「Metallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In a copper metallization process in a semiconductor integrated circuit, TaCN is used as a barrier layer in order to prevent the diffusion of a copper metal layer.例文帳に追加

半導体集積回路における銅金属化プロセスにおいて、銅金属層拡散を防止するためのバリア層としてTaCNを用いる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MULTIPLE-LAYER ELECTRODE STRUCTURE ON SOLAR CELL, METALLIZATION CONTACT STRUCTURE, PATTERNING METHOD OF LAYER, AND METHOD FOR FORMING FUNCTIONAL STRUCTURE例文帳に追加

太陽電池上に多層電極構造を形成する方法、金属配線コンタクト構造、層のパターニング方法、機能構造の形成方法 - 特許庁

To provide a small and lightweight capacitive element built-in multilayer metallization wiring board superior in connection reliability and electrical properties.例文帳に追加

コンデンサ素子内蔵多層配線基板において、小型化・接続信頼性および電気特性を満足できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that isolation characteristics deteriorate between the signal conductors due to propagation of a signal between the signal conductors through a frame-like metallization layer.例文帳に追加

枠状のメタライズ層を通じた信号用導体間の信号の伝播により、信号用導体間のアイソレーション特性が劣化する。 - 特許庁

A frame-like metallization layer 6 surrounding a recess 1a for containing a light emitting element 4 is fixed onto the upper surface of the ceramic basic body 1.例文帳に追加

セラミック基体１の上面に、発光素子４が収容される凹部１ａを取り囲む枠状メタライズ層６が被着されている。 - 特許庁

Such an anchor tab is arranged inside or outside a chip structure and forms a core of a plating material on which additional metallization has been performed.例文帳に追加

このようなアンカータブはチップ構造の内部または外部に配置され、追加のメタライゼーションがなされためっき材の核を形成する。 - 特許庁

In other words, a metallization layer can be formed by an inspection mask on a silicon wafer and a semiconductor device can be inspected after formation.例文帳に追加

このように、シリコンウエハ上に検査用マスクにより金属配線層を配線し、半導体素子の形成後の検査をすることができる。 - 特許庁

To stabilize impedance and NOx sensitivity by suppressing oxidation and re-metallization of Rh contained in a detection electrode.例文帳に追加

検出電極に含まれるＲｈの酸化と再金属化を抑制して、インピーダンスの安定化並びにＮＯｘ感度の安定化を図る。 - 特許庁

A damascene metallization method comprises a step for making a trench in a desired interconnect pattern in a porous insulation layer formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の多孔性絶縁層中の所望の配線パターンにトレンチを形成する工程等を含むダマシン金属化方法。 - 特許庁

One end in a width direction of a metallization film capacitor being connected with a metallicon electrode portion serves as a heavy edge portion and the other end serves as a margin portion.例文帳に追加

金属化フィルムコンデンサのメタリコン電極部に接続される幅方向一端部をヘビーエッジ部とし、他端部をマージン部とした。 - 特許庁

The fabrication method comprises a step for forming a metallization containing Cu by filling the trench of the interlayer insulation film with a metal containing Cu, and a step for forming an insulation film of an insulation material containing no oxygen selectively on the metallization containing Cu.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部にＣｕを含む金属を埋め込んでＣｕを含む金属配線を形成する配線形成工程と、上記Ｃｕを含む金属配線に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を選択的に形成する絶縁膜形成工程とを有する。 - 特許庁

The simple method for measuring the metallization rate of ferrocoke includes: measuring the electrical resistivity of the ferrocoke produced by the carbonization of a molded article obtained by mixing coal and iron ore and molding the resultant mixture; and estimating the metallization rate of the above ferrocoke by using the measured electrical resistivity.例文帳に追加

石炭と鉄鉱石とを混合し成型した成型物を乾留して製造されるフェロコークス中の金属化率を、フェロコークスの電気抵抗率を測定し、該測定で得られた電気抵抗率を用いて推算することを特徴とする、フェロコークス金属化率の簡易測定方法を用いる。 - 特許庁

To provide a sintered ceramic compact formed with a metallized layer with which the sufficient strength of adhesion of metallization can be obtained by a simple process regardless of the state of ceramics, a joined body of ceramics and metal, a paste for metallization and a method for manufacturing the sintered ceramic compact formed with the metallized layer.例文帳に追加

セラミックスの状態にかかわらず、簡易な工程で、メタライズの十分な接着強度が得られるメタライズ層形成セラミックス焼結体、セラミックスと金属との接合体、メタライズ用ペースト、及びメタライズ層形成セラミックス焼結体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Alternatively, the lower layer metallization can be prevented from spreading to an interlayer insulation film by forming a thick metal layer having high electrical conductivity, so as to exhibit high antidiffusion effect of lower layer metallization for embedding a level difference occurring at the opening in the anitidiffusion insulation film.例文帳に追加

