「Molecular beam epitaxy」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

APPARATUS FOR COMBINATORIAL LASER MOLECULAR BEAM EPITAXY例文帳に追加

コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置 - 特許庁

MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS MAINTENANCE METHOD例文帳に追加

分子線エピタキシー装置およびそのメンテナンス方法 - 特許庁

MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH OF SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

半導体レーザダイオードのＭＢＥ成長 - 特許庁

APPARATUS FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY AND SHUTTER MECHANISM例文帳に追加

分子線結晶成長装置およびシャッタ機構 - 特許庁

SAMPLE AND VAPOR SOURCE FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY例文帳に追加

分子線エピタキシ用試料及び蒸発源 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY FILM FORMATION OF METAL NITROGEN COMPOUND例文帳に追加

金属窒素化合物の分子線エピタキシー成膜方法及び装置 - 特許庁

RAPID MODULATED GROWTH MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

急速変調成長分子線エピタキシー装置とその運転方法 - 特許庁

The A component for the quantum dots is deposited thereon through a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

この上に量子ドット用の、前記Ａ成分をモレキュラービームエピタキシ（MＢE）法により堆積させる。 - 特許庁

CATALYST-DRIVEN MOLECULAR BEAM EPITAXY EQUIPMENT AND METHOD OF MAKING GROUP III NITRIDE MATERIAL GROW USING THE SAME例文帳に追加

触媒分子線エピタキシ装置及びそれを用いてＩＩＩ族窒化物材料を成長させる方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING ACTIVE REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOLECULAR BEAM EPITAXY例文帳に追加

分子線エピタキシーを用いて半導体デバイス内に活性領域を成長させる方法 - 特許庁

The layer 15 may be formed on the substrate 10 by a molecular beam epitaxy.例文帳に追加

この層１５は、分子線エピタキシによって基板１０上に形成されてもよい。 - 特許庁

The barrier layer (4) is formed by the organic metal molecular beam epitaxy method where a growth speed is set to 0.5 to 1.05 nm/second or the gas source molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

成長速度が０．５ｎｍ／秒から１．０５ｎｍ／秒である有機金属分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によって障壁層（４）を形成する。 - 特許庁

Generally, nonpolar 4 H-AlN is grown up on 4 H-SiC (11-20) by molecular beam epitaxy (MBE).例文帳に追加

一般に、無極性４Ｈ−ＡｌＮは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）により４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）上に成長させる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

METHOD OF FLATTENING/CLEANING SURFACE OF CRYSTALLINE InP SUBSTRATE AND METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR DEVICE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY USING IT例文帳に追加

ＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法 - 特許庁

MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS CLEANING METHOD, AND WAFER MANUFACTURED BY USING THESE AND ITS MANUFACTURE METHOD例文帳に追加

分子線エピタキシー装置とそのクリーニング方法およびこれらを用いて製造されたウエハとその製造方法 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

A step for forming the antireflection structure is carried out by any method among a chemical vapor deposition method, a vapor phase epitaxy method and a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

反射防止構造体を形成する工程は、化学蒸着法、気相エピタキシー法、あるいは分子線エピタキシー法のうちのいずれかの方法により行う。 - 特許庁

This method includes a step to grow the active region using a combination of (i) plasma-assisted molecular beam epitaxy; and (ii) molecular beam epitaxy using a gas including nitrogen-containing molecules which dissociate on the surface of the substrate at a temperature at which the active region is grown.例文帳に追加

当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 - 特許庁

In a method of forming the semiconductor layer on a wafer through a molecular beam epitaxy method or a gas source molecular beam epitaxy method, at least two cells, which are installed in face to face with their discharge orifices toward the surface of the wafer where the semiconductor layer is formed, are used at the same time for feeding a single raw material.例文帳に追加

分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によりウエハ上に半導体層を作製する方法において、一つの原料を供給するために、半導体層を作製する面に出射口を向けて設置された少なくとも二つのセルを同時に使用する。 - 特許庁

To provide a sample and a vapor source for molecular beam epitaxy which can vaporize a high melting material at a higher vaporization rate without varying the vaporization amount during the period when the sample is used, and further, to provide a sample and a vapor source for molecular epitaxy which generates a uniform vaporization rate in the sample face.例文帳に追加

