「Metallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin film circuit board exhibiting excellent adhesion between an organic insulation film provided on the surface of a substrate and a metallization (electrode material) arranged thereon, its producing method and a high performance high frequency module employing the thin film circuit board.例文帳に追加

基板表面に設けられた有機絶縁膜と、その上に配設される金属配線（電極材料）との密着性に優れた薄膜回路基板、その製造方法、及び薄膜回路基板を用いた高性能の高周波用モジュールを提供する - 特許庁

The connector includes a first compensation structure provided on an internal metallization layer in a first-stage region of a PCB, and a second compensation structure that is provided on a second stage of the PCB and increases compensation capacitance with increase in frequency.例文帳に追加

このコネクタは、ＰＣＢの第１段領域のＰＣＢの内部メタライズ層上に設けられた第１の補償構造と、ＰＣＢの第２段に設けられ、周波数が増大するにつれて補償キャパシタンスを増大させる第２の補償構造とを含む。 - 特許庁

To provide a production method of a ceramic member for joining in a simplified production process by which sufficient joining strength for metallization can be obtained even by low temperature firing, to provide a ceramic member for joining, to provide a joined body, to provide a vacuum switch, and to provide a vacuum vessel.例文帳に追加

低温での焼成でも十分なメタライズの接合強度が得られ、しかもその製造工程を簡易化できる接合用セラミック部材の製造方法、接合用セラミック部材、接合体、真空スイッチ、及び真空容器を提供すること。 - 特許庁

Slurry precursor composite which is used for chemical mechanical polishing of a metallization layer on a semiconductor substrate contains an aqueous mixture; and the aqueous mixture contains pH modifier, wear agent, metal-propylenediaminetetraacetate (M-PDTA) complex, wetting agent and water.例文帳に追加

ｐＨ調節剤、磨耗剤、金属−プロピレンジアミンテトラアセテート（Ｍ−ＰＤＴＡ）錯体、湿潤剤および水を含有する水性混合物を含む、半導体基板上の金属層の化学的機械的研磨用スラリー前駆体組成物を提供する。 - 特許庁

The difference between growth temperature of a GaInNAs layer and maximum temperature of a thermal hysteresis (processing temperature of an epitaxial growth step and a metallization step) after the GaInNAs layer is grown is closely related to the life of a laser diode.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ層の成長温度と、このＧａＩｎＮＡｓ層を成長した後の熱履歴（エピタキシャル成長工程およびメタライズ工程における処理温度）における最大温度との差が、レーザダイオードの寿命と密接に関連している。 - 特許庁

To provide a highly reliable flash memory and a fabricating method thereof by substantially eliminating the level difference of the upper end face between circuit elements, without lowering the reliability of a gate insulation film and forming a metallization readily and surely.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の信頼性を低下させることなく、回路素子の上端面間の高低差を実質的に無くし、金属配線を容易かつ確実に形成することにより、高い信頼性を有するフラッシュメモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A metallization layer 16 adhering to a TaN layer 15 functioning as a barrier metal thereof is partially removed to obtain a single TaN layer which is utilized as a trimming resistor R10 functioning as a fuse.例文帳に追加

金属配線層１６のバリアメタルとして機能するＴａＮ膜層１５を、密着した金属配線層１６の一部を除去してＴａＮ膜単層とし、そのＴａＮ膜単層部分をヒューズとして機能するトリミング用抵抗体Ｒ１０として利用する。 - 特許庁

To realize a production method of electronic part in which contact bumps of geometric shape can be formed, decomposition of H2O2 can be reduced, temperature of etchant mixture liquid can be controlled and redeposition of Pb and undercut of entire metallization stack can be suppressed.例文帳に追加

幾何学的形状のコンタクト・バンプの形成、Ｈ_2Ｏ_2の分解低減、エッチャント混合液の温度制御、ならびにＰｂの再堆積およびメタライゼーション・スタック全体のアンダーカットの抑制を可能にする電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metallization structure (100) has an ion conductor (110) such as a chalcogenide-glass which includes metal ions, and at least two electrodes (120, 130) disposed at opposing surfaces of the ion conductor, and one is preferably configured as a cathode and the other as an anode.例文帳に追加

