「MONOSILANE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

CONVERSION OF MACROMOLECULAR SILICON-CONTAINING COMPOUND TO MONOSILANE例文帳に追加

高分子のシリコン含有化合物のモノシランへの転化方法 - 特許庁

Then, in a step 2, the remaining monosilane (SiH_4) is discharged.例文帳に追加

次に、ステップ２では、残存するモノシラン（ＳｉＨ_4）が排気される。 - 特許庁

In a step 1, a semiconductor substrate is exposed to monosilane (SiH_4).例文帳に追加

ステップ１では、半導体基板がモノシラン（ＳｉＨ_4）に暴露される。 - 特許庁

CONVERSION METHOD OF HIGH BOILING POINT RESIDUE INTO MONOSILANE BY DIRECT METHOD例文帳に追加

直接法による高沸点残留物のモノシランへの転化法 - 特許庁

The separated monosilane is detoxified by a silane gas detoxifying part 50.例文帳に追加

分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。 - 特許庁

This exhaust gas treatment system separates each gas of hydrogen and monosilane from a mixed gas containing the hydrogen and the monosilane discharged from the semiconductor manufacturing device 1 by membrane separation.例文帳に追加

排ガス処理システムは、半導体製造装置１から排出される水素およびモノシランを含む混合ガスから膜分離によりそれぞれのガスを分離する。 - 特許庁

To provide a method for converting a polymer silicon-including compound into monosilane.例文帳に追加

ポリマーケイ素含有化合物のモノシランへの転化方法を提供すること。 - 特許庁

At this time, the flow rate ratios of the monosilane, the ammonia and the hydrogen are so specified that the ammonia is 1 to 30, and the hydrogen is 5 to 400 to 1 monosilane.例文帳に追加

このとき、モノシラン、アンモニア及び水素の流量比は、モノシラン１に対してアンモニアが１以上、３０以下、水素が５以上、４００以下とする。 - 特許庁

In this case, the content of the nonoxidizing gas is preferably made higher than the total content of the amounts of oxygen used for the oxidation reaction of the gaseous monosilane and the oxidizing gas of the gaseous monosilane.例文帳に追加

この場合において、非酸化性ガス量は、モノシランガスとモノシランの酸化性ガスの酸化反応に与る酸素量との合計量よりも多くすることが好ましい。 - 特許庁

Monosilane (SiH_4) gas, which is material gas, is introduced into a vacuum tank from a shower plate.例文帳に追加

シャワープレートから原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨ_４ ）ガスを真空槽内に導入する。 - 特許庁

In this case, the flow of monosilane and hydrogen is respectively 20 sccm and 20 slm.例文帳に追加

このとき、モノシラン及び水素の各流量は、夫々２０ｓｃｃｍ、２０ｓｌｍとする。 - 特許庁

Thereafter, tungsten hexafluoride gas and monosilane gas are introduced again in the vacuum chamber.例文帳に追加

この後、六フッ化タングステンガスおよび前記モノシランガスを真空チャンバ内に再び導入する。 - 特許庁

Introduction of tungsten hexafluoride gas and monosilane gas is then stopped for a predetermined time.例文帳に追加

次に、六フッ化タングステンガスおよびモノシランガスの導入をある時間にわたって停止する。 - 特許庁

A trimethylsilane, since containing methyl groups, has a molecular structure bulkier than that of a monosilane or the like.例文帳に追加

トリメチルシランは、メチル基を有するため、モノシラン等と比較して嵩高い分子構造を有する。 - 特許庁

The polycrystalline silicon manufactured by the Siemens method using monosilane in place of trichlorosilane is used.例文帳に追加

前記原料に代えて、モノシランを原料としてシーメンス法により製造された多結晶シリコンを使用する。 - 特許庁

In the above nonselective epitaxial growth, monosilane, hydrogen, diborane and germane are used as raw material gas.例文帳に追加