本発明は、試料使用期間中にわたり、蒸発量が変動することなく、しかも、高融点物質をより高い蒸発速度で蒸発することが可能な分子線エピタキシ用試料及び蒸発源を提供することを目的とする。 - 特許庁

The substrate is heated to a temperature within a range of 700-800°C, and is exposed to the molecular beam of alkaline-earth-metal elements in a molecular-beam epitaxy-chamber, under a pressure which is within a range of about 10-9-10-10 Torr.例文帳に追加

基板は、摂氏７００ないし８００度の範囲の温度に加熱され、約１０^-9ないし１０^^-10Torrの範囲の圧力において分子線エピタキシ・チャンバの中でアルカリ土類金属線にさらされる。 - 特許庁

To provide a crucible for a molecule beam epitaxial device, whose simple structure may surely prevent the leakage of molecule beam material, and provide a molecular beam epitaxy(MBE) device using the same.例文帳に追加

分子線材料の漏出を簡単な構造で確実に防止することができる分子線エピタキシ装置用ルツボおよびそれを用いたＭＢＥ装置を提供する。 - 特許庁

Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapor deposition (CVD), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE).例文帳に追加

半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。 - 特許庁

This forming method includes forming the carbonaceous film made from fullerene on a substrate by a cluster ion beam technique or a molecular beam epitaxy technique, by using fullerene as the raw material.例文帳に追加

フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing device includes: a crystal deposition device 10 for growing crystals by an organic metal vapor deposition or molecular beam epitaxy method on a substrate; and a heating laser irradiation device 20 for irradiating a heating laser beam 21 on a surface of the substrate.例文帳に追加

基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。 - 特許庁

Moreover, an uneven structure high in aspect ratio or a trench structure is buried with an epitaxial layer 5 by the selective epitaxial growth utilizing the rectilinear propagation property of the molecular beam by molecular beam epitaxy or the anisotropic growth effect by a vapor phase growth (CVD) method or a liquid phase growth (LPE) method.例文帳に追加

また、分子線エピタキシーによる分子線の直進性または、気相成長（ＣＶＤ）法および液相成長（ＬＰＥ）法による異方性成長効果を利用した選択エピタキシャル成長により、アスペクト比の高い凹凸構造またはトレンチ構造をエピタキシャル層５で埋め込む。 - 特許庁

In the pyrolytic boron nitride double vessel for a molecular beam source to be used for the molecular beam epitaxy, the transmissivity of the inner vessel of the pyrolytic boron nitride double vessel with respect to the light having a wave number of 2,600 to 6,500 cm-1 is ≤90% that of the outer vessel.例文帳に追加

分子線エピタキシーで用いる分子線源用熱分解窒化ホウ素製二重容器において、該熱分解窒化ホウ素製二重容器の内容器の、波数２６００ｃｍ^−^１〜６５００ｃｍ^−１の光の透過率が、外容器の９０％以下であることを特徴とする熱分解窒化ホウ素製二重容器。 - 特許庁

A GaInNAs well layer 45, formed of a first group III-V compound semiconductor comprising nitrogen and arsenic as a group V, is formed on a GaAs buffer semiconductor layer 43 by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

ＧａＡｓバッファ半導体層４３上に、Ｖ族として窒素およびヒ素を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなるＧａＩｎＮＡｓ井戸層４５を分子線エピタキシ法で形成する。 - 特許庁

To provide a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus which can discharge ammonia gas with high reliability and realizes reaction growth of a group III nitride compound semiconductor, and to provide a method of its operation.例文帳に追加

信頼性高くアンモニアガスを排出することができるＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の反応性成長を行うようにした分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置及びその操作方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a well layer 39 composed of a second group III-V compound semiconductor containing indium is grown on the GaAs thin film 37b using molecular beam epitaxy.例文帳に追加

分子線エピタキシ法を用いて、インジウムを含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる井戸層３９をＧａＡｓ薄膜３７ｂ上に成長する。 - 特許庁

To provide a cell for molecular beam epitaxy with which high-quality products is produced with high yield by effectively inhibiting short circuit of a thermocouple.例文帳に追加

熱電対の短絡を有効に防止することにより、高品質の製品を歩留まり良く製造することができる分子線結晶成長用セルを提供する。 - 特許庁

To provide a molecular beam epitaxy apparatus which prevents the molecules of unnecessary gas or dust from sticking to the surface of a shroud and improves the efficiency of the maintenance work for removing attachments.例文帳に追加

