「Metallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing the aromatic compound having substituents at the continued 1, 2 and 3 positions on the aromatic ring is characterized by performing a selective metallization by effecting a zincate complex on an aromatic compound having two substituents at the m-positions of the aromatic ring and then effecting an electrophilic reagent.例文帳に追加

本発明は、芳香環上のｍ−位に二つの置換基を有する芳香族化合物に亜鉛アート錯体を作用させて選択的メタル化を行ない、次いでこれに求電子試薬を作用させることを特徴とする芳香環上の連続した１，２，３位に置換基を有する芳香族化合物の製造法に関する。 - 特許庁

This optical disk 1 has a resin material layer 31 which is provided between the metallization layer 12 of a first substrate 11 and the thin layer 22 through which light having a prescribed wavelength of a second substrate 21 can pass and in which different composition are given to a side near an opening 1a and a position distant from the opening.例文帳に追加

この発明の光ディスク１は、第１の基板１１の金属層１２と第２の基板２１の所定の波長の光が透過可能な材料の薄層２２との間に設けられ、開孔１ａの近傍の側と開孔から離れた位置で、異なる組成が与えられている樹脂材料層３１を有する。 - 特許庁

The formed material containing the iron oxide with the carbonaceous reducing agent included, is charged into the heating reduction furnace, and after metallization rate is increased to ≥60%, this is sent to the melting furnace and secondary combustion ratio of CO gas in the melting furnace is controlled to ≤40% and heat-conducting efficiency of the secondary combustion heat into the molten iron, is raised to ≥60%.例文帳に追加

炭素質還元剤が内装された酸化鉄含有成形体を加熱還元炉へ装入し、金属化率を６０％以上に高めてから溶解炉へ送り、該溶解炉内におけるＣＯガスの２次燃焼率を４０％以下に制御し、２次燃焼熱の鉄溶湯への着熱効率を６０％以上に高める。 - 特許庁

This method for copper metallization of integrated circuit comprises the steps of (A) providing a substrate 1, (B) forming a tantalum layer on the substrate 1, (C) forming a tantalum nitride layer 7 on the tantalum layer 5, (D) forming a titanium nitride layer 9 on the tantalum nitride layer 7, and (E) forming a copper layer 11 on the titanium nitride layer 9.例文帳に追加

本発明の方法は、（Ａ）基板（１）を用意するステップと、（Ｂ）前記基板上にタンタル層（７）を形成するステップと、（Ｃ）前記タンタル層の上に窒化タンタル層（７）を形成するステップと、（Ｄ）前記窒化タンタル層の上に窒化チタン層（９）を形成するステップと、（Ｅ）前記窒化チタン層の上に銅層（１１）を形成するステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the tri-halosubstituted aromatic compound having halogen atoms at the continued 1, 2 and 3 positions on the aromatic ring is characterized by performing a selective metallization reaction by effecting a zincate complex on the aromatic compound having each halogen atoms at the m-positions of the aromatic ring and then effecting a halogenation reagent.例文帳に追加

本発明は、芳香環上のｍ−位にそれぞれハロゲン原子を有する芳香族化合物に亜鉛アート錯体を作用させて選択的メタル化を行ない、次いでこれにハロゲン化剤を作用させることを特徴とする芳香環上の連続した１，２，３位にハロゲン原子を有するトリハロ置換芳香族化合物の製造法に関する。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding material 1 of frequency selective transmission type is provided, at least on one side of a transparent base 2, with FSS elements 3 of thin line patterns so as to shield electromagnetic waves of a predetermined frequency, wherein a metallization layer of the FSS elements 3 is composed by forming a developed silver layer on the transparent base 2 by a photography process.例文帳に追加

透明基材２の少なくとも一方の面に、所定周波数の電磁波を遮蔽するための細線パターンからなるＦＳＳ素子３が配設された周波数選択遮蔽型の電磁波シールド材１であって、透明基材２の上に写真製法により現像銀層を生成することにより前記ＦＳＳ素子３の金属層を構成する。 - 特許庁

To provide a method for preparing through-holes or vias for metallization by using a solvent swell which is low foaming, stable and homogeneous, does not deteriorate micro-roughening and polymer removal performance and may be used to swell and soften polymers having Tg values within a wide range, including high Tg polymers.例文帳に追加

