「Metallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming a titanium (Ti) film in a semiconductor device while enhancing the reliability and yield of the semiconductor device by improving step coverage of the Ti film thereby stabilizing the step for metallization.例文帳に追加

半導体装置のチタニウム(Ti)膜の形成方法において、Ti膜の被覆性を改善して金属配線形成工程を安定化することによって半導体装置の信頼度及び歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To obtain a method for producing reduced iron having high strength and high metallization by regulating the optimum condition to the surface area of a reducing material, in order to enhance the reducing property and using reducing material obtained by a simple method.例文帳に追加

還元性を高めるために還元材の表面積の最適条件を規定し、簡便な方法で入手した還元材を用いて、高強度且つ高金属化率の還元鉄の製造方法を得る。 - 特許庁

The number of coupling points between the green sheet 50 and input/output metallization is increased and different screen printing material is used and thereby mechanical interlock at the interface between metal and ceramic surface 64 is intensified.例文帳に追加

グリーン・シートと入出力メタラジ間の結合点の数を増加し、異なるスクリーン印刷材料を使用することにより、金属とセラミックとの境界面の機械的インターロックが強化される。 - 特許庁

Metal molecules of the low fusing point metallization layer 3 are diffused inside the wiring layer 13, the liquid phase is extinguished, and a bonding layer whose principal component is the metal of the wiring layer 13 is formed.例文帳に追加

これによって、低融点金属層３の金属分子を配線層１３の内部に拡散させて液相を消滅させ、配線層１３の金属を主成分とする接合層を形成する。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polypropylene film with excellent metallization deposition property, high adhesive force between a metallized layer and an OPP and high degree of gloss of the surface, and to provide a metallized polypropylene film using this.例文帳に追加

金属蒸着性にすぐれ、金属化層とＯＰＰとの密着力が高く、かつ該表面の光沢度が高い二軸延伸ポリプロピレンフイルムおよびこれを用いた金属化ポリプロピレンフイルムを提供すること。 - 特許庁

The wiring layer 32 is made of a laminate obtained by superposing an Al metallization layer 32b on the Ti layer 32a, and the width of the transistor T in the direction parallel to the direction of the channel current of the transistor T is 5 μm or more.例文帳に追加

配線層３２は、Ｔｉ層３２ａにＡｌ系金属層３２ｂを重ねた積層からなるもので、トランジスタＴのチャンネル電流の方向に平行な方向の幅が５μｍ以上ある。 - 特許庁

In addition, the laser irradiation improves transverse conductivity, whereby a very small contact resistance and a homogeneous current distribution are achieved, especially in the vicinity of the metallization sections (3, 4).例文帳に追加

加えて、改善された横伝導率を発生させることができ、この横伝導率に基づいて、僅かな接続抵抗及び非常に均質な電流分布が、特にメタライズ部（３；４）の近傍で得られる。 - 特許庁

Following to a step (S1) for forming a first interlayer film and making contact holes, a first metallization for inspection mask is formed (S8) and leak current test or function test is conducted by inline test using a probe (S7).例文帳に追加

第１層間膜形成及びコンタクトホール形成工程（Ｓ１）後に、検査用マスクの第１金属配線を形成（Ｓ８）し、プローブを用いたインライン検査（Ｓ７）によりリーク電流検査や機能検査を行う。 - 特許庁

Interior edges (76, 92, 98 and 106) are combined with a circuit element of the circuit region (72) by metallization tracing (120, 136, 150 and 170) prolonging to penetrate air bridge (124, 140, 154 and 174).例文帳に追加

内側端（７６，９２，９８，１０６）は、エアブリッジ（１２４，１４０，１５４，１７４）を貫通して延びている金属化トレース（１２０，１３６，１５０，１７０）によって回路領域（７２）の回路素子と結合する。 - 特許庁

To provide an aqueous solution for non-chemical mechanical polishing in which corrosion does not take place on metallization, abrasive grains are not left and the yield of product can be enhanced, and to provide an abrasive set and a chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

