「Metallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin film hybrid metallization film is laminated in a broad state and cut in a predetermined size to form an element.例文帳に追加

この薄膜ハイブリッド金属化フィルムを広幅の状態で積層し、所定の寸法に切断し素子を形成する。 - 特許庁

The central conductor 1 may be formed by metallization such as plating or may be formed with a metal pipe.例文帳に追加

中心導体１としては、メッキなどのメタライズで形成することもできるし、金属パイプを用いることもできる。 - 特許庁

To provide a method for metallization applicable to oxide-based, nitride-based, carbide-based, and machinable ceramics.例文帳に追加

酸化物系、窒化物系、炭化物系セラミックス及び快削性セラミックスに適用出来るメタライズの方法を提供する。 - 特許庁

Then the sapphire substrate is lifted off through a metallization procedure for releasing a nitrogen from gallium, aluminum or indium.例文帳に追加

ガリウム、アルミニウム、またはインジウムから窒素が解離されるメタライゼーション手順を使用して、サファイア基板をリフトオフする。 - 特許庁

A metal film 21a is formed in a peripheral edge of a surface of an upper substrate 21 by metallization method.例文帳に追加

上方の基板２１の表面の周端縁には金属膜２１ａがメタライズ法によって形成されている。 - 特許庁

To restore or enhance a discontinuous metal seed layer before metallization in succession to a process of an electronic device production.例文帳に追加

電子デバイス製造の過程で引き続くメタライゼーション前に不連続金属シード層を修復又はエンハーンスする。 - 特許庁

The integrated circuit has both the double-damascene structure and the capacitor and a metallization level.例文帳に追加

本発明は、二重ダマシーン構造およびコンデンサを共に備えた、メタライゼーションレベルを有する集積回路に関する。 - 特許庁

A first and a second stop layer, 23 and 24, are deposited on a first dielectric layer that covers a first metallization level.例文帳に追加

第１および第２のストップ層が、第１のメタライゼーションレベルを覆う第１の誘電体層上に堆積される。 - 特許庁

To provide a metallization film capacitor for improving reliability by enabling good fuse operation.例文帳に追加

良好なヒューズ動作が可能であり、信頼性を向上することが可能な金属化フィルムコンデンサを提供する。 - 特許庁

Each electrode of a capacitor is constituted by piling a plurality of one side metallization films 11, 12, 13, and 14.例文帳に追加

コンデンサの各電極を、複数枚の片面金属化フィルム１１、１２、１３、１４を重ね合わせて構成する。 - 特許庁

A conductive lid layer is deposited on the first metallization within the recess or on the dielectric layer.例文帳に追加

導電蓋層を上記凹部内の上記最初の銅メタライゼーション上に、また上記誘電体層上に、堆積する。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The present invention has the functional element of forming a substrate mainly composed of Si by using a processing method, a sealed metallization film formed on the outer periphery of this functional element, and a glass substrate joined to this sealed metallization film by the anodic joining.例文帳に追加

Ｓｉを主体とする基板を加工法を用いて形成した機能素子と、この機能素子の外周に形成された封止メタライズ膜と、この封止メタライズ膜に陽極接合により接合されるガラス基板を備える。 - 特許庁

To enhance reliability of wiring by enhancing deposition selectivity of a catalytic metal layer being formed when a cap barrier layer is formed on the surface of a metallization and reducing damage on the metallization when the catalytic metal layer is deposited.例文帳に追加

金属配線表面にキャップバリア層を形成する際に形成される触媒金属層の成膜膜選択性を高め、また触媒金属層を成膜する際の金属配線へのダメージを低減して、配線信頼性の向上を図る。 - 特許庁

On an interlayer insulation film 121 of an underlying metallization layer (not shown), a capacitor element C1 is formed of a capacitor insulation film 14 and an overlying metal pattern 15 in a specified region on a specified metallization metal 13.例文帳に追加

直下のメタル配線層（図示せず）の層間絶縁膜１２１上において、所定の配線層メタル１３上の所定領域にキャパシタ絶縁膜１４及びその上のメタルパターン１５とで構成される容量素子Ｃ１を有する。 - 特許庁

