「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

Inversely, in the case of replacing the resist mask with a normal mask, in the setting of the plane dimension of the light shielding pattern 2 composed of the metal, the correction of adding the correction amount L to the plane dimension of the light shielding pattern 3 composed of the resist film corresponding to it is performed.例文帳に追加

逆に、レジストマスクから通常のマスクに置き換える場合には、メタルからなる遮光パターン２の平面寸法の設定において、これに対応するレジスト膜からなる遮光パターン３の平面寸法に補正量Ｌを加える補正を行う。 - 特許庁

In the split-gate type flash memory element, a floating gate and a control gate are sequentially formed so as to be self-aligned by the sidewall of a mask pattern after forming the mask pattern on a semiconductor substrate before forming the floating gate and the control gate.例文帳に追加

フローティングゲート及びコントロールゲートを形成する前に半導体基板上にマスクパターンを形成した後、マスクパターンの側壁によって自己整列されるようにフローティングゲート及びコントロールゲートを順次形成するスプリットゲート型のフラッシュメモリ素子。 - 特許庁

In this pattern forming method, the whole surface of a substrate 1 is lightly etched after films 4 are formed on the surface of the substrate 1 by depositing pattern materials there via the mask 3, bulged-out portions 6 of the patterns which have entered below the mask 3 are removed.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、マスク３を介して基板１の表面にパターン材を推積して膜４を形成したのち、基板１の全面を軽度にエッチングして、マスク３の下方に侵入した前記パターンのはみ出し部６を除去する。 - 特許庁

The plate is supported so that the mask pattern formed on the plate is positioned on the light axis and can be rotated with the light axis as a center, and rotated according to an instruction from a control section for changing the direction of the mask pattern.例文帳に追加

あるいはプレートに形成されたマスクパターンが前記光軸上に位置するようにかつ光軸を中心として回転できるようにプレートを支持し、制御部からの指示によりプレートを回転させてマスクパターンの向きを変えられるようにする。 - 特許庁

To provide a method and a program for dividing a shield pattern having an island pattern into at most two mask blocks without making an imbalance or the like in a small figure or area, and a mask block having figures divided by the method.例文帳に追加

島状パターンを持つ遮蔽パターンを、微小図形や面積のアンバランス等を発生させることなく高々２つのマスクブロックに分割する方法、そのプログラム、そしてその方法により分割された図形を有するマスクブロックを提供すること。 - 特許庁

To provide a phase defect correction method of a reflective mask and a manufacturing method of the reflective mask which can correct an absorber pattern accurately without damaging a reflective layer and leaving correction marks, and which can obtain a good transfer pattern without being affected by phase defects.例文帳に追加

反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに吸収体パターンを精度良く補正し、位相欠陥の影響をなくして良好な転写パターンが得られる反射型マスクの位相欠陥補正方法および製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a hard mask layer is formed of a material having a high etching selection ratio relative to a substrate, in a step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed, the depth can be made smaller than that of the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。 - 特許庁

The cavity part corresponding mask region MRC and the cavity part electrode pattern are aligned to be subjected to screen-print, and the flat part-corresponding mask region MRF and the flat part electrode pattern are aligned to be subjected to the screen-print.例文帳に追加

キャビティ部対応マスク領域ＭＲＣとキャビティ部電極パターンとの位置合わせを行ってスクリーン印刷を施すとともに、フラット部対応マスク領域ＭＲＦとフラット部電極パターンとの位置合わせを行ってスクリーン印刷を施す。 - 特許庁

After the pattern 309 is removed thereafter, wiring grooves 311 are formed in the SOG film 304 by etching the silicon oxide film 305 and SOG film 304 by using a mask pattern 308 as a mask.例文帳に追加

第２のレジストパターン３０９を除去した後、第２の有機含有シリコン酸化膜３０５及び低誘電率ＳＯＧ膜３０４に対してマスクパターン３０８をマスクとしてエッチングを行なって、低誘電率ＳＯＧ膜３０４に配線溝３１１を形成する。 - 特許庁

Or, the method is carried out by using a mask having a pair of patterns adjacent to each other in which the butting part of the pattern has a bent part directing in the opposite direction to each other, or a mask having a pair of patterns adjacent to each other in which one end of the butting pattern has projections on both sides.例文帳に追加