金属配線上に腐食を発生させず、砥粒残りのない製品の歩留まりを向上させる非化学機械研磨用水溶液、研磨剤セット及び化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に、銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成され、当該キャップ膜の表面がシリサイド化されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an exhaust gas purification catalyst capable of suppressing the precipitation of palladium by the metallization of palladium oxide (PdO) and maintaining its high catalyst activity in a high temperature atmosphere of higher than 800°C and a method for preparing the catalyst.例文帳に追加

酸化パラジウムPdOのメタル化によるパラジウムの析出を抑制し、800℃を超える高温環境下においても高い触媒活性を維持できる排ガス浄化触媒及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The inorganic matter effective for inhibiting cracks in the metallization layer is chosen from a material comprising a composition same as that of the sintered compact, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide and yttrium oxide.例文帳に追加

無機物としては、窒化アルミニウム焼結体と同一の組成からなる材料、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び酸化イットリウムから選ばれる１種が金属化層のクラック防止に効果的である。 - 特許庁

The blunting of the edges and corners of the metallization by level embedding of the insulating element having an entirely metalized surface improves the insulating property of the semiconductor module in the area of the critical electrical field region.例文帳に追加

完全に金属被覆された絶縁エレメントの水平埋め込みにより金属被覆の縁部及び角部の鋭利性は重大な電界範囲の領域の半導体モジュールの絶縁特性を改善する。 - 特許庁

Furthermore, the RF transition 20 includes a waveguide 34 that is terminated at the metallization layer around the aperture 32 thereby converting the energy propagated through the waveguide 34 into the energy propagated through the microstrip 28.例文帳に追加

ＲＦ遷移２０はまた、絞り３２のまわりのメタライゼーション層で終わる導波管３４を含み、それによって導波管３４で伝搬するエネルギをマイクロストリップ２８で伝搬するエネルギに変換する。 - 特許庁

In a first embodiment, the optical sensor such as a photodiode is formed on a substrate and the diffraction grating of a fixed space is formed using a metallization layer general in semiconductor manufacturing technology.例文帳に追加

第１の実施態様において、フォトダイオードのような光センサは、基板上に形成され、固定間隔の回折格子が、半導体製造技術に一般的なメタライゼーション層を使用して形成される。 - 特許庁

To provide a formation method of copper seed layer in ULSI metallization which is simple at a low cost, suitable for a substrate having a via with a large aspect ratio and can prevent problems generated by a reactive by- products.例文帳に追加

低コストで簡単であり、大きなアスペクト比をもつビアを有する基板に適し、反応副産物により発生する問題を防止できるＵＬＳＩメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The portion 57 in which the ohmmic contact is not formed can be provided by damaging the p-type semiconductor layer 16 and/or the first contact metallization layer 18 of the portion 50 located under the wire bonding pad 22.例文帳に追加

ワイヤボンディングパッド２２の下の領域５０のｐ型半導体層１６および／または第１のコンタクト金属層１８を損傷することによって、オーミックコンタクトを形成しない部分５７を実現することができる。 - 特許庁

The support further has a protruding element arranged on a metallization level of the interconnection level, thereby making it possible to produce an electrical contact between the interconnection level and the active element of the acoustic resonator.例文帳に追加

該支持部は相互接続平面部の金属被覆平面部の上方に配置された突起素子を更に備え、これにより、相互接続平面部と音響共振器の能動素子との間に電気的接触が形成される。 - 特許庁

Subsequently, an underlying nickel plating layer 19 is formed on the underlying metallization layer 18, a silver plating layer 20 is further formed on the underlying nickel plating layer 19 to serve as a light reflecting surface 22.例文帳に追加

この後、この下地メタライズ層１８の上に下地ニッケルめっき層１９を形成し、更に、この下地ニッケルめっき層１９の上に銀めっき層２０を形成し、この銀めっき層２０の表面を光反射面２２とする。 - 特許庁

