「Metallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The ceramic circuit board comprises a plurality of metallization layers 2, formed on a ceramic substrate 1 wherein a metal circuit board 3 of copper is fixed to a part of the metallization layer 2 and the relation S≥6×10-5i2 is satisfied between the cross-sectional area S (mm2) of the metal circuit board 3 and a flowing current i (A).例文帳に追加

セラミック基板１に複数のメタライズ配線層２を形成して成るセラミック回路基板であって、前記メタライズ配線層２の一部に銅から成る金属回路板３が取着されており、かつ該金属回路板３の断面積をＳ（ｍｍ^2）、流れる電流をｉ（Ａ）とした時、Ｓ≧６×１０^-5ｉ^2を満足する。 - 特許庁

On the surface of an organic insulation film 2 formed on a substrate 1, a surface reforming layer having a surface reforming coefficient of 0.1-0.5 is provided and a metallization 5 (4) is applied to the surface of the organic insulation film 2 provided with the surface reforming layer in order to enhance adhesion strength of the metallization 5 (4).例文帳に追加

基板１上に形成された有機絶縁膜２の表面に、表面改質係数が０．１〜０．５の表面改質層を設け、この表面改質層を備えた有機絶縁膜２の表面に金属配線５（４）を施すことにより、金属配線５（４）の密着強度を向上させる。 - 特許庁

To provide a photoelectric element by a thin film technique and/or a flip-chip technology, having high reliability, and improved in the metallization of a support body, in particular.例文帳に追加

高い信頼性を特徴とし、殊に支持体の金属化が改善されている、薄膜技術および／またはフリップチップ技術による光電素子を提供すること。 - 特許庁

Thus, the conductive situation of a wiring part such as the connection of plating wiring and a side face metallization layer can accurately be grasped or checked with simple processing.例文帳に追加

これにより、メッキ線と側面メタライズ層との接合など、配線部の導通状況の把握あるいはチェックを簡単な処理により正確に行うことができる。 - 特許庁

Each source finger includes a heavily-doped region of the first conductivity-type, in contact with the epitaxial layer and with the corresponding source finger, and the rear surface of the substrate is coated with a source metallization.例文帳に追加

各ソース指は、エピタキシャル層と対応するソース指に接触する、第１導電型の重くドープされた領域をふくみ、基板の裏面はソースメタライゼーションで被覆される。 - 特許庁

Except for the back-etch and the gas-sensitive layer formation, all other layers including the tungsten resistive heater 6, are made using a CMOS process employing tungsten metallization.例文帳に追加

当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター６を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたＣＭＯＳプロセスが利用される。 - 特許庁

The internal anchor tab is exposed so as to be related with other conductor units as previously designed, and the nucleus forming of a metallization solder plating material in the side of the device can be assisted.例文帳に追加

内部アンカータブは、他の導電部と予め設計した関係になるように露出させ、デバイスの側部に、メタライゼーションめっき材料の核形成を助けることができる。 - 特許庁

A metallization region 23 is formed integrally in at least a part of the surface of the semiconductor layer and at least a part of the surface of the contact plug and they are connected.例文帳に追加

ここで、半導体層の表面の少なくとも一部とコンタクトプラグの表面の少なくとも一部に金属化領域２３が一体に形成され、これらが接続されている。 - 特許庁

The cleaning liquid of a semiconductor element or a display element subjected to metallization is an aqueous solution produced by mixing an oxidizing agent, an inorganic acid, a fluorine compound and a basic compound and conditioning pH to 1-10 where the concentration of water is 80 wt% or above.例文帳に追加

酸化剤、無機酸、フッ素化合物および塩基性化合物を混合し、水の濃度が80重量%以上であるpH1〜１０に調整した水溶液。 - 特許庁

The double-sided metallization film is composed by a polypropylene film where the surface roughness of at least one surface is 1.0-2.0 μm in Rmax, and 0.1 μm or larger in Ra.例文帳に追加

少なくとも片側の面の表面の粗さが、Ｒｍａｘが１．０〜２．０μｍであり、かつＲａが０．１μｍ以上のポリプロピレンフィルムで両面金属化フィルムを構成する。 - 特許庁

The cleaning liquid of a semiconductor element or a display element subjected to metallization is an aqueous solution produced by mixing a nitric acid, a sulfuric acid, a fluorine compound and a basic compound and conditioning pH to 7-10 where the concentration of water is 80 wt% or above.例文帳に追加

