「N&V」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

δ1=g1(r_n-r)+g2(α_n-α)...(1), δ0= L(AV^2-1)r/V...(4).例文帳に追加

δ１＝ｇ１（ｒ_n −ｒ）＋ｇ２（α_n −α） …（１） δ０＝Ｌ（ＡＶ^2 −１）ｒ／Ｖ …（４） - 特許庁

In addition, a source driver 14 sets the potentials V_s(P, n), V_s(N, n) so determined as to satisfy equation: C=(V_s(P, n)+V_s(N, n))/2-ΔV_gd(n) in source wiring, according to gradation n, and positive pole driving or negative pole driving.例文帳に追加

また、ソースドライバ１４は、Ｃ＝（Ｖ_ｓ（Ｐ，ｎ）＋Ｖ_ｓ（Ｎ，ｎ））／２−ΔＶ_ｇｄ（ｎ）を満足するようにして定められた電位Ｖ_ｓ（Ｐ，ｎ），Ｖ_ｓ（Ｎ，ｎ）を階調ｎおよび正極性駆動か負極性駆動かに応じてソース配線に設定する。 - 特許庁

In the buried pipes, emergency valves V_n-1, V_n and V_n+1 are provided while squeezing both ends of each of the backup pipes.例文帳に追加

埋設配管には、各予備配管の両端を挟んだ形で非常弁Ｖ_ｎ−１，Ｖ_ｎ，Ｖ_ｎ＋１を設ける。 - 特許庁

A peak output estimate value computing section 101c computes an estimate value V_e(n) of V(n) corresponding to V(n-1) and the time difference ΔT.例文帳に追加

そして、ピーク出力推定値算出部１０１ｃが、Ｖ（ｎ−１）と前述のΔＴとに対応するＶ（ｎ）の推定値Ｖ_e（ｎ）を算出する。 - 特許庁

The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加

アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and then a prediction current ide(n+2) and idq(n+2) are calculated in step S14 while using a subsequent voltage vector V(n+1) as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）として、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

Assuming that output voltages of the Hall elements 1-n are V_1-V_n, and that output voltages of the Hall elements 1'-n' are V'_1-V'_n, the position P' of the magnet 9 for the Hall element is determined from equation: P'=F(V_1-V'_1, V_2-V'_2, etc, V_n-V'_n).例文帳に追加

ホール素子用磁石９の位置Ｐ’は、ホール素子１〜ｎの出力電圧Ｖ_１〜Ｖ_ｎ、ホール素子１’〜ｎ’の出力電圧をＶ’_１〜Ｖ’_ｎとすると、Ｐ’＝Ｆ（Ｖ_１−Ｖ’_１，Ｖ_２−Ｖ’_２，・・・，Ｖ_ｎ−Ｖ’_ｎ）より求まる。 - 特許庁

Then, if it is determined that the error edq(n+2) is not more than the threshold eth, the subsequent voltage vector V(n+1) is used as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

そして、以下であると判断される場合には、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）とする。 - 特許庁

A weight to the V_n-0is heavier than those to writing speeds V_n-m,..., V_n-2, and V_n-1.例文帳に追加

筆記速度Ｖ_ｎ−０に対する重み付けは筆記速度Ｖ_ｎ−ｍ、…、Ｖ_ｎ−２、Ｖ_ｎ−１に対する重み付けよりも高い。 - 特許庁

A root roll-off cosine filter 103 makes only the signal of Nyquist bandwidth pass through, an error- calculating circuit 104 calculates error between this signal v(n) and a nearest code point d(n), and outputs d(n) to an error correction section.例文帳に追加

ルートロールオフコサインフィルタ１０３はナイキスト帯域幅の信号のみを通過させ、誤差算出回路１０４がこの信号v(n)と最も近い符号点d(n)との誤差を算出し、d(n)を誤り訂正部に出力する。 - 特許庁