To provide a process for forming a catalyst metallization layer by substitution plating without causing any pit in the copper grain boundary and without enlarging its pit when a barrier film for preventing the spread of copper is formed on the copper surface.例文帳に追加

銅表面に銅の拡散を防止すバリア膜を形成する際に、銅の結晶粒界にピットを発生させることなく、そのピットを拡大することなく、置換メッキにより触媒金属層の形成を図る。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an active device which is arranged on a semiconductor substrate, an interconnect layer which is formed on the active device and contains copper, and an outermost metallization layer which is located over the interconnection layer.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体基板の上に配置される活性デバイスと、活性デバイスの上に形成された銅を含む相互接続層と、相互接続層を覆って位置する最外側メタライゼーション層とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate with a built-in coil that has high mounting strength of a semiconductor chip or a chip component mounted on the upper face or the under face of a substrate by enhancing metallization strength of a surface conductor of the substrate with a built-in coil.例文帳に追加

コイル内蔵基板の表面導体のメタライズ強度を高くすることで、基板の上面や下面に実装した半導体チップやチップ部品の実装強度の高いコイル内蔵基板を提供すること。 - 特許庁

In a ceramic package 4, a planar annular package side metallization layer 5a is formed in a joining part with an infrared ray incident window 8, and an electric resistance pattern layer 6 is laminated on its lower layer via ceramics.例文帳に追加

セラミックパッケージ４は、赤外線入射窓８との接合部に平面状の環状のパッケージ側メタライズ層５ａが形成され、その下層には電気的な抵抗パターン層６がセラミックを介して積層されている。 - 特許庁

If the inter-level via is offset over the edge of the metallization layer, the metal in the via contacts the embedded stop layer and not the first dielectric layer, whereby the embedded stop layer serves as a copper diffusion layer.例文帳に追加

もし、レベル間バイアが金属化層の縁上からずれていれば、バイア内の金属は埋込みストップ層に接触し、第１の誘電体層には接触しないので、埋込みストップ層は銅拡散バリヤーとして役立つ。 - 特許庁

The low fusing point metallization layer 3 is made into liquid phase status at a temperature of at least fusing point of the low fusing point metal material, and fixed time duration holding is performed at a predetermined temperature while impressing predetermined pressure to the semiconductor chip and the substrate.例文帳に追加

そして、低融点金属材の融点以上の温度で低融点金属層３を液相状態とし、半導体チップと基板とに所定の圧力を印加しつつ所定の温度で一定時間保持する。 - 特許庁

In the other embodiment, reliability of contact and a buyer is improved by adding additional metallization to an area of surrounding the contact and the buyer or adding redundant contact and buyer.例文帳に追加

他の実施形態においては、コンタクト及びバイアの信頼性は、コンタクト及びバイアを取り囲む領域に付加的なメタライゼーションを追加することによって、又は冗長コンタクト及びバイアを追加することによって改善される。 - 特許庁

By using conductive paste containing metal nanoparticles or metallic compound nanoparticles which can form a bulk metallization layer by applying energy, a prescribed circuit pattern is printed by using a printing method.例文帳に追加

本発明によれば、エネルギーを付与することによってバルク金属層を形成可能な金属ナノ粒子又は金属化合物ナノ粒子を含む導電性ペーストを使用し、印刷法によって所定の回路パターンを印刷する。 - 特許庁

A shell-shaped metal ring 11 is brazed on a metallization layer 7 for connection formed around the upper surface of the substrate 1 with metallic wax material, and a metallic lid body 12 is subjected to seam welding to the ring 11.例文帳に追加

セラミック基体１の上面の周囲に形成した接合用メタライズ層７上に金属ろう材によりシェル状金属リング１１をろう付けし、シェル状金属リング１１に金属蓋体１２をシーム溶接する。 - 特許庁