また、拡散防止絶縁膜の開口部に生じる段差部を埋め込むように、電気伝導度が高く、かつ、下層配線金属の拡散防止効果の高い金属層を厚く形成することにより、下層配線金属の層間絶縁膜への拡散を防止することができる。 - 特許庁

To provide a metal structure of an IC having patterned metallization protected by two or more contact pads and coating layers.例文帳に追加

本発明は、複数のコンタクトパッド及び被膜層によって保護されたパターン化されたメタライゼーションを有するＩＣ用の金属構造体である。 - 特許庁

Or, in the semiconductor package, the metallization layer for sealing cover bonding is provided, where the surface layer of Au of 0.001-0.8 μm is provided on an Ni layer.例文帳に追加

あるいは、半導体パッケージには、Ｎｉ層上にＡｕの表面層を０．００１〜０．８μｍ設けたシールカバー接着用メタライズ層を設ける。 - 特許庁

A sealing film 50 is provided on the supporting substrate 20 so as to cover an outer surface of the piezoelectric substrate 10 and the outside of the sealing metallization layer 13.例文帳に追加

また、圧電基板１０の外面、封止金属層１３の外側を覆うように、封止膜５０が支持基板２０上に設けられている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus by which an electrochemical treatment undesirable for a contact device, particularly the metallization of the contact device is largely reduced.例文帳に追加

接触装置の望ましくない電気化学処理、特に接触装置の金属化が大部分低減される方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

The conductive lid layer is removed by using one of several methods to remove the upper part of the first copper metallization within the recess.例文帳に追加

上記導電蓋層を幾つかの方法の１つを用いて上記凹部内の上記最初の銅メタライゼーションの上方を除いて除去する。 - 特許庁

To provide a ceramic package which can be simultaneously baked with metallization and is easily unbroken even if it is hermetically sealed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

メタライズとの同時焼成が可能で、気密封止しても破壊しにくいセラミックパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The second stop layer 24 is laid above the first stop layer 23, and the third stop layer 27 is provided on the dielectric material of the second metallization level.例文帳に追加

第２のストップ層は第１のストップ層の上に置かれ、第３のストップ層は第２のメタライゼーションレベルの誘電材料の上に置かれる。 - 特許庁

IMAGE DISPLAY SURFACE PLATE COMPOSED BY FORMING DEPRESSION FOR RECEIVING MULTIPLE INDIVIDUAL PHOSPHOR LIQUID DROPLET AND BY DISPOSING CONFORMAL METALLIZATION LAYER例文帳に追加

多数の個別蛍光体液体粒子を受けるための窪みが形成され、その上に共形メタライゼーション層が配された画像表示面板 - 特許庁

An interconnection structure for a semiconductor device comprises an organic low-k (low specific dielectric constant) dielectric layer formed on a lower metallization.例文帳に追加

半導体デバイス用相互接続構造は、下部メタライゼーション・レベルの上に形成した有機ｌｏｗ−ｋ（低比誘電率）誘電体層を含む。 - 特許庁

Comb-shaped electrodes 11, terminals 15, a sealing metallization layer 13, and high resistance patterns 12 are formed on a circuit forming surface of the piezoelectric substrate 10.例文帳に追加

圧電基板１０の回路形成面には、くし型電極１１、端子１５、封止金属層１３及び高抵抗パターン１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a metallization method which improves the productivity, without needing cleaning steps, drying step or pressure reducing steps.例文帳に追加

洗浄工程や乾燥工程及び減圧にする工程が必要がなくて生産性を向上させることができるメタライズ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin with high heat resistance and low specific gravity without detracting from desirable surface properties contributing to a good appearance and ease of metallization.例文帳に追加

良好な外観とメタライズ処理の容易さに寄与する望ましい表面特性を損なうことなく、耐熱性が高く比重の低い樹脂を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the electronic component package main body is heated to totally melt the brazing filler metal 52, and the lid fixing ring 54 is fixed to the metallization region.例文帳に追加

その後、電子部品パッケージ本体を加熱してろう材５２の全体的に溶融させ、リッド固定リング５４をメタライズ領域に固定させるようにした。 - 特許庁

The structure is included into the metallization level, thus eliminating the need for additional treatment processes, when the different structure is formed.例文帳に追加

これらの構造をメタライゼーションレベル内に含むことにより、これらの異なる構造を形成する際にさらなる処理工程を加えることが避けられ得る。 - 特許庁

To provide a metallization film capacitor for automating a manufacturing process easily, preventing insulating failure, dimension fault, outer shape failure, and the like, and improving characteristics.例文帳に追加

製造工程の自動化が容易で、絶縁不良や寸法不良、外観不良等を防止でき、特性を向上できる金属化フィルムコンデンサを提供すること。 - 特許庁

To provide an RF switch including a multiplicity of strokes and capable of being manufactured by utilizing only a single metallization layer, and to provide a manufacturing method of the RF switch.例文帳に追加

多数のストロークを含み、単一のメタライゼーション層のみを利用して製造可能なＲＦスイッチ、およびＲＦスイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁

