「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory cell which does not require a refreshing operation for holding information.例文帳に追加

情報保持に対してリフレッシュ動作を必要としない半導体メモリセルを提供する。 - 特許庁

To monitor the evaluation information of FeRAM and error information to be stored in a memory cell.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭの評価情報、エラー情報をモニターし、この情報をメモリセルに記憶する。 - 特許庁

The first memory cell 2 has a first control gate 21 extending in a second direction.例文帳に追加

ここで、その第１メモリセル２は、第２方向に延伸する第１コントロールゲート２１を備える。 - 特許庁

In a memory cell area where multiple magnetoresistive elements TMR are arranged, a first high permeability film CLAD2 arranged above the magnetoresistive elements TMR is extended from the memory cell area up to a peripheral area that is an area other than the memory cell area.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which breakdown of data held in a memory cell is avoided in masking the data.例文帳に追加

データマスク時に、記憶セルの保持データの破壊を回避する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To arrange upper/lower wiring and a memory cell in a self-aligned manner while reducing an aspect ratio.例文帳に追加

アスペクト比を低減しつつ、上下の配線とメモリセルとを自己整合的に配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage where data can be read accurately from a memory cell.例文帳に追加

メモリセルから正確にデータを読み出すことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A value stored in a memory cell A1000 is referenced through bit lines A611 and 612.例文帳に追加

メモリセルＡ１０００に保持された値はビット線Ａ６１１および６１２から参照される。 - 特許庁

The resulting memory cell has a small area requirement and a high number of program/clear cycles.例文帳に追加

得られるメモリセルは、少ない面積を必要とし、高いプログラム／消去サイクル数を有する。 - 特許庁

To provide a means for more surely operating a memory cell by compensating the temperature change.例文帳に追加

温度変化を補償して、メモリセルをより確実に動作させるための手段を提供する。 - 特許庁

The selection transistor SGD is connected between the end of the memory cell group and a bit line BL.例文帳に追加

選択トランジスタＳＧＤはメモリセル群の一端とビット線ＢＬ間に接続される。 - 特許庁

Word lines, plate lines, and bit lines are connected respectively to the memory cell.例文帳に追加

本発明において、ワード線、プレート線及びビット線は、それぞれ前記メモリセルと結合する。 - 特許庁

Successively, the initial data is compared with the comparison data, and a data value of the selected memory cell is judged.例文帳に追加

続けて、イニシャルデータと比較データを比較し、選択されたメモリセルのデータ値を判断する。 - 特許庁

FIT IN TYPE FLASH MEMORY CELL STRUCTURE FOR WRITING AND DELETING VIA CHANNEL, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

チャネル経由で書込みと消去する嵌入式フラッシュメモリセル構造とその製造方法 - 特許庁

The memory cell array 21 of each bank 15a to 15d is provided with a storing part 21a.例文帳に追加

各バンク１５ａ〜１５ｄのメモリセルアレイ２１には、記憶部２１ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (RAM) with a reference cell more stably magnetized.例文帳に追加

磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, DATA RETRIEVAL CIRCUIT, METHOD OF READING MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD OF RETRIEVING DATA例文帳に追加

半導体装置、データ検索回路、メモリセルアレイ判読方法、およびデータ検索方法 - 特許庁

BIDIRECTIONAL READING/PROGRAMMING NONVOLATILE FLOATING GATE MEMORY CELL, ITS ARRAY AND FABRICATING METHOD例文帳に追加

双方向性読出し／プログラム不揮発性浮遊ゲート・メモリセル及びその配列及び製造方法 - 特許庁

Access can be performed for the first and the second memory cell arrays with an address non-multiplex system.例文帳に追加

第１および第２のメモリアレイに対しアドレスノンマルチプレクス方式でアクセスすることが出来る。 - 特許庁

A memory cell MC stores a plurality of bits data by threshold levels 1, 2... n (n is a natural number).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、閾値レベル１、２…ｎ（ｎは自然数）により、複数ビットのデータを記憶する。 - 特許庁

PROGRAMMABLE RESISTANCE MEMORY CELL HAVING PROGRAMMABLE RESISTANCE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

プログラマブル抵抗層を備えたプログラマブル抵抗メモリセル、および抵抗メモリセルの製造方法 - 特許庁

The memory cell 100 is provided with any one among a plurality of threshold voltage states.例文帳に追加

メモリセル１００は、多数のスレッショルド電圧状態の中でいずれか一つを有する。 - 特許庁

The column control circuit 2 and the raw control circuit 3 execute data write-in operation for applying voltage required for writing data in the memory cell of the memory cell array 1 and data erasing operation for applying data required for erasing of data to the other memory cell simultaneously.例文帳に追加