メタライゼーション構造(100)は、金属イオンを含むカルコゲナイドガラスなどのイオン導電体(110)と、イオン導電体の対向する表面に配置される少なくとも２つの電極(120,130)とを備え、好適には一方はカソード、もう一方はアノードとして構成される。 - 特許庁

To provide a piezoelectric oscillator in which a conductive wiring pattern of an external wiring base, an external connecting electrode terminal of the piezoelectric oscillator and a metallization part are not short-circuited even if the piezoelectric oscillator is made compact and which can correspond to miniaturization.例文帳に追加

本発明の目的は圧電発振器が小型化されても、外部配線基盤の導配線パターンや圧電発振器の外部接続用電極端子と、メタライズ部が短絡することがなく小型化対応可能な圧電発振器を提供することにある。 - 特許庁

The tungsten-coated copper composite powder may be pressed and sintered into W-Cu pseudoalloy articles having a homogeneous distribution of W and Cu phases without experiencing copper bleedout or it may be used in ceramic metallization for the electronics industry.例文帳に追加

タングステン被覆銅複合粉末をプレスしかつ焼結して銅ブリードアウトを経験しないでＷ相及びＣｕ相の均一な分布を有するＷ−Ｃｕプソイドアロイ品にしても或はエレクトロニクス産業用セラミック金属被覆において使用してもよい。 - 特許庁

To provide a producing method and a producing apparatus of reduced iron briquette, with which the reduction furnace can continuously be operated for long time and the reduced iron briquette having high metallization and good quality can be obtd. in high productivity.例文帳に追加

還元炉を長時間にわたって連続的に操業でき、かつ金属化率が高い良好な品質の還元鉄塊成物を高い生産性で得ることができる還元鉄塊成物の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

Metal bit lines 123A, 123B are specified to cross a word line 119 on the bit line diffused part 115 so as to bring into contact with the position corresponding to the specified region by a normal contact forming technique and a metallization technique.例文帳に追加

通常のコンタクト形成技術及びメタライゼーション技術によって、金属ビットライン１２３Ａ，１２３Ｂは、そのように規定された領域に対応する箇所に接触するようにビットライン拡散部１１５上のワードライン１１９を横切るように規定される。 - 特許庁

The dielectric resonator 32a, 32b is provided with a frequency regulation hole 42 in the center on the upper surface of a dielectric resonance element 41, provided with coupling holes 43 of a specified length on the opposite sides thereof, and subjected to metallization on the surface other than the upper surface.例文帳に追加

誘電体共振器３２ａ、３２ｂは、誘電体共振素子４１の上面中央に周波数調整用の空孔４２を設けると共に、その左右両側に所定長さの結合用空孔４３を設け、上面以外の表面にメタライズを施す。 - 特許庁

To fabricate a semiconductor device having a high performance multilevel metallization structure with high yield by forming an insulation film for forming an interconnect line in a plurality of layers, and imparting each insulation film with such functions as low dielectric constant, polish stopper, etching stopper, or the like.例文帳に追加

配線を形成する絶縁膜を複数層に形成し、それぞれの絶縁膜に低誘電率、研磨ストッパー、エッチングストッパ等の機能を持たせることで、高性能な多層配線構造を有する半導体装置を高い歩留まりで製造することを可能とする。 - 特許庁

This piezoelectric part forms metallization layers 4 for an electrode on the upper surface of a ceramic substrate 1, forms metallic wax material 10 on the layers 4 by heaping it up about 50 to 100 μm and holds a piezoelectric element 2 on the material 10 with conductive adhesive 14.例文帳に追加

セラミック基体１の上面に電極用メタライズ層４を形成し、電極用メタライズ層４上に５０〜１００μｍ程度に盛り上げて金属ろう材１０を形成し、この金属ろう材１０上に導電性接着剤１４により圧電素子２を保持する。 - 特許庁