低発泡性で、安定で、均一であり、マイクロ粗化およびポリマー除去性能を悪化させず、かつ高Ｔｇポリマーをはじめとする広範囲のＴｇ値のポリマーを膨潤および軟化させるために使用されうる溶媒膨潤剤（ｓｏｌｖｅｎｔ ｓｗｅｌｌ）を利用する、金属化のためのスルーホールまたはバイアを調製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic part such as a laminated ceramic capacitor in which even in the case thickness of an internal electrode layer is especially thin-layered, without affecting composition of a dielectric material, superior metallization performance is held, and as a result, an electrode covering rate and reliability are improved, a method of manufacturing the same, and a paste composition used for the method of manufacturing the same.例文帳に追加

特に内部電極層の厚みを薄層化した場合であっても、誘電体材料の組成に影響を与えることなく、良好なメタライズ性を有し、その結果、電極被覆率や信頼性が向上された積層セラミックコンデンサなどの電子部品、その製造方法、その製造方法に用いられるペースト組成物を提供すること。 - 特許庁

Also, the garbage disposal method includes: a process of executing incineration of combustible garbage in the garbage incinerator; a magnetic sorting process of magnetically sorting the magnetic material from the incineration ash discharged from the garbage incinerator; and a process of executing the reduction metallization treatment of the magnetic material sorted by the magnetic sorting process in the reduction furnace.例文帳に追加

また、本発明に係るごみ処理方法は、ごみ焼却炉において可燃ごみを焼却処理する工程と、ごみ焼却炉から排出した焼却灰から磁性物を磁力選別する磁力選別工程と、磁力選別工程により選別された磁性物を還元炉において還元金属化処理する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In a SAW filter comprising a piezoelectric substrate and at least two IDTs formed in the direction along which a SAW propagates on the piezoelectric substrate, at least one of the IDTs has electrode fingers wherein the metallization ratio of the electrode fingers is different from that of the electrode fingers of the other IDT.例文帳に追加

圧電基板と、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って並べて形成された少なくとも２つのＩＤＴとを有する弾性表面波フィルタにおいて、これらのＩＤＴのうち少なくとも１つのＩＤＴにおいて、メタライゼーションレシオが、そのＩＤＴの他の電極指のメタライゼーションレシオと異なる電極指を設ける。 - 特許庁

The ceramics wiring board provides such wiring layers laminated in sequence on its top surface as a groundwork metallization layer, a primary diffusion preventive layer, a conductor layer, a secondary diffusion preventive layer, a layer mainly consisting of at least one kind of material among Ti, Ag, Cu, or Bi, Au or Au-Sn alloy layer, and a soldering layer comprising Sn or Sn alloy.例文帳に追加

セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 - 特許庁

In the rectangular package for a piezoelectric component, which has a seam ring for conductively fixing a piezoelectric element in the inside and sealing the element by seamless welding, round cross sections are formed on ridgelins of four corners of the package, and metallization connected to the metallized film formed on the top surface of the package is provided on the round cross sections.例文帳に追加

圧電素子を内部に導電固定し、シーム溶接により封止を行うためのシームリングを有する矩形状の圧電部品用パッケージにおいて、該圧電部品用パッケージの４隅の稜線部にＲ断面部を形成し、該Ｒ断面部に圧電部品用パッケージ上面に形成されたメタライズと接続するメタライズを施した圧電部品用パッケージとする。 - 特許庁

The resonance frequency of the surface acoustic wave resonator 1201 of the parallel arm is set lower than that of the surface acoustic wave resonator 1202 of the series arm, and the metallization ratio of the surface acoustic wave resonator of the parallel arm is made larger than that of the surface acoustic wave resonator of the series arm.例文帳に追加

並列腕の弾性表面波共振器１２０１の共振周波数は、直列腕の弾性表面波共振器１２０２の共振周波数より低く設定されており、並列腕の弾性表面波共振器のメタライゼーションレシオが直列腕の弾性表面波共振器のメタライゼーションレシオよりも大きい構成としたものである。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding material 1 of frequency selective transmission type is provided, at least on one side of a transparent base 2, with a metal mesh pattern 3 having a slit 5 for transmitting electromagnetic waves of a predetermined frequency, wherein a metallization layer of the metal mesh pattern 3 is composed by forming a developed silver layer on the transparent base 2 by a photography process.例文帳に追加

