「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

Each bit of 8-bit data is stored in eight memory cells ML of each unit UN of a memory cell array 110 in advance.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１０の各ユニットＵＮの８個のメモリセルＭＬに、予め、それぞれ８ビットのデータの各ビットを記憶する。 - 特許庁

A first gate set is coupled with a memory cell array which stores a plurality of memory words each of which is in the given address.例文帳に追加

第１ゲート・セットは、それぞれが所与のアドレスにある複数のメモリ・ワードを格納するメモリ・セル・アレイに結合される。 - 特許庁

To allow reducing a cell area of a non-volatile memory composed of a single layer polysilicon gate and to enable operation of the memory in a superlow power consumption.例文帳に追加

単層ポリシコンゲートから成る不揮発性メモリのセル面積を低減し、かつ超低消費電力で動作させる。 - 特許庁

A memory pack 10 has a fuel tank 64 storing the fuel 76 for a fuel cell in addition to a memory part 62.例文帳に追加

メモリーパック１０は、メモリ部６２の他、燃料電池用の燃料７６が貯留される燃料タンク６４を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a NAND cell unit in which a vertical memory cells are vertically stacked, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

縦型メモリセルを縦積みしたＮＡＮＤセルユニットをもつ半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a more small planar layout in a magnetic memory in which a memory cell is formed by using a magnetic tunnel resistance element.例文帳に追加

磁気トンネル抵抗素子を用いてメモリセルを形成した磁気メモリにおいて、より小型の平面レイアウトを提供する。 - 特許庁

A three-dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell array comprised of first and second blocks BK<i>, BK<i+1>.例文帳に追加

三次元積層不揮発性半導体メモリは、第一及び第二ブロックＢＫ＜ｉ＞，ＢＫ＜ｉ＋１＞から構成されるメモリセルアレイを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which the change of the size ratio of memory cell regions can be performed on board.例文帳に追加

本発明は、オンボードで、メモリセル領域のサイズ比の変更が可能な半導体メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which is less complicated in the circuit configuration and processing and a memory cell recovery method.例文帳に追加

回路構成または処理の煩雑化が低減された半導体記憶装置およびメモリセルの救済方法を提供する。 - 特許庁

To improve reliability and yield of a device by restraining a leakage current of a polycrystalline memory thin film used in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに用いる多結晶メモリ薄膜のリーク電流を抑制しデバイスの信頼性および歩留りを改善する。 - 特許庁

To provide an erasing method by which over-erasure of a memory cell can be prevented and a flash memory device utilizing its method.例文帳に追加

メモリセルの過消去を防止できる消去方法及びその方法を使用するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

The bit line BL and bit line/BL are connected to a sense amplifier 4 at the periphery of a memory cell array of the ferroelectric substance memory.例文帳に追加

強誘電体メモリのセルアレイ周辺では、ビット線ＢＬ及びビット線／ＢＬがセンスアンプ４に接続される。 - 特許庁

The memory control device specifies a memory cell on the basis of the address information by using the first address control part.例文帳に追加

メモリ制御装置は、第１のアドレス制御部を用いることにより、アドレス情報に基づいてメモリセルを特定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which effectively prevents memory cells from being erroneously set after a reset operation in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのリセット動作後の誤セットの発生を効果的に抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a core constitution of a semiconductor memory having a nonvolatile memory cell manufactured by a logic circuit manufacturing process.例文帳に追加

ロジック回路製造プロセスで製造される不揮発性メモリセルを有する半導体記憶装置のコア構成を提供する。 - 特許庁

The phase change memory includes two phase change layers and electrodes which are arranged in a parallel structure to form a memory cell.例文帳に追加

相変化メモリは、２個の相変化層と電極を含み、メモリセルを形成するために並列構造で構成される。 - 特許庁

A first bit FB of multi-bit data is programmed in one of the plurality of memory cells in the memory cell array from the storage unit.例文帳に追加

マルチ-ビットデータの第１ビットＦＢは、記憶ユニットからメモリーセルアレイ内の複数のメモリーセルの中に１つにプログラムされる。 - 特許庁

The programmable memory cell is formed useful in a memory array having column bit lines and row word lines.例文帳に追加

カラムビット線およびロウワード線を有するメモリアレイ中で用いられるように形成されたプログラム可能メモリセルが開示される。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE HAVING FUNCTION FOR CHANGING SELECTIVELY SIZE OF MEMORY CELL BLOCK IN ERASING OPERATION, AND ITS ERASING METHOD例文帳に追加

消去動作時にメモリセルブロックのサイズを選択的に変更する機能を有するフラッシュメモリ装置及びその消去方法 - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory comprises a program state detecting circuit for discriminating a state of a programmed memory cell.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置はプログラムされたメモリセルの状態を判別するためのプログラム状態検出回路を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which timing control is appropriately conducted to make access to the data in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータにアクセスするためのタイミング制御を適切に行うことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Voice information corresponding to ht plural number of switches is respectively stored in each memory cell (3a, 3b and 3c) of a memory 3.例文帳に追加

メモリ３の各メモリセル（３ａ，３ｂ，３ｃ）は、該複数のスイッチに対応する音声情報がそれぞれ記憶されている。 - 特許庁

To provide an organic molecule memory controlling a current flowing in a memory cell, and having a stable action and high reliability.例文帳に追加

メモリセルに流れる電流を制御し、安定した動作と高い信頼性を備える有機分子メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of accessing data in a memory cell array at a high speed in synchronization with an external system clock.例文帳に追加

外部システムクロックに同期して、メモリセルアレイ内のデータを高速にアクセスすることができる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