Since an electric potential of the metallization region inside the accelerating tube is kept constant, even if a resistance in a particular part of the accelerating tube surface is different from that of the surroundings, the electric potential distribution in a vertical direction inside the accelerating tube can be kept at substantially the same level regardless of the circumferential direction.例文帳に追加

加速管表面の特定の部分の抵抗が周囲と違う場合でも、加速管内面のメタライズ領域の電位は一定になるので、加速管内面の垂直方向電位分布を、円周方向によらずほぼ同一に保つことができる。 - 特許庁

This method for metallizing an article having at least ≥1 openings consists in spraying at least one metallization solution at an angle smaller than 90° to the surface of the article, thereby delivering the solution to the surface of the article.例文帳に追加

１以上の開口を有する物品をメタライズする方法であって、少なくとも１つのメタライゼーション溶液を、物品の表面に対して９０°より小さい角度で前記溶液をスプレーすることにより物品の表面にデリバリーすることを含む前記方法が開示される。 - 特許庁

In the capacitor module, an internal module 2 wherein a capacitor element constituted by winding a metallization film and a mold material 22 filled around the capacitor element are disposed in an inner case 23 and an outer case 3 wherein the internal module 2 is stored are fixed to each other.例文帳に追加

金属化フィルムを巻回して構成されたコンデンサ素子とその周囲に充填されたモールド材とを内側ケース２３の内部に配置してなる内部モジュール２と、内部モジュール２を内側に収納する外側ケース３とを互いに固定してなるコンデンサモジュール。 - 特許庁

Pairs of P-type elements 22 and N-type elements 24 are connected in series via a copper pattern 28 formed on a ceramic substrate 30 through metallization, an outer circuit 34 is formed along an outer edge of the substrate 30, and an inner circuit 36 is formed inside the outer circuit 34.例文帳に追加

セラミック基板（３０）上にメタライジングによって形成した銅パターン（２８）を介して、Ｐ型素子（２２）とＮ型素子（２４）からなる素子対を直列接続し、セラミック基板（３０）の外縁に沿って外側回路（３４）を形成し、該外側回路（３４）の内側に内側回路（３６）を形成する。 - 特許庁

On one main surface of the ceramic substrate 1, a plurality of electrodes 2 are formed independently of each other, by laminating copper layers 2b on metallization layers 2a of 5 to 40 μm in thickness, in a skirt shape which is formed of a curved surface having its outer peripheral end made hollow over the entire circumference.例文帳に追加

セラミック基板１の一方の主面に、外周端が全周にわたってくぼんだ曲面から成る裾野状とされた厚さ５〜４０μｍのメタライズ層２ａ上に銅層２ｂが積層されて成る複数の電極２がそれぞれ独立して形成されている。 - 特許庁

To provide a method for improving a strength of agglomerated raw material for a blast furnace by which the agglomerated raw material for the blast furnace produced by cold molding of powdery reduced iron having low metallization ratio using a little additional quantity of binder, obtains strength enabling the agglomerated raw material to be used in the blast furnace.例文帳に追加

少ないバインダーの添加量で、金属化率の低い粉粒状還元鉄から冷間成型によって製造される塊成化状高炉用原料を、高炉で利用可能な強度とする、塊成化状高炉用原料の強度改善方法を提供する。 - 特許庁

The garbage disposal facility includes: a garbage incinerator 2: a magnetic sorter 4 for magnetically sorting the magnetic material from the incineration ash discharged from the garbage incinerator 2; and a reduction furnace 15 for executing reduction metallization treatment of the magnetic material sorted by the magnetic sorter 4.例文帳に追加

本発明に係るごみ処理施設は、ごみ焼却炉２と、ごみ焼却炉２から排出した焼却灰から磁性物を磁力選別する磁力選別機４と、磁力選別機４により選別された磁性物を還元金属化処理する還元炉１５と、を備えている。 - 特許庁

