「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

Then with the alignment pattern (106, 107) used as an etching mask, a base material member is etched to form micro steps (H1, H2).例文帳に追加

次に、アライメントパターン（１０６，１０７）をエッチングマスクとして用いて、下地部材をエッチングして微小な段差（Ｈ１，Ｈ２）を形成する。 - 特許庁

The obserbation light OL transmitted the mask 22 illuminates a reference pattern formed on the surface WS of a work W via a projection lens 23.例文帳に追加

マスク２２を透過した観察光ＯＬは、投影レンズ２３を経てワークの表面ＷＳ上に形成した参照パターンを照明する。 - 特許庁

In this case, extension directions in both sides of the square forming a mask pattern are adopted as a scanning direction.例文帳に追加

このとき、走査方向として、マスクパターンを構成する矩形の長辺と短辺の両方について、それらが延在する方向を採用する。 - 特許庁

To form a fine pattern of uniform line width with high accuracy by reducing focus error caused by flexure of mask.例文帳に追加

マスクの撓みに起因するフォーカス誤差を低減することにより、均一な線幅の微細なパターンを高い精度で形成できるようにする。 - 特許庁

To easily rapidly inspect a mask with accuracy beyond necessary accuracy even when a pattern to be formed on a substrate is made fine.例文帳に追加

基板に形成すべきパターンが微細化しても容易且つ迅速に必要となる精度以上の精度でマスクを検査できるようにする。 - 特許庁

To provide a photomask that expresses a large number of grayscale levels even in a gray tone mask having a binary pattern composed of a light-transmitting region and a light-shielding region.例文帳に追加

光透過領域及び遮光領域からなる２値パターンのグレートーンマスクにおいても、多くの階調数を表現する。 - 特許庁

To provide a mask for film deposition capable of allowing a vapor deposition to be performed accurately on a desired position while suppressing positional displacement of vapor deposition pattern.例文帳に追加

蒸着パターンの位置ずれを抑え所望の位置に精度よく蒸着を行うことができる成膜用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which enables to form a pattern having excellent line edge roughness (LER) and mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a density distribution mask which can form a pattern giving the exposure value for a region in which a low amount of exposure is obtained with high resolution.例文帳に追加

低露光量を得る領域において、その露光量を与えるパターンを、高い解像度で形成できる濃度分布マスクを得る。 - 特許庁

Then, the image of a pattern which is formed on a mask 3 is projected on the resist 2 by using an excimer laser stepper, and the resist 2 is exposed (b).例文帳に追加

そして、エキシマレーザステッパを使用して、マスク３に形成されたパターンの像を、レジスト２上に投影してレジスト２を感光させる（ｂ）。 - 特許庁

An anisotropic etching is carried out via a mask to form a pattern of holes extending through the support layer into the etchable material.例文帳に追加

異方性エッチングを、マスクを介して行い、支持体層を通り上記エッチング可能な材料中にまで伸びている孔パターンを形成する。 - 特許庁

A mask is formed for the characteristic pattern in which the density of defects caused by a function-defective nozzle of a micro-deposition head is reduced.例文帳に追加

マスクは、マイクロデポジションヘッドの機能不良ノズルのために起こる欠陥の密度を低減する特徴パターンに対して形成される。 - 特許庁

To realize a transmission object without storing a mask pattern in a display list, to simplify the display list and to save memory capacity.例文帳に追加

マスクパターンをディスプレイリスト３に記憶せずに透過オブジェクトを実現し、ディスプレイリスト３の簡略化を図り、メモリ容量を節約する。 - 特許庁

To automatically prepare a mask image capable of reliably masking a border line of a light-and-shade pattern, and to appropriately detect coating defect.例文帳に追加

明暗パターンの境界線をより確実にマスクするマスク画像を自動作成すると共に塗装欠陥をより適切に検出する。 - 特許庁

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK, AND HIGH MOLECULAR COMPOUND例文帳に追加

化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク、並びに、高分子化合物 - 特許庁

Then, a dry etching or a wet etching is applied to the second layer film 130 by using a pattern 150 formed on the resist layer 140 as a mask.例文帳に追加