In a metallization polyimide film having two or more metal layers including at least a metal layer principally comprising Cu formed on at least one side of a polyimide film, surface metal index Asm calculated by IR-ATR method is ≥0.001 on the surface of the polyimide film after the metallization polyimide film is treated with sulphuric acid/hydrogen peroxide based etching reagent, and he surface resistivity is ≥1×10^13 Ω.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの少なくとも片面に少なくともＣｕを主体とする金属層を含む二層以上の金属層が形成された金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを硫酸／過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のＩＲ−ＡＴＲ法から算出される表面金属指数Ａｓｍが０．００１以上、かつ表面抵抗率が１×１０^13Ω以上であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which low cost is realized, an interconnect line can be formed with good coverage in a contact hole of high aspect ratio, capacity of the interconnect line can be reduced, and multilevel metallization can be formed.例文帳に追加

本発明は、低コストを実現し、アスペクト比が高いコンタクトホールにカバレッジが良好な配線の形成や配線容量の低減、多層配線の形成が可能な半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The antenna 121 is connected to the communication circuit 108 at a feeding point 104 and is set so that a projection of foot print of the antenna onto the circuit board 122 may not be overlapped more than 50% with metallization of a ground surface of the circuit board.例文帳に追加

アンテナ１２１は、給電点１０４で通信回路１０８に接続され、回路ボード１２２へのアンテナのフットプリントの投影が該回路ボードの接地面のメタライゼーションと５０％以上重ならないように設定されている。 - 特許庁

To provide a metallization polyimide film excellent in the adhesion of copper foil and a substrate, insulation reliability, and migration resistance, and is adapted to practical use as a substrate of a highly reliable COF, TAB, an FPC, a semiconductor package, or the like.例文帳に追加

銅箔と基材との接着性に優れ、かつ絶縁信頼性、耐マイグレーション性に優れ、さらに高信頼のＣＯＦ、ＴＡＢ、ＦＰＣ、半導体パッケージ基板などの基材として実用に足る金属被覆ポリイミドフィルムを提供する。 - 特許庁

The power distribution network includes a plurality of power through-silicon vias (TSVs) penetrating the substrate, wherein the plurality of power TSVs forms a grid; and a plurality of metal lines in a bottom metallization layer (M1), wherein the plurality of metal lines couples the plurality of power TSVs to integrated circuit devices on the substrate.例文帳に追加

配電回路網は、基板を貫通し、グリッドを形成する複数の電力スルーシリコンビア（TSV）と、底部金属化層（M１）中に位置し、複数の電力TSVを、基板上の集積回路装置に結合する複数の金属線とを含む。 - 特許庁

Furthermore, lead-out electrodes T13 and T15 are led out, as the capacitor element C1, by an overlying metallization metal 16 through next interlayer insulation film 122 via each VIA of W plug, for example.例文帳に追加

さらに、次の層間絶縁膜１２２を介し、上層の配線層メタル１６により、容量素子Ｃ１としての引き出し電極Ｔ13、Ｔ15がそれぞれ、例えばＷプラグによる各ビアＶＩＡを介して導出され構成されている。 - 特許庁

An edge terminal structure comprises one conductivity-type of well 34, surrounding an active cell under a polysilicon layer 26, the reverse conductivity-type of well 30 surrounding perfectly the well 34, and a metallization 42 contacting the well 30.例文帳に追加

エッジ終端構造は、ポリシリコン層２６の下側でアクティブなセルを包囲する第１の導電型式のウェル３４と、ウェル３４を完全に包囲する逆の導電性のウェル３０と、ウェル３０と接触するメタライゼーション４２とを含む。 - 特許庁

To provide a curing method and an apparatus for improved curing of a light curable sealing material for fixing two substrates which significantly suppress phenomenon of incomplete curing of the sealing material due to light blocking by a black matrix or metallization pattern.例文帳に追加

ブラックマトリックスまたは金属パターンの遮光により、シール材が完全に硬化しない現象を顕著に抑制する二つの基板を固定するための光硬化性シール材の改良硬化方法及び改良硬化装置を提供する。 - 特許庁