The programmable sub-surface aggregating metallization structure resistor, the capacitance and the impedance are affected by a change in the length of the dendrite or an existence of the cutting.例文帳に追加

デンドライトの長さの変化または切断の存在が、プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造抵抗、キャパシタンスおよびインピーダンスに影響を及ぼす。 - 特許庁

An inter-level via is etched through the second dielectric layer and the second stop layer 30, and the metal is filled into the via and is brought into contact with the metallization.例文帳に追加

レベル間バイアが第２の誘電体層及び第２のストップ層３０を通してエッチングされ、金属がバイア内に充填されて金属化層と接触する。 - 特許庁

This process comprises a step for generating at least one metallic track 7 in an inside of a track insulation material 1 at a predetermined metallization level.例文帳に追加

このプロセスは、予め定めたメタライゼーション・レベルでトラック間絶縁材料１の内部に少なくとも１つの金属トラック７を生成するステップを含む。 - 特許庁

A top plate 24B and a metal register 14B of the capacitor are simultaneously formed by depositing and patternizing metallization layers with upper etching stop layers.例文帳に追加

上方エッチング停止層を有する金属層を堆積させ且つパターン化してコンデンサの頂部プレート２４Ａ及び金属レジスタ２４Ｂを同時に形成する。 - 特許庁

To solve the problem that firm packaging to an external electric circuit board cannot be easily made since the metallization terminal electrode becomes smaller with the miniaturization of a ceramic wiring board.例文帳に追加

セラミック配線基板の小型化に伴いメタライズ端子電極が小さくなっており、外部電気回路基板に強固に実装することが困難である。 - 特許庁

SINTERED CERAMIC COMPACT FORMED WITH METALLIZED LAYER, JOINED BODY OF CERAMICS AND METAL, PASTE FOR METALLIZATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING SINTERED CERAMIC COMPACT FORMED WITH METALLIZED LAYER例文帳に追加

メタライズ層形成セラミックス焼結体、セラミックスと金属との接合体、メタライズ用ペースト、及びメタライズ層形成セラミックス焼結体の製造方法 - 特許庁

On a metallization layer 9 formed on the pad electrode 3, many concave portions 10 to 13 are formed by cladding the open regions 5 to 8.例文帳に追加

パッド電極３上に形成される金属層９には、前記開口領域５〜８を被覆することで、複数の凹部１０〜１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a producing method of a reduced iron pellet having high metallization, excellent strength to collapse and ≤4.0 g/cm3 apparent density at a low equipment cost.例文帳に追加

金属化率が高く、設備コストが低く、かつ圧潰強度に優れた見掛け密度4.0g/cm^3以下の還元鉄ペレットの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A brazing filler metal 52 is arranged in a metallization region formed in an electronic component package main body 50 and a lid fixing ring 54 is arranged on the brazing filler metal 52.例文帳に追加

電子部品パッケージ本体５０に形成されるメタライズ領域に対しろう材５２を配置し、このろう材５２の上にリッド固定リング５４を配置する。 - 特許庁

With regard to the series system of the source/drain diffusion layer 14, they are short-circuited all previously through a first layer metallization ALA.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層１４の直列系それぞれに関し、予め第１層金属配線ＡＬＡによって全て短絡状態となるよう接続しておく。 - 特許庁

Further, a part of the lid fixing ring 54 is spot-heated to partially melt the brazing filler metal 52, and the lid fixing ring 54 is temporarily fixed to the metallization region.例文帳に追加

更に、リッド固定リング５４の一部をスポット加熱して、ろう材５２を部分的に溶融させ、このリッド固定リング５４をメタライズ領域に仮固定する。 - 特許庁

A large area device comprises at least one n-electrode where the metallization of p-electrode is sandwiched to reduce the series resistance.例文帳に追加

面積の大きなデバイスはｎ電極を少なくとも一つ有し、これはｐ電極のメタライゼーションを間に挟むようにして直列抵抗を小さくしている。 - 特許庁

This prescription is a solution which contains a copper alkanesulfonate and free alkanesulfonic acid and is intended for metallization of trenches or vias of a micron or submicron size.例文帳に追加

この処方物は、銅アルカンスルホン酸塩及び遊離のアルカンスルホン酸を含有し、ミクロン又はサブミクロン寸法のトレンチ又はビアの金属化を意図した溶液である。 - 特許庁

To allow an aluminum interconnect metallization for an integrated circuit to be controllably oxidized, in a pure oxygen ambience, with the addition of argon, as desired.例文帳に追加

集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。 - 特許庁

The special applicatability in optoelectronics industry in metallization of the optical fibers and hermetic seal optoelectronics device packages is found.例文帳に追加

光ファイバーの金属化におけるオプトエレクトロニクス工業において、およびハーメチックシールオプトエレクトロニクス・デバイス・パッケージにおいての特別の適用性が見出された。 - 特許庁