For the first metallization layer 15, metal is selected which has superior ohmic property with the P type guard ring region 13.例文帳に追加

第１の金属層１５には、Ｐ型ガードリング領域１３との間のオーミック性が優れている金属を選択する。 - 特許庁

To provide a method and structure of reducing the contact resistance between a silicide contact and metallization on it.例文帳に追加

シリサイド・コンタクトとその上のメタライゼーションとの間の接触抵抗を低減する方法及び構造体を提供する。 - 特許庁

The sealing metallization layer 13 is ring-shaped and evenly formed along the circumference of the circuit forming surface.例文帳に追加

封止金属層１３は、回路形成面の外周に沿って一様に形成されたリング状の封止金属層である。 - 特許庁

To provide a sintered aluminum nitride of controlled metallization failure rate, and also to provide a board using the same for semiconductor devices.例文帳に追加

メタライズ不良発生率を抑えた窒化アルミニウム焼結体及びそれを用いた半導体装置用基板の提供。 - 特許庁

An under bump metallization (UBM) layer is arranged over the bonding pad, and a solder bump is arranged over the UBM.例文帳に追加

アンダー・バンプ・メタライゼーション（ＵＢＭ）層は、ボンディング・パッドを覆って配置され、はんだバンプは、ＵＢＭを覆って配置されている。 - 特許庁

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device element and passivation of a dielectric material.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。 - 特許庁

A capacitor 25 is formed entirely within a metallization layer of the damascene structure, having therein a semiconductor device component.例文帳に追加

キャパシタ２５は、ダマシン構造内の半導体素子構成要素を有するダマシン構造の金属化層内全体に形成される。 - 特許庁

A liquid crystal polymer film 4 is employed in the insulation layer 2 and a metallization layer 6 is interposed between the conductor layer 3 and the via 5.例文帳に追加

絶縁層２に液晶ポリマーフィルム４を用い、導体層３とバイア５との間にメタライズ層６を介装する。 - 特許庁

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device component and deactivation of a dielectric material.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。 - 特許庁

This RF transition 20 includes an MMIC board 26 whose rear side has a metallization layer and whose front side has a microstrip 28.例文帳に追加

このＲＦ遷移２０は、背面にメタライゼーションを有し、正面にマイクロストリップ２８を有するＭＭＩＣ基板２６を含む。 - 特許庁

An integrated circuit (not shown) is fabricated on a semiconductor substrate 11 by applying a multilevel metallization technology.例文帳に追加

半導体基板１１上においてメタル多層配線技術を適用した図示しない集積回路が構成されている。 - 特許庁

A conductive coat can be readily formed by using electroless plating, a conductive paste (metallization) or the like.例文帳に追加

導電コートの形成は、例えば無電解メッキ、導電ペースト(メタライズ)などを用いることにより容易に行うことが出来る。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TaCN BARRIER LAYER IN COPPER METALLIZATION PROCESS AND COPPER METAL LAYER STRUCTURE WITH TaCN BARRIER LAYER例文帳に追加

銅金属化プロセスにおけるＴａＣＮバリア層の製造方法並びにＴａＣＮバリア層を有する銅金属層構造 - 特許庁

A method for manufacturing the metallization film capacitor includes the steps of: depositing the metal on both sides of a broad PP film; coating dielectric comprising an organic compound on the surface of a deposited film to crosslink (to harden); and forming a thin film hybrid metallization film of the deposited film and the organic compound.例文帳に追加

広幅ＰＰフィルムの両面に金属を両面蒸着して、この蒸着フィルム面上に有機化合物からな誘電体をコーティングし架橋（硬化）させ、蒸着フィルムと有機化合物の薄膜ハイブリッド金属化フィルムを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming conductive metallization patterns on a ceramic block that are isolated by a pattern of a conductive material.例文帳に追加

導電物質のパターンにより互いに隔離されてなるセラミックブロック上の導電メタライゼーションパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The first copper metallization is flattened and then etched to form a recess below the surface of the dielectric layer.例文帳に追加

