「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laser beam machining apparatus that can accurately project a mask pattern on a workpiece and has excellent machining accuracy.例文帳に追加

マスクパターンを被加工物上に精度良く投影することができ、加工精度に優れるレーザ加工装置を提供すること。 - 特許庁

CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法 - 特許庁

To decrease the work labor for evaluating a receding amount in the edge of a line pattern and to simplify the mask CAD process therefor.例文帳に追加

ラインパタン端部の後退量を評価する作業による労力の低減と、そのマスクＣＡＤ処理の簡易化を図る。 - 特許庁

To measure a proximity gap between surface of a substrate and a pattern surface of a mask through a glass plate from outside a negative pressure chamber.例文帳に追加

負圧室の外側からガラス板を介して、基板の表面とマスクのパターン面とのプロキシミティギャップを測定する。 - 特許庁

To manufacture a mask having an opening pattern suitable for refining in which an opening diameter is made uniform, and the opening diameter is easily controlled.例文帳に追加

開孔径が均一で開孔径の制御が容易な、微細化に適した開孔パターンを有するマスクを製造する。 - 特許庁

To provide a resist composition which excels in a mask error factor (MEF) and a focus margin (DOF) in pattern forming.例文帳に追加

パターンを形成する際のマスクエラーファクター（ＭＥＦ）及びフォーカスマージン（ＤＯＦ）に優れるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition that allows formation of a pattern having excellent resolution and a mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れた解像度及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for cleaning a mask for exposure by which a desired wiring pattern can be formed.例文帳に追加

所望の配線パターンを形成できる露光用マスクの清掃方法および露光用マスクの清掃装置を提案する。 - 特許庁

To easily determine a pattern for an arbitrary shape which is not rotationally symmetric without causing an increase in mask data amount.例文帳に追加

回転対称でない任意の形状に対して、マスクデータ量の増大を引き起こすことなく、容易にパターンを決定する。 - 特許庁

To provide an exposure method and an exposure device that can suppress uneven exposure upon carrying out division exposure with a mask pattern.例文帳に追加

マスクのパターンを分割露光する際に、露光ムラを抑えることができる露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high speed controllable film formation device capable of forming a film pattern by an AD method without using a mask.例文帳に追加

マスクを使用することなくＡＤ法による膜パターンを形成できる、高速制御可能な成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask in which the presence or absence of misalignment of drawn images on a mask pattern can be easily checked visually.例文帳に追加

マスクパターン上に発生した描画ズレの有無を目視によって容易に検査することができるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

Next, UV light 508 is caused to pass through a mask 510 in order to create a desired pattern on the polymerization initiator layer 504.例文帳に追加

次いで重合開始剤層５０４に望まれるパターンを作り出すためにＵＶ光５０８がマスク５１０を通される。 - 特許庁

Furthermore, laser is cast on the resist pattern 2a through a correction mask 5 for correcting temperature distribution of a hot plate 6.例文帳に追加

更に、ホットプレート６の温度分布を補正するための補正マスク５を介して、レジストパターン２ａにレーザを照射する。 - 特許庁

To suppress execution of useless rendering processing in rendering including logical operation or arithmetic processing such as a mask pattern.例文帳に追加

論理演算やマスクパターン等の演算処理が含まれるレンダリングにおいても無駄なレンダリング処理の実行を抑止すること。 - 特許庁

To expose a pattern, having a fine line width on a resist with high precision by an electron beam exposure method which uses a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクを使用する電子ビーム露光方法に関し、微小線幅のパターンを高精度にレジストに露光すること。 - 特許庁

To provide a resist composition, forming a pattern having excellent shape, focus margin (DOF) and mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れた形状、ＤＯＦ及びＭＥＦを有するパターンを形成するレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a resist pattern capable of further improving CD uniformity and mask error factor.例文帳に追加

ＣＤ均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A solder mask 11 is applied to a surface 10a of a substrate 10 for protecting a copper wiring pattern 12 thereon.例文帳に追加

基板１０の表面１０ａ上の銅配線パターン１２を保護するためのはんだマスク１１が被覆されている。 - 特許庁

A plurality of openings 102 are formed, corresponding to the pattern of each organic electroluminescence material layer in the shadow mask 101.例文帳に追加

シャドウマスク１０１には、各有機ＥＬ材料層のパターンに対応して複数の開口部１０２が形成されている。 - 特許庁

A plurality of die mask patterns 120 is arranged with dies 100 having the same pattern in mutually opposite orientations.例文帳に追加

複数ダイマスクパターン１２０は、ダイ１００が、互いに対向する配向で同じパターンを有する状態で配列される。 - 特許庁

To obtain a desirable pattern with high accuracy without causing deformation at an interface between a low k film and a metal mask.例文帳に追加

低ｋ膜と金属マスクとの間の界面に歪みを引き起こすことなく、高い精度の望ましいパターンを得ること。 - 特許庁

To easily inspect local variance in a pattern of an exposure mask only by measuring diffracted light without using a microscope.例文帳に追加

露光用マスクのパターンのローカルばらつきを、顕微鏡を用いることなく回折光の測定だけで簡易に検査する。 - 特許庁

A resist is coated on an SiO_2 film 63, and then a resist pattern 64 for a mask for diffraction-grating formation is formed (c).例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜６３上にレジストを塗布した後に回折格子作製マスク用のレジストパターン６４を作製する（ｃ）。 - 特許庁

