「Phase III」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS FOR GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の気相成長装置 - 特許庁

GAS PHASE GROWTH OF GROUP III TO V ELEMENT COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法 - 特許庁

To easily back-extract trivalent and tetravalent actinoid ions in an aqueous phase after extracting the trivalent and tetravalent actinoid ions such as Np (IV), Pu (III), Pu (IV), Am (III) and Cm (III) in an organic solvent so as to contribute to the process design for spent fuel reprocessing or the like.例文帳に追加

Np(IV)，Pu(III) Pu(IV)，Am(III)，およびCm(III)のような３，４価のアクチノイドイオンを有機溶媒に抽出した後に簡便に水相に逆抽出することは使用済み燃料再処理などのプロセス設計において重要な課題である。 - 特許庁

A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加

相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH METHOD AND VAPOR PHASE GROWTH DEVICE OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の気相成長方法および気相成長装置 - 特許庁

GAS PHASE GROWING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

気相成長装置、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体基板 - 特許庁

The vapor phase growth device allows a nitride-based semiconductor layer to be subjected to vapor phase growth on a substrate by using a group III material gas and a group V material gas.例文帳に追加

III族原料ガスとＶ族原料ガスとを用いて基板上に窒化物系半導体層を気相成長させる気相成長装置が提供される。 - 特許庁

after a treatment has been approved and is being marketed, it is studied in a phase iv trial to evaluate side effects that were not apparent in the phase iii trial. 例文帳に追加

ある治療が承認され市販された後、第iii相臨床試験ではみられなかった副作用を評価するため、第iv相臨床試験で調査される。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

In a process S2, the group III organic metal matter is stopped from being supplied into the vapor phase growth apparatus 11 at the time t1 to finish the growth of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。 - 特許庁

To provide a gas phase growing apparatus which can prevent corrosion of the inner wall of a reaction gas supply part, a manufacturing method of a group III nitride semiconductor substrate, and the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

反応ガス供給部の内壁の腐食を防止することができる気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供すること。 - 特許庁

The emergence and development of the convergence club can be broadly divided into four phases: Phase I, 1820-1870; Phase II, 1870-1913; Phase III, 1913-1950; and Phase IV, 1950-2000 (Fig.1.1.2).例文帳に追加

「収束クラブ」の発生と発展を概観すると、その流れは大きく４期（第Ⅰ期：1820-1870年、第Ⅱ期： 1870-1913年、第Ⅲ期：1913-1950年、第Ⅳ期：1950-2000年）に分けることができる（第１―１―２表）。 - 経済産業省

HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ハイドライド気相成長装置、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体基板 - 特許庁

To provide a technology for preventing the diffusion of impurities in a group III element nitride crystal substrate grown in a liquid phase.例文帳に追加

液相成長させたIII族元素窒化物結晶基板において、不純物の拡散を防止する技術を提供する。 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS AND METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

気相成長装置およびＩＩＩ族窒化物半導体膜の形成方法 - 特許庁

In a growth process S1, a gas G1 containing an ammonia and group III organic metal matter is supplied into a growth furnace 15 of a vapor phase growth apparatus 11 to grow a group III nitride semiconductor of GaN etc.例文帳に追加

成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

To manufacture a high quality and large size single crystal of AlN or another group III-V compound single crystal 4 by a liquid phase epitaxial method.例文帳に追加

高品質で大型のＡｌＮまたは他のIII−Ｖ族化合物単結晶４を液相エピタキシー法により製造する。 - 特許庁

in most cases, studies move into phase iii only after a treatment seems to work in phases i and ii. 例文帳に追加

大部分の場合、第i相および第ii相試験でも効果がみられると思われる治療のみ、第iii相試験へと移行する。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

MANUFACTURING METHOD AND HYDLIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTING CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置 - 特許庁

VAPOR PHASE EPITAXY METHOD OF ALN-BASED GROUP III NITRIDE THICK FILM, AND MOCVD APPARATUS例文帳に追加

ＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物厚膜の気相成長方法およびＭＯＣＶＤ装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法及び成長装置 - 特許庁

This method prepares the carbostyril derivatives (I) by reacting a carbostyril derivative (II) and a tetrazole derivative (III) in the presence of a phase transfer catalyst.例文帳に追加

カルボスチリル誘導体(II)とテトラゾール誘導体(III)を相間移動触媒の存在下に反応させてカルボスチリル誘導体(I)を製造する。 - 特許庁

A manufacturing method of a group III nitride crystal comprises a step for growing a first group III nitride crystal 2 on a base substrate 1 by liquid-phase epitaxy and a step for growing a second group III nitride crystal 3 on the first group III nitride crystal 2 by vapor-phase epitaxy.例文帳に追加

液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、気相法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。 - 特許庁

A III-V group nitride element layer is grown up by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), and all layers become the 4 H-type polytypes.例文帳に追加

引き続き、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、III-V族窒化物素子層を成長させ、全ての層が４Ｈ型ポリタイプとなる。 - 特許庁

To allow liquid-phase epitaxial growth by a temperature- difference method or an annealing method on a substrate S of a III-V compound semiconductor such as GaP or InP.例文帳に追加

ＧａＰあるいはＩｎＰなどのIII-Ｖ族系化合物半導体からなる基板Ｓ上に温度差法あるいは徐冷法により液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A p-type group III-V compound semiconductor film 32 containing magnesium is formed on the substrate 30 by using an organometallic vapor phase growth device 10.例文帳に追加