硝酸、硫酸、フッ素化合物および塩基性化合物を混合し、水の濃度が80重量%以上であるpH７〜１０に調整した水溶液。 - 特許庁

To eliminate spurious radiation in a traversal mode within a prescribed frequency range without being subjected to restrictions of a metallization ratio and a standardized film thickness of an IDT (Interdigital Transducer).例文帳に追加

ＩＤＴのメタライゼーションレシオや規格化膜厚の制約を受けることなく、所定の周波数範囲内における横モードによるスプリアスを除去できるようにする。 - 特許庁

To provide porcelain calcined at a low temperature which is dense, has low dielectric constant and high deflective strength and is excellent in sinterability simultaneous with metallization and to provide its manufacturing method and a wiring board.例文帳に追加

緻密で、低誘電率、高い抗折強度を有し、メタライズとの同時焼結性に優れる低温焼成磁器及びその製造方法並びに配線基板を提供する。 - 特許庁

In order to enhance the antenna characteristics, a coating layer is formed on the outer surface of the coiled carbon fibers by metallization, metal deposition, or the like.例文帳に追加

また、アンテナ素子１１のアンテナ特性を向上させるために、メタライズ処理、金属蒸着等を施してコイル状炭素繊維の外周面に被覆層が形成される。 - 特許庁

The temporarily inertized highly reactive metals according to the present invention can safely be stored and applied as a metallization agent and as a reducing agent.例文帳に追加

本発明による一時的に不活性化された高反応性の金属は、安全に保存し、そして金属化剤として及び還元剤として適用することができる。 - 特許庁

In a second embodiment, linear photodiode array is formed on the substrate, the diffraction grating of variable space is formed in a metallization layer, and a series collar sensor is provided.例文帳に追加

第２の実施態様において、線形フォトダイオードアレイが基板上に形成され、間隔が変化する回折格子が金属層に形成されて、連続カラーセンサを提供する。 - 特許庁

In the rotary hearth type reducing furnace, a powdery-molded product containing iron oxide and carbon, is heat-treated to produce the reduced iron pellet having 50-85% metallization percentage of iron.例文帳に追加

回転炉床式還元炉にて、酸化鉄と炭素を含む粉体の成形体を加熱処理して、鉄の金属化率５０〜８５％の還元鉄ペレットを製造する。 - 特許庁

The outer peripheral surface of this lens 11 is subjected to a metallization treatment and is joined by brazing to the lens frame 14 to prevent the infiltration of gas via the joint surfaces.例文帳に追加

このレンズ１１の外周面にメタライズ処理を施し、ろう接によってレンズ枠１４に接合し、接合面を介して気体が侵入することを防止している。 - 特許庁

The method for depositing germanium silicide includes the step of offering a substrate at least a partial region of which consists of silicon germanium, the step of depositing a metallization layer on the silicon germanium, and the step of heat-treating a substrate having a metallization layer under a high pressure to deposit germanium silicide, in addition the semiconductor device having the germanium silicide is provided.例文帳に追加

少なくとも一部領域がシリコンゲルマニウムからなる基板を提供するステップと、前記シリコンゲルマニウム上に金属層を形成するステップと、金属層が形成された基板を高圧で熱処理してゲルマニウムシリサイドを形成するステップと、を含むことを特徴とするゲルマニウムシリサイドの形成方法及びゲルマニウムシリサイドを形成した半導体デバイスである。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を備える半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線上に上記銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成し、さらに当該キャップ膜の表面をシリサイド化することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method and structure of a semiconductor chip comprises a plurality of interconnecting metallization layers, at least one deformable dielectric material layer covering the interconnecting metallization layers, at least one I/O bonding pad, and a support structure including a fairly rigid dielectric in supporting relation with the pads and avoiding crushing of the deformable dielectric material layer.例文帳に追加

半導体チップの製造方法および構造は、複数の相互接続メタラジ層と、相互接続メタラジ層をおおう変形可能な少なくとも１層の誘電材料層と、少なくとも１つの入出力ボンディング・パッドと、パッドと支持関係にあって、変形可能誘電材料層の圧壊を回避する相当に剛性な誘電体を含む支持構造とを含む。 - 特許庁

In a reducing atmosphere zone of a reducing furnace 19 in a device for producing reduced iron, a metallization measuring apparatus 39 selectively takes out a green ball GB in the process of reduction, sets the ball to the central part of a coil 41, detects the impedance, calculates the metallization, feeds back the obtained value to a controller 48 and executes temperature control.例文帳に追加

還元鉄の製造装置における還元炉１９の還元雰囲気ゾーンでは、金属化率測定装置３９が還元炉１９の還元雰囲気ゾーンにて還元途中のグリーンボールGBを選択的に取り出し、コイル４１の中心部にセットしてそのインピーダンスを検出して金属化率を算出し、制御装置４８にフィードバックして温度制御を行う。 - 特許庁