このような非選択エピタキシャル成長では、原料ガスとして、モノシラン、水素、ジボラン及びゲルマンを用いる。 - 特許庁

The incubation process repeats a first step for introducing monosilane gas for a specified time, and a second step for introducing tungsten fluoride gas and monosilane gas for a specified time following to the first step a plurality of times.例文帳に追加

このインキュベーション工程は、モノシランガスを所定時間導入する第１工程と、この第１工程の後にフッ化タングステンガスとモノシランガスを所定時間導入する第２工程と、を複数回繰り返す工程である。 - 特許庁

The gas containing silicon uses monosilane or the like that is diluted by an inert gas such as nitrogen or the like for example.例文帳に追加

シリコンを含むガスとしては、例えば、モノシラン等を窒素等の不活性ガスで希釈したものが用いられる。 - 特許庁

Tungsten hexafluoride gas and monosilane gas are first introduced in a vacuum chamber where the substrate is housed for a predetermined time.例文帳に追加

まず、基板が収容された真空チャンバ内に、六フッ化タングステンガスおよびモノシランガスをある時間にわたって導入する。 - 特許庁

Since the tablet M consisting of silicon oxide is used in the film deposition apparatus 1, the safety is considerably high compared with that of monosilane gas.例文帳に追加

この成膜装置１では、酸化珪素からなるタブレットＭを用いているため、モノシランガスに比べて安全性は極めて高い。 - 特許庁

This exhaust gas treatment system treats a mixed gas containing at least hydrogen and a monosilane discharged from the semiconductor manufacturing device 1.例文帳に追加

排ガス処理システムは、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。 - 特許庁

To provide a monosilane producing apparatus which can largely decrease the incidence of a secondary product of particles or the like and efficiently perform the SiH_4 gasification of solid silicon when SiH_4 is formed using the reaction of solid silicon and hydrogen plasma, and to provide a monosilane forming method.例文帳に追加

固体シリコンと水素プラズマとの反応を利用してＳｉＨ_４を生成する際に、パーティクル等の副次生成物の発生率を大幅に低減し、固体シリコンを効率的にＳｉＨ_４ガス化することが可能なモノシラン生成装置およびモノシラン生成方法を提供する。 - 特許庁

There monosilane diluted with helium from a process gas inlet port 8 is supplied, as process gas, and reactive seeds (oxygen radical and monosilane) are brought into contact with the line-form one extending in the direction of its depth, and a stage 2 is carried right (forward trip), whereby a film is grown over the entire surface of the substrate 9.例文帳に追加

そこへプロセスガスとして、ヘリウムで希釈したモノシランをプロセスガス導入口８から供給し、図１の奥行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジカルおよびモノシラン）を接触させ、ステージ２を図１の右方向に搬送する（往路）ことにより基板９全面に成膜を行う。 - 特許庁

This exhaust gas treatment system 100 treats a mixed gas containing at least hydrogen and a monosilane discharged from the semiconductor manufacturing device 1.例文帳に追加

排ガス処理システム１００は、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。 - 特許庁

To accurately measure the concentration of a very small amount of moisture in silane based gas such as monosilane or the like by a cavity ring down spectroscopic method (CRDS method).例文帳に追加

モノシランなどのシラン系ガス中の微量の水分の濃度をキャビティリングダウン分光法（ＣＲＤＳ法）によって、正確に計測できるようにする。 - 特許庁

A membrane separation part 5 includes a membrane which selectively allows the hydrogen to permeate, and separates the monosilane and hydrogen from the mixed gas to which the third component gas is added.例文帳に追加

膜分離部５は、水素を選択的に透過させる膜を有し、第３成分ガスが添加された混合ガスからモノシランと水素とを分離する。 - 特許庁

First, a silicon oxide film 101 is formed with the plasma CVD method by supplying both monosilane gas and dinitrogen monoxide gas on the silicon base layer 100 of a wafer W.例文帳に追加

まず、ウェハＷのシリコン基層１００上にモノシランガスと一酸化二窒素ガスを供給してプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１０１を形成する。 - 特許庁