To provide a pattern forming member which is suitably employed for measurement of synchronous accuracy between a mask stage and a substrate (substrate stage).例文帳に追加

マスクステージと基板（基板ステージ）の同期精度の計測に好適に用いることができるパターン形成部材を提供する。 - 特許庁

With a resist pattern 7b as a mask, the etching of the storage node interlayer insulating film 9 is performed to the stopper film 10.例文帳に追加

レジストパターン７ｂをマスクとして、まず、ストレージノード層間絶縁膜９のエッチングをエッチングストッパ膜１０まで行う。 - 特許庁

MASK PATTERN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION, METHOD OF FORMING SAME, AND METHOD OF FABRICATING FINELY PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子の製造用のマスクパターンとその形成方法、及び微細パターンを有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

An etching-stop film 106a and a hard mask pattern are formed on the first interlayer insulating film and the contact plugs.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

The bits 9-16 specify a mask to select the bits to look at and the bits 17-23 specify the bit pattern to look for. 例文帳に追加

第 9-16 ビットは注目すべきビットを選択するためのマスクを指定し、第 17-23 ビットは探すべきビットパターンを指定する。 - JM

Wiring (45a and 45b) are formed by etching the conductive film using a gas containing halogen, with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとして、ハロゲンを含むガスを用いて導電膜をエッチングすることにより、配線(45a,45b)を形成する。 - 特許庁

In the ion implantation process (S12), ions are implanted in a pattern region 1A exposed from the opening 2A of the resist mask 2.例文帳に追加

イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。 - 特許庁

The light absorbing layer 2 is patterned by water treatment, using the photoresist layer 3 with the formed diffraction grating pattern as a mask.例文帳に追加

回折格子パターンが形成されたフォトレジスト層３をマスクにして、水処理にて光吸収層２をパターニングする。 - 特許庁

A silicon nitride film 4 is subjected to isotropic etching by using a polyimide film 5 on which a specified pattern is formed as a mask.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたポリイミド膜５をマスクに用いてシリコン窒化膜４に対して等方性エッチングを行う。 - 特許庁

To prevent deviation of a printing pattern caused by the elongation of the thin portion of a mask through tension of a silk gauze or the like from developing.例文帳に追加

紗張り等を行うことでマスクの薄い部分が伸びてしまい印刷パターンにずれが生じることを防止する。 - 特許庁

To raise reliability of measured values by exactly detecting the dimensions of inspected pattern formed on a photo mask.例文帳に追加

フォトマスクに形成された被検査パターンの寸法を正確に検出することができ、測定値の信頼性を向上させる。 - 特許庁

A substrate registration mark and a pattern formed on a mask R are projected onto a substrate P through a projection optical system 12 for exposure.例文帳に追加

マスクＲに形成された基板位置合わせマークとパターンとを投影光学系１２を介して基板Ｐに露光する。 - 特許庁

To provide a method which enables the easy confirmation of a mask pattern formed by etching a block copolymer on a substrate.例文帳に追加

基板上のブロック共重合体のエッチングにより形成されたマスクパターンを、容易に確認できる方法を提供する。 - 特許庁

The selected process model is used to perform optical proximity effect correction for the mask pattern for exposure.例文帳に追加

そして、選択したプロセスモデルを用いて、露光用マスクのマスクパターンに対する光近接効果補正を行うようにする。 - 特許庁

Consequently, a conductor pattern can be printed while applying a screen mask 30 tightly to the entire surface of the ceramic green sheet 21.例文帳に追加

このため、セラミックグリーンシート２１の表面全体にスクリーンマスク３０を密着させて導体パターンを印刷できる。 - 特許庁

To provide a means of obtaining a phase shifting mask which widens a process window in pattern formation in an exposure step.例文帳に追加

露光工程におけるパターンを形成する際のプロセスウィンドウを広げる位相シフトマスクを実現する手段を提供する。 - 特許庁

The mask pattern producing device 120 is disposed above a substrate 10 and electrically connected to the microcomputer system 110.例文帳に追加

マスクパターン生成器１２０は基板１０の上方に配置され、マイクロコンピュータシステム１１０に電気的に接続されている。 - 特許庁

Since a wiring pattern 66 is formed by discharging the droplets of a metallic solution onto an insulating substrate 10, the need for a mask is eliminated.例文帳に追加

絶縁基板１０に金属溶液の液滴を吐出し配線パターン６６を形成するため、マスクが不要となる。 - 特許庁

RESIST FILM, RESIST COATED MASK BLANK USING RESIST FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION例文帳に追加

レジスト膜、該レジスト膜を用いたレジスト塗布マスクブランクス及びレジストパターン形成方法、並びに、化学増幅型レジスト組成物 - 特許庁

A plurality of openings 102 are formed corresponding to the pattern of each organic electroluminescence material layer in the shadow mask 101.例文帳に追加

シャドウマスク１０１には、各有機ＥＬ材料層のパターンに対応して複数の開口部１０２が形成されている。 - 特許庁

An electronic control mask element is made to further cooperate to form a flashing, moving or dynamic light distribution pattern.例文帳に追加

フラッシュする、移動するまたは動的な光分配パターンを形成するため電子制御マスク素子を更に協働せしめる。 - 特許庁