To improve yield of a product and ratio of metallization and to reduce consumption unit of fuel and the used amount of carbonaceous material in production of a reduced iron by using a rotary hearth furnace.例文帳に追加

回転床炉を用いた還元鉄の製造において、成品歩留まり、金属化率を向上させること、さらには、燃料原単位、炭材使用量などを低減させることを課題とする。 - 特許庁

To increase the efficiency of reducing treatment and to improve the quality of the product by measuring metallization on-line while reducing treatment for a pellet is executed in a device for producing reduced iron.例文帳に追加

還元鉄の製造装置において、ペレットの還元処理を実施しながらオンラインで金属化率を測定することで還元処理の効率化及び製品品質の向上を図る。 - 特許庁

An electrically insulating layer (51) is arranged in the edge region of the insulating element (2), the edge region of this insulating element (2) forming a common planar surface with the surface of the second metallization.例文帳に追加

電気的な絶縁層（５１）は絶縁エレメント（２）の縁領域に配置され、この絶縁エレメント（２）の縁領域は第２金属被覆の表面により共通平面を形成している。 - 特許庁

To provide an undercoat layer for the metallization treatment excellent in surface smoothness, thermal resistance and adhesiveness for the sake of manufacturing a metallized resin molding having a complicated shape.例文帳に追加

複雑な形状を有する金属化処理を施した樹脂成型品を製造するための、表面平滑性、耐熱性、および付着性に優れた金属化処理用アンダーコート層を提供する。 - 特許庁

To provide a metal structure capable of electrically wire/ribbon connecting to a mutually connecting copper metallization of an integrated circuit and having rigidity, reliability at a low cost and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

集積回路の相互接続用銅メタライゼーションに対する電気的ワイヤ／リボン接続を可能にする、強固で、信頼性があり、また、低コストである、金属構造および製造方法。 - 特許庁

To provide a method for removing metal cores that are not desired and deposited before metallization from a substrate surface without eternally damaging a conductive path pattern-formed by design.例文帳に追加

計画的にパターン形成された導電路を永久的に損傷することなく、所望されずに沈殿した金属核を金属化の前に基体表面から取り除く方法を提供する。 - 特許庁

The barrier layer for the semiconductor device metallization component provides a silicon nitride film formed in a component recess and a refractory metal film formed over the silicon nitride film.例文帳に追加

半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。 - 特許庁

In this image display surface plate 101, a plurality of recessed parts (depressions) 102 for receiving dispersed phosphor liquid droplets are formed, and a conformal metallization layer 107 is overlaid on it.例文帳に追加

画像表示面板（１０１）には、離散した蛍光体液体粒子（droplets）を受けるための複数の凹部（窪み）（１０２）が形成され、その上に共形メタライゼーション層（１０７）が被覆される。 - 特許庁

The outermost metallization layer comprises at least one bonding pad which contains aluminum and is electrically connected to the interconnect layer, and at least one interconnection runner.例文帳に追加

最外側メタライゼーション層は、アルミニウムを含み、それぞれが相互接続層に電気的に接続されている少なくとも１つのボンディング・パッドと、少なくとも１つの相互接続ランナを含む。 - 特許庁

To provide a hollow carbon microcoil of which the pitch of coil is substantially zero, and a hollow ceramic microcoil or a hollow ceramic microfiber formed by metallization-treating them or the like.例文帳に追加

コイルのピッチが実質的に０である中空状カーボンマイクロコイル、及び、これらを金属化処理等をしてなる中空状セラミックマイクロコイル又は中空状セラミックマイクロファイバーを提供する。 - 特許庁

The barrier layer for a semiconductor metallization element provides a silicon nitride thin film, formed in a recess of the element, and a heat resistant metal thin film, formed on the silicon nitride thin film.例文帳に追加

半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。 - 特許庁

To provide a scratch resistant resin panel excellent in metallization properties having a cured coating with high scratch resistance formed thereon; and a protective panel for a portable information terminal display window using the same.例文帳に追加

金属蒸着性に優れ、かつ耐擦傷性の高い硬化被膜が形成された耐擦傷性樹脂板、およびそれを用いた携帯型情報端末の表示窓保護板を提供する。 - 特許庁

The solution restrains residual contaminants or particles from adhering, and reduces or eliminates the corrosion of the exposed metallization areas, during the process of dicing a wafer by sawing.例文帳に追加

