「Metallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Printing is performed by changing the thickness of the metallization paste layer 15a within a surface so that the metallization paste layer 15a printed at the center part of one surface of the green sheets 11a-13a is thinner than the metallization paste layer 15a printed on the outer side of the center part.例文帳に追加

グリーンシート１１ａ〜１３ａの一面のうち中央部に印刷されるメタライズペースト層１５ａの方が、当該中央部の外側に印刷されるメタライズペースト層１５ａよりも薄くなるように、メタライズペースト層１５ａの厚さを面内で変えて印刷を行う。 - 特許庁

DIRECT METALLIZATION OF NON-CONDUCTIVE SUBSTRATE SURFACE, IN PARTICULAR POLYIMIDE SURFACE例文帳に追加

非導電性基板表面、特にポリイミド表面に直接金属層を形成する方法 - 特許庁

To reduce the size of a semiconductor device of multilevel metallization structure having a plurality of memory blocks.例文帳に追加

複数のメモリブロックを有する多層配線構造の半導体装置を小型化する。 - 特許庁

METHOD FOR METALLIZATION AND PASSIVATION OF SOLDERABLE TOPMOST PART OF SOURCE PACKAGING SEMICONDUCTOR DIE例文帳に追加

ソース実装半導体ダイのはんだ付け可能最上部金属化及びパッシベーションの方法 - 特許庁

METALLIZATION METHOD, BONDING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND PLASMA PROCESSOR例文帳に追加

メタライズ方法及び接合方法及び半導体装置の製造方法並びにプラズマ処理装置 - 特許庁

INTERCONNECTION PORTION METALLIZATION PROCESS HAVING STEP COVERAGE EQUAL TO OR MORE THAN 100%例文帳に追加

１００％又はそれより大きい段差被覆性を有する相互接続部金属化プロセス - 特許庁

To provide a method for improving metallization structure in semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路におけるメタライゼーション構造及を改善する方法を提供する。 - 特許庁

A first photosensitive insulation resin layer 5 is formed on one side of a metallization layer 1, while a second photosensitive insulation resin layer 6 is formed on the other side of the metallization layer 1.例文帳に追加

金属層１上の片方の面に第一の感光性絶縁樹脂層５を形成し、金属層１のもう片方の面に第二の感光性絶縁樹脂層６を形成する。 - 特許庁

To provide a package for housing electronic components, which can assure bonding strength of a frame-shaped metallization layer, and the gap between the outer circumference of an insulating substrate and the outer circumference of the frame-shaped metallization layer.例文帳に追加

枠状メタライズ層の接合強度、および絶縁基板の外周と枠状メタライズ層の外周との間のギャップの確保が可能な電子部品収納用パッケージを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a multilevel metallization structure formed on a silicon substrate 1, and a plurality of thin film resistor elements 5 and 6 are arranged on a layer upper than a metal line 3 in the multilevel metallization structure.例文帳に追加

シリコン基板１の上に多層配線構造を有し、この多層配線構造における金属配線３よりも上層において複数の薄膜抵抗素子５，６が配置されている。 - 特許庁

To solve the problem in a manufacturing process of a double-sided metallization film capacitor being wound so that it opposes a polypropylene film that is not deposited on a double-sided metallization polypropylene film, and to solve the problem of the capacitor in terms of performance and the problem that the conventional one-sided metallization film capacitor has.例文帳に追加

両面金属化ポリプロピレンフィルムと蒸着していないポリプロピレンフィルムと対向するように巻回する両面金属化フィルムコンデンサでの製造工程上の課題、及びコンデンサの性能上の課題と従来の片面金属化フィルムコンデンサが有している課題を、解決する。 - 特許庁

To reduce the warp of a green sheet generated upon calcination by the difference of a contraction amount when calcining a metallization paste layer and the green sheet in a manufacturing method of a ceramic wiring board composed by calcining the green sheet comprising ceramic for which the metallization paste layer composed of metallization paste is printed on one surface.例文帳に追加

一面にメタライズペーストよりなるメタライズペースト層が印刷されたセラミックよりなるグリーンシートを焼成してなるセラミック配線基板の製造方法において、メタライズペースト層とグリーンシートとの焼成時の収縮量の差によって焼成時に発生するグリーンシートの反りを低減する。 - 特許庁

To provide a simple method for measuring the metallization rate of ferrocoke by which the metallization rate of iron in the ferrocoke is easily and quickly measured, and thereby, the metallization rate of product ferrocoke is adjusted by adjusting the operation conditions of a carbonization furnace in the production of the ferrocoke.例文帳に追加