When an integrated circuit is considered as a circuit model, the integrated circuit is composed of an inductor L which is formed at the metallization level of a circuit and an embedded layer (a stray capacitance CP and a leakage resistance Rp).例文帳に追加

集積回路を回路モデルとして見れば、回路の金属化レベルで形成されたインダクタＬと、このインダクタの下の集積回路の基板内にある埋込み層（漂遊キャハシタンスＣＰ及び漏れ抵抗Ｒｐ）とにより構成される。 - 特許庁

To provide a metallization polyimide film excellent in adhesion of a copper foil and a substrate, insulation reliability, and migration resistance and is sufficient for practical use as a substrate of highly reliable COF, TAB, FPC, semiconductor package, or the like.例文帳に追加

銅箔と基材との接着性に優れ、かつ絶縁信頼性、耐マイグレーション性に優れ、さらに高信頼のＣＯＦ、ＴＡＢ、ＦＰＣ、半導体パッケージ基板などの基材として実用に足る金属被覆ポリイミドフィルムを提供する。 - 特許庁

Firing of an underlying metallization layer 18 composed of a high melting point metal such as tungsten or molybdenum is carried out simultaneously with a package body 11 on the circumferential side face of a cavity 13 in the package body 11 composed of high temperature firing ceramic such as alumina or aluminum nitride.例文帳に追加

アルミナ、窒化アルミニウム等の高温焼成セラミックで形成したパッケージ本体１１のキャビティ１３の周側面に、タングステン、モリブデン等の高融点金属よりなる下地メタライズ層１８をパッケージ本体１１と同時焼成する。 - 特許庁

In a second generalized embodiment, a thin film transistor and a metal-insulator-metal capacitor are used in place of the floating diffusion region, and are arranged, shielded in a dielectric-isolated metallization stack over a carrier substrate.例文帳に追加

第２の一般化された実施形態において、薄膜トランジスタ及び金属−絶縁体−金属キャパシタが浮遊拡散部の代わりに用いられ、キャリア基板の上の誘電体分離金属スタック内に遮蔽された状態で配置される。 - 特許庁

The electronic part housing package is provided with a recess 104 in which an electronic part is housed, an insulating substrate 101 having a notch 102 on its side face, and a metallization layer 105 which is formed on the upper side of the insulating substrate 101 as to surround the recess 104.例文帳に追加

電子部品が収容される凹部１０４を有し、側面に切欠き部１０２を有する絶縁基体１０１と、絶縁基体１０１の上面に凹部１０４を取り囲むように形成されたメタライズ層１０５とを備えている。 - 特許庁

Proximity parts become fuse parts 7 may be meltted down so that, even if a short-circuit is generated in a dielectric film, the fuse parts 7 may so as to separate an electrode 3 as an electric circuit, and the metallization film capacitor may recover the short-circuit state.例文帳に追加

近接部分はヒューズ部７となり、誘電体フィルムでショートが発生した場合でも、ヒューズ部７が溶断し、分割電極３が電気回路的に切り離され、金属化フィルムコンデンサはショート状態から回復する。 - 特許庁

To provide a product as a double layer flexible copper-clad laminated sheet using a direct metallization method in which satisfactory peeling strength after heating and chemical resisting performance of a circuit to be formed can be maintained, and etching with a copper etching liquid can be facilitated.例文帳に追加

ダイレクトメタライゼーション法を用いた２層フレキシブル銅張積層板であって、形成する回路の良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが容易な製品を提供する。 - 特許庁

Other advantages are obtained by electrically insulating the wire to prevent short-circuit, protecting the wire with sheaths having a small elasticity modulus and by protecting a chip-bonding pad metallization 40.例文帳に追加

その他の利点が、回路を短絡させないようにワイヤを電気的に絶縁することによって、小さな弾性率を有するシースでワイヤを保護することによって、およびチップ接合パッド・メタライゼーション４０を保護することによって実現される。 - 特許庁