「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRICS THIN FILM, FERROELECTRICS CAPACITOR, FERROELECTRICS MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD FOR FERROELECTRICS MEMORY例文帳に追加

強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリの製造方法 - 特許庁

When no cell search processing is executed, the CPU 10 compresses the image data in the memory 18 and a work memory 20 stores the compressed data.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、セルサーチ処理が実行中でない場合に、メモリ１８の画像データを圧縮し、ワークメモリ２０に格納する。 - 特許庁

To provide a memory capable of suppressing an erroneous discrimination of data at a readout operation while suppressing an increase of a memory cell size.例文帳に追加

メモリセルサイズの増大を抑制しながら、読み出し動作時のデータの誤判別を抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory incorporating a structure for distinguishing an over-erasure defective memory cell from the other defects.例文帳に追加

本発明は、過消去不良のメモリセルを他の不良から区別するための構造を組み込んだ半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device provided with a nonvolatile semiconductor memory hardly causing an erroneous write to a memory cell.例文帳に追加

メモリセルへの誤書き込みが発生しにくい不揮発性半導体メモリを備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

A memory circuit 151A1 provided in a driver circuit for driving an LED comprises memory cell circuits 300-1,300-2.例文帳に追加

ＬＥＤを駆動する駆動回路に設けられるメモリ回路１５１Ａ１は、メモリセル回路３００−１，３００−２を備えている。 - 特許庁

IC memory devices include a memory cell array that is configured to output data bits in parallel at a first data transfer rate and an output circuit.例文帳に追加

第１データ転送速度で並列にデータビットを出力するメモリセルアレイと出力回路とを含む半導体装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which performs masking of data written in a part of an area of a memory cell array, and its masking method.例文帳に追加

メモリセルアレイの一部領域に書込まれるデータをマスキングする半導体メモリ装置及びそのマスキング方法を提供する。 - 特許庁

Related to a memory cell array, substrate potential supply wirings 5a and 5b are wired between memory mats 11, divisions with specified interval.例文帳に追加

メモリセルアレイは、所定の間隔に分割されたメモリマット１_1の間に基板電位供給配線５ａ，５ｂが配線されている。 - 特許庁

A memory cell region of a NAND flash memory is formed isolated from an active region 3 in a silicon substrate 1 by an STI 2.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリのメモリセル領域は、シリコン基板１がＳＴＩ２により活性領域３に分離形成されている。 - 特許庁

To perform automatically refreshing of a memory cell in a semiconductor memory inside without watching it from the outside.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリにおけるメモリセルのリフレッシュを外部から見えることなく内部で自動で実行することを目的とする。 - 特許庁

To provide a memory system which can be operated by satisfactory processing efficiency even in simultaneously performing access to a memory cell array and a register part.例文帳に追加

メモリセルアレイとレジスタ部に同時にアクセスする場合であっても良好な処理効率で動作可能なメモリシステムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory 100 is provided with a memory cell array 110 which can access independently of input/output ports 106a, 106b.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、入出力ポート１０６ａ，１０６ｂから独立してアクセス可能なメモリセルアレイ１１０を備える。 - 特許庁

To provide a memory device which can match with data topology on repair of memory blocks having open bit line cell architecture.例文帳に追加

オープンビットラインセル構造を有するメモリブロック間のリペアーの際データトポロジーをマッチングすることができるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

The serial access memory 101 has a memory cell array 11, a write register group 17, a read register group 20 and a write/read register group 32.例文帳に追加

シリアルアクセスメモリ１０１は，メモリセルアレイ１１，ライトレジスタグループ１７，リードレジスタグループ２０，およびライト／リードレジスタグループ３２を備える。 - 特許庁

The additional bit and the write expectation value are stored in a memory cell at an address while being supplied to the memory (16) as write data.例文帳に追加

この付加ビットと書き込み期待値とは、書き込みデータとしてメモリ（１６）に供給されてアドレスのメモリセルに格納される。 - 特許庁

Thus, flowing of a current from the source line to the bit line via the memory transistor of the unprogrammed memory cell is suppressed.例文帳に追加

これにより、プログラムされないメモリセルのメモリトランジスタを介してソース線からビット線に電流が流れることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device where fluctuations of reference potential in a reference memory cell system can be reduced.例文帳に追加

リファレンスメモリセル方式における基準電位のばらつきを、より一層少なく出来る強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

Memory cell array blocks 21-1 to 21-8 are composed of 16 banks, selected from among banks Ba0 to Ba31 as memory units.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック２１-1〜２１-8は、独立のメモリ単位であるバンクＢａ０〜Ｂａ３１のうち１６バンクがまとめられて構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which reduces possibility that repair information is preserved wrongly in a memory cell, and to provide a driving method thereof.例文帳に追加

リペアー情報がメモリセルに誤保存される可能性を低減する半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To improve the pitch of a nonvolatile memory device by reducing the number of lines for each cell, in a NAND flash memory structure.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ構造において、各セルについてライン数を削減して、不揮発性メモリデバイスのピッチを改善すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a sense amplifier capable of operating at high speed applicable also to a memory cell capable of operating at high speed.例文帳に追加