上記最初の銅メタライゼーションを平坦化し、次いでエッチングして、上記誘電体層の表面より下方に凹部を形成する。 - 特許庁

The metallization layer 5 is formed nearly in a frame shape at the periphery of a cavity 3 and is wider than a seal ring SR being joined to it.例文帳に追加

メタライズ層５は、キャビティ３の周縁に略枠状に形成され、これに接合するシールリングＳＲよりも幅広である。 - 特許庁

A recess 103 is formed on the surface of the metallization layer 105 from a corner of the insulating substrate 101 to the notch 102.例文帳に追加

絶縁基体１０１の角部から切欠き部１０２にかけてメタライズ層１０５の表面に窪み部１０３が形成されている。 - 特許庁

Bond pads on the die are exposed and the route redesignation of a metallization from the bond pads and vias selected by a user is performed.例文帳に追加

ダイ上のボンドパッドが露出されて、ユーザの選択したボンドパッドおよびビアからのメタライゼーションの再経路指定が行なわれる。 - 特許庁

Other metallization layer generally used in semiconductor process technology is used for providing an aperture if necessary.例文帳に追加

半導体プロセス技術において一般的に用いられる他の金属層が、必要に応じて、アパーチャを提供するために用いられる。 - 特許庁

SPUTTER CLEANING CHAMBER, WAFER TABLE ASSEMBLY, SEMICONDUCTOR METALLIZATION METHOD AND METHOD FOR IMPROVING VOID-FILLING CAPABILITY OF ALUNINUM例文帳に追加

スパッタ洗浄室とウェハー台アセンブリと半導体金属化製造方法及びアルミニウムのボイド充填能力を改善する方法 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a metallization film capacitor for miniaturizing a capacitor by a low-cost and simple method.例文帳に追加

低コストかつ簡単な方法で、コンデンサの小型化を図ることが可能な金属化フィルムコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

Step (1): a nickel-containing material (B) with a nickel metallization ratio of ≥97.5% is prepared from a nickel-containing material (A).例文帳に追加

工程（１）：前記ニッケル含有物（Ａ）から、ニッケル金属化率が９７．５％以上であるニッケル含有物（Ｂ）を準備する。 - 特許庁

The rear side metallization layer specifies an aperture 32 and the microstrip 28 includes a microstrip feed 30 formed close to the aperture 32.例文帳に追加

背面メタライゼーションは絞り３２を規定し、マイクロストリップ２８は絞り３２に近接して形成されるマイクロストリップフィード３０を含む。 - 特許庁

Both the metallization and embedded stop layer 50 have exposed surfaces approximately level with each other, with a lower dielectric layer 32.例文帳に追加

金属化層及び埋込みストップ層５０は、互いに下側誘電体層３２とほぼ同一レベルの露出された表面を有する。 - 特許庁

An insulation layer is disposed adjacent to a metallization layer, and a dielectric layer separates a lower plate of a capacitor from the upper plate of the capacitor.例文帳に追加

絶縁層はメタライゼーションの層に隣接し、誘電層はキャパシタの下側プレートをキャパシタの上側プレートから分離する。 - 特許庁

To improve a method for the direct metallization of non-conductive substrate surfaces, in particular polyimide surfaces.例文帳に追加

本発明は、非導電性基板表面、特にポリイミド表面に直接金属層を形成する方法を改良することに関する。 - 特許庁

The inductor is formed in a first metallization layer and includes a lower layer of aluminum patterned in a desired form and etched.例文帳に追加

そのインダクタは、第１のメタライゼーション層に形成され、所望の形状にパターン化されてエッチングされたアルミニウムの下層を含む。 - 特許庁

The electronic device is formed, for example, by laminating an epitaxial semiconductor layer on the improved crystal, performing pattern formation and metallization.例文帳に追加

改良結晶上に、例えばエピタキシャル半導体層の設層、パターン形成及び金属化を行い電子装置を形成する。 - 特許庁

These tungsten rich layers can be used as barrier and/or adhesion layers in tungsten contact metallization and bitlines.例文帳に追加

これらのタングステンリッチ層は、タングステンコンタクトのメタライゼーション、および、ビットラインにおけるバリアおよび／または接着層として用いられうる。 - 特許庁