本発明の目的は、不要ガスやダストの分子がシュラウド表面に付着することを防止できるとともに、付着物除去のメンテ作業性を改善した分子線エピタキシー装置を提供することである。 - 特許庁

The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸４０４に形成された自己組織化InAs量子ドット４０６である。 - 特許庁

Using a sapphire slightly-tilted substrate having an off-angle of 0.5° or less, a plurality of nitride semiconductor films having flatness in an atomic scale are fabricated by a molecular beam epitaxy method to manufacture a nitride semiconductor device.例文帳に追加

オフ角が０．５度以下であるサファイヤ微傾斜基板を用い、分子線エピタキシー法により複数の窒化半導体膜を原子スケールで平坦な膜を作製して窒化物半導体素子を製造する。 - 特許庁

A GaAs cap layer 47, which is formed of a second group III-V compound semiconductor comprising arsenic, is grown by molecular beam epitaxy, after the well layer 45 has been formed.例文帳に追加

井戸層４５を形成した後に、ヒ素を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなるＧａＡｓキャップ層４７を分子線エピタキシ法で成長する。 - 特許庁

To provide a technique for controlling a residual carrier to low concentration without changing characteristics of a semiconductor thin film when epitaxially growing the semiconductor thin film on a semiconductor substrate by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。 - 特許庁

A β-Ga_2O_3 single crystal wafer, prepared by utilizing an optical floating-zone melting method, is used as a substrate, and then a β-Ga_2O_3 single crystal film is grown on the (100) plane of the substrate at a temperature of ≥800°C by a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶膜を成長させる。 - 特許庁

Each of the primary cladding region 4, the primary light guide region 5, the active region 6, the secondary light guide region 7 and the secondary cladding region 8 is deposited by a molecular beam epitaxy.例文帳に追加

第１のクラッド領域（４）、第１の光ガイド領域（５）、活性領域（６）、第２の光ガイド領域（７）および第２のクラッド領域（８）の各々は、分子ビームエピタキシーによって堆積される。 - 特許庁

During its molecular-beam epitaxy, its surface is monitored by a RHEED method for deciding the conversion of the amorphous silicon dioxide into an alkaline-earth-metal oxide.例文帳に追加

分子線エピタキシの間、表面は、RHEED法によりモニタされて、非晶質二酸化シリコンの結晶性アルカリ土類金属酸化物への転化が判断される。 - 特許庁

Molecular beam epitaxy (MBE) equipment (50 or 150) including sources of group III elements (68 or 170), group II elements (72 or 92'), group V elements (70 or 172), and group VI elements is prepared.例文帳に追加

ＩＩＩ族元素ソース（６８、１７０）、ＩＩ族元素ソース（７２、９２’）、Ｖ族元素ソース（７０、１７２）、及びＶＩ族元素ソースを含む分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置（５０、１５０）を準備する。 - 特許庁

To provide a raw material supply device capable of forming a thin film consisting of a compound semiconductor on a surface of an object to be processed in a face-up state in a molecular beam epitaxy (MBE) film forming device.例文帳に追加

ＭＢＥ成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。 - 特許庁

To provide a unibody, multi-piece crucible for use in elemental purification, compounding, and growth of semiconductor crystals, e.g., in the process of molecular beam epitaxy (MBE) for melting silicon or the like at high temperature.例文帳に追加

半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法（ＭＢＥ）において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。 - 特許庁

The manufacture of this semiconductor may be carried out according to a suitable method e. g. an epitaxial growth method such as molecular beam epitaxy, or a method for implanting accelerated ions into an n-type SiC substrate, etc.例文帳に追加

製造は、分子線エピタキシャル法などのエピタキシャル成長法や、ｎ型のＳｉＣ基板に加速したイオンを打ち込む方法など、適宜な方法により行えばよい。 - 特許庁

A II-VI semiconductor superlattice 1 is formed on a substrate 2 by a molecular beam epitaxy method, part of the substrate 2 is removed by etching to expose the semiconductor superlattice 1 to the substrate 2 side and an optical antireflection film 3 is formed on the exposed face.例文帳に追加

分子線エピタキシー法を用いて基板２上にII−VI族半導体超格子１を形成し、基板の一部をエッチングにより除去して半導体超格子１を基板２側に露出させ、この露出面に光反射防止膜３を形成した。 - 特許庁