At the time of the deposition, monosilane, ammonia and hydrogen are supplied, are catalytically decomposed by an electrically heated wire and are deposited on a substrate of ≤160°C.例文帳に追加

成膜に際しては、モノシラン、アンモニア及び水素を供給するとともに、通電加熱されたワイヤで接触分解させ、温度１６０℃以下の基板上に堆積させる。 - 特許庁

The printing method comprises the step of coating the impression cylinder with at least one of fluoroalkyl monosilane, an organic polysiloxane compound, an inorganic colloid and a trihydric or higher polyhydric alcohol compound.例文帳に追加

フルオロアルキルモノシラン、有機ポリシロキサン化合物、無機コロイド、３価以上の多価アルコール化合物の少なくともいずれか一つを圧胴に塗布することを特徴とする印刷方法。 - 特許庁

The polycrystal silicon may be produced using monosilane gas after the hydrogen treatment is finished and hydrogen gas in a thermal decomposition reactor is replaced with high purity hydrogen gas.例文帳に追加

また、前記水素処理終了後、熱分解反応炉中の水素ガスを高純度水素ガスに置換してからモノシランガスによる多結晶シリコンの製造を行うようにしてもよい。 - 特許庁

A hafnium silicate film is formed on a substrate by reacting a vapor of a hafnium organic compound with a monosilane gas or disilane gas under reduced-pressure and heating atmosphere in an reactive vessel.例文帳に追加

減圧雰囲気かつ加熱雰囲気下において反応容器内にてハフニウム有機化合物の蒸気とモノシランガスあるいはジシランガスとを反応させてハフニウムシリケート膜を基板上に成膜する。 - 特許庁

In a vapor-phase growth process, by supplying monosilane gas at a level not lower than 550°C to less than 750°C to the principal surface of the silicon substrate W in the reaction vessel, the silicon epitaxial layer is formed in vapor phase growth.例文帳に追加

反応容器内のシリコン基板Ｗの主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。 - 特許庁

The silicon nitride film uses monosilane and ammonia as raw material gases and the catalytic CVD method, contains 1.0-1.1 parts of nitrogen and 0.1-0.15 parts of oxygen to 1 part of silicon, and has a relative dielectric constant of 6 or less.例文帳に追加

原料ガスとしてモノシランとアンモニアを用い、触媒ＣＶＤ法を用い、シリコン１に対して窒素を１．０〜１．１、酸素を０．１〜０．１５含有し、この膜の比誘電率が６以下であるシリコン窒化膜。 - 特許庁

Although the adsorption state of nitrogen, carbon monoxide, methane and monosilane is compressed gases, since that of hydrogen chloride and chlorosilanes is liquid, these need to be imparted vaporization heat in order to be desorbed.例文帳に追加

窒素、一酸化炭素、メタン、モノシランは吸着状態が圧縮気体であるが、塩化水素およびクロロシラン類は吸着状態が液体であり脱着時には気化熱を与える必要がある。 - 特許庁

The method for producing the biaryl compound comprises dimerizing an aromatic acid halide in the presence of a palladium catalyst, phosphine or a nitrogen-containing compound as a cocatalyst and a monosilane compound.例文帳に追加

パラジウム触媒、助触媒としてホスフィンまたは含窒素化合物、およびモノシラン化合物の存在下、芳香族酸ハロゲン化物を二量化させる事を特徴とするビアリール化合物の製造方法。 - 特許庁

To provide a combustion type semiconductor exhaust gas treatment apparatus preventing the adhesion of a silica powder, which is a combustion decomposed product of a monosilane contained in the exhaust gas of a semiconductor manufactur process, to piping during a feed process.例文帳に追加

半導体製造プロセスの排ガスに含まれるモノシランの燃焼分解生成物であるシリカ粉が、搬送過程中に配管に付着することを防止する燃焼式半導体排ガス処理装置を提供する。 - 特許庁

After cleaning, a monosilane (SiH_4)-containing gas, high in reactivity with metals polluted in the treatment chamber due to cleaning is introduced into the treatment chamber for purging the cleaning gas out of the treatment chamber for a rapid decrease in the metal pollution level.例文帳に追加