The semiconductor chip assembly has an integrated circuit (IC) including at least one contact pad (320) on a surface (301a) of a semiconductor chip (301), wherein the contact pad has metallization suitable for wire bonding and an interconnection bonded to the contact pad.例文帳に追加

（５）半導体チップ（３０１）の表面（３０１ａ）上に少なくとも一つのコンタクトパッド（３２０）を含む集積回路（ＩＣ）を有する半導体チップのアッセンブリであって、前記コンタクトパッドは、ワイヤボンディングに適したメタライゼーション及び前記コンタクトパッドにボンディングされた相互接続を有する。 - 特許庁

If the substrate pattern-formed by laser is treated with a mixture of a wetting agent and a substance that promotes cleaning before metallization, the metal cores deposited against the desire can be removed sufficiently and the conductive path pattern-formed by design is not eternally damaged.例文帳に追加

金属化の前に湿潤剤と洗浄を助長する物質との混合物で、レーザでパターン形成された基体を処理すると、所望されずに沈殿した金属核を十分取り除くことができ、計画的にパターン形成された導電路を永久的に損傷することはない。 - 特許庁

To provide a method for producing a prereduced agglomerate, which can improve the metallization ratio of a prereduced material, and can remarkably reduce a coke ratio when the obtained prereduced agglomerate is used as a blast furnace raw material by stably and efficiently producing a reduction gas.例文帳に追加

還元ガスを安定的かつ効率的に製造することにより、予備還元物の金属化率を向上でき、得られる予備還元塊成化物を高炉原料として用いた際にコークス比を大幅に低減できる予備還元塊成化物の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a laminate for a packaging material having goood barrier properties imparting a metallic high grade feeling to the appearance of a package having a metallized film, which uses a plastic having heat resistance at the time of metallization and excellent in the bonding properties with the other member of the laminate as a raw material, and having good barrier properties.例文帳に追加

金属蒸着時に耐熱性を有し、積層体の他の部材との接合性に優れるプラスチックを原料とした金属蒸着フィルムを一部材とする包装物の外観に金属調の高級感を与え、バリア性が良好な包装材料用積層体を提供する。 - 特許庁

In the surface acoustic wave device, an interdigital transducer (IDT) 3 is formed on a crystal substrate 2, a ZnO film 6 of c-axis orientation is formed on the crystal substrate 2 so as to cover the IDT 3, and a metallization ratio of the IDT 3 is within the range of 0.25 to 0.45.例文帳に追加

水晶基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３を覆うように水晶基板２上にｃ軸配向のＺｎＯ膜６が形成されており、ＩＤＴ電極３のメタライゼーション比が０．２５〜０．４５の範囲にある、弾性表面波装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing high-density reduced iron by which bulk reduced iron can be uniformly cooled without necessitating a large-scale briquetting machine, the objective degree of metallization as a whole product can be maintained, and strength reduction can be suppressed and to provide a device therefor.例文帳に追加

大掛かりなブリケットマシン設備を必要とせずに塊状還元鉄を均一に冷却することができ、製品全体としての目的金属化率を維持することができるとともに、強度低下を抑制することができる高密度還元鉄の製造方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide polishing equipment and a polishing method in which variation in chemical reaction rate due to temperature rise on the surface of a metal film through metal based exothermic reaction is suppressed on a polishing surface when planarization polishing of wafer surface having a metallization film is performed by CMP.例文帳に追加

金属配線膜を有するウェーハ表面のＣＭＰ法による平坦化研磨を行うにあたり、メタル系の発熱反応で金属膜表面の温度が上昇し、加工面の化学的反応速度にばらつきが生じることを抑制した研磨装置、及び研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The metallization film capacitor is formed by a pair of metal sprayed electrodes 7a and 7b being arranged opposingly, and by laminating a deposition metal 2 connected to one electrode 7a and a deposition metal 2 connected to the other electrode 7b in multiple via a dielectric film 1.例文帳に追加