隣合う一対のパターンの突き合わせ部が互いに反対方向を向いた曲がり部を有するマスクや、隣合う一対のパターンの突き合わせ部の先端の一方の両側に凸部設けたマスクを用いる形成方法もある。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a phase shifting mask in which dislocation of a resist pattern due to the waveguide effect of a Levenson phase shifting mask is suppressed and high alignment accuracy can be attained and to provide a method therefor and a pattern forming method.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生を抑制し、高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern constituted of a relatively large cluster is used in a recording mode in which there is a concern a variation in a concentration of the low frequency such as a monochrome mode, and a mask pattern constituted of a relatively small cluster is used in a recording mode other than the recording mode.例文帳に追加

モノクロモードのような低周波な濃度むらが懸念されやすい記録モードでは、比較的大きなクラスタから構成されるマスクパターンを使用し、それ以外の記録モードでは、比較的小さなクラスタから構成されるマスクパターンを使用する。 - 特許庁

To provide a reflective photo mask which has sufficiently low exposure reflectivity with respect not only to EUV light but also to DUV light during pattern inspection, and has a sufficient reflectivity contrast and therefore can perform extremely precise inspection and mask pattern transfer.例文帳に追加

ＥＵＶ光露光反射率のみならず、パターン検査におけるＤＵＶ光露光反射率が十分に低く、十分な反射率コントラストが得られ、精度の高い検査及び精度の高いマスクパターン転写が可能な反射型フォトマスクを得る。 - 特許庁

The method includes forming the recording layer 13' made of CrPt_3 on a substrate 11, forming a mask pattern layer 15' on a surface of the recording layer 13', and irradiating each portion of the recording layer 13' exposed from the mask pattern layer 15' with ions.例文帳に追加

基板１１上にＣｒＰｔ_3からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 - 特許庁

The gray scale mask is produced by forming a fine pattern on a reticle, reducing and transferring the pattern onto a wafer whose surface is coated with a resist by exposure by using an exposure transfer apparatus, developing the resist and etching the wafer by using the remaining resist as a mask.例文帳に追加

微小なパターンをレチクルに形成し、そのパターンを露光転写装置によって、表面にレジストを塗布したウエハに縮小露光し、その後レジストを現像し、残ったレジストをマスクとしてウエハをエッチングすることにより、グレースケールマスクを形成する。 - 特許庁

To detect a position of an alignment mark on a mask and a position of an alignment mark in a base pattern of a substrate with high accuracy by acquiring sharp images of the alignment mark on the mask and of the alignment mark in the base pattern of the substrate and carrying out an image recognition process.例文帳に追加

マスクのアライメントマークの画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの画像をそれぞれ鮮明に取得して画像認識を行い、マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。 - 特許庁

To reduce the load of a color filter manufacturing cost by providing a means for forming a large sized mask for pattern exposure at a relatively low cost corresponding to enlargement of the mask for the pattern exposure concomitant with enlargement of a color filter substrate for a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用カラーフィルタ基板の大型化に伴うパターン露光用マスクの大型化に対応して、比較的安価に大型のパターン露光用マスクを作成する手段を提供し、カラーフィルタ製造時のコスト負荷を軽減する。 - 特許庁

An etching target film 101, a hard mask film 102, and a first auxiliary pattern 104a are formed on the top of a semiconductor substrate 100, and an insulation film 110 and a second auxiliary film 112 are formed on the top of the hard mask film and the first auxiliary pattern.例文帳に追加

半導体基板１００の上部にエッチング対象膜１０１、ハードマスク膜１０２及び第１補助パターン１０４ａを形成し、それらハードマスク膜と第１補助パターンの上部に絶縁膜１１０と第２補助膜１１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask having a light-shielding region where an absorbing layer is laminated in a periphery of a pattern region, by which a defect can be corrected without leaving a correction mark while preventing decrease in the throughput of the mask manufacture and damages in a normal pattern or a reflection layer, and thereby, a high-quality mask is manufactured, and also to provide a mask blank suitable for the method.例文帳に追加

パターン領域の周辺に吸収層を積層した遮光領域を設けた反射型マスクの製造において、マスク製造のスループットを低下させず、正常パターンや反射層に損傷を与えることなく、修正痕を残さずに欠陥修正を行い、高品質のマスクを製造することができる反射型マスクの製造方法およびそれに適したマスクブランクを提供する。 - 特許庁

To provide a computer-readable recording medium recording a program for making a computer execute a method of determining a pattern of a mask and an effective light source distribution with which the mask is illuminated, both of which are used for an exposure apparatus including an illumination optical system which illuminates a mask with light from a light source and a projection optical system which projects a pattern of the mask onto a substrate.例文帳に追加