クリーニング後、クリーニングのダメージにより発生した汚染金属との反応性の高いモノシラン（ＳｉＨ_4）を含むガスを処理室内に導入し処理室内をパージして、金属汚染レベルを速やかに低減させる。 - 特許庁

As a 2nd method, a coating film (silicon oxide film) is formed by supplying coating film forming gas containing a silicon- containing inorganic compound (monosilane) and an organic gas (ethylene) and simultaneously silicon oxide fine particles are formed to be incorporated into the coating film.例文帳に追加

第２の方法として、珪素含有無機化合物（モノシラン）と有機ガス（エチレン）を含む被膜形成ガスを供給して被膜（酸化珪素膜）を形成しつつ、珪素酸化物微粒子を生成させ、膜に混入する。 - 特許庁

Si-containing gas such as monosilane gas and disilane gas is introduced together with atmospheric gas, and Si decomposed by using an ionization-activation mechanism is ionized to increase Si content in the film, and to enhance the mechanical characteristic of the film.例文帳に追加

モノシランガスやジシランガス等のＳｉ含有ガスを雰囲気ガスと共に導入し、イオン化活性機構を用いて分解されたＳｉをイオン化し、被膜のＳｉ含有量を増加することができ、被膜の機械的特性が向上できる。 - 特許庁

A gas mixture discharged from a device 20 for producing solar batteries is delivered to a filter part 30 using a pump 12, and separated into hydrogen and monosilane using a separating part 40 involving application of membrane separation after higher silanes are removed at the filter part 30.例文帳に追加

太陽電池製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、膜分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。 - 特許庁

According to the plasma CVD method, a silicide gas (monosilane, disilane, trisilane, etc.) and fluorine are introduced in a film forming chamber as raw material gases, and a plasma is generated to directly form a semiconductor film containing a crystal structure on a substrate under process.例文帳に追加

本発明は、プラズマＣＶＤ法により、成膜室に珪化物気体（モノシラン、ジシラン、トリシランなど）とフッ素（或いはフッ化ハロゲンガス）を原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜を被処理基板に直接成膜する。 - 特許庁

A gas mixture discharged from a semiconductor manufacturing apparatus 20 is sent to a filter unit 30 by means of pump 12, and after removing higher silanes in the filter unit 30, the gas mixture is separated into hydrogen and monosilane by means of a separation unit 40 which utilizes low temperature separation.例文帳に追加

半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。 - 特許庁

To provide an enrichment analyzer and a method for enrichment analysis capable of highly sensitively and stably analyzing a component difficult to separate an impurity component from a main component by a column as in analyzing arsine as an impurity in a monosilane.例文帳に追加

モノシラン中の不純物であるアルシンを分析する場合のように、主成分と不純物成分とをカラムで分離することが困難な成分の分析を高感度にかつ安定して行うことができる濃縮分析装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method of a silicon carbide thin film which can obtain a silicon carbide thin film of high quality by using organic silane such as mono methylsilane (SiH_3CH_3) which is excellent in safety when compared to special high pressure gas such as monosilane (SiH_4) and disilane (Si_2H_6).例文帳に追加

モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等の特殊高圧ガスに比べて安全性に優れたモノメチルシラン（ＳｉＨ_３ＣＨ_３）等の有機シランを用いて、高品質の炭化珪素薄膜を得ることができる炭化珪素薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

In addition, when the flow rate of monosilane (SiH4) which is supplied for forming crystal nuclei and the crystal nucleus forming temperature are appropriately controlled, such selectively can be realized that HSG nuclei are not formed in the silicon-based insulating film, but only on the amorphous silicon film.例文帳に追加

また、結晶核形成のために供給するモノシラン（ＳｉＨ_4）の流量と結晶核形成温度とを、適度に制御することにより、ＨＳＧ核が、アモルファスシリコン膜上にのみ形成されて、シリコン系絶縁膜には形成されないように選択性を持たせることができる。 - 特許庁