高速動作可能なメモリセルにも適用できる高速動作可能なセンスアンプを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile data storage device that prevents bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止する不揮発性データ貯蔵装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the data is transmitted to a memory cell on a selected word line in the other memory block through the rearrangement data line pair GRAP.例文帳に追加

次いで、このデータを再配置データ線対ＧＲＡＰを介して他方のメモリブロックの選択ワード線のメモリセルに伝達する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is composed of a plurality of memory cells storing data of (n) bits (n:natural number of 2 or more) in one cell.例文帳に追加

本半導体記憶装置は、１セルにｎビット（ｎは２以上の自然数）のデータを記憶する複数のメモリセルから構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device provided with a power source circuit having less area loss for variation of the capacity of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの容量の変化に対して面積ロスの小さい電源回路を備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory for making access to a redundancy cell easier in a memory adopting a shift redundancy system.例文帳に追加

シフトリダンダンシ方式を採用したメモリにおいて、リダンダンシセルへのアクセスを容易にするための半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A cell memory means 8 stores memory cells and suppressor cells which are used in the calculation.例文帳に追加

細胞記憶手段８は、この演算の際に用いられる記憶細胞及びサプレッサー細胞を記憶させておくためのものである。 - 特許庁

The memory unit has a laminated structure, a semiconductor pillar, a storage layer, an inner insulating film, an outer insulating film and a memory cell transistor.例文帳に追加

メモリ部は、積層構造体と、半導体ピラーと、記憶層と、内側絶縁膜と、外側絶縁膜と、メモリセルトランジスタと、を有する。 - 特許庁

A semiconductor storage device relating to this invention includes a memory cell array 13, a memory controller 11, and a refresh control circuit 12.例文帳に追加

本発明にかかる半導体記憶装置は、メモリセルアレイ１３と、メモリコントローラ１１と、リフレッシュ制御回路１２と、を備える。 - 特許庁

To prevent effectively disturbance of data between adjacent memory cells in FeRAM elements sharing a cell plate between adjacent memory cells.例文帳に追加

隣接メモリセル間にセルプレートを共有するＦｅＲＡＭ素子における隣接メモリセル間のデータ攪乱を効果的に防止する。 - 特許庁

To realize writing by a plurality of bit units such as byte writing for a memory using the memory cell of a multi-storage shape.例文帳に追加

マルチストレージ形態のメモリセルを用いたメモリに対してバイト書き込みのような複数ビット単位による書き込みを実現する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WHICH PERFORM MASKING OF DATA WRITTEN IN PART OF AREA OF MEMORY CELL ARRAY WHEN WRITE OPERATION, AND ITS MASKING METHOD例文帳に追加

書込み動作時にメモリセルアレイの一部領域に書込まれるデータをマスキングする半導体メモリ装置及びそのマスキング方法 - 特許庁

To speed up a random access cycle by shortening a finish time of write operation into a memory cell in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置において、メモリセルに対する書き込み動作の完了時間を短縮し、ランダムアクセスサイクルの高速化を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of independently testing a memory cell array section and a logic section in a memory circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイ部とメモリ回路内ロジック部をそれぞれ独立してテストすることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A row decoder 2142 selects plural memory cells, belonging to the same row of the memory cell array en bloc according to the address signal.例文帳に追加

ロウデコーダ２１４２は、アドレス信号に応じて、メモリセルアレイの同一の行に属する複数のメモリセルを一括して選択する。 - 特許庁

To reduce GIDL current of a transistor that receives boosting voltage at a gate in a semiconductor memory having a dynamic memory cell.例文帳に追加

ダイナミックメモリセルを有する半導体メモリにおいて、昇圧電圧をゲートで受けるトランジスタのＧＩＤＬ電流を削減する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device in which memory cells constituting a NOR memory cell array are usable by quaternary data.例文帳に追加

ＮＯＲ型のメモリセルアレイを構成するメモリセルを４値データで使用し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which the reliability of memory cell can be enhanced by suppressing electron trap in a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中への電子トラップを抑制し、メモリセルの信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which effectively prevents a resistance state from being wrongly set after resetting a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのリセット動作後の誤セット動作の発生を効果的に防止することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Each of the two memory planes P1 and P2 comprises a memory cell array 11 and a data register 12 that temporarily stores write data.例文帳に追加

２つのメモリプレーンＰ１，Ｐ２の各々は、メモリセルアレイ１１と、書き込みデータを一時的に記憶するデータレジスタ１２とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a static type memory cell such as a single end type and capable of performing writing by a column unit.例文帳に追加

シングルエンド方式などのスタティック型メモリセルを有する半導体記憶装置でカラム単位での書き込み等を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of correctly reading memory cell data and reducing defective bits without any dependence on temperature.例文帳に追加

温度に依存せずに、メモリセルデータを正しく読み出すことができ、不良ビットを低減できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To shorten a test time by performing incorporated self-test in a semiconductor memory having a memory cell array storing parity data.例文帳に追加

パリティデータを記憶するメモリセルアレイを有する半導体メモリにおいて、組み込み自己検査を実施し、試験時間を短縮する。 - 特許庁

To reduce power consumption in a power saving mode in a semiconductor memory having a memory cell requiring a refresh operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作が必要なメモリセルを有する半導体メモリにおいて、低消費電力モード中の消費電力を削減する。 - 特許庁