「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

A first and a second sense amplifiers are arranged at both sides of a bit line direction of the memory cell array, respectively.例文帳に追加

メモリセルアレイのビット線方向両側に第１、第２のセンスアンプがそれぞれ配置されている。 - 特許庁

To reduce fluctuation of a gate width of a readout transistor while suppressing increase of a memory cell area.例文帳に追加

モリセルの面積の増大を抑制しつつ、読み出しトランジスタのゲート幅が変動を低減させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which propagation of leakage current due to a defective cell can be suppressed.例文帳に追加

不良セルによるリーク電流の伝播を抑制可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL AND METHOD FOR STORING DIGITAL SIGNAL例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法 - 特許庁

An amplifying part 30C decides the residual polarization value of the memory cell according to the control signal CON.例文帳に追加

増幅部３０Ｃでは、制御信号ＣＯＮに従ってメモリセルの残留分極値を判定する。 - 特許庁

To suppress asymmetry failure in device characteristics of a transistor, relating to a memory cell of SRAM.例文帳に追加

ＳＲＡＭのメモリセルにおいて、トランジスタのデバイス特性における非対称性不良を抑制する。 - 特許庁

A first wiring line is arranged linearly in a first row or column of a memory cell array.例文帳に追加

第１配線１２は、メモリセルアレイの１ロウ又は１カラム内において一直線上に配置される。 - 特許庁

Finally, the data of a page size stored in the page buffer 224 is written in the memory cell array 221.例文帳に追加

最後にページバッファ２２４に格納されたページ単位のデータを、メモリセルアレイ２２１に書き込む。 - 特許庁

A memory cell includes a first electrode 202 and a second electrode 208 forming an opening.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極２０２および開口部を形成する第２の電極２０８を備えている。 - 特許庁

Next, each tone value of the cell P1 (tone value of cells 11 to 16 and the like) is read from the memory.例文帳に追加

次に、セルＰ_1の各々のトーンバリュー（セル１１〜１６等のトーンバリュー）をメモリから読み込む。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a three-dimensional RRAM having a 2R memory with 4F^2 cell size.例文帳に追加

４Ｆ^２のセルサイズで２Ｒメモリを有する３次元ＲＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

It is determined from the result of the determination whether a failure mode occurs in the memory cell transistor MC.例文帳に追加

その判定結果から、メモリセルトランジスタＭＣに故障モードが発生しているか否かを判定する。 - 特許庁

The memory cell includes one transistor (10) and a data storage section (12) having mask wiring.例文帳に追加

メモリセルは、１個のトランジスタ（１０）とマスク配線で構成されるデータ記憶部（１２）とで構成される。 - 特許庁

To obtain a sense circuit sensing a logical state of a memory cell in which a reading time is minimized.例文帳に追加

読取り時間を最小にするメモリセルの論理状態をセンスするセンス回路を得ること。 - 特許庁

VOLATILE MEMORY-CELL TRANSISTOR INCLUDING GATE DIELECTRIC FILM WITH CHARGE TRAP AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

電荷トラップを有するゲート誘電体を含む揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which can restrain disturbance defect of each memory cell.例文帳に追加

各メモリセルのＤｉｓｔｕｒｂ不良を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH NONVOLATILE MEMORY CELL AND FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリセルと電界効果トランジスタとを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

The normal memory cell MC has a tunnel magnetoresistive element TMR and an access transistor ATR.例文帳に追加

正規メモリセルＭＣは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲとを含む。 - 特許庁

The refresh generating circuit generates automatically a refresh signal for holding data of a memory cell.例文帳に追加

リフレッシュ発生回路は、メモリセルのデータを保持するためのリフレッシュ信号を自動で生成する。 - 特許庁

A memory cell stores a plurality of data by threshold voltage of an n value (n is a natural number ≥2).例文帳に追加

メモリセルは、ｎ値（ｎは２以上の自然数）の閾値電圧により複数のデータを記憶する。 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND DATA WRITING-IN CONTROL THEREIN例文帳に追加

不揮発性半導体メモリセル及び不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み制御方法 - 特許庁

The hard mask layer is later replaced with gate electrodes made of polysilicon in a memory cell array.例文帳に追加

このハードマスク層は、メモリセルアレイ内のポリシリコンで形成されるゲート電極に、後に置換される。 - 特許庁

The branch target buffer includes a memory cell array, a decoder, a sense amplifier, and a sense amplifier enable circuit.例文帳に追加