次に、有機金属気相成長装置１０を用いて、マグネシウムを含むｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体膜３２を基板３０上に形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V compound semiconductor is for use in the group III-V compound semiconductor by organic metal vapor phase epitaxy employing a material containing group III element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF HIGH QUALITY NITRIDE THIN FILM OF GROUP III ELEMENT BY ORGANOMETALLIC GASEOUS PHASE CHEMICAL DEPOSITION例文帳に追加

有機金属気相化学蒸着法による高品位ＩＩＩ−族窒化物薄膜の成長方法 - 特許庁

A base film 2 comprising a group III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor-phase growth method.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE EMPLOYING GROUP III NITRIDE MATERIAL SYSTEM WITH INHIBITED PHASE SEPARATION, AND PHOTODETECTOR例文帳に追加

相分離が抑制されたＩＩＩ族窒化物材料系を用いた半導体構造及び光検出器 - 特許庁

An insulator layer 11 is formed on a substrate 10 by supplying group III raw materials, a carrier gas and an oxygen gas into a reaction furnace, and afterwards, vapor phase growing of a III-V compound semiconductor layer is conducted by heating this substrate 10 and supplying the group III raw a materials, a group V raw material gas, doping raw materials and the carrier gas onto the insulator layer 11.例文帳に追加

反応炉内に III族原料とキャリアガスと酸素ガスとを供給して基板１０上に絶縁体層１１を形成した後、この基板１０を加熱し、絶縁体層１１上に III族原料及びＶ族原料ガスとドーピング原料とキャリアガスとを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

The thermoelectric material has a first phase made of a type III first clathrate compound, and has a second phase made of a type I second clathrate compound.例文帳に追加

熱電変換材料は、ＴｙｐｅIIIの第１クラスレート化合物よりなる第１相と、ＴｙｐｅIの第２クラスレート化合物よりなる第２相とを有する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method of III-V compound semicon ductor, which makes vapor phase growth method of a semiconductor crystal layer closer to the lattice constant of an InP substrate more than that for one with GaAs substrate on the GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ基板の格子定数よりもＩｎＰ基板の格子定数に近い半導体結晶層を気相成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長法をを提供する。 - 特許庁

The position estimation process is composed of the steps: (i) the ultrasonic transmission source 20 is transmitting the ultrasound in a certain interval; (ii) the self-propelled body 1 is obtaining a phase after receiving ultrasound; (iii) extracting the optimum phase information from among the phase data; (vi) estimating the correct position from the phase differences of two pairs of receivers.例文帳に追加

（i）超音波発信源２０は、超音波を一定間隔で送信し、（ii）自走体１は、超音波を受信後位相を求め、（iii）位相データの中から最適な位相情報を抽出し、（iiii）２組の受信器間の位相差より正確な位置を推定する、というステップを含む位置推定処理が行われる。 - 特許庁

The first group III nitride film 53 is hetero-epitaxially grown on the main surface 51a of a substrate 51 by supplying a deposition gas G8 into an organometallic gas phase growth furnace 17.例文帳に追加

有機金属気相成長炉１７に成膜ガスＧ８を供給して、基板５１の主面５１ａ上に第１のIII族窒化物膜５３をヘテロエピタキシャル成長する。 - 特許庁

An underlayer 2 comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

An underlayer 2A comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２Ａを基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

EPITAXIAL WAFER, ELECTRONIC DEVICE, AND VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

エピタキシャルウェハ及び電子デバイス並びにＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長法 - 特許庁

ORGANIC METAL VAPOR PHASE EPITAXY METHOD, AND NITRIDE-BASED III GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT FORMED THEREBY例文帳に追加

有機金属気相成長法及びそれにより形成したＩＩＩ族窒化物系化合物半導体光素子 - 特許庁

In the process for producing a crystal of Al based III nitride such as aluminium nitride by causing reaction of the gas of Al based III halide such as aluminium trichloride and ammonia gas on a substrate held in a reaction region thereby causing vapor phase epitaxy on the substrate, the Al based III halide gas is touched to metal aluminium 15 before being fed out to a growth reaction tube 16 to cause reaction.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 - 特許庁

VAPOR-PHASE GROWTH METHOD OF III-V NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の気相成長方法およびこれを用いた半導体発光素子 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH NO ANTI-PHASE BOUNDARY ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

半導体基板上での逆相境界の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法 - 特許庁

To provide a method for growing a large crystal of group III nitride by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method using a group III nitride crystal substrate obtained by a solution method.例文帳に追加

溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

また、発光層部２４の上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを必須とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A supply of ammonia is increased in at least either of the growth term Ta of the group III nitride semiconductor or the term Tb of temperature change of the vapor phase growth apparatus.例文帳に追加

III族窒化物半導体の成長期間Ｔａおよび気相成長装置の温度の変更期間Ｔｂの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。 - 特許庁

The method for producing a fluorocarboxylic acid ester represented by formula (III) comprises reacting a carboxylate represented by formula (I) with a 2-fluoroalkylethylchloride represented by formula (II): RfCH_2CH_2Cl in the presence of a phase transfer catalyst.例文帳に追加

相間移動触媒の存在下に一般式：（Ｉ）で表されるカルボン酸塩と一般式：ＲｆＣＨ_２ＣＨ_２Ｃｌ (II)で表される２−含フッ素アルキルエチルクロリドとを反応させる事を特徴とする、一般式（III）：（III）で表される含フッ素カルボン酸エステルの製造方法。 - 特許庁