フェロコークス中の鉄の金属化率を簡便で迅速に測定可能であり、これによりフェロコークス製造の際の乾留炉の操業条件を調整して、製品フェロコークスの金属化率を調整できる、フェロコークス金属化率の簡易測定方法を提供すること。 - 特許庁

MUTUALLY CONNECTED STRUCTURE OF FIRM ULTRA-LOW DIELECTRIC CONSTANT USING METALLIZATION FORMING PROCEDURE AFTER BRIDGING例文帳に追加

ブリッジ後メタライゼーション形成手順を用いた強固な超低誘電率の相互接続構造 - 特許庁

To provide a method for avoiding contamination in copper metallization upon manufacturing an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路の製造の際の銅メタライゼーションにおける汚染を回避する方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor chip includes a secondary metallization to pass signals to the second principal plane side.例文帳に追加

半導体チップは、第２主要面側に、信号を流すための第２メタライジングを更に備えている。 - 特許庁

By dispensing with a multiplicity of metallization layers, the complexity of switch manufacture is relaxed.例文帳に追加

多数のメタライゼーション層を不要とすることによって、スイッチ製造の複雑性が大幅に緩和する。 - 特許庁

To improve a metallization of a ceramic by a metallic phosphorus alloy for which a mid-level phosphorous composition is used.例文帳に追加

中レベルのリン組成物を使用した金属リン合金によるセラミックの金属化の改善。 - 特許庁

Each of the terminals 15 is connected to the sealing metallization layer 13 via the high-resistance patterns 12.例文帳に追加

各端子１５は、高抵抗パターン１２を介して封止金属層１３に接続されている。 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE OF REDUCING CONTACT RESISTANCE BETWEEN SILICIDE CONTACT AND METALLIZATION ON IT例文帳に追加

シリサイド・コンタクトとその上のメタライゼーションとの間の接触抵抗を低減する方法及び構造体 - 特許庁

BIAXIALLY ORIENTED POLYPROPYLENE FILM FOR METALLIZATION, METALLIZED FILM THEREOF AND PACKAGE USING THE SAME例文帳に追加

金属化用二軸配向ポリプロピレンフィルムおよびその金属化フィルムおよびそれを用いた包装体 - 特許庁

CORROSION-RESISTANT POLYPROPYLENE FILM FOR METALLIZATION. METAL LAMINATE FILM AND BATTERY MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

耐蝕性金属被覆用ポリプロピレンフイルム、金属ラミネートフイルムおよびそれを用いた電池材料 - 特許庁

Additionally, the inactivation treatment is alloying or metallization of the semiconductor film.例文帳に追加

また、前記不活性化処理は前記半導体薄膜の合金化、金属化であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming buried metallization by a buried metallization method (damascene method) in which erosion is suppressed at the time of CMP and metal diffusion into an interlayer insulation film is prevented.例文帳に追加

ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線法（ダマシン法：Damascene）による埋め込み金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

A first metallization layer 15 different from a second metallization layer 16 of Schottky metal having great influence on the rectifying characteristics is arranged in contact with a P type guard ring region 13.例文帳に追加

整流特性に多大なる影響力をもつショットキー金属である第２の金属層１６とは異なる第１の金属層１５を、Ｐ型ガードリング領域１３に接触するように配置する。 - 特許庁

Also, an opposite part 5B that opposes the seal ring SR in joining out of the metallization layer 5 is provided with a recessed groove 5A that is formed along the peripheral direction of the metallization layer 5 and is narrower than the seal ring SR.例文帳に追加

また、メタライズ層５のうち接合の際にシールリングＳＲと対向する対向部５Ｂには、メタライズ層５の周方向に沿って形成され、シールリングＳＲよりも幅狭の凹溝５Ａを有する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, having a multilevel metallization and its fabricating method, in which a contact hole for connecting upper and lower interconnections can be formed accurately, and the reliability of the multilevel metallization is enhanced.例文帳に追加

多層配線を有する半導体装置とその製造方法において、上側配線層と下側配線層を接続するための接続孔を正確に形成し、多層配線の信頼性を向上する。 - 特許庁

Following to the inline test (S7), the first metallization of the inspection mask is removed (S9) and a first metallization layer forming step (S2) of a mask for actual circuit forming a semiconductor device is conducted.例文帳に追加

インライン検査（Ｓ７）後、検査用マスクの第１金属配線除去（Ｓ９）を行い、半導体装置を形成するための実回路用マスクの第１金属配線層形成工程（Ｓ２）を行う。 - 特許庁