次に、レジスト層１４０に形成されたパターン１５０をマスクとして第二層膜１３０にドライエッチング、又はウェットエッチングを施す。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of further improving a mask error enhancement factor (MEEF) of a pattern obtained from the composition.例文帳に追加

得られるパターンのマスクエラーエンハンスメントファクター（ＭＥＥＦ）をより改善することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

By mounting the substrate 12 on this metal mask and by carrying out the vapor deposition, the highly precise pattern can be formed on the substrate.例文帳に追加

この金属マスクの上に基板１２を取り付け、蒸着を行うことで高精細なパターンを基板上に形成することができる。 - 特許庁

To easily and accurately position the angle of a plate-like structure pattern used as a mask, to a (111) face of a semiconductor substrate wafer.例文帳に追加

マスクである板状構造体パターンの角度を半導体基板ウエハの（１１１）面に対して簡単且つ正確に位置決め可能とする。 - 特許庁

When the substance layer 24 and the insulation film 23 are flatly etched and an etching mask pattern 16 is removed, a trench separation element film is formed.例文帳に追加

物質層２４及び絶縁膜２３を平坦化エッチングし、エッチングマスクパターン１６を除去すると、トレンチ素子分離膜が形成される。 - 特許庁

To provide a photomask capable of producing a high quality display device without depending upon the positioning accuracy and the dimensional accuracy of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの位置精度および寸法精度に依存せず、高品位な表示装置を製造することができるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

NEAR FIELD LIGHT MASK, NEAR FIELD EXPOSURE DEVICE USING IT, METHOD FOR FORMING DOT PATTERN USING IT, AND DEVICE FABRICATED USING THEM例文帳に追加

近接場光マスク、これを用いた近接場露光装置、これを用いたドットパターン作製方法、及び、これらを用いて作製したデバイス - 特許庁

To provide a printing mask plate having the same film thickness of a partition wall as that of an island part for forming a doughnut state printing pattern and to provide a screen printing plate.例文帳に追加

ドーナツ状の印刷パターンを形成するための印刷用マスク版、およびこれを備えたスクリーン印刷版を提供する。 - 特許庁

A mask pattern 14 is formed on a photo-sensitive glass substrate 12 and the photo-sensitive glass substrate 12 is exposed by energy of 20 J/cm2.例文帳に追加

感光性ガラス基板１２上にマスクパターン１４を形成し、感光性ガラス基板１２を２０Ｊ／ｃｍ^2のエネルギーで露光する。 - 特許庁

The gap between the glass dry plates 13 and 14 is evacuated and an exposure pattern 15 for a shadow mask is brought into close contact with the photosensitizers 12 on both the surfaces of the iron plate 11.例文帳に追加

ガラス乾板13，14間を真空引きして、シャドウマスク用の露光パターン15は鉄板11の両面の感光剤12上に密着する。 - 特許庁

Moreover, a mask layer 105 with a predetermined opening pattern formed and consisting of an ArF resist is formed on the antireflective coating 104.例文帳に追加

また、反射防止膜１０４の上には、所定の開口パターンが形成されＡｒＦレジストからなるマスク層１０５が形成されている。 - 特許庁

To provide a pattern drawing device for preventing adhesion of dust on the surface of a mask and keeping high drawing quality.例文帳に追加

マスクの表面に粉塵が付着することを防止し、高い描画品質を維持することができるパターン描画装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein the variation of tolerance of a circuit pattern which is generated between a treated substrate and a stencil mask can be corrected.例文帳に追加

被処理基板とステンシルマスクに生じた回路パターンの寸法差を補正可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING AND EVALUATING FORM OF MASK PATTERN AND RECORDING MEDIUM RECORDING FORM MEASURING AND EVALUATING PROGRAM例文帳に追加

マスクパターン形状計測評価装置および形状計測評価方法並びに形状計測評価プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

A wide area processing is executed by synchronously controlling both a mask by which a pattern is generated and a stage to scan the workpiece.例文帳に追加

パターンを発生するマスクと、ワークを走査するステージとを同期制御することにより広い面積の加工を行なうことができる。 - 特許庁

To easily control the positions of contact pins without contacting the contact pins to a mask pattern in a position controller of a contact probe.例文帳に追加

