「PLASMA-PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma processing apparatus which achieves an improved throughput by adjustment of the temperature of an inner side wall of a process chamber.例文帳に追加

処理室の内側壁の温度を調節してスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of easily and efficiently making the fine adjustment of an inter-electrode distance.例文帳に追加

電極間距離の微調整を容易かつ効率的に行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

After that, residues existing on the surface of the exposed lower layer metal film are removed by oxygen-based plasma processing.例文帳に追加

その後、その露出した下層金属膜の表面に存在する残渣を酸素系プラズマ処理により除去する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of uniformly cooling a planar antenna or a dielectric window, in the circumferential direction thereof.例文帳に追加

平面アンテナや誘電体窓を周方向に均一に冷却できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the discharge device (a plasma processing device in this embodiment) which is inexpensive and has the strong effect is provided.例文帳に追加

その結果、低コストで効力が強い放電装置（実施例ではプラズマ処理装置）を提供することができる。 - 特許庁

To ensure the safety by reliably exhausting residual gas from a chamber before the chamber of a plasma processing apparatus is opened.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバ開放時に、チャンバ内に残留するガスを確実に排気して安全性を確保する。 - 特許庁

To provide a technique capable of performing plasma processing with a high degree of in-plane uniformity for a wafer, which is a substrate.例文帳に追加

基板であるウエハに対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うことができる技術を提供する。 - 特許庁

The elastomeric member is brought into contact with a grounded component of the plasma processing system when the door is in the closed position.例文帳に追加

エラストマー部材は、ドアが閉位置にあるときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 - 特許庁

To provide a plasma processing system in which the temperature distribution of a mounting table can be controlled in a short time with high accuracy.例文帳に追加

載置台の温度分布を短時間にかつ高精度に制御することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide magnetic clips for use with a substrate holder for holding a substrate in a processing chamber of a plasma treatment system.例文帳に追加

プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。 - 特許庁

After this, the resist is removed by dry ashing using a plasma or wet processing, using a resist-peeling liquid.例文帳に追加

その後、プラズマを用いたドライアッシングまたはレジスト剥離液を用いたウエット処理により、前記レジストを除去する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which improves the uniformity of the inplane temperature of a gas supply member.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、ガス供給部材の面内温度の均一性を向上させた装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor chip capable of suppressing processing shape variations caused by etching in a plasma dicing method for semiconductor wafers.例文帳に追加

半導体ウェハのプラズマダイシング工法において、エッチングによる溝の加工形状のバラツキを抑制する。 - 特許庁

A reactive plasma cleaning process is employed for reducing the time required to clean a processing chamber.例文帳に追加

反応性プラズマクリーニングプロセスを利用して処理チャンバを洗浄するのに必要な時間を短縮する方法と装置。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which the in-plane uniformity of processed shape is improved and charging damage is reduced.例文帳に追加

加工形状の面内均一性向上及びチャージングダメージを低減したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Diluting the plasma increases the etching rate and makes the etching rate more uniform across the diameter of the processing chamber.例文帳に追加

プラズマを希釈すると、エッチング速度が増大し、エッチング速度が処理チャンバの直径両端まで均一になる。 - 特許庁

To rapidly measure the distribution of light emission intensity of plasma generated in a vacuum processing chamber with a simple structure.例文帳に追加

真空処理室内に生成されたのプラズマの発光強度の分布を簡易な構成で高速に測定する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of maintaining a thickness of a discharge gap even when a thermal stress is caused by discharge.例文帳に追加

放電による熱応力が生じても放電ギャップの厚さを維持可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system having an optimized top piece that can substantially be handled by a single person.例文帳に追加

実質的に一人で操作可能な、最適化された上部部材を備えたプラズマ処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of controlling easily and freely distribution characteristics for process characteristics or an electron density on a substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板上の電子密度あるいはプロセス特性の分布特性を容易かつ自在に制御すること。 - 特許庁

