「Memory Error」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a static semiconductor memory which is excellent in soft-error tolerance by addition of a capacitance to a memory node.例文帳に追加

記憶ノードに容量を付加することによりソフトエラー耐性に優れたスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This shared error correction circuit (100) reduces the overhead of the memory by distributing the fixed number of ECC bits among two or more memory units (101) of a semiconductor memory.例文帳に追加

共有誤り訂正回路(100)は、半導体メモリの2つ以上のメモリユニット(101)間に一定数のECCビットを分配することによりメモリのオーバーヘッドを低減する。 - 特許庁

The integrated circuit device that supports an error detection, includes a nonvolatile memory device having a memory array therein containing a plurality of pages of memory cells, and it is demonstrated.例文帳に追加

複数のページ単位メモリセルを含むメモリアレイが含まれる不揮発性メモリ装置が含まれ、エラー検出動作が支援される集積回路装置が開示される。 - 特許庁

To determine a memory causing a writing error as a defective product, and to improve the reliability of memory inspection in a memory inspection device.例文帳に追加

メモリ検査装置において、書込みエラーを生じるメモリを不良品として判定することができ、メモリ検査の信頼性を向上させることを可能にする。 - 特許庁

When an HDC(hard disk controller) 9 discriminates data as a read error, read data discriminated as an error are stored into a buffer memory 10, and retry is carried out.例文帳に追加

ＨＤＣ９がリードエラーと判別した場合、エラーと判別したリードデータをバッファメモリ１０に格納し、リトライを行う。 - 特許庁

A switching control section switches the data from the delay memory for an active system and a standby system according to the B3 error and the error correction information.例文帳に追加

切替制御部はB3エラーと誤り訂正情報とにより遅延用メモリからのデータを現用系と予備系で切り替える。 - 特許庁

To provide an error detection circuit suitable for detecting an error in a signal inputted in an input target such as memory.例文帳に追加

メモリ等の入力対象に入力される信号の誤判定を行うのに好適な誤り検出回路を提供する。 - 特許庁

Thereby, only single memory cell information result will result in error, without making a plurality of memory cell information an error simultaneously, even if one word line is defective, and correction can be made using the error correction circuit 10.例文帳に追加

これにより、１本のワード線が故障しても複数のメモリセル情報が同時に誤りになることはなく、単一のメモリセル情報のみの誤りとなり、誤り訂正回路１０により訂正が可能となる。 - 特許庁

In an EEPROM 7 as a memory, a memory address in which data are stored and an error detection code are stored in such a memory address relation that memory address values are shifted by one.例文帳に追加

メモリとしてのＥＥＰＲＯＭ７には、データが記憶されるメモリアドレスと対応する誤り検出符号とが例えばメモリアドレス値が１つづつシフトしたメモリアドレス関係で記憶されている。 - 特許庁

When occurrence of an error is detected, a control section 50 stores error log of that error in a cartridge memory 41 through a cartridge antenna 60 and a printer antenna 36 (S51).例文帳に追加

制御部５０は、エラーの発生が検出された場合、そのエラーのエラーログを、カートリッジアンテナ６０及びプリンタアンテナ３６を介してカートリッジメモリ４１に格納する（Ｓ５１）。 - 特許庁

To provide a magnetic tape drive capable of recording error logs without completely losing the error logs by hierarchizing a nonvolatile memory as a recording method of the error logs.例文帳に追加

エラーログの記録方法として、不揮発性メモリを階層化することにより、全てエラーログを消失することなく、記録することができる磁気テープドライブを提供することである。 - 特許庁

The memory controller, then, generates a second ECC52 for the corrected data by utilizing a second error correction algorithm with a higher error correction performance than that of the first error correction algorithm.例文帳に追加

その後、メモリコントローラは、第１のエラー訂正アルゴリズムよりも訂正能力の高い第２のエラー訂正アルゴリズムを利用し、訂正したデータに対する第２ＥＣＣ５２を生成する。 - 特許庁

A memory 16 includes an error recognition database 23 where characters with high possibility for error recognition are prestored as error recognition characters concerning the respective characters.例文帳に追加

