「P 23」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

Further, boron, etc. are selectively injected into the p-well region 23 from the direction vertical to the surface of the substrate to form p^+-well contact region by activating the p-well region 23.例文帳に追加

基板表面の鉛直方向からｐウェル領域２３に選択的にホウ素等を注入し、活性化させてｐ^+ウェルコンタクト領域を形成する。 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加

ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。 - 特許庁

Below the well region 26, a P+ embedded layer 23 is formed.例文帳に追加

ウェル領域２６の下部にはＰ＋埋込層２３を形成する。 - 特許庁

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

A dielectric film 22 is formed thereon, and a P-side electrode 23 and a N-side electrode 24 are formed.例文帳に追加

その上に誘電体膜22を形成し、ｐ側電極23とｎ側電極24を形成する。 - 特許庁

Further, a P+ buried layer 23 is formed below the well region 26.例文帳に追加

ウェル領域２６の下部にはＰ＋埋込層２３を形成する。 - 特許庁

A P+ embedded layer 23 is formed in the lower part of the region 26.例文帳に追加

ウェル領域２６の下部にはＰ＋埋込層２３を形成する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 23 is formed on the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上に層間絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

The client 13 receives the solution at a solution input section 21, decodes it using the matrix P, Q at an inverse transformation section 22 and outputs to solution output section 23, and the solution output section 23 outputs the solution to an output device 15.例文帳に追加

クライアント13では、解入力部21で解を受け、逆変換部22で行列P，Qを用いて復号化して解出力部23に出力し、解出力部23は出力装置15に解を出力する。 - 特許庁

This roller cutter type fiber bundle-cutting device is provided by supporting a plurality of cutters 23 with cutter rollers 20 by fixing and installing the cutters by taking a prescribed pitch P in the circumferential direction of the rollers without protruding cutter blade stays 22 to the side surface in the pitch direction of the cutters 23.例文帳に追加

複数のカッター(23)はカッター刃ステー(22)をカッター(23)のピッチ方向の側面に突出することなくローラ周方向に所要のピッチ(P) をもって固設することにより、カッターローラ(20)に支持されている。 - 特許庁

A p-SiOC film 22 is formed and a cap film 23 is formed on the p-SiOC film 22.例文帳に追加

次に、ｐ−ＳｉＯＣ膜２２を形成し、ｐ−ＳｉＯＣ膜２２上にキャップ膜２３を形成する。 - 特許庁

After that, a p^+ isolation region 24 is formed on the sidewall of the trench 23.例文帳に追加

そして、トレンチ２３の側壁にｐ^+分離領域２４を形成する。 - 特許庁

When the P-side electrode 23 is formed, an electrode is formed also on the pickup trapezoidal part at the same time.例文帳に追加

ｐ側電極23を形成する際、同時にピックアップ用の台形部分の上にも電極を形成する。 - 特許庁

The invention relates to the antiallergic composition characterized by containing any one or two or more of the Lactobacillus crispatus KT-11 strain (FERM P-21457), KT-23 strain (FERM P-21458) and KT-25 strain (FERM P-21459), and a medicine, food and drink or a supplement, pet food or a supplement for pets and feed containing the composition.例文帳に追加

すなわち本発明は、ラクトバチルス・クリスパタス（Lactobacillus crispatus）KT-11株（FERM P-21457）、KT-23株（FERM P-21458）、KT-25株（FERM P-21459）のいずれか1種あるいは２種以上含有することを特徴とする抗アレルギー用組成物及びそれを含有する医薬品、飲食品又はサプリメント、ペットフード又はペット用サプリメント及び飼料に関するものである。 - 特許庁

As for waveform data W(p) of performance strength (mp) and performance strength (p), which are weaker than the waveform (mf), an attack section waveform data Wa(mp) and an attack section waveform data Wa(p) which are created by similar attack waveform creation processing B and C, are stored in the waveform memory 23.例文帳に追加

演奏強度(mf)より弱い演奏強度(mp)、演奏強度(p)の波形データW(p)については、同様のアタック波形作成処理Ｂ、Ｃを行う作成したアタック部波形データWa(mp)、アタック部波形データWa(p)を波形メモリ２３に記憶する。 - 特許庁