The intermediate variable calculation part determines a first intermediate variable v_0 of c bits, and repeats calculation for finding an intermediate variable v_n from an intermediate variable v_n-1 using a bit string Δ_n N times so as to find an intermediate variable v_N.例文帳に追加

中間変数計算部は、ｃビットの最初の中間変数ｖ_０を定め、ビット列Δ_ｎを用いて中間変数ｖ_ｎ−１から中間変数ｖ_ｎを求める計算をＮ回繰り返し、中間変数ｖ_Ｎを求める。 - 特許庁

When R>V 0/vmin, V=vi and desired enlargement can be performed with a setting of N/M=R.V/V0.例文帳に追加

ズーム率Ｒ＞Ｖ０／ｖminの場合は、以下の設定で所望の拡大を行える。 - 特許庁

The number (n) of guard rings is ≥ withstand voltage Vbr(V)/100 and the intervals are, for example, ≤1 μm, or narrow.例文帳に追加

ガードリングの数ｎを耐圧Ｖbr（V ）／１００以上とし、間隔を例えば１μm以下と狭くする。 - 特許庁

When a voltage value V_n of a secondary battery 1 is a prescribed voltage value or higher, a control part 8 stores a difference ΔV_n between a current voltage V_n and a voltage value V_n-N which is detected N-time before in a storage part 6 as ΔV_max.例文帳に追加

二次電池１の電圧値Ｖ_ｎが所定の電圧値以上である場合に、制御部８は現在の電圧値Ｖ_ｎおよびＮ回前に検出された電圧値Ｖ_ｎ−Ｎの差ΔＶ_ｎをΔＶ_ｍａｘとして記憶部６に格納する。 - 特許庁

The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０は、ｎ型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁

As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加

Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁

The data is processed by the display processing device 4 based upon target detection data v_1, v_2, ..., v_N to be displayed.例文帳に追加

表示処理装置４では、目標検出データｖ_1 ，ｖ_2 ，…，ｖ_N に基づいて処理されて表示される。 - 特許庁

The subtractor circuit 33 subtracts the voltage V_n-1 from the voltage V_n and outputs a voltage U_n, in response to the result of the subtraction.例文帳に追加

減算回路３３では、電圧値Ｖ_ｎから電圧値Ｖ_ｎ−１が減算されて、その減算結果に応じた電圧値Ｕ_ｎが出力される。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

Then, a switch 12 connects a source line S_n+1 to wiring 5 for setting a potential V_p or wiring 6 for setting a potential V_n.例文帳に追加

このとき、スイッチ１２は、ソースラインＳ_ｎ＋１をＶ_ｐ設定用配線５またはＶ_ｎ設定用配線６に接続させる。 - 特許庁

A power supply part 112b applies the voltage V_N corresponding to the voltage value V_N* set by the voltage value setting part 126, to the neutralizer 102.例文帳に追加

電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 - 特許庁

The value on the rotating coordinate system of the voltage vector V(n+1) is made a central vector in one control cycle Tc of the voltage vector V(n+1).例文帳に追加

電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）の回転座標系での値を、電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）の１制御周期Ｔｃにおける中央のベクトルとする。 - 特許庁

The part between the R and S-N and the N-T phases and the part between the R and S-T phases are set to a 100 V circuit and a 200 V circuit, respectively.例文帳に追加

Ｒ，Ｓ−Ｎ相間及びＮ−Ｔ相間は100V回路、Ｒ，Ｓ−Ｔ相間は200V回路となる。 - 特許庁

It is possible that, in addition to the above composition, N is contained so as to be regulated to ≤600 ppm, or Ca is contained by ≤0.01%, one or more kinds selected from V, Nb and Ti are contained by ≤0.5% in total, and Al is contained by ≤1.5%.例文帳に追加

上記組成に加えNを600ppm以下に規制し、あるいは、Caを0.01%以下、V,Nb,Tiのうち1種類以上を合計で0.5%以下、Alを1.5%以下含んでもよい。 - 特許庁