The first copper metallization is formed in the dielectric layer on a semiconductor substrate, where a barrier metallic layer is formed under the first copper metallization and above the dielectric layer.例文帳に追加

最初の銅メタライゼーションを半導体基板上の誘電体層中に形成し、ここで、バリヤー金属層が上記最初の銅メタライゼーションの下に、そして上記誘電体層の上に、形成される。 - 特許庁

The conductor film 2 is formed, by applying metallization treatment or the like to the surface of the dielectric body 1.例文帳に追加

導体膜２は、誘電体１の表面にメタライズ処理などを施すことにより、形成されている。 - 特許庁

METALLIZATION OF NUCLEIC ACID, COMPLEX OF METAL FINE PARTICLE AND NUCLEIC ACID, METHOD FOR PRODUCING ULTRAFINE WIRE AND ULTRAFINE WIRE例文帳に追加

核酸金属化方法、金属微粒子核酸複合体、微細ワイヤ作製方法及び微細ワイヤ - 特許庁

The suspension beam 24, the metallic traces, and the contact pads are all manufactured of the single metallization layer.例文帳に追加

懸垂ビームならびに金属トレースおよび接点パッドは全て、単一のメタライゼーション層によって製作する。 - 特許庁

To provide a copper metallization method for depositing a conformal barrier layer and a seed layer in a plasma chamber.例文帳に追加

プラズマチャンバ内で等角障壁層およびシード層を堆積する銅金属被覆方法を提供する。 - 特許庁

To provide an element substrate on which a metallization layer of fine pattern is formed precisely, and to provide its production process.例文帳に追加

微細パターンの金属層が精度良く形成された素子基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 5 for a protective element is laminated to the light reflective layer 3 via a laminating metallization layer 6.例文帳に追加

光反射層３に貼合せ金属層６を介して保護素子用の半導体基板５を貼合せる。 - 特許庁

The lower-metal level is formed with an exposed metallization and an adjacent embedded stop layer 50.例文帳に追加

下側金属レベルは露出された金属化層、及び隣接する埋込みストップ層５０で形成されている。 - 特許庁

An FET which is essentially without drain current/voltage hysteresis can be formed through post metallization.例文帳に追加

ポストメタライゼーションにより、本質的にドレイン電流／電圧ヒステリシスのないＦＥＴを生成させることができる。 - 特許庁

The electrically conductive domain is prepared at one or a plurality of different metallization layers within an integrated circuit.例文帳に追加

導電性領域は集積回路中の１ないし複数の異なるメタライゼーション層に配置される。 - 特許庁

To provide an inter-layer metallization structure based on copper dual damascene, and to provide a method of forming it.例文帳に追加

銅デュアルダマシンに基づくレベル間金属化層構造及びそれを形成する方法を提供する。 - 特許庁

The conductor film 2 is formed by applying metallization treatment or the like to the surface of the dielectric body 2.例文帳に追加

導体膜２は、誘電体１の表面にメタライズ処理などを施すことにより、形成されている。 - 特許庁

The magnetic body 10 covers the entire circumference of the metallization 5 in the partial region Rf.例文帳に追加

その磁性体１０は、上記一部の領域Ｒｆにおいて、金属配線５の全周を覆っている。 - 特許庁

A ceramic package 1 is provided with a sealing surface 1A and a metallization layer 5 being formed on the sealing surface 1A.例文帳に追加

セラミックパッケージ１は、封止面１Ａとこの封止面１Ａに形成されたメタライズ層５とを有する。 - 特許庁

Spatially separated metallization levels, each including a conductor, are formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

空間的に分離されたメタライゼーションレベルが、半導体層上に形成され、それぞれ導電体部分を含む。 - 特許庁

The metallization of p-electrode is opaque with high reflectivity, being excellent in current diffusion characteristic.例文帳に追加

ｐ電極のメタライゼーションは不透明で、高い反射性を有し、優れた電流拡散性を有している。 - 特許庁

A metallization layer 27 is formed on the outer surface of the lower insulating substrate 21 of the thermoelectric module 20 and degassing through holes 29 penetrating the lower insulating substrate 21 and the metallization layer 27 are provided at a specified interval.例文帳に追加

そして、この熱電モジュール２０の下側絶縁基板２１の外側の面にメタライズ層２７を形成し、下側絶縁基板２１とメタライズ層２７とを貫通するガス抜き用の貫通孔２９を所定間隔で設けた。 - 特許庁