To provide a plasma display panel driving apparatus, a signal processing method therefor, and an image display apparatus therefor.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル用駆動装置及びその信号処理方法並びにその映像表示装置を提供する。 - 特許庁

The method is for examining a plasma processing system having a chamber, an RF (radio frequency) power supply, and a matching network.例文帳に追加

本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。 - 特許庁

To form a gas jetting vent hole in an electrode plate for a plasma processing device, wherein the vent hole has high shape accuracy.例文帳に追加

プラズマ処理装置用の電極板に形状精度の良好なガス噴出用の通気孔を形成する。 - 特許庁

To easily and inexpensively start high frequency discharge and to stably maintain discharge in a plasma processing.例文帳に追加

プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にし放電を安定に維持すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of varying an AC ratio without installing a largely scaled-up movable unit.例文帳に追加

大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

After laser crystallization is carried out by light irradiation on a semiconductor layer on a substrate, oxygen plasma processing is performed.例文帳に追加

基板上の半導体層に光照射を行いレーザー結晶化を行った後、酸素プラズマ処理を施す。 - 特許庁

The substrate manufacturing method performs primary plasma ashing processing, after a first heating of the substrate, on which a photoresist is formed.例文帳に追加

基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

Simultaneously with introduction of this plasma, the carrier gas (He) is introduced into the processing chamber 1 from the other gas introducing port.例文帳に追加

このプラズマ導入と同時に、別のガス導入口よりキャリアガス（Ｈｅ）を処理チャンバ１内に導入する。 - 特許庁

Then, after decreasing the substrate temperature in the state of atmospheric pressure, secondary plasma ashing processing of the substrate is once again performed.例文帳に追加

続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

To provide a plasma-processing device or a dry-etching method for etching a film structure having steps with high accuracy.例文帳に追加

段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Titanium black which generates no abnormal discharge during the plasma processing is used for black pigment of the black matrix 1.例文帳に追加

ブラックマトリクス１の黒色顔料には、プラズマ処理持異常放電を発生させないチタンブラックが用いられる。 - 特許庁

The plasma processing layer 13A has an ionic functional group bonded to carbon constituting the carbonaceous film 13.例文帳に追加

プラズマ処理層１３Ａは、炭素質膜１３を構成する炭素と結合したイオン性の官能基を有している。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus 1000, an anode 1060 and cathodes 1062 are provided on the way of a channel 1018.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０００においては、アノード１０６０及びカソード１０６２が流路１０１８の途中にある。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer which can realize plasma dicing with a low cost.例文帳に追加

低コストでプラズマダイシングを実現することができる半導体ウェハの処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Two sets of anode electrode and cathode electrodes 12 are arranged opposing each other in a chamber of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバー内に、アノード電極とカソード電極１２とが２組、対向状に配置されている。 - 特許庁

To provide a substrate support stage of a plasma processing apparatus, which has a simple structure and prevents an electrical discharge at a connection terminal.例文帳に追加

簡易な構造で、接続端子における放電を防止するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing equipment, by which volume of a region where plasma is generated is made smaller than the conventional volume, while securing conductance with respect to gas flow, and restraining generation of plasma leakage and deposits.例文帳に追加

ガス流に対するコンダクタンスを確保しつつプラズマ発生領域の容積を従来に比べて小さくすることができ、かつ、プラズマリークの発生や堆積物の発生を抑制することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus is provided with measurement means (51A, 53A to 53E, 54) for measuring electric field of a sheath SH, formed on a plasma circumferential edge and a control means (55) for controlling the parameters of plasma generation, based on the measurement results of the measurement means.例文帳に追加