透明基材２の少なくとも一方の面に、所定周波数の電磁波が透過するためのスリット５を有する金属メッシュパターン３が配設された周波数選択透過型の電磁波シールド材１であって、透明基材２の上に写真製法により現像銀層を生成することにより前記金属メッシュパターン３の金属層を構成する。 - 特許庁

In a COF tape carrier being employed in a semiconductor device of COF structure, a dummy interconnect line 16 of metallization material is provided on the surface in a resist opening 4 for mounting a semiconductor element thus forming a structure of irregularities extending, respectively, in the directions oblique to the side of the resist opening 4.例文帳に追加

ＣＯＦ構造の半導体装置に用いられるＣＯＦテープキャリアにおいて、半導体素子搭載のためのレジスト開口部４内の表面に、金属配線材からなるダミー配線１６を設けることによって、レジスト開口部４の辺の方向に対してそれぞれ斜め方向に延びた凹部および凸部からなる凹凸構造を形成する。 - 特許庁

The metallization measuring instrument of the dust pellet consisting essentially of iron oxide and metallic iron with inevitable impurities, is provided with a cylinder for being filled with the dust pellet, a coil for excitation of the dust pellet at the outer periphery of the cylinder, an electric source for exciting the above coil and a measuring part of voltage and current in the excited coil.例文帳に追加

酸化鉄、金属鉄を主成分とし他不可避的不純物からなるダストペレットの金属化率測定装置において、上記ダストペレットを充填する円筒を備え、上記円筒の外周に上記ダストペレットの励磁可能なコイルを備え、上記コイルを励磁する電源を備え、励磁されたコイルの電圧と電流の測定部を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of nearly rectangular wiring board regions 2 which is cut by a split line 3 is arranged and formed on a mother board 1 made of dielectric in one piece vertically and horizontally, at the same time the through hole is formed on the split line 3, and the metallization conductor 5 containing 50-65 pts.wt. ceramic powder to metal powder is filled into the through hole.例文帳に追加

誘電体から成る母基板１に各々が分割線３で区切られた略長方形の複数の配線基板領域２が縦横に一体的に配列形成されているとともに、分割線３上に貫通孔が形成され、その貫通孔に金属粉末に対してセラミック粉末を５０〜６５重量部含むメタライズ導体５が充填されている。 - 特許庁

To provide a CAD system for electronic circuit board design which can accurately grasp or check the conductive situation of a wiring part such as connection of plating wiring and a side face metallization layer with simple processing and also has a function capable of smoothly and simply changing its set content in accordance with an inspection target and the difference of a substrate type, etc.例文帳に追加

メッキ線と側面メタライズ層との接合など、配線部の導通状況の把握あるいはチェックを簡単な処理により正確に行うことができ、しかも検査目的や基板品種の違い等に応じてその設定内容を柔軟かつ簡単に変更できる機能を有した電子回路基板設計用ＣＡＤシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an acrylic resin binder for sintering which is used for the metallization of metallic powder or the sintering forming of metal oxide powder and/or metallic non-oxide powder and has excellent dissipating nature at sintering, screen printing characteristics (blotting, plate missing, smoothness) or the like, various kinds of functional sintered compact obtained using the same and a method of manufacturing the sintered compact.例文帳に追加

金属粉体をメタライズ化に、又は金属酸化物粉体及び／又は金属非酸化物粉体の焼結成形に用いる焼結時の焼失性、スクリーン印刷特性（滲み、版ぬけ、平滑性）等に優れる焼結用アクリル系樹脂バインダー、それを用いてなる各種機能性焼結体及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The inductance comprises a spiral interrupted between two first points connected to two terminals via two metallizations running one above the other, one of the two deformable metallizations; a hollowing between the two metallizations; and a switching device capable of deforming the deformable metallization to separate or to put in contact said two metallizations.例文帳に追加