光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられるマスクのパターンとマスクを照明する際の有効光源分布とを決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method of an organic luminescent device, a process of forming the organic compound layer is characterized by arranging the deposition mask having a predetermined mask pattern on a pixel barrier rib and a contact film in a state of being faced to a deposition object surface of the substrate, and forming the organic compound layer on the deposition object surface on the substrate to transfer the mask pattern of the deposition mask.例文帳に追加

有機発光装置の製造方法において、有機化合物層を形成する工程は、所定のマスクパターンを持つ蒸着マスクを基板の被蒸着面に対面させた状態で、画素隔壁及び接触膜の上に配置し、前記蒸着マスクのマスクパターンを転写するように、基板の上の被蒸着面に有機化合物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a mask, a method of preparing the mask and a method of manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the variation of a finish wiring dimension depending on a mask pattern by interposing a dummy pattern for equalizing a resist exposure surface area per area of one chip and improving the accuracy of the finish wiring dimension among semiconductor devices having different pattern coverages and cell occupancies.例文帳に追加

マスクパターンに依存した仕上がり配線寸法のバラツキを、１チップ面積当りのレジスト露出表面積が等しくなるようなダミーパターンを介在させることにより低減して、異なるパターン被覆率やセル占有率を有する半導体装置間の仕上がり配線寸法の精度の向上が図れるマスク、マスクの作成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for constituting the optical imprinting includes steps of: computing sizes of printed side lobes which should be produced as a result of the optical imprinting of the mask pattern on the substrate; and determining plural parameters for imprinting optically the mask pattern on the substrate, and thereby providing the optimal height of a latitude of the mask pattern and the optimal smallnesses of the sizes of the printed side lobes.例文帳に追加

本発明の一実施例では、この方法は、基板上にマスク・パターンを光学的に転写した結果生じるはずのプリンテッド・サイドローブのサイズを計算する段階と、基板上にマスク・パターンを光学的に転写するための複数のリソグラフィ・パラメータを決め、それにより最適なマスク・パターンのラチチュードの高さ、及び最適な小ささのプリンテッド・サイドローブのサイズをもたらす段階とを含む。 - 特許庁

When data of the mask patterns of a phase shifting mask are drawn up, the pattern data are separated into an actual pattern data layer having data of actual patterns and a phase shifting pattern data layer having data of the phase shifting patterns and the mask patterns are examined to find whether they satisfy the rule of the interval between identical phase patterns in which the phases of light passing through adjacent patterns become identical with each other.例文帳に追加

位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成する際に、前記パターンデータを実パターンのデータを有する実パターンデータ層および前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に分離した後、マスクパターンが、互いに隣接するパターンを透過した光の位相が同一となる同位相パターンの間隔の規定を満足するか否かを検証する。 - 特許庁

The mask for exposure used for transferring a desired pattern to the body to be exposed by reflecting obliquely incident exposure light comprises: a mask blank film 2 having operation for absorbing the exposure light; and a reflection film 3 having operation for reflecting the exposure light while being arranged on the mask blank film 2 in a pattern shape corresponding to a desired pattern.例文帳に追加

斜め入射する露光光を反射して被露光体上に所望パターンを転写するために用いられる露光用マスクを、前記露光光を吸収する作用を有したマスクブランクス膜２と、前記所望パターンに対応するパターン形状で前記マスクブランクス膜２上に配され前記露光光を反射する作用を有した反射膜３と、を備えて構成する。 - 特許庁

Then the arithmetic processing unit compares mask pattern inspection data to the mask pattern image data so as to specify a defective portion of the mask pattern, generates positional information of the defective portion, and identifies a tendency of occurrence of the defect on the photomask, based on the positional information and the density information for the respective plurality of small regions.例文帳に追加

そして、前記演算処理部（２５）は、前記マスク検査用データ（１３）と前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）とし、前記欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）の位置情報を生成し、前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定する。 - 特許庁

To provide a technique capable of improving the dimensional accuracy of a transfer pattern in a lithography technique in which EUV light is used and the EUV light is incident obliquely on a mask having the pattern formed and an image of the EUV light reflected from the mask is formed on a semiconductor substrate (resist film) so as to transfer the pattern formed on the mask onto the semiconductor substrate.例文帳に追加

ＥＵＶ光を使用し、かつ、パターンを形成したマスクに斜め方向からＥＵＶ光を入射した後、マスクから反射したＥＵＶ光を半導体基板（レジスト膜）上に結像させることにより、マスク上に形成されたパターンを半導体基板（レジスト膜）に転写するリソグラフィ技術において、転写パターンの寸法精度を向上することができる技術を提供する。 - 特許庁