プラズマ周縁に形成されるシースＳＨの電界を計測する計測手段（５１Ａ，５３Ａ〜５３Ｅ，５４）と、この計測手段の計測結果に基づきプラズマ生成のパラメータを制御する制御手段（５５）とを備える。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus 10, the electronic energy distribution of the plasma generated in the plasma generating chamber 12 can be controlled by just moving the operation bar 171 with the moving mechanism 172 in a longitudinal direction to adjust the distance between the high-frequency antenna 16 and the plasma controlling plate 17; therefore, the plasma processing in accordance with the kind of gas molecules to be dissociated or its dissociation energy can be easily performed.例文帳に追加

このプラズマ処理装置１０では、移動機構１７２により操作棒１７１を長手方向に動かし、高周波アンテナ１６とプラズマ制御板１７の間の距離を調整するだけで、プラズマ生成室１２内で生成されたプラズマの電子エネルギー分布を制御することができるため、解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じたプラズマ処理を容易に行うことができる。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus for processing the sample placed on a sample stage 150 located in the inside of a processing chamber 100 by using plasma produced in the processing chamber 100, at least one of members 3 freely attachably/detachably fitted to/from one side of the inner wall 1 of the processing chamber has a part coated by a material 31 different from that of the other parts.例文帳に追加

処理室１００の内側に配置された試料台１５０上に載置された試料を、処理室１００内に生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置において、処理室内壁１面に着脱自在に取付ける部材３の少なくとも１つは、他の部位とは異なる材料３１で被覆された部位を有する。 - 特許庁

When an irradiation of plasma 28 is carried out to a wiring 19 of a printed-wiring substrate 17 to clean, a plasma concentrated processing is applied to the printed-wiring substrate 17 such that the plasma concentrate on the wiring 19 to be cleaned to generate the plasma 18 on an area fronting on the wiring 19, and the generated plasma 18 is irradiated on the wiring 19.例文帳に追加

プリント配線基板１７の配線１９にプラズマ１８を照射して洗浄するとき、洗浄すべき配線１９にプラズマを集中させるようにプリント配線基板１７にプラズマ集中処理を施し、配線１９に臨む領域でプラズマ１８を発生させ、発生させたプラズマ１８を配線１９に照射する。 - 特許庁

In a substrate processing device having an outside tank, an inside tank and opposed electrodes, to change a gap between the opposed electrodes according to processing, to prevent a processing gas from leaking to the outside tank even if the gap is changed, and to prevent the plasma density in the inside tank from being reduced when plasma processing is performed.例文帳に追加

外槽と内槽と対向電極とを備える基板処理装置において、処理に応じて対向電極の電極間隔を異ならせることができると共に、電極間隔を異ならせても外槽にまで処理用のガス等が漏れず、また、プラズマ処理を行う場合には内槽内のプラズマ密度が低下しないようにする。 - 特許庁

To provide a plasma discharge processing apparatus and a plasma discharge processing method enabling high quality discharge processing even when the type of a base material, such as the width of the base material, changes; having a simple structure; not requiring complicated control; and enabling surface processing and thin film formation excellent in cost and productivity.例文帳に追加

プラズマ放電処理装置において、基材の種類（基材幅）の変更があっても、高品質の放電処理が可能な、簡易な構成で、複雑な制御を必要としない、コスト的にも、生産性的にも優れた表面処理や薄膜形成を可能とするプラズマ放電処理装置及びプラズマ放電処理方法の提供。 - 特許庁

The patterning apparatus has a laser irradiating device 30 for so irradiating a laser light L on the predetermined place of the processing object material S as to remove the processing object material S present in the predetermined place, a plasma generating device 40 for gasifying by a plasma the removed processing object material S, and a discharging device 50 for discharging the gasified processing object material S.例文帳に追加

処理対象材Ｓの所定箇所にレーザ光Ｌを照射して、所定箇所の処理対象材Ｓを除去するレーザ照射装置３０と、除去された処理対象材Ｓをプラズマによりガス化するプラズマ発生装置４０と、ガス化された処理対象材Ｓを排出する排出装置５０とを備える。 - 特許庁