予め各文字について、誤認識される可能性の高い文字が誤認識文字として記憶された誤認識用データベース２３がメモリ１６に設けられている。 - 特許庁

To provide an error detection/correction circuit capable of efficient error correction, a semiconductor memory controller provided therewith, and an error correction method.例文帳に追加

効率の良い誤り訂正が可能な誤り検出訂正回路、前記誤り検出訂正回路を有する半導体メモリコントローラ、および誤り訂正方法を提供する。 - 特許庁

An error detection section 203 applies error detection processing to a demodulation signal from a reception section 202 and outputs error detection processing information to a memory 205.例文帳に追加

誤り検出部２０３は、受信部２０２からの復調信号に対して誤り検出処理を行い、誤り検出処理情報をメモリ２０５に出力する。 - 特許庁

An image forming apparatus is provided with an error correcting means for the cartridge memory and starts pre-warm-up for printing in a period of time in which the error correcting means performs error recovery processing.例文帳に追加

カートリッジメモリのエラー訂正手段を有し、エラー訂正手段によりエラー回復処理を行っている期間内にプリントを行う為のプレウォームアップ処理を開始する。 - 特許庁

An error detector 105 detects an error presence remaining in the decoding result based on the error detection code included in the decoding result stored in the memory 103.例文帳に追加

誤り検出器１０５は、メモリ１０３に格納される復号結果に含まれる誤り検出符号に基づき復号結果に残存する誤り有無を検出する。 - 特許庁

A memory cell array 1 comprises a plurality of memory cells arranged in a matrix and having first memory cells for storing writing data and second memory cells for storing error correction check bits for the data stored in the first memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のメモリセルがマトリクス状に配列され、書き込みデータを記憶する第１のメモリセルと第メモリセルのデータに対して誤り訂正用の検査ビットを記憶する第２のメモリセルを有する。 - 特許庁

The main memory comprises: memory cells for holding the backup target information written in the main memory; and a control unit for, when a writing error in the memory cells occurs, determining whether the main memory reaches the end of its service life.例文帳に追加

メインメモリは、当該メインメモリに書き込まれたバックアップ対象情報を保持するメモリセル群と、メモリセル群への書き込みエラーが発生したとき、当該メインメモリが寿命を迎えたか否かを判断する制御部とを有する。 - 特許庁

A memory device (110) includes the write-once memory (112), a non-volatile memory (214), and a circuit (210) for writing user data to the write-once memory (112) and at least one of user data and error correction data to the non-volatile memory (214).例文帳に追加

メモリデバイス(110)は、ライトワンスメモリ(112)と、不揮発性メモリ(214)と、ユーザデータをライトワンスメモリ(112)に書き込み、かつユーザデータ及び誤り訂正データのうちの少なくとも一つを不揮発性メモリ(214)に書き込むための回路(210)とを含む。 - 特許庁

Further, the logic circuit (115) is configured to enable the memory chip (52) to access the memory locations based on the memory address when the signal indicates that the memory address is not associated with the detected parity error, and to disable the memory chip (52) from accessing the memory locations based on the memory address when the signal indicates that the memory address is associated with the detected parity error.例文帳に追加

論理回路(115)は更に、メモリアドレスが検出されたパリティエラーに関連しないことを前記信号が示す場合にメモリチップ(52)がメモリアドレスに基づいて記憶場所にアクセスすることを可能にし、及びメモリアドレスが検出されたパリティエラーに関連することを前記信号が示す場合にメモリチップ(52)がメモリアドレスに基づいて記憶場所にアクセスすることを不能にする。 - 特許庁

To surely detect an error in a cache memory due to a miss on logical design or a data change.例文帳に追加

論理設計上のミスやデータ化けによるキャッシュメモリのエラーを確実に検出する。 - 特許庁

To improve software error resistance by increasing the storage node capacitance of the memory cell of an SRAM.例文帳に追加

ＳＲＡＭのメモリセルの蓄積ノード容量を増やしてソフトエラー耐性を向上させる。 - 特許庁

To substantially eliminate an input error when a motion program is called up from a memory.例文帳に追加

