「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In some embodiment, each flash sector of the memory cell has a reference cell of itself for reading out a cell of a sector, the series of reference cells also exist for a whole memory chip operating as master reference.例文帳に追加

ある実施例において、メモリセルの各フラッシュセクタは、セクタのセルを読み出すためのそれ自体の参照セルをもち、一連の参照セルもまた、マスタ参照として作用する全メモリチップ用に存在する。 - 特許庁

A motion compensation circuit 37 creates reference image data on the outside of an effective pixel area based on reference image data in the effective pixel area stored in a memory 35 through decoding and writes the reference image data in the memory 35.例文帳に追加

動き補償回路３７は、復号を経てメモリ３５に記憶された有効画素領域内の参照画像データを基に、有効画素領域外の参照画像データを生成してメモリ３５に書き込む。 - 特許庁

A flash memory 29 stores a required reference output level in advance, and a temperature sensor 28 measures in advance a reference temperature corresponding to each reference output level and stores the result to the flash memory 29.例文帳に追加

所要の基準出力レベルをフラッシュメモリ２９に予め記憶し、各基準出力レベルに対応した基準温度を予め温度センサ２８によって測定してフラッシュメモリ２９に記憶する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with reference cells (R_i, R_ef), a first memory cell (C_i1), a second memory cell (C_i2) positioned nearer to the first memory cell than the reference cells (R_i, R_ef), and data read-out circuits (5-8).例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置は、リファレンスセル（Ｒ_ｉ、Ｒ_ｅ_ｆ）と、第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）と、リファレンスセル（Ｒ_ｉ、Ｒ_ｅｆ）よりも第１メモリセルに近い位置にある第２メモリセル（Ｃ_ｉ２）と、データ読み出し回路（５〜８）とを備えている。 - 特許庁

When writing data to a selected memory cell, the control circuit performs correction writing associated with data writing in accordance with written data in a reference memory cell that is adjacent to the selected memory cell, in which case the data is written to the reference memory cell after data is written to the selected memory cell.例文帳に追加

制御回路は、選択メモリセルへのデータ書き込みに際し、選択メモリセルに隣接し選択メモリセルへのデータ書き込みの後にデータが書き込まれる参照メモリセルの書き込みデータに応じてデータ書き込みに付随する補正書き込みを実行する。 - 特許庁

The memory part 9 is provided with a main cell array 7 having a plurality of nonvolatile memory cells 29, a nonvolatile first reference cell 3 being reference, and a first sense amplifier 5 reading out data of the memory cell 29 based on an output of the main memory cell 29 and an output of the first reference cell 3.例文帳に追加

記憶部９は、複数の不揮発性メモリセル２９を有するメインセルアレイ７と、基準となる不揮発性第１リファレンスセル３と、メモリセル２９の出力と第１リファレンスセル３の出力とに基づいてメモリセル２９のデータを読み出す第１センスアンプ５とを備える。 - 特許庁

A CPU 18 checks whether there is a reference picture required for the decoding in the reference picture region of a picture memory 16.例文帳に追加

ＣＰＵ（１８）は、ピクチャメモリ１６の参照ピクチャ領域に復号化に必要な参照ピクチャがあるかどうかを調べる。 - 特許庁

A memory unit 212 stores reference positional information 213 based on the positions of the marks F1, F2 in a reference photographed image T.例文帳に追加

記憶部２１２は、基準撮影画像Ｔ中のマークＦ１、Ｆ２の位置に基づく基準位置情報２１３を記憶する。 - 特許庁

The reference feature memory 204 stores the reference feature amounts matching each feature for failure diagnosing.例文帳に追加

基準特徴量記憶部２０４には、各特徴量に対応した故障診断用の基準特徴量を保存しておく。 - 特許庁

A memory means (50) stores reference timing data indicating reference timing that is the timing for the player to perform game operation.例文帳に追加

記憶手段（５０）は、プレイヤがゲーム操作を行うべきタイミングである基準タイミングを示す基準タイミングデータを記憶する。 - 特許庁

The memory part 12 is constituted by DRAM or FROM and memorizes a reference value ΔT to be the reference for temperature control.例文帳に追加

記憶部１２は、ＤＲＡＭやＦＲＯＭなどであり、温度制御の基準となる値である基準値ΔＴなどを記憶する。 - 特許庁

The read-out reference signal may be dependent on the levels of programming reference signals used for controlling programming of the memory cell.例文帳に追加

読出し基準信号は、メモリセルのプログラミング制御に用いられるプログラミング基準信号のレベルによって異なる。 - 特許庁

In the reference voltage generating circuit 10, reference pre-charge voltage VWD0 is switched at the time of standby or at the time of memory operation.例文帳に追加

基準電圧発生回路１０は、基準プリチャージ電圧ＶＷＤ０がスタンバイ時とメモリ動作時とで切り換わる。 - 特許庁

A reference macro block setting unit 11a sets a reference macro block to the first image frame of an image frame memory 22.例文帳に追加

基準マクロブロック設定部１１ａは、画像フレームメモリ２２の第１画像フレームに対して基準マクロブロックを設定する。 - 特許庁

A reference tilt hologram for specifying a reference incident angle in the radial tilt direction is recorded in advance on a holographic memory medium.例文帳に追加

ホログラフィックメモリ媒体に、ラジアルチルト方向の基準入射角度を規定するための基準チルトホログラムを記録しておく。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device capable of programming a reference cell at a high speed, and a program method for the reference cell therefor.例文帳に追加

リファレンスセルを高速でプログラムできる磁気メモリ装置及びこのためのリファレンスセルのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The controller accesses the dummy data from the main memory in turning on power, and accesses the main data from the main memory when the dummy data accessed from the main memory coincide with the reference data stored in the reference data storage device.例文帳に追加

そしてコントローラはパワーアップ時、メインメモリからダミーデータにアクセスし、メインメモリからアクセスされたダミーデータが基準データ貯蔵装置に貯蔵された基準データと一致する時、メインメモリからメインデータをアクセスする。 - 特許庁

To provide a pseudo multiport memory device capable of realizing an enhanced transfer method to a reference memory under the condition where all reference areas are stored into a shared large capacity pseudo multiport memory.例文帳に追加

共用の大容量擬似多ポートメモリに全ての参照領域を記憶するという条件の下で，参照メモリに対する改良転送法を実現できる擬似多ポートメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Further, the shaping apparatus 10 is equipped with a band information storage memory 21, a reference transmission interval (INC) storage memory 22, and an OTIME storage memory 23.例文帳に追加

また、シェーピング装置１０は、帯域情報格納メモリ２１と、基準送信間隔（ＩＮＣ）格納メモリ２２と、ＯＴＩＭＥ格納メモリ２３を備える。 - 特許庁

Common word lines WL1 to WL4 are connected to the memory cells of the strings of the data memory cell block 1 and the reference memory cell block 2.例文帳に追加

データメモリセルブロック１の各ストリングのメモリセルと参照メモリセルブロック２の各ストリングのメモリセルには共通のワード線ＷＬ１〜ＷＬ４を接続