「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vacuum heat insulating board having high strength and small thickness, preventing its heat insulating performance from lowering as a whole resulting from the breakage of vacuum heat insulating material and preventing seal portions of the vacuum heat insulating material from acting as a heat bridge.例文帳に追加

真空断熱材が破れることにより真空断熱ボード全体としての断熱性能が低下することを防止でき、また真空断熱材のシール部が熱橋となることを防止でき、また強度が高く厚みの薄い真空断熱ボードを提供する。 - 特許庁

This is an integrated electric array connector having the insulating region composed of the insulating material and a plurality of isolated conductive regions existing in the insulating region, and the conductive regions are formed by selectively irradiating light to the insulating region.例文帳に追加

絶縁性材料から成る絶縁領域と、該絶縁領域内に存在する複数の孤立した導電領域とを有する集積電気配列コネクタであって、前記導電領域は、前記絶縁領域に選択的に光を照射して形成される。 - 特許庁

The peripheral circuit gates 120L, 120H include gate insulating layers 122L, 122H on the semiconductor substrate 100, semiconductor insulating layers 124L, 124H on the gate insulating layers 122L, 122H, ohmic layers 126L, 126H on the semiconductor insulating layers 124L, 124H and the conductive layers 128L, 128H on the ohmic layers 126L, 126H.例文帳に追加

周辺回路のゲート１２０Ｌ，１２０Ｈは、半導体基板１００上に順次に積層されたゲート絶縁膜１２２Ｌ，１２２Ｈ、半導体膜絶縁膜１２４Ｌ，１２４Ｈ、オーミック膜１２６Ｌ，１２６Ｈ、及び導電膜１２８Ｌ，１２８Ｈを含む。 - 特許庁

The heat insulating structure includes: a body 10 to be thermally insulated; a first heat-insulating material 20, which covers the body 10 to be thermally insulated; and a second heat-insulating material 30, which covers the first heat-insulating material 20 and has both steam permeability and water impermeability.例文帳に追加

本発明に係る保温構造は、被保温体１０と、前記被保温体１０を覆う第一の保温材２０と、前記第一の保温材２０を覆う、水蒸気透過性と非透水性とを兼ね備えた第二の保温材３０と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The insulating container provides an inner layer 2 and an external layer 3, which are sheet-made of mainly a pulp, and provides an insulating layer 4 formed with an insulating material between the inner layer 2 and the outer layer 3.例文帳に追加

パルプを主体として抄造された内層２及び外層３を備えているとともに内層２と外層３との間に断熱材で形成された断熱層４を備えている断熱容器である。 - 特許庁

On the first insulating layer 2, a second insulating layer 3 is laminated, and a second wiring 16 made principally of Cu is buried in a second groove 13 formed in the second insulating layer 3.例文帳に追加

また、第１絶縁層２上には、第２絶縁層３が積層され、この第２絶縁層３に形成された第２溝１３には、Ｃｕを主成分とする第２配線１６が埋設されている。 - 特許庁

To easily perform work on a heat-insulating-material arrangement plane by preventing a clip from greatly protruding from the heat-insulating-material arrangement plane, when the heat insulating material is arranged on a substrate material.例文帳に追加

下地材上に断熱材を配置したとき、断熱材配列平面から吊子が大きく突出しないようにして、断熱材配列平面上での作業を容易に行うことができるようにする。 - 特許庁

To obtain a heat insulating coating composition capable of securing fluidity, shortening a pot life and increasing the efficiency of heat insulating coating operation while satisfying characteristics such as heat insulating properties, incombustibility, lightweight, etc.例文帳に追加

断熱性、不燃性、軽量等の特性を満たしつつ、流動性の確保及び可使時間の短縮化をともに図り、断熱被覆作業の効率を高めることのできる断熱被覆組成物を提供する。 - 特許庁

An insulating layer 38 made of a negative photosensitive insulating material is formed on a whole surface, and the substrate 30 is exposed from the rear face and developed to leave the insulating layer 38 at a place where the dispersal mask does not exist.例文帳に追加

全面にネガ型の感光性絶縁材料からなる絶縁層３８を形成し，基板３０の裏側から露光し，現像して，分散マスクが存在しない箇所に絶縁層３８を残す。 - 特許庁

An insulating substrate is provided, a recess bath of a conductive circuit is etched inside the insulating substrate and the first kind of jelly object which generates bridge function with the insulating substrate is put in the recess bath of the conductive substrate.例文帳に追加

主に絶縁基板を提供し、該絶縁基板内に導電回路の凹槽をエッチングし、該絶縁基板とブリッジ作用を生じる第一ゼリー体を該導電回路の凹槽中に充填する。 - 特許庁

A 2nd insulating layer 5 is arranged, which has a semiconductor- layer-top insulating layer 5a of a specified width about at the central part of a semiconductor layer 4 and is also formed to be patterned on a gate insulating layer 3.例文帳に追加