カラム制御回路２及びロウ制御回路３は、メモリセルアレイ１の一のメモリセルにデータの書き込みに必要な電圧を印加するデータ書き込み動作と、他のメモリセルにデータの消去に必要な電圧を印加するデータ消去動作とを同時に実行する。 - 特許庁

MEMORY CELL UNIT, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE EQUIPPED WITH IT例文帳に追加

メモリセルユニット、不揮発性半導体装置およびそれを備えてなる液晶表示装置 - 特許庁

A P-well 5 common to a peripheral NMOS Tr 52 region is formed in the memory cell Tr 50 region.例文帳に追加

メモリセルTr50領域には、周辺NMOSTr52領域と共通のPウェル5が形成されている。 - 特許庁

One memory cell is constituted of a field effect transistor and a resistance change material 4.例文帳に追加

電界効果トランジスタと抵抗変化材４とにより１つのメモリセルが構成される。 - 特許庁

To provide a multi-level memory cell in which write/erasure control is facilitated in simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成で書込／消去の制御が容易な多値のメモリセルを提供する。 - 特許庁

The word line WL is connected to gates of a plurality of nonvolatile memory cell transistors 30.例文帳に追加

ワード線ＷＬは、複数の不揮発性メモリセルトランジスタ３０のゲートに接続されている。 - 特許庁

A memory cell is arranged between first wiring and second wiring and has a variable resistive element.例文帳に追加

メモリセルは、第１配線と第２配線との間に配置され可変抵抗素子を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having data erase mode that suppresses deterioration of cell characteristics.例文帳に追加

セル特性劣化を抑制したデータ消去モードを持つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A common buffer section is provided for a plurality of memory cell sections arranged in each unit pixel.例文帳に追加

各単位画素に設けられた複数のメモリセル部に対して、共通のバッファ部を設ける。 - 特許庁

In one embodiment, a memory cell device has a conductive magnetic reference layer and data layer.例文帳に追加

１実施態様では、メモリセル装置は、導電性の磁気基準層及びデータ層を有する。 - 特許庁

The magnetic memory cell is used as equipped with transistors TR1, TR2 and a magnetic resistance element group 2.例文帳に追加

トランジスタＴＲ１、ＴＲ２と磁気抵抗素子群２とを具備する磁気メモリセルを用いる。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell array 11 and a source line driver 13.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ１１とソース線ドライバ１３とを備えている。 - 特許庁

A total capacity of address spaces of the memory cell array becomes 256 unique addresses which are different from one another.例文帳に追加

メモリーセルアレーのアドレススペースの総容量は２５６の唯一無二の別々のアドレスとなる。 - 特許庁

A memory cell has two anti-fuses connected in series together with at least a diode.例文帳に追加

メモリセルは、少なくともダイオードとともに直列に接続した２つのアンチフューズを備える。 - 特許庁

Thus, writing is executed in the memory cell by using not a channel current but a substrate current.例文帳に追加

これにより、チャネル電流でなく基板電流を用いてメモリセルに書込みが可能となる。 - 特許庁

The memory cells MC store k bits of data (k is a natural number not less than 2) into a single cell.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、１セルにｋビット（ｋは、２以上の自然数）のデータを記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can improve the probability of the relief of a defective cell.例文帳に追加

欠陥セルの救済確率を向上可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The global word line is generally directed toward the second direction and is magnetically connected to the memory cell.例文帳に追加

グローバルワード線は概ね、第２の方向に向けられ、メモリセルに磁気的に接続される。 - 特許庁

To increase read-out speed for a nonvolatile memory cell without increasing layout area.例文帳に追加

レイアウト面積を大きくすることなく、不揮発性メモリセルに対する読出しを高速化する。 - 特許庁

To provide an effective method for supplying a prescribed voltage to a memory cell transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタに所定の電圧を供給するための効果的な手法を提供する。 - 特許庁

The corrected data retained in the page register 22 is written to the memory cell array 21.例文帳に追加

ページレジスタ２２に保持されている訂正済みのデータは、メモリセルアレイ２１に書き込まれる。 - 特許庁

The power source pad 20 and a sense amplifier 12A are arranged at one end of a memory cell array 11.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１の一端には、電源パッド２０とセンスアンプ１２Ａが配置されている。 - 特許庁

To prevent information of a memory cell array block from being rewritten or erased erroneously or illegally.例文帳に追加

メモリセルアレイブロックを間違ってまたは不正にする情報の書換えや消去を防止する。 - 特許庁