくとも金属反射薄膜層１５、ＯＶＤ形成層１４、リライト記録層１３、透明保護層１２を順に有していることを特徴とする可変情報記録媒体１０である。 - 特許庁

To provide a variable shape mirror in which deformation of a thin film structure body and a thin film mirror layer in an assembly process is prevented and variation in manufacturing is reduced, and to provide a method of manufacturing the variable shape mirror.例文帳に追加

組立て時における薄膜構造体及び薄膜ミラー層の変形を防いで、製造ばらつきが生ずるのを低減させることができる可変形状ミラー及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a variable capacitor that has an extremely small number of lattice defects in oxygen in the entire dielectric layer, and hence has an extremely small amount of dielectric loss, and to provide the manufacturing method of the variable capacitor.例文帳に追加

誘電体層全体で、酸素の格子欠陥が非常に少なく、その結果、誘電損失が非常に少ない誘電体層を有する可変コンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A variable resistance element unit 100 consists of a first electrode 111 and a variable resistance layer 120 which are overlaid in this order on one main surface of the board 10, and a second electrode 112 overlaid on a part of the main surface of the variable resistance layer 120.例文帳に追加

可変抵抗素子部１００は、基板１０の一方の主表面上に第１電極１１１と可変抵抗層１２０とが順に積層され、さらに可変抵抗層１２０の主表面上における一部領域に第２電極１１２が積層形成され構成されている。 - 特許庁

The trench separate structures are variable in depth and it is not important whether the trench separate structures are in contact with the buried oxide layer or not.例文帳に追加

トレンチ分離構造の形状の深さが可変であり、トレンチ分離構造は埋め込み酸化物層に接触しても、接触しなくても良い。 - 特許庁

In the method for fabricating a nonvolatile semiconductor memory comprising a variable resistance element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film, the variable resistor 8 is formed at a formation temperature lower than the melting point of a metal wiring layer 11 formed prior to formation of the variable resistor 8.例文帳に追加

ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する可変抵抗素子を備えてなる不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、可変抵抗体８の形成前に形成された金属配線層１１の融点より低い形成温度で、可変抵抗体８を形成する。 - 特許庁

In this case, the thin films are constituted of a reference layer used for immobilization of biomolecules using a common material and a variable layer used for discrimination using a different material.例文帳に追加

その際、共通の素材を用いた生体分子の固定に利用する基準層と、異なる素材を用いた識別に利用する可変層により薄膜を構成する。 - 特許庁

The connection electrode 4c connects the variable resistance layer 6 in an area corresponding to the reset electrode 4 to the reset electrode 4.例文帳に追加

接続電極４ｃは解除電極４に対応する領域の可変抵抗層６を解除電極４に接続する。 - 特許庁

In the variable phase shifter, the dielectric layer 22 for grounding is formed of a variable dielectric constant material the dielectric constant of which changes when a DC or low-frequency control voltage is impressed upon the material.例文帳に追加

可変移相器は、上記誘電体層２２を、直流ないし低周波の制御電圧の印加によって誘電率が変化する誘電率可変材料にて形成した。 - 特許庁

On this capacity variable substrate a dielectric layer 2 is formed between a wiring conductor 3 and a ground layer 4, and its dielectric constant is made variable by producing a depletion layer 10 in this dielectric layer 2, thus forming a semiconductor 12 that can adjust the parasitic capacity, which is parasitic on the wiring conductor 3.例文帳に追加

配線導体３とグランド層４との間に誘電体層２が形成され、この誘電体層２に、空乏層１０を生成することにより誘電率を可変して配線導体３に寄生する寄生容量を調整可能な半導体素子１２を形成したことを特徴とする容量可変基板。 - 特許庁

The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.例文帳に追加

前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁

The variable resistance layer 15 is made of a rhombohedral perovskite oxide, and it is oriented in priority in the direction of (001) plane of the hexagonal system.例文帳に追加

可変抵抗層１５は菱面体晶であるペロブスカイト型酸化物であり、かつ六方晶表記で（００１）面方向に優先配向している。 - 特許庁

The variable resistance element 101 in a memory element 1 has the component of a variable resistance layer 22 that is made of a metal oxide, and changes in resistance according to a control condition (voltage pulse application).例文帳に追加

メモリ素子１における可変抵抗素子部１０１は、金属酸化物材料から形成され、制御条件（電圧パルスの印加）に応じて抵抗変化を生じる可変抵抗層２２をその構成要素として有している。 - 特許庁

A variable electrode part 3 in which an electrode pattern 12 corresponding to a display image is formed is constituted in a attachable and detachable manner to a display main body 2 having a luminescent layer 4 and a transparent electrode layer 8.例文帳に追加

表示画像に対応した電極パターン１２が形成された可変電極部３を、発光層４と透明電極層８とを有する表示本体部２に対して着脱可能に構成する。 - 特許庁

To provide a hollow optical fiber in which metals in a metal layer are prevented from diffusing into a dielectric layer made of calcium fluoride and which can respond to the transmission of variable wavelength laser light and can be used as a spectral probe.例文帳に追加

金属層の金属がフッ化カルシウムからなる誘電体層に拡散するのを阻止でき、可変波長レーザの伝送に対応でき、分光用プローブとして使用可能な中空光ファイバを提供する。 - 特許庁

The expansion layer encoder 110 computes the difference between the image data after the quantization of the expansion layer and those after the quantization of the basic layer in which bits are shifted to the left, and then performs variable-length encoding to the differential data to generate the encoding data of the expansion layer.例文帳に追加

拡張レイヤ符号化部１１０は、拡張レイヤの量子化後の画像データと左ビットシフトされた基本レイヤの量子化後の画像データとの差分をとった後、差分データを可変長符号化して拡張レイヤの符号化データを生成する。 - 特許庁

The forgery preventive printed matter is characterized in that at least a discoloration layer (2) which keeps color variable, a smoothening layer (4) which smoothens an irregular surface of the discoloration layer (2), and a brilliant layer (3) which contains a brilliant pigment having a brilliancy, are at least provided on a substrate (1).例文帳に追加

基材（１）上に、色が変化する変色層（２）と、変色層（２）の凹凸面を平滑化する平滑化層（４）と、光輝性を有する光輝性顔料を含む光輝層（３）と、が少なくとも設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

In a tunnel type magnetic detection element comprising a fixed magnetic layer that has a fixed direction of magnetization, an insulation barrier layer, and a free magnetic layer having a direction of magnetization that is variable with external magnetic field formed sequentially from below, a first protective layer of magnesium (Mg) is formed on the free magnetic layer.例文帳に追加

下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上にマグネシウム（Ｍｇ）で形成された第１保護層が形成される。 - 特許庁

Density of the first compound 631 in the variable resistance layer 63 is 30 vol.% or more to 70 vol.% or less.例文帳に追加

可変抵抗層６３中での第１化合物６３１の濃度は、３０ｖｏｌ．％以上であり且つ７０ｖｏｌ．％以下である。 - 特許庁