本発明は、半導体層４のほぼ中央部に所定幅の半導体層上絶縁層５ａを有すると共にゲート絶縁層３上にパターン化して形成される第２の絶縁層５を設ける。 - 特許庁

This external heat insulating precast board 1 is composed of an outer wall molding plate 2, the heat insulating material 3 and an inner wall molding plate 4, and a first fire resistant material 6 is arranged on an upper end surface of the heat insulating material 3.例文帳に追加

外断熱プレキャスト版１は、外壁成形板２と、断熱材３と、内壁成形板４とにより構成され、断熱材３の上端面には第１の耐火材６が配されている。 - 特許庁

A third insulating film 17 is formed to extend from the inside of the via hole 16 to the insulating film 15 and the pad electrode 12 is exposed by etching the third insulating film 17 on the bottom of the via hole 16.例文帳に追加

そして、ビアホール１６内から第２の絶縁膜１５上に延びる第３の絶縁膜１７を形成し、ビアホール１６の底部の第３の絶縁膜１７をエッチングしてパッド電極１２を露出する。 - 特許庁

A thickness of a third side wall insulating film of a peripheral transistor is larger than that of a first side wall insulating film of the selection gate transistor and a second side wall insulating film of the adjacent selection gate transistor.例文帳に追加

周辺トランジスタの第３側壁絶縁膜の膜厚は、選択ゲートトランジスタの第１側壁絶縁膜、及び隣接した選択ゲートトランジスタの第２側壁絶縁膜より膜厚が厚い。 - 特許庁

The insulating layer 3 is formed as an insulating film made of an insulating material such as an oxide, a frit glass, ceramics or the like, and is provided at a distance within 20mm from a tip of the external electrode 2 toward the discharge space side .例文帳に追加

絶縁層３は、酸化物、フリットガラス、セラミックス等の絶縁材料による絶縁膜として形成し、外部電極２の先端から放電空間側へ２０ｍｍ以内の範囲で設ける。 - 特許庁

The protective insulating film 10 covering the surface of the compound semiconductor region 2 is so formed as to have a two-layer structure of a first insulating film 11 and a second insulating film 12 whose properties are different from each other.例文帳に追加

化合物半導体領域２の表面を覆う保護絶縁膜１０を性質の異なる第１の絶縁膜１１と第２の絶縁膜１２との２層構造を有するように形成する。 - 特許庁

To provide a varnish capable of forming electric insulating layers which exhibit good flame retardance, excellent electric insulating properties and scarcely change their dielectric constants, to provide the electric insulating film obtained with the varnish, and to provide a laminate having the same.例文帳に追加

良好な難燃性を示し、電気絶縁性に優れ、誘電率変化の少ない電気絶縁層を形成できるワニス、これを用いて得られる電気絶縁膜、これを有する積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a heat insulating material with which the insulating material can be produced at a low cost by facilitating mass-production while reducing the restriction related to raw materials for the heat insulating material.例文帳に追加

保温材の出発材料に関する制約を少なくして多量生産を容易にすることによって、安価な保温材の提供を可能とする、保温材の製造方法について提案する。 - 特許庁

This fixing roller is provided with a 1st insulating layer 2, a heat insulating layer 3, a heating element 4, a 2nd insulating layer 5, a mold- released layer base substance 6 and a mold-released layer 7 on the outer peripheral surface of a core bar 1 in this order.例文帳に追加

定着ローラを、芯金１の外周面に第１絶縁層２、断熱層３、発熱体４、第２絶縁層５、離型層基体６、離型層７の順に設けたものとする。 - 特許庁

The field region includes an insulating region obtained by forming an insulating film on the semiconductor substrate, and a dummy part obtained by remaining a base material of the semiconductor substrate in the insulating region.例文帳に追加

フィールド領域は、半導体基板に絶縁膜を形成することにより得られる絶縁領域と絶縁領域内に半導体基板の基材を残すことにより得られるダミー部が設けられている。 - 特許庁

The SOI substrate 10 comprises the support substrate 12, the insulating film 14 (substrate insulating film) provided on the support substrate 12, and the silicon active layer 16 (silicon layer) provided on the insulating film 14.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０は、支持基板１２、支持基板１２上に設けられた絶縁膜１４（基板絶縁膜）、および絶縁膜１４上に設けられたシリコン活性層１６（シリコン層）を有している。 - 特許庁

Alternatively, a coil 2 is inserted inside the heat insulating material to insert the whole into the hollow pile, and then reservoir water 5 is injected inside the heat insulating material to develop the heat insulating material by the water pressure.例文帳に追加