A high frequency noise component extract means 23 obtains a high frequency noise component N'(p) resulting from eliminating a low frequency noise component Vave(p) from the noise component N(p).例文帳に追加

高周波ノイズ成分抽出手段２３が、低周波ノイズ成分Ｎ_ave（ｐ） が除去された高周波ノイズ成分Ｎ’（ｐ）を求める。 - 特許庁

The paper feed roller 25 is pressed against the recording paper P, and the recording paper P receives a frictional force from the conveying path 23.例文帳に追加

給紙ローラ２５は記録用紙Ｐに圧接され、また、記録用紙Ｐは搬送路２３から摩擦力を受ける。 - 特許庁

A data extracting section 23 for pilot symbol extracts a pilot symbol P inserted into each slot in one frame.例文帳に追加

パイロットシンボルのデータ抽出部２３は、１フレーム中の各スロットに挿入されたパイロットシンボルPを抽出する。 - 特許庁

Previously the feeding pitch P is set by a feeding pitch setting device 23.例文帳に追加

あらかじめ、送りピッチ設定器２３により送りピッチＰを設定しておく。 - 特許庁

A conveying part 23 conveys the paper P on the tray 22 from the right to the left.例文帳に追加

搬送部２３は、トレイ２２上の用紙Ｐを右から左に搬送する。 - 特許庁

In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加

(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁

In an inspection process of crystallinity of a p-Si film 23, irradiation light Lout is emitted to the p-Si film 23 and an a-Si film 230 to acquire transmission images of the p-Si film 23 and the a-Si film 230.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。 - 特許庁

The front end of a raw water supply branch pipe 31A branched from the raw water supply pipe 31 is connected to a water treatment appliance P, and the front end of a treated water feed pipe 5 extended from the water treatment appliance P is connected to the basic end of the water discharge pipe 23 through the joint member 4.例文帳に追加

原水供給管31から分岐した原水供給枝管31Aの先端が水処理器Pに接続され、水処理器Pから伸びる処理水送出管5の先端が継手部材4を介して吐水管23の基端に接続される。 - 特許庁

The vertical npn transistor T0 has an n well 22 formed in the p-type semiconductor substrate 21, a p well 23 formed in the n well 22, and an n-type region 24 formed in the p well 23.例文帳に追加

縦型ＮＰＮトランジスタＴ０は、Ｐ型半導体基板２１に形成されたＮウェル２２と、Ｎウェル２２に形成されたＰウェル２３と、Ｐウェル２３に形成されたＮ型領域２４とを有している。 - 特許庁

A separation distance D between the P layer 22, 23 is set at 50 μm or smaller.例文帳に追加

Ｐ層２２，２３間の分離距離Ｄは５０μｍ以下に設定されている。 - 特許庁

A lower side seal surface part 23 opposed to the dash panel P is formed on the case 3.例文帳に追加

ケース３にダッシュパネルＰと対向する下側シール面部２３を形成する。 - 特許庁

The paper sheet feeding means 23 contacts with the printing paper sheet P by a contact pressure corresponding to the kind of the printing paper sheet P.例文帳に追加

給紙手段２３は、印刷用紙Ｐの種類に対応した接触圧力で印刷用紙Ｐに接触する。 - 特許庁

An n-well 23 and a p-well 24 are formed on a silicon substrate 22, and a memory cell forming region 25 is formed in the p-well 24.例文帳に追加

シリコン基板２２に、Ｎウェル２３、Ｐウェル２４を形成し、Ｐウェル２４にはメモリセル形成領域２５を設ける。 - 特許庁

A p-side electrode 17 is formed on a p-type gallium nitride-based semiconductor region 23 of the semiconductor lamination 15.例文帳に追加

ｐ側電極１７は、半導体積層１５のｐ型窒化ガリウム系半導体領域２３上に設けられている。 - 特許庁

The pallet P drawn onto the carrying truck is lifted and the first and second engaging tools 22, 23 of the pallet P are disengaged from the first and second engaging tools 22, 23 of the pallet P in the front-row housing space and the pallet P on the carrying truck is detached from the pallet P in the front-row housing space in the case of leaving.例文帳に追加