本発明による分岐ターゲットバッファはメモリセルアレイ、デコーダ、センスアンプ、及びセンスアンプイネーブル回路を含む。 - 特許庁

SELECTOR SWITCH INTEGRATED MONOLITHICALLY AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY CELL DEVICE例文帳に追加

モノリシックに集積化されたセレクタスイッチおよび電気的にプログラミング可能な不揮発性メモリセル装置 - 特許庁

To provide a flash memory device having cell current measuring scheme utilizing a write-in driver.例文帳に追加

書き込みドライバを利用したセル電流測定スキームを有するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Further, a source side selective transistor 9 is arranged on the source side of the memory cell transistor 7.例文帳に追加

更に、このメモリセルトランジスタ７のソース側にはソース側選択トランジスタ９が配設されている。 - 特許庁

To apply a test pattern in which physical arrangement of a cell is adopted to a memory after relieving processing.例文帳に追加

救済処理後のメモリ対して、セルの物理的配置を考慮したテストパターン印加を行うこと。 - 特許庁

A stabilizing switch is formed between either a voltage supply end or a grounding end and the memory cell.例文帳に追加

電圧供給端および接地端の一方と、メモリセルと、の間に安定スイッチが設けられる。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法ならびに磁気メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

A column selecting section 27 switches access control for a memory cell in accordance with a mode control signal MDS.例文帳に追加

列選択部２７は、モード制御信号ＭＤＳに応じて、メモリセルへのアクセス制御を切換える。 - 特許庁

Correction data DATA2 for adjusting a printing shade is written and held in the memory cell.例文帳に追加

このメモリセルには、印字濃淡を調整するための補正データＤＡＴＡ２が書き込まれ、保持される。 - 特許庁

A status is stored according to the existence of the insulation film covering the electrode surface at a specified memory cell position.例文帳に追加

メモリセル位置の電極表面に対する被覆絶縁膜の有無により状態を記憶する。 - 特許庁

This circuit is provided with a bit line BL connected to a memory cell FSPZ and a differential amplifier D.例文帳に追加

メモリセルＦＳＰＺと接続されたビット線ＢＬと差動増幅器Ｄが設けられている。 - 特許庁

Thus, the corrected data is written back in the memory cell MC during a reading cycle.例文帳に追加

このため、読み出しサイクル中に、誤りを訂正したデータをメモリセルＭＣに書き戻すことができる。 - 特許庁

When compared results do not coincide, data from a memory cell are read out and outputted as read-out data.例文帳に追加

比較結果が一致しない場合、メモリセルからのデータを読み出しデータとして出力する。 - 特許庁

APPARATUS FOR DETECTING AND RECOVERING DATA CORRUPTION IN READING IN NON-ACCESS MEMORY CELL, AND METHOD THEREOF例文帳に追加

読み出しによる非アクセスメモリセルのデータ破壊を検出及び回復する装置、及びその方法 - 特許庁

Accordingly, the electric characteristics of the reference memory cell MC_REF are highly accurately measured.例文帳に追加

したがって、リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦの電気的特性を高精度に測定することができる。 - 特許庁

A sense amplifier band 118 is extended in a vertical direction, along a boundary of each memory cell bank 110.例文帳に追加

感知アンプ・バンド１１８は、各メモリ・セル・バンク１１０の境界にそって、縦方向に延びる。 - 特許庁

To improve the rewriting durability of a memory cell and to remarkably improve the reliability for reading data.例文帳に追加

メモリセルの書き換え耐性の向上、およびデータ読み出しの信頼性を大幅に向上する。 - 特許庁

To provide an SRAM memory cell which does not require a pull-up transistor and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

プルアップトランジスタを必要としないＳＲＡＭメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which optimizes a depth of a wiring trench between a memory cell array region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域と周辺回路領域との配線溝の深さを最適化する。 - 特許庁

To prevent a threshold voltage of a memory cell from being difficult to fall down due to repeating of data rewriting.例文帳に追加

データ書き替えの繰り返しによってメモリセルの閾値電圧が下がりくくなることを防止する。 - 特許庁

To reduce a memory cell size while preventing a contact plug at the lower layer of a capacitive element from oxidizing.例文帳に追加

容量素子下層のコンタクトプラグの酸化を防止しつつ、メモリセルサイズを縮小できるようにする。 - 特許庁

To improve information holding performance for a long period by a memory cell, using a non-volatile storage element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子を用いたメモリセルによる長期の情報保持性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a level shifter for boosting a wordline voltage and memory cell performance without making a circuit defective in operation or without causing excessive leakage.例文帳に追加

ワードライン電圧及びメモリ・セル性能を増強するためのレベル・シフタを提供する。 - 特許庁