A memory cell array consists of a plurality of memory cells 20 arranged in the shape of a two-dimensional matrix in a row direction and a column direction.例文帳に追加

メモリセルアレイは、行方向および列方向に２次元マトリクス状に配列された複数のメモリセル２０からなる。 - 特許庁

A memory cell array is arranged so that a plurality of memory cells storing one out of a plurality of threshold levels are arranged in a matrix state.例文帳に追加

メモリセルアレイは、複数の閾値レベルのうちの１つを記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a dynamic type memory cell superior in memory holding characteristics, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

記憶保持特性が良好なダイナミック型メモリセルを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The write-in part 102 is shared by memory cells 100 of at least two or more in its own memory cell group 101.例文帳に追加

前記書き込み部１０２は、自己のメモリセル群１０１内の少なくとも２つ以上のメモリセル１００で共用される。 - 特許庁

Each of memory cells in a memory cell array 100 can hold data of (n) bits corresponding to a threshold value level of 2^n pieces.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００中のメモリセルの各々は、２^n個のしきい値レベルに対応してｎビットのデータを保持できる。 - 特許庁

To provide a static type semiconductor memory in which a memory cell whose standby current is defective can be detected in an operation test.例文帳に追加

動作テストにおいてスタンバイ電流不良のメモリセルを検出できるスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To improve the process of programming a set of memory cells by adjusting programming processing, based on the behavior of the memory cell.例文帳に追加

１組のメモリセルのプログラミングを行うプロセスが、メモリセルの振舞いに基づくプログラミング処理の適合化により改善される。 - 特許庁

To provide an inexpensive substrate and a memory cell, for which high level impedance matching is not required by accelerating the operating speed of a memory bus.例文帳に追加

メモリバスの動作速度を上げ、高度なインピーダンス整合の必要のない、安価な基板および記憶素子を提供する。 - 特許庁

To make a memory cell to be easily multi-valued by narrowing a distribution width of threshold after the write-in of data in a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体装置のデータ書き込み後のしきい値の分布幅を狭くして、メモリセルの多値化を容易にする。 - 特許庁

A source line (SL) is arranged in common to the memory cells of adjacent rows, and a bit line (BL) is arranged for each memory cell row.例文帳に追加

隣接列のメモリセルに共通にソース線（ＳＬ）を配置し、また、各メモリセル列に対してビット線（ＢＬ）を配置する。 - 特許庁

A heap 11 is a memory resource to be managed by unit of cell and used by unit of cell by execution of an application program.例文帳に追加

ヒープ１１は、セルの単位で管理されるメモリ資源であり、アプリケーションプログラムの実行によってセル単位で使用される。 - 特許庁

If the difference is outside a threshold determined beforehand, the memory cell 111t under test is decided to be a "deteriorated cell".例文帳に追加

この差分が予め定められたしきい値の範囲外であれば、検査対象メモリセル１１１ｔは「劣化セル」と判定する。 - 特許庁

Every adjacent two pieces out of cell units selected by the same word line constitute the same memory cell MC.例文帳に追加

同一のワード線によって選択されるセルユニットのうちの隣接する２個ずつは、同一のメモリセルＭＣを構成する。 - 特許庁

A dual port DRAM cell of a memory cell array circuit 110 has two ports and a bit line is connected to each of the ports.例文帳に追加

メモリセルアレイ回路１１０のデュアルポートＤＲＡＭセルは２つのポートを有し、各ポートにビット線が接続されている。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY CELL HAVING CELL DIODE AND BOTTOM ELECTRODE SELF-ALIGNED WITH EACH OTHER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

互いに自己整合的に形成されたセルダイオード及び下部電極を有する相変化記憶セル及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory cell (SZ) having a separate tunnel window cell (TF).例文帳に追加

本発明は、分離トンネル窓セル（ＳＺ）を有する不揮発性半導体メモリセル（ＴＦ）を製造する方法に関する。 - 特許庁

The on-chip bypass capacitor may also be a part of the chip which further includes a memory cell array containing at least one cell capacitor.例文帳に追加

オンチップバイパスキャパシタは少なくとも一つのセルキャパシタを含むメモリセルアレイをさらに含むチップの一部でもありうる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device capable of programming a reference cell at a high speed, and a program method for the reference cell therefor.例文帳に追加

リファレンスセルを高速でプログラムできる磁気メモリ装置及びこのためのリファレンスセルのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The switch part propagates cell data based upon a signal generated by a driver part and controlling the switch part when a memory cell is selected.例文帳に追加

スイッチ部は、メモリセルの選択時に、ドライバ部が生成するスイッチ部を制御する信号に基づいて、セルデータを伝播する。 - 特許庁

And two dummy memory cells are arranged at a physical position in the on-chip-memory in which timing of reading data is later than a memory cell in which timing of reading data is the latest out of memory cells included in the on-chip-memory.例文帳に追加

そして、２つのダミーメモリセルは、オンチップメモリに含まれるメモリセルのうちで、データをリードするタイミングが最も遅いメモリセルよりも、さらにデータをリードするタイミングが遅くなるオンチップメモリ内の物理位置に配置されている。 - 特許庁

A memory cell array 1 comprises a plurality of memory cells arranged in a matrix and having first memory cells for storing writing data and second memory cells for storing error correction check bits for the data stored in the first memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のメモリセルがマトリクス状に配列され、書き込みデータを記憶する第１のメモリセルと第メモリセルのデータに対して誤り訂正用の検査ビットを記憶する第２のメモリセルを有する。 - 特許庁