あるいは、断熱材の内側にコイル２を挿入してその全体を中空杭内に挿入した後、断熱材の内側に貯留水５を注入してその水圧により断熱材を展開させる。 - 特許庁

To provide an outside heat insulation method capable of forming an heat insulation layer 4 between a skeleton wall 1 and an insulating panel 2 without adding any swelling deformation to the insulating panel 2 by foaming pressure of a foaming thermal insulating material.例文帳に追加

発泡断熱材の発泡圧により断熱パネル２に膨出変形を加えることなく躯体壁１と断熱パネル２間に断熱層４を形成することのできる外断熱工法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolated insulating film 4 buried in the semiconductor substrate 1, a gate insulating film 2 of a cell part isolated from the element isolated insulating film 4, and a first conductive layer 3.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１に埋め込まれた素子分離絶縁膜４と、素子分離絶縁膜４により分離されたセル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３を備える。 - 特許庁

An insulating substrate, on whose surface a resistance circuit including a variable resistor is formed, is housed in a resistor case made of insulating resin whose one edge is opened so that the back face of the insulating substrate faces the opening side.例文帳に追加

表面に可変抵抗体を含む抵抗回路が形成された絶縁基板を、裏面を開口部側に向けるようにして一端開口状の絶縁樹脂製の抵抗体ケース内に収納する。 - 特許庁

Insulating substrate 16, 17 are arranged in parallel with a prescribed space, a flow path 15 for exhaust gas is formed between each insulating substrate 16, 17, also coating of a catalyst is applied to a surface of each insulating substrate 16, 17.例文帳に追加

絶縁基板１６，１７を所定間隔で平行に配置し、各絶縁基板１６，１７間に排ガスの流路１５を形成すると共に、各絶縁基板１６，１７の表面に触媒をコーティングする。 - 特許庁

After a dummy gate insulating film, a gate electrode film, a diffusion layer and an interlayer insulating film are formed, the dummy gate insulating film and the gate electrode film are removed, and a trench for burying a gate electrode is formed.例文帳に追加

ダミーのゲート絶縁膜及びゲート電極膜、拡散層、及び層間絶縁膜を形成後、前記ダミーゲート絶縁膜及びゲート電極膜を除去し、ゲート電極埋め込み用溝を形成する。 - 特許庁

The structure 120 comprises a cylindrical through electrode 103; a stripe-like through electrode 107; silicon 105; a first insulating film 109; a second insulating film 111; and a third insulating film 113.例文帳に追加

構造体１２０は、筒状貫通電極１０３と、ストライプ状貫通電極１０７と、シリコン１０５と、第一の絶縁膜１０９と、第二の絶縁膜１１１と、第三の絶縁膜１１３と、を備える。 - 特許庁

A temperature gradient is generated in the semiconductor film by the heat keeping effect of the base insulating film, the heat keeping effect of the first insulating layer and the antireflection effect and heat keeping effect of the second insulating layer.例文帳に追加

前記下地絶縁膜の保熱効果、前記第１の絶縁層の保熱効果、前記第２の絶縁層の反射防止効果および保熱効果によって前記半導体膜において温度勾配が生じる。 - 特許庁

An insulating layer insulating an electrode is provided beneath a heating resistor layer, and between the heating resistor layer and a heat storage layer below the insulating layer, a space layer, which is obtained by removing the electrode part by etching, is formed.例文帳に追加

発熱抵抗体層下には電極との絶縁層を設け、該発熱抵抗体層と絶縁層の下部の蓄熱層との間には、電極部分をエッチング除去して得られる空間層を形成した。 - 特許庁

An insulating film 7 for a via hole having a first via hole 6 is formed of the photosensitive insulating film mainly comprising a photosensitive polysilazane, and a second photosensitive insulating film 8 is formed by a spin application method on the whole face.例文帳に追加

感光性ポリシラザンを主成分とした感光性絶縁膜で第１ビアホール６を有するビアホール用絶縁膜７を形成し、全面にスピン塗布法で第２の感光性絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The fifth insulating film 16 containing silicon and oxygen is formed either between the charge accumulation layer 6 and the second insulating film 13 or between the fourth insulating film 15 and the control gate 17.例文帳に追加

電荷蓄積層６と第２の絶縁膜１３および第４の絶縁膜１５と制御ゲート１７との少なくとも一方の間にシリコンおよび酸素を含む第５の絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

A second insulating film 11 having a specific permittivity of 3.5 or lower is formed on the first insulating film, and the interconnect layer 16 connected to the through-substrate contact plug and the contact plug is formed in the second insulating film.例文帳に追加

第1の絶縁膜上に比誘電率が３．５以下の第2の絶縁膜１１を形成し、第2の絶縁膜中に基板貫通コンタクトプラグ及びコンタクトプラグに接続された配線層１６を形成する。 - 特許庁