Next, a normalized drilling speed ratio V_N is calculated by so normalizing the corrected drilling speed V_R that these values are changed from 0 to 1.例文帳に追加

次に、修正削孔速度Ｖ_Rを、それらの値が０から１となるように正規化して正規化削孔速度比Ｖ_Nを算出する。 - 特許庁

A vehicle speed conversion part 31 computes running resistance N to a vehicle speed V converted from a current rotational speed Rv on the basis of a resistance map 32.例文帳に追加

車速変換部３１が現在の回転速度Rvを変換した車速Vに対する走行抵抗Nを抵抗マップ３２から算出する。 - 特許庁

Writing speeds V_n-m,..., V_n-2, and V_n-1 of m preceding characters are stored in a writing speed storage part 13.例文帳に追加

筆記速度格納部１３は、ｍ文字前までの筆記速度Ｖ_ｎ−ｍ、…、Ｖ_ｎ−２、Ｖ_ｎ−１を格納する。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

The general formula (1): η=η0En (η0 is a constant and E is the electric field (V/cm)).例文帳に追加

一般式（１） η＝η_0Ｅ^n （η_0は定数、Ｅは電場（Ｖ／ｃｍ）） - 特許庁

A 2nd element is represented by (TiuNv), in which N means an element other than Ti.例文帳に追加

（Ｔｉ_u Ｎ_v ）が第２の元素であり、ＮはＴｉ以外の元素である。 - 特許庁

Furthermore, a corrected frame 142-1 is generated based on the motion vectors V(N+1), and a corrected frame 142-2 is generated based on motion vectors V(N+2)' obtained by adding the motion vectors V(N+1) and the motion vectors V(N+2).例文帳に追加

そして動きベクトルＶ（Ｎ＋１）に基づいて補正フレーム１４２−１が生成され、動きベクトルＶ（Ｎ＋１）と動きベクトルＶ（Ｎ＋２）を加算した補正動きベクトルＶ（Ｎ＋２）’に基づいて補正フレーム１４２−２が生成される。 - 特許庁

V_region variable region of immunoglobulin light and heavy chains, and T-cell receptor alpha, beta, and gammachains; codes for the variable amino terminal portion; can be made up from V_segments, D_segments, N_regions, and J_segments 例文帳に追加

V_region免疫グロブリン軽鎖及び重鎖，並びにT-細胞受容体アルファ鎖，ベータ鎖及びガンマ鎖の変異性領域。変異性アミノ末端部分についてのコード。V-segments，D-segments，N-regions，及び J-segmentsから構成可能。 - 特許庁

For all k (k=1,2,...,n), data ext_k(v^*) of all or some tuples including coincided data v^* are obtained in a predetermined order and then a set of ext_k(v^*) (k=1,2,...,n) of v_* of the same order is obtained.例文帳に追加

すべてのｋ（ｋ＝１，２，…，ｎ）について、一致データｖ^＊を含むタプルの全部または一部のデータｅｘｔ_ｋ（ｖ^＊）を所定の順序で取得した後に、同一の順序のｖ_＊のｅｘｔ_ｋ（ｖ^＊）（ｋ＝１，２，…，ｎ）の集合を取得する。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and prediction currents ide(n+2) and idq(n+2) are computed assuming that the number of phases in changing over the switching state from a voltage vector V(n) at this time is "1" or less for the voltage vector V(n+1) at the next time in step S14.例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を、今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）からのスイッチング状態の切り替えられる相数が「１」以下のものとして、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, in the step S12, prediction currents ide(n+1), iqe(n+1) of one control period Tc forward are calculated on the basis of the voltage vector V(n).例文帳に追加

続くステップＳ１２においては、電圧ベクトルＶ（ｎ）に基づき、１制御周期Ｔｃ先の予測電流ｉｄｅ（ｎ＋１），ｉｑｅ（ｎ＋１）を算出する。 - 特許庁

When V(n) is less than Vth, a section (n) is acknowledged as an intermittent measurement section, and a measurement period is set to C(n) = C1 regardless of the previous period.例文帳に追加