出庫時、搬送台車上に引き込んだパレットＰを上昇させてその第１及び第２係合具２２，２３を前列格納スペースのパレットＰの第１及び第２係合具２２，２３から離脱させて搬送台車上のパレットＰを前列格納スペースのパレットＰから切り離す。 - 特許庁

In the inspection processing of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 with an irradiating light Lout from a rear side of a movable stage 11, on which a transparent substrate 20 (Si thin-film substrate 2) formed with the p-Si film 23 is mounted.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３が形成された透明基板２０（Ｓｉ薄膜基板２）を搭載する可動ステージ１１の裏側から、ｐ−Ｓｉ膜２３へ向けてＬＥＤ１２によって、照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

When the unclamping is changed over to the clamping, a main pressure source P is connected with a clamping side of the clamp cylinder 23 by a hydraulic network, and at the same time, it is connected with a locking side of the lock cylinder 31 at a set pressure with the reduced pressure of the main pressure source P.例文帳に追加

アンクランプ時からクランプ時に切替る際に、油圧回路網によって、元圧源Pが、クランプシリンダ23のクランプ側に連通させられ、これと同時に、元圧源Pの圧力が減圧した設定圧でロックシリンダ31のロック側に連通させられる。 - 特許庁

As a result, when the photographic paper P comes into contact with the guide roller 23, the guide roller 23 turns in the direction where the impact exerted on the guide roller 23 is absorbed.例文帳に追加

これにより、印画紙Ｐがガイドローラ２３と接触したときには、ガイドローラ２３に加わる衝撃を吸収する方向に上記ガイドローラ２３が回動する。 - 特許庁

The part to be treated 31 is disposed in a definite pitch (P), and moves at the velocity (v) sliding on the anode 23-1 and 23-2.例文帳に追加

被処理部品３１は、一定のピッチ（Ｐ）で配列し、陽極２３−１，２３−２と摺動して速度（ｖ）で移動する。 - 特許庁

Water containing a detergent is used as cleaning water P for the washbowl 23.例文帳に追加

洗面ボウル２３用の洗浄水Ｐには洗剤を含有する水が用いられる。 - 特許庁

After cooling in the cooling chamber 23, a valve body 24a is rotated to supply the GH pellet P received in a holding chamber 24c to a supplying passage 25 for supplying the GH pellet P to a depressurizing step.例文帳に追加

冷却室23での冷却後、弁体24aを回動させて保持室24cに受容されたGHペレットＰを脱圧工程へ供給する供給路25に供給する。 - 特許庁

Water containing a detergent is used as the cleaning water P for the washbowl 23.例文帳に追加

洗面ボウル２３用の洗浄水Ｐには洗剤を含有する水が用いられる。 - 特許庁

In inspection processing on the crystallinity of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 and an a-Si film 230 with irradiation light Lout.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

When the dynamo heat quantity P is lower than the reference heat quantity, the electric valve 23 is closed.例文帳に追加

ダイナモ熱量Ｐが基準熱量より低い場合は、電動バルブ２３を閉じる。 - 特許庁

To enhance lubricating performance of a counter face (P) between a fixed scroll (22) and a movable scroll (23) when using a centrifugal pump (37) in a low-pressure dome type scroll compressor (1).例文帳に追加

低圧ドーム型のスクロール圧縮機（1）において遠心ポンプ（37）を用いた場合に、固定スクロール（22）と可動スクロール（23）の間の対向面（P）の潤滑性能を高める。 - 特許庁

A p-type base layer 23 is provided in the main cell 21, and an n-type emitter layer 24 is disposed on a part of the upper surface of the p-type base layer.例文帳に追加

メインセル２１においては、ｐ型ベース層２３を設け、その上層部分の一部にｎ型エミッタ層２４を設ける。 - 特許庁

The image sensor 26 images the document P based upon the light which is emitted by the light source unit 23 and reflected by the document P.例文帳に追加

イメージセンサ２６は、光源ユニット２３から照射されて原稿Ｐで反射した光に基づいて、原稿Ｐを撮像する。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