In a breakdown voltage region B, a second insulating layer 20 made of a material different from the material of the first insulating layer 18 is formed on the upside of the semiconductor layer 4, and no first insulating layer 18 is formed.例文帳に追加

耐圧領域Ｂでは、半導体層４の上側に第１絶縁層と異なる材料からなる第２絶縁層２０が形成されており、第１絶縁層１８は形成されていない。 - 特許庁

The first gate insulating film 50 is formed of a silicon nitride film, the second gate insulating film 51 is formed of a silicon oxide film, and an Ar-containing layer 52 is formed at a surface portion of the second gate insulating film 51.例文帳に追加

第１ゲート絶縁膜５０を窒化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１を酸化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１の表面部にＡｒ含有層５２を形成する。 - 特許庁

A base insulating layer 22 is prepared, then the conductor pattern 23 is formed on the base insulating layer 22, and thereafter an uncured resin layer 27 is laminated on the base insulating layer 22 so as to cover the conductor pattern 23.例文帳に追加

ベース絶縁層２２を用意し、次いで、ベース絶縁層２２の上に、導体パターン２３を形成し、その後、ベース絶縁層２２の上に、導体パターン２３を被覆するように、未硬化樹脂層２７を積層する。 - 特許庁

Extraction conductor parts 4a, 4b are formed to extend from sides of the collecting parts 3a, 3b onto third insulating parts 2d, 2e passing over the first insulating part 2c and second insulating parts 2a, 2b.例文帳に追加

集電部３ａ，３ｂの側辺から第１絶縁部２ｃおよび第２絶縁部２ａ，２ｂ上を通って第３絶縁部２ｄ，２ｅ上まで延びるように引き出し導体部４ａ，４ｂが形成される。 - 特許庁

To provide an insulating film which has superior adhesion to an inorganic film and suppresses a hillock of copper wiring, a semiconductor device with the insulating film, and a composition for film formation which provides the insulating film.例文帳に追加

無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

An insulating film 26 covering a gate insulating film 25 and first and second transfer electrodes 19a and 19b, and a BPSG film 49 covering the insulating film 26 are formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板上１１上に、ゲート絶縁膜２５及び第１、第２転送電極１９ａ，１９ｂを覆う絶縁膜２６、及び絶縁膜２６を覆うＢＰＳＧ膜４９を形成する。 - 特許庁

In the printed-wiring board, an insulating reinforcing layer containing a thermosetting resin having a minimum melt viscosity of 2,000 Pa s or more is mounted on an interface between an insulating base material that includes a wiring circuit and the insulating layer.例文帳に追加

配線回路を含む絶縁基材と絶縁層の界面に、２０００Ｐａ・ｓ以上の最低溶融粘度を有する熱硬化性樹脂が含まれている絶縁強化層を設けたプリント配線板。 - 特許庁

To provide an insulating polyimide film having excellent light-screening effect, insulating properties, and good design; and a cover lay film and a flexible printed wiring board obtained by using the insulating polyimide film.例文帳に追加

本発明の課題は、遮光性、絶縁性に優れ、且つ優れた意匠性も有する絶縁性ポリイミドフィルム、及びそれを用いて得られるカバーレイフィルム、フレキシブルプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes the insulating film 3 formed on a substrate 4, a wiring layer having a plurality of wirings 20 formed in the insulating film 3, and the pad 1 formed on the insulating film 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、基板４上に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３中に形成された複数の配線２０を含む配線層と、絶縁膜３上に形成されたパッド１とを備える。 - 特許庁

A tunnel insulating film 15 of a memory cell transistor, a low-voltage gate insulating film 14 of a low-voltage transistor, and a high-voltage gate insulating film 16 of a high-voltage transistor are formed on a semiconductor substrate 7.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのトンネル絶縁膜１５と低電圧トランジスタの低電圧ゲート絶縁膜１４と高電圧トランジスタの高電圧ゲート絶縁膜１６を半導体基板７の上に形成する。 - 特許庁

The discard block film 4c covers the side surface of a gate insulating film 5 through the first silicon oxide film 4a to prevent the ingress of the discard from the application type insulating film 4d into the gate insulating film 5.例文帳に追加

不要物ブロック膜４ｃは第１のシリコン酸化膜４ａを介してゲート絶縁膜５の側面を覆い、塗布型絶縁膜４ｄからの不要物がゲート絶縁膜５に侵入することを防止する。 - 特許庁

Then, a groove at least from the second inter-layer insulating layer into the first inter-layer insulating layer is disposed in the region of the first and second inter-layer insulating layers corresponding to the element isolation region.例文帳に追加

そして、少なくとも第２の層間絶縁層から第１の層間絶縁層内に達する溝が素子分離領域に対応する第１及び第２の層間絶縁層の領域に配されている。 - 特許庁