この溶液は、汚染残留物又は粒子の付着を抑制し、そしてソーイングによるウエハーのダイシング処理の際、露出したメタライゼーション領域の腐食を低減又は排除する。 - 特許庁

It is then developed to form a negative resist pattern which is used as a mask for etching a first conductive layer thus forming a first metallization layer 11a.例文帳に追加

その後、現像処理を施すことによりネガレジストパターンを形成し、これをマスクとして第１導電層にエッチングを施すことにより第１金属配線層１１ａを形成する。 - 特許庁

In order to reduce damage on the metallization, concentration of palladium in a palladium immersion plating liquid being used in immersion plating for forming the catalytic metal layer and the etching amount of metal are optimized.例文帳に追加

また、金属配線のダメージを低減するために、触媒金属層を形成する置換めっきに用いるパラジウム置換めっき液のパラジウム濃度および金属のエッチング量を最適化する。 - 特許庁

An insulation film 8 of an insulation material containing no oxygen is formed selectively on a metallization 2 containing Cu buried in a trench 4 of an interlayer insulation film 3.例文帳に追加

層間絶縁膜３の溝部４に埋め込まれたＣｕを含む金属配線２上に、酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜８が選択的に形成されている。 - 特許庁

Since potential variations in the frame-like metallization layer 23 located above the signal conductor 22 can be suppressed, isolation characteristics can be improved between the two signal conductors 22.例文帳に追加

信号用導体22ａの上部に位置する枠状のメタライズ層23に生じる電位変動を抑えることができ、信号用導体22ａ・22ａ間のアイソレーション特性を改善することができる。 - 特許庁

To provide methods for repairing seed layers having oxidation and discontinuities, prior to metallization in a process for manufacturing electronic devices having small geometries, such as 0.5 micron and below.例文帳に追加

０．５ミクロン以下のような小さなジオメトリーを有する電子デバイスの製造過程においてメタライゼーションの前に酸化および不連続を有するシード層を修復する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a sintered ore of high reducibility and metallization at low carbon consumption unit and the productivity is high, and to provide the sintered ore.例文帳に追加

低い炭材原単位で高い還元率および金属化率の焼結鉱を得ることができ、しかも生産性が高い焼結鉱の製造方法および焼結鉱を提供すること。 - 特許庁

In a photoelectric element, having a semiconductor base material including a substrate and a layer system deposited on the substrate, the semiconductor base material, is fixed on the support body by a soldered connection part, with a main surface opposed to the substrate, and in a form of a support body having a metallization part on a surface facing toward the semiconductor base material, a metallization part does not contain silver.例文帳に追加

基板と、基板上にデポジットされた層システムを含む半導体基体を有する光電素子であって、半導体基体は、基板に対向する主面を以て、はんだ接続部によって支持体上に固定されており、支持体は、半導体基体の方を向いている面に金属化部を有している形式のものにおいて、金属化部は銀を有していないことを特徴とする光電素子。 - 特許庁

The electronic circuit device including a plurality of capacitive elements being formed by a multilevel metallization in an integrated circuit has a pair of interdigital electrodes 101 and 102 combining the capacitive elements in the in-plane direction and the vertical direction of the multilevel metallization, and an electrode 104 for interrupting capacitive coupling of the interdigital electrodes 101 and 102 and the outer part of the capacitive element.例文帳に追加

集積回路内の多層配線により形成される複数の容量素子を含む電子回路装置において、容量素子を多層配線の面内方向及び垂直方向に組み合わせられた一対の櫛型電極１０１，１０２と、櫛型電極１０１，１０２と容量素子の外部との容量結合を遮断する遮断電極１０４とにより実現する。 - 特許庁

The method for manufacturing an electroceramic component (1), for example a varistor (1), includes a process of having surface regions (5, 6) of an electroceramic body (2) irradiated with laser, before application of metallization sections (3, 4) onto the surface regions (5, 6).例文帳に追加

電気セラミック部品（１）、例えばバリスタ（１）のための製造方法が、表面部分（５；６）にメタライズ部（３；４）を塗布する前の電気セラミック体（２）の表面部分（５；６）のレーザ照射を有することによる。 - 特許庁

This DUT contactor 102 integrated with a DUT or a probe board 104 has a protruded metallization contact layer 406 on one side face of an layered printed circuit board 400.例文帳に追加

ＤＵＴ又はプローブボード１０４に一体化したＤＵＴコンタクタ１０２であって、このＤＵＴコンタクタ１０２は、積層プリント基板４００の片面上に、隆起したメタライゼーション接触層４０６を有する。 - 特許庁