モーションプログラムをメモリから呼び出す際に、入力の間違いを実質的に解消する。 - 特許庁

MULTILEVEL PHASE CHANGE MEMORY DEVICE TO REDUCE READ ERROR, AND READOUT METHOD THEREOF例文帳に追加

読み出しエラーを減らすことができるマルチレベル相変化メモリ装置及びその読み出し方法 - 特許庁

When no error exists, the data are replaced with data of the same block number stored in the recording memory 22.例文帳に追加

エラーがない場合、記録メモリ２２内の同じブロック番号のデータと置き換えられる。 - 特許庁

Hereby, even if a data corruption (error) on the memory is generated, the data can recovered.例文帳に追加

これにより、メモリ上でのデータ破損（エラー）が発生しても修復することが出来る。 - 特許庁

To normally make an access to a semiconductor memory without depending upon the existence/absence of error detection.例文帳に追加

誤りの検出有無に依存することなく、半導体メモリを正常にアクセスすること。 - 特許庁

To monitor the evaluation information of FeRAM and error information to be stored in a memory cell.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭの評価情報、エラー情報をモニターし、この情報をメモリセルに記憶する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which has raised efficiency of error detection and correction.例文帳に追加

エラー検知・訂正の効率を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce error detection loads of data stored in a storage device such as a memory.例文帳に追加

メモリーなどの記憶装置に記憶したデータの誤り検出の負荷を低減すること。 - 特許庁

To detect a data transfer error between a semiconductor memory device and a system.例文帳に追加

半導体メモリ装置とシステムとの間のデータ伝送エラーを検出できるようにする。 - 特許庁

A cyclic redundancy check (CRC) is used for improving error check coverage during memory access.例文帳に追加

巡回冗長検査（ＣＲＣ）を用いてメモリーアクセス中のエラー検査能力を改善する。 - 特許庁

The communication error signal is supplied to the memory bridge 26 and reception of data is stopped.例文帳に追加

メモリブリッジ２６は、この通信エラー信号が供給されてデータの受信を停止する。 - 特許庁

To provide a method for detecting a bit error in a maskable content addressable memory.例文帳に追加

マスク可能な内容照合メモリにおけるビットエラーを検出する方法を提供する。 - 特許庁

To effectively use a flash memory with an error detecting and correcting function contained in a micro-computer.例文帳に追加

マイクロコンピュータに内蔵されたエラー検出訂正機能付きフラッシュメモリを有効利用する。 - 特許庁

A memory for occasional writing is stored with retrial history management information on error processes.例文帳に追加

また、随時書き込み用メモリには、エラー処理のリトライ履歴管理情報を格納しておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device switchable to a plurality of code lengths of ECCs (Error Correction Code).例文帳に追加

複数のＥＣＣのコード長に切り替え可能な半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of which the reduction of a read error rate of octal data is enhanced.例文帳に追加

８値データの読み出しエラー率低減を図った半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The write data with the detected error is accordingly not written into a memory array 100.例文帳に追加

この結果、誤りが検出された書き込みデータはメモリアレイ１００に書き込まれない。 - 特許庁

This method makes it possible to record an access pattern at the time when a memory error occurs and an access pattern before it.例文帳に追加

この方法により、メモリエラーが発生した時とその前のアクセスパターンを記録出来る。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory which is small in area for an element and reduced in read error.例文帳に追加

素子面積が小さく、誤読み出しの少ない強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To prevent writing into memory inside a camera from outside by error.例文帳に追加

カメラ内のメモリーに対して外部から誤って書き込みなどを行なうことを防止する。 - 特許庁

A pseudo error signal generating circuit 30 is provided between a memory circuit and a self-test circuit.例文帳に追加

メモリ回路と自己テスト回路との間に、擬似エラー信号発生回路３０を設ける。 - 特許庁

The writing device 2 stores the user data 51 and the error control data 52 in the memory 1.例文帳に追加

そして、書込装置２は、ユーザデータ５１とエラーコントロールデータ５２とをメモリ１に格納する。 - 特許庁