The controller performs the liquid discharge control for a part of the first nozzles located in one end side using a standard mask having a predetermined control pattern while performing the liquid discharge control for a part of the first nozzles located in other end side using a symmetrical mask of the control pattern which has made the control pattern of the standard mask symmetrical in the cross direction.例文帳に追加

このコントローラは、予め定められた制御パターンを有する基準マスクを用いて、一方の端部に位置する一部の第１ノズルに対する液体の吐出制御を行い、かつ、基準マスクの制御パターンを交差方向について対称にした制御パターンの対称マスクを用いて、他方の端部に位置する一部の第１ノズルに対する液体の吐出制御を行う。 - 特許庁

When constituting a mask 10 for exposure whereby a desired pattern is exposed and transcribed to an exposed substance, the desired pattern is divided into a plurality of after-division patterns A, B in response to differences between the inspection accuracies required by the pattern portions constituting the desired pattern.例文帳に追加

被露光体上に所望パターンを露光転写するための露光用マスク１０を構成するのにあたり、前記所望パターンを構成するパターン部分が要求する検査精度の違いに応じて当該所望パターンを複数の分割後パターンＡ，Ｂに分割する。 - 特許庁

In the pattern forming method in which the surface layer of a substrate 1 is patternwise etched using a resist pattern as a mask, the pattern forming region of the surface of the substrate 1 is divided into a dense first region 2a and a thin second region 2b in accordance with pattern forming density.例文帳に追加

基板１の表面層に対して、レジストパターンをマスクに用いたパターンエッチングを施すパターン形成方法において、基板１表面のパターン形成領域を、パターンの形成密度に応じて密な第１領域２ａと疎な第２領域２ｂとに分割する。 - 特許庁

To provide a pattern shape prediction program and a pattern shape prediction system, capable of confirming a pattern shape, with no actual electron beam lithography, when manufacturing a mask pattern by utilizing a shot shape arrangement drawing data in which a dose amount is corresponded for each shot shape.例文帳に追加

ショット形状毎にドーズ量を対応付けたショット形状配列描画データを利用してマスクパターン等を製造する場合に、実際に電子線描画することなく、パターンの形状を確認できるパターン形状予測プログラム、パターン形状予測システムを提供する。 - 特許庁

This three-dimensional shape measuring system is a pattern-projecting device, using emission from a stroboscope of a camera as a light source, transmitting light through a pattern mask, and projecting a three-dimensional position detection pattern to an object, and the pattern-projecting device is mountable on the camera and dismountable therefrom.例文帳に追加

本発明の三次元形状計測システムは、カメラのストロボの発光を光源とし、パターンマスクを透過させて、被写体に三次元位置検出用パターンを被写体に投影するパターン投影装置であって、該パターン投影装置はカメラに対して着脱可能とした。 - 特許庁

In this process, a defect is detected by comparing a basic inspection image obtained from the basic pattern formed in the basic pattern region of the mask for inspection of pattern defect detection sensitivity with a defect reference image produced by image processing based on the design data of the defect pattern.例文帳に追加

この際、パターン欠陥検出感度検査用マスクの基本パターン領域に形成された基本パターンから取得した基本検査画像と、欠陥パターンの設計データを基に画像処理により生成した欠陥参照画像とを、比較して欠陥を検出する。 - 特許庁

To provide a pattern defect repairing device where a problem when a laser beam is adopted as a light source of an inspection device of a pattern defect, the defect of a pattern is inspected with higher resolution and the defect of the mask pattern can highly precisely be repaired.例文帳に追加

レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern defect repair apparatus capable of repairing the defect of a higher fineness mask pattern by solving the problem of the case a laser beam is employed as a light source for an inspection apparatus for the pattern defect and by inspecting the defect of the pattern with higher resolution.例文帳に追加

レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提供する。 - 特許庁

A monitoring pattern 104-3, which varies more in line width due to the attachment of the contamination 105 than the transferring pattern, is previously formed on a mask provided with a transferring pattern, and a variation in a line width of the monitoring pattern 104-3 due to the contamination 105 is monitored.例文帳に追加

転写用パターンをもつマスクに、転写用パターンよりもコンタミネーション１０５の付着による線幅の変動が大きいモニタ用パターン１０４−３を予め形成しておき、コンタミネーション１０５によるモニタ用パターン１０４−３の線幅の変動をモニタする。 - 特許庁