相対向して配置される一対のメタリコン電極７ａ、７ｂを備え、一方の電極７ａに接続される蒸着金属２と、他方の電極７ｂに接続される蒸着金属２とを、誘電体フィルム１を介して複数積層することによって金属化フィルムコンデンサを形成する。 - 特許庁

A cylinder type capacitor can thereby be manufactured in the cell region without generating any level difference between the cell region and the peripheral circuit, and an IMD being formed for the subsequent metallization process can be planarized easily as compared with prior art or the planarization process itself can be eliminated.例文帳に追加

これにより、セル領域と周辺回路間の段差を生ぜずにセル領域にシリンダ型キャパシタを製造でき、後続の金属配線工程のために形成するＩＭＤを従来の技術に比べて易しく平坦化できるか、または平坦化工程自体を省略できる。 - 特許庁

In this ceramic wiring board, a projection section 5 projecting inside a cutout section 2 is provided at the position between middle and end sections at the lower-surface side of a side edge along the side surface of the ceramic substrate 1 of the metallization terminal electrode 4 formed in the cutout section 2 provided at the side of the ceramic substrate 1.例文帳に追加

セラミック基板１の側面に設けた切り欠き部２内に形成したメタライズ端子電極４のセラミック基板１の側面に沿った側縁の下面側の端から途中までに、切り欠き部２の内側に突出する突出部５を設けたセラミック配線基板である。 - 特許庁

In a method for treating a plastic substrate pattern-formed on a surface by laser in order to form a core pattern suitable for later metallization, after pattern formation by laser, a substrate is made to come into contact with a process liquid suitable for removing undesired deposition that has occurred during the period of pattern formation.例文帳に追加

後続の金属化に適した核パターンを形成するためにレーザで表面にパターン形成されたプラスチック基体を処理する方法において、レーザによるパターン形成後、パターン形成中に発生した所望されない沈殿物を除去するのに適したプロセス溶液に基体を接触させる。 - 特許庁

The capacitor module 1 is contigured by including: an internal module 2 where a capacitor element 21 constituted by winding a metallization film and a mold material 22 filling its periphery are arranged in an inner case 23; and an outer case 3 for containing the internal module 2 while the internal module 2 and the outer case 3 are secured with each other.例文帳に追加

金属化フィルムを巻回して構成されたコンデンサ素子２１とその周囲に充填されたモールド材２２とを内側ケース２３の内部に配置してなる内部モジュール２と、内部モジュール２を内側に収納する外側ケース３とを互いに固定してなるコンデンサモジュール１。 - 特許庁

When metallization of the ceramics is carried out, a work W with which a ceramics 21 and a metallic foil 22 are held in a housing body 20 made from a heat insulating material is arranged on a placing part 15 of a work, and then the work W is irradiated with a millimetric-wave from a millimetric-wave irradiating part 13 in a closed vessel 11 in an inert atmosphere.例文帳に追加

セラミックスをメタライズする場合、ワークの載置部１５上に、断熱材製の収容体２０内にセラミックス２１及び金属箔２２が収容されたワークＷを配置し、密閉容器１１内を不活性雰囲気にした状態でミリ波照射部１３からミリ波が照射される。 - 特許庁

Since the upper part of a planarization layer 14 is flush with the upper part of a fourth metallization 12 serving as bonding pads, a photoetching step for removing materials on bonding pads is not required and thereby fabrication yield is prevented from lowering due to dissolution, deformation or stripping of microlenses.例文帳に追加

平坦化層１４の上部と、ボンディングパッド部となる第４金属配線１２の上部が同一の高さにあるため、写真食刻法を用いてボンディングパッド上の材料を取り除く工程を必要としないため、マイクロレンズの溶解、変形、剥がれ、による歩留まりの低下を抑制することができる。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises: a semiconductor chip 11 in which a semiconductor element is formed; a heat sink member 24 for discharging heat generated from the semiconductor chip 11 to a heat exchanging medium; and metallization 23 interposed between the heat sink member 24 and the semiconductor chip 11.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体素子が形成された半導体チップ１１と、半導体チップ１１で発生した熱を熱交換媒体に放出するためのヒートシンク部材２４と、ヒートシンク部材２４と半導体チップ１１との間に介在する金属配線２３とを備えている。 - 特許庁