本発明によるインダクタンスは、２つの第１の点で中断されるスパイラルを有し、該２つの点は一方が他方の上にもうけられる２つのメタライゼーションを介して２つの端子に結合し、ひとつのメタライゼーションは変形可能であり、２つのメタライゼーションの間に空洞がもうけられ、変形可能なメタライゼーションを変形させて２つのメタライゼーションを分離又は接触させるスイッチ装置がもうけられる。 - 特許庁

The peripheral specialized regions, which are not connected to the remainder of the PLD and one or both of the PL regions and the conventional I/O regions (and may be made on separate dies from the remainder of the PLD mounted on a common substrate) have contacts for metallization traces (35) or other interconnections to connect the peripheral specialized regions to the remainder of the PLD.例文帳に追加

ＰＬＤ残部、および、ＰＬ領域と従来式入力／出力領域の一方または双方の領域に接続されていない（そして、共通基板に実装されたＰＬＤ残部とは別個のダイから製造され得る）周辺特殊領域は、該領域をＰＬＤの残部に接続するため、メタライゼーショントレース（３５）または他の相互接続用のコンタクトを有する。 - 特許庁

The semiconductor chip 101 has a structure equipped with multilevel metallization and a sealing ring 1 on a semiconductor substrate 5, and a semiconductor element 12, whose operable reliability is secured, as a chip internal circuit is disposed in not only an internal region 2 demarcated inwardly of the ring 1 but also a frame region 3 demarcated outwardly of the region 2.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体チップは、半導体基板５上に多層配線、及びシールリング１構造を備える半導体チップ１０１であって、シールリング１より内側に区画される内部領域２のみならず、内部領域２より外側に区画される額縁領域３に、チップ内部回路として動作可能な信頼性が確保された半導体素子１２が配設されている。 - 特許庁

The crack repairing method for metal parts 13 having cracks 15, whereby the crack is washed and oxide layer is removed, and a repairing alloy 17 is applied by at least either of the cathode arc evaporation process and low-pressure plasma metallization so as to cover the crack 15, and the work 13 is heated at a temperature and with pressure enough to block the crack 15.例文帳に追加

金属部品（１３）のクラック修繕方法であって、このクラック修繕方法は、クラック（１５）を有する金属部品（１３）を提供し、クラック（１５）を洗浄して酸化物層を除去し、カソードアーク蒸着および低圧プラズマ溶射の少なくとも一方によって修繕合金（１７）を施してクラック（１５）を覆い、クラック（１５）を塞ぐのに十分な温度および圧力で部品（１３）を加熱することを含む。 - 特許庁

The circuit wiring board is manufactured by forming a wiring by a direct metallization method and a plating method in a state where a polyimide precursor resin layer formed by applying a polyimide precursor resin solution and drying it is laminated on a metallic sheet-like support member; forming an insulating resin layer by executing heat treatment for the polyimide precursor resin layer to imidize it; and separating the sheet-like support member from the insulating resin layer.例文帳に追加

ポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥して形成されたポリイミド前駆体樹脂層を金属製のシート状支持部材に積層した状態で、ダイレクトメタラーゼーション法およびメッキ法により配線形成を行い、次に、ポリイミド前駆体樹脂層を熱処理によってイミド化して絶縁樹脂層を形成した後、シート状支持部材を絶縁樹脂層から分離し、回路配線基板を製造する。 - 特許庁

To obtain a catalyst which exhibits activity at least equal to that of a known catalyst in hydrogenation de-metallization and can give particularly high results in hydrogen treating as a catalyst for the hydrogen treatment of a hydrocarbon feedstock in a fixed bed reactor and to use the catalyst in the hydrogenation purification and hydrogenation conversion of the feedstock.例文帳に追加

固定床反応器内での炭化水素仕込原料の水素化処理触媒、該触媒の調製方法、並びに炭化水素仕込原料の水素化精製および水素化転換におけるその使用法にも関し、これらの反応において、今日当業者に公知の触媒の活性と少なくとも同等の水素化脱金属における活性を示し、かつこれらの反応により、先行技術の物質に比して水素化処理における特に高い成果を得ることが可能である触媒を提供する。 - 特許庁