In the array forming method, the pattern arranged as the mask pattern of an LSI is divided into groups to generate the array structure data in such a manner that when the congruent pattern with the master pattern as the base of repetition is repeatedly arranged at a specified repetition pitch, the largest number of repetition is obtained.例文帳に追加

アレイ化方法は、ＬＳＩのマスクパターンとして並ぶパターンにおいて、繰返しの基準となるマスタパターンに合同なパターンを、所定の繰返しピッチで繰返し配置したときの繰返し数が最大となるようにグループ化し、アレイ構造データを生成する。 - 特許庁

A second resist layer pattern is formed, covering the part other than the part to form the wiring pattern including a couple of electrodes, and electrolytic plating is conducted, using such a resist layer as the mask for the plating, in view of forming the second metal layer 23 pattern which is the same as the wiring pattern.例文帳に追加

２個の電極を含む配線パターンを形成する部位以外を被覆するパターン形状の第２のレジスト層を形成し、これをめっきマスクとして電解めっきを施し、配線パターンと同じパターン形状の第２の金属層２３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming thin film pattern by which a thin film pattern can be formed by a droplet discharging method by which a higher-quality thin film pattern can be formed by accurately forming alignment marks, and to provide a mask used for the method and an electrooptic device and electronic equipment formed with the high-quality thin film pattern.例文帳に追加

液滴吐出法によって薄膜パターンを形成する方法において、アライメントマークを精度よく形成することによって、より高品質な薄膜パターンを形成することができる薄膜パターンの形成方法及びそれに使用するマスクを提供する。 - 特許庁

To avoid generation of bends in the center of a transfer mask main body and to sufficiently suppressing the vibration of the transfer mask main body, concerning a transfer mask to be used at pattern transfer, in the manufacturing process of a semiconductor.例文帳に追加

本発明は半導体の製造プロセスでパターン転写の際に用いられる転写マスクに関し、転写マスク本体の中央部に撓みを生じさせることがなく、かつ、転写マスク本体の振動を十分に抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a simple mask handling method and an apparatus therefor which greatly reduced generation of contaminant particles disturbing the forming of a clear image of a reflective mask pattern for lithographic projectors using EUV and has a good mask layout reproducibility.例文帳に追加

超紫外線を使うリソグラフィ投影装置用反射性マスクのパターンの鮮明な結像を妨害する汚染物質粒子の発生を大幅に減少し、マスク配置再現性のよい、単純なマスク取扱い方法、および装置を提供すること。 - 特許庁

An oxidation pad layer 102 and a mask layer 104 are formed on the silicon substrate 100, a mask 104a is formed on the mask layer in the pattern of a photoresist formed thereon, and an oxidation pad layer 102a and the substrate 100 are etched, to form a trench.例文帳に追加

シリコン基板１００上に酸化パッド層１０２とマスク層１０４を形成し、その上に形成されたフォトレジストのパターンでマスク層にマスク１０４ａを形成し、酸化パッド層１０２ａ及び基板１００をエッチングし、トレンチを形成する。 - 特許庁

A replacement period or cleaning period of the EUV mask is determined in accordance with the difference in growth amount of the foreign bodies growing through EUV exposure on the sunny side and shade side of the pattern of the EUV mask (multilayer reflective mask) for EUV lithography.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶマスク（多層膜反射マスク）のパターンにおける日向面側と日陰面側とにＥＵＶ露光に伴いそれぞれ成長する異物の成長量の差に応じて、ＥＵＶマスクの交換時期又はクリーニング時期を決定する。 - 特許庁

To provide a phase shift mask that prevents the dimension of a pattern transferred to a photoresist from changing even if the exposure frequency increases, a method of manufacturing the phase shift mask, and a method of manufacturing a semiconductor device using the phase shift mask.例文帳に追加

本発明は、フォトレジストに転写されたパターンの寸法が、露光回数が多くなっても変化しない位相シフトマスク、その製造方法、および、その位相シフトマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

According to the method of manufacturing the metal mask, a metal mask flat having the opening for cream solder printing for a wiring pattern, is subjected to intermittent electro-polishing, and thereafter at least a wall surface of the opening formed in the metal mask flat is coated with a metal plating film containing fluorocarbon resin particulates.例文帳に追加

配線パターンのクリームはんだ印刷用の開口部が設けられたメタルマスク原板に、間歇電解研磨処理を施した後、該メタルマスク原板の少なくとも開口部壁面をフッ素樹脂微粒子を含有する金属メッキ皮膜で被覆する。 - 特許庁