Ｖ（ｎ）がＶｔｈ未満のとき、区間ｎは間欠計測区間と認定され、計測周期は前の周期に拘わらずＣ（ｎ）＝Ｃ１に設定される。 - 特許庁

Based on potential V_OUT+ of a non-inverting output terminal N_OUT+ and potential V_OUT- of an inverting output terminal N_OUT- of BTL amplifier 2, an erroneous connection state that N_OUT+ or N_OUT- is short-circuited to a power source V_CC, etc. is detected.例文帳に追加

ＢＴＬ増幅器２の非反転出力端子Ｎ_ＯＵＴ＋の電位Ｖ_ＯＵＴ＋及び反転出力端子Ｎ_ＯＵＴ−の電位Ｖ_ＯＵＴ−に基づいて、Ｎ_ＯＵＴ＋又はＮ_ＯＵＴ−が電源Ｖ_ＣＣ等に短絡した誤接続状態を検出する。 - 特許庁

Consequently, the S/N ratio (SNR_out) of the output signal V_out can be made higher than the S/N ratio (SNR_in) of the input signal V_in, in a wide range from a stage in which the noise mixed in the input signal V_in is weak.例文帳に追加

よって、入力信号Ｖ_inに混入したノイズが弱い段階から広い範囲で、出力信号Ｖ_outのＳ／Ｎ比（ＳＮＲ_out）を入力信号Ｖ_inのＳ／Ｎ比（ＳＮＲ_in）より高くし得る。 - 特許庁

In the case that N-sets of consecutive samples of the received data 201 are the same value V (V=1 or 0), it is discriminated that (N/2) sets of data with the value V are continuously received when the N is an even number.例文帳に追加

受信データ201のサンプリング値がＮ個連続して同じ値Ｖ（Ｖ＝１or０）になった場合、Ｎが偶数なら値Ｖのデータが（Ｎ÷２）個連続して受信されたと判定する。 - 特許庁

Positive - negative judgment is conducted by calculating a vector v[jV] from a given point P to a vertex jV, and calculating inner product (v[jV],n[iS]) of the v[jV] and a normal n[iS] of a an iS-th face in step S106.例文帳に追加

与えられた点Ｐから頂点ｊ_ｖへのべクトルｖ［ｊ_ｖ］を計算し、ステップＳ１０６ではｖ［ｊ_ｖ］とｉ_Ｓ番目の面の法線ｎ［ｉ_Ｓ］との内積（ｖ［ｊ_ｖ］，ｎ［ｉ_Ｓ］）を計算し、正負判定を行う。 - 特許庁

From an input voltage value V and a motor speed (n) into the inverter 3, and a torque command value T into the motor 2, a current value I is calculated using a following equation (1): I(A)= 2π × T(Nm) × n(rpm) × Km ÷ {60(s) × V(V)}.例文帳に追加

インバータ３への入力電圧値Ｖとモータ回転数ｎ、およびモータ２へのトルク指令値Ｔから、式（１）：Ｉ（Ａ）＝２π×Ｔ（Ｎｍ）×ｎ（ｒｐｍ）×Ｋｍ÷｛６０（ｓ）×Ｖ（Ｖ）｝により電流値Ｉを算出する。 - 特許庁

The reference voltage for each input upper limit value is set to satisfy a relation V_1≤V_2≤...≤V_n, wherein the number of set input upper limit values is n, and the reference voltages for the input upper limit values are V_1, V_2, ..., V_n in the descending order.例文帳に追加

入力上限値毎の基準電圧は、設定された入力上限値の数をｎとし、入力上限値毎の基準電圧を、対応する入力上限値の値が高いものから順にＶ_1、Ｖ_2、・・・、Ｖ_nとしたときに、Ｖ_1≦Ｖ_2≦・・・≦Ｖ_nとなるように設定する。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