コンタクトプローブの位置調整装置において、コンタクトピンをマスクパターンに接触させることなくコンタクトピンの位置を容易に調整すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern by which the period required for OPC (optical proximity correction) treatment can be reduced even when the number of correction parameters increases.例文帳に追加

補正パラメータ数が増加してもＯＰＣ処理に要する時間を短縮することができるマスクパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of obtaining a desired etching pattern without loosing a shape by preventing an etching mask from being deformed.例文帳に追加

エッチングマスクの変形を防止して形崩れのない所望のエッチングパターンを得ることが可能なエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method capable of forming a thin film pattern with high accuracy while ensuring the physical strength of a mask.例文帳に追加

マスクの物理的強度を確保しつつ、薄膜パターンを高精度に形成可能な成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

A first mold mask having pattern-shaped projecting parts and recessed parts is used, and a photosensitive silver paste in the recessed parts is hardened by being irradiated with UV light.例文帳に追加

パターン状の凸部と凹部を有する第１のモールドマスクを用い、ＵＶ光を照射して、凹部内の感光性銀ペーストを硬化する。 - 特許庁

The micro-deposition of small droplets of fluid material is performed on the substrate according to the mask in order to demarcate sub-characteristics of the characteristic pattern.例文帳に追加

流体材料の小滴は特徴パターンの副特徴を画定するためにマスクに基いて基板上にマイクロデポジションされる。 - 特許庁

Using the developed resist film as a mask, the thin film 102 is subjected to reactive ion etching to form an irregular pattern on the thin film 102.例文帳に追加

現像されたレジスト膜をマスクとして薄膜１０２を反応性イオンエッチングして、薄膜１０２上に凹凸パターンを形成する。 - 特許庁

The phase difference abnormality and transmittance difference abnormality are detected, base on the relation to correct the device pattern of the Levenson phase shift mask 4.例文帳に追加

そして、この関係に基づいて、位相差異常及び透過率差異常を検出し、レベンソン位相シフトマスク４のデバイスパターンを補正する。 - 特許庁

A plurality of test resist patterns are formed (S2, S6) by transferring the test patterns by a lithographic process including pattern exposure using the test mask.例文帳に追加

テストマスクを用いたパターン露光を含むリソグラフィー処理により、テストパターンを転写した複数のテスト用レジストパターンを形成する（Ｓ２，Ｓ６）。 - 特許庁

DEVELOPMENT LOADING EVALUATION PATTERN, EVALUATION METHOD USING THE SAME, MASK FOR DEVELOPMENT LOADING EVALUATION, DEVELOPING METHOD, AND ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE例文帳に追加

現像ローディング評価パターン、それを用いた評価方法、現像ローディング評価用マスク、および現像方法、並びに電子ビーム露光装置 - 特許庁

To produce an etching proximity effect correction model correcting a mask pattern with respect to an etching proximity effect with high accuracy.例文帳に追加

エッチング近接効果に対するマスクパターンの補正を非常に高精度で行うことができるエッチング近接効果補正モデルを作成する。 - 特許庁

By the double pattern formed on the photoresist layer, the carbonaceous mask layer and another optional non-photosensitive intermediate layer are patterned (250).例文帳に追加

フォトレジスト層に形成された二重パターンによって、炭素質マスク層ならびに任意の他の非感光性中間層がパターニングされる（２５０）。 - 特許庁

POLYMER MEMBRANE FOR HARD MASK COMPOSED OF TETRAHEDRAL CARBON COMPOUND AND ITS PRODUCING METHOD, AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN USING IT例文帳に追加

四面体炭素化合物からなるハードマスク用のポリマー膜及びその製造方法、並びにそれを利用した微細パターンの形成方法 - 特許庁

LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATION SYSTEM, LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATING METHOD, EXPOSURE SYSTEM EVALUATING METHOD, MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

リソグラフィプロセス評価システム、リソグラフィプロセス評価方法、露光装置評価方法、マスクパターン設計方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

The LED element emitting the light of the complex wavelength is manufactured by removing the mask pattern after depositing the fluorescent film.例文帳に追加

蛍光膜を蒸着させた後に前記のマスクパターンを除去することによって複合波長の光を発生するLED素子を製造する。 - 特許庁