To reliably connect electronic components to the wiring conductor of an external electric circuit board by improving the electrical insulation reliability between the metallization conductors of a through hole that can be cut straightly in the case of cutting and dividing into each wiring substrate region from a batch-process wiring board.例文帳に追加

多数個取り配線基板から配線基板領域毎に切断分割する際に、真っ直ぐに切断でき貫通孔のメタライズ導体間の電気的な絶縁信頼性を高め、外部電気回路基板の配線導体へ電子部品を高い信頼性でもって接続できるようにすること。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

To drastically reduce a dishing amount without changing slurry in use with respect to a phenomenon of large dishing of a polished surface of buried metal when a buried metallization layer, containing especially Fe, to be buried in a groove on an insulation layer of alumina etc., is polished to be planarized by a CMP using acid slurry with high polishing efficiency.例文帳に追加

アルミナなどの絶縁層上の溝中への、特にＦｅを含む埋め込み金属層を、研磨効率の高い酸性スラリーを用いてＣＭＰで平坦化研磨したとき、この埋め込み金属の研磨表面に大きなディッシングが生じる現象を、使用スラリーを変えることなくディッシング量を大幅に抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 2, an insulating layer 3 formed on the semiconductor substrate 2, a magnetic body 10 buried in a partial region Rf of the insulating layer 3 to reach the surface thereof, and a metallization 5 buried in the insulating layer 3 to penetrate the magnetic body 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１は、半導体基板２と、その半導体基板２上に形成された絶縁層３と、その絶縁層３の一部の領域Ｒｆに埋め込まれ、絶縁層３の表面に達する磁性体１０と、その磁性体１０を貫通するように絶縁層３に埋め込まれた金属配線５と、を備える。 - 特許庁

The submount 9 is formed 200-400 μm thick using a material having a thermal expansion coefficient of 3.5-6.0×10^-6/°C, and the semiconductor lasers LD1-7 are bonded to the submount 9 with its junction down by dividing an AuSn eutectic point solder and a metallization layer into a plurality of parts in the bonding face.例文帳に追加

またサブマウント９は熱膨張係数が３．５〜６．０×１０^−６／℃である材料を用いて２００〜４００μｍの厚さに形成し、このサブマウント９に対して半導体レーザーＬＤ１〜７は、両者の接着面内でＡｕＳｎ共晶点半田およびメタライズ層を複数に分割して、ジャンクションダウン構造で分割接着する。 - 特許庁

To provide a technique, in which input energies are made to small and the operational stability is excellent while stably improving the productivity, even in the case of being low metallization by making suitable the operational method, such as a blending condition of raw materials and a suitable charging method of fixed carbon into a smelting reduction furnace.例文帳に追加

原料の配合条件と溶融還元炉への固定炭素の適正な投入方法等の操業方法を適正化することによって、金属化率が低くしても安定的に生産効率を高めつつ、投入エネルギーも小さくすると共に、操業安定にも優れた技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package which can reduce difference in thermal contraction of photosensitive insulation resin on both sides of a metallization layer, significantly reduce warpage on a semiconductor package substrate, and lead to substantial cost reduction by the benefit of bulk processing of both sides, and to provide a substrate for a semiconductor package, a semiconductor package, and an electronic apparatus.例文帳に追加

金属層両面の感光性絶縁樹脂の熱収縮差を軽減し、半導体パッケージ基板の反りを大幅に軽減することを可能とし、両面一括加工のために大幅なコスト削減にも繋がる半導体パッケージの製造方法、半導体パッケージ用基板、半導体パッケージ及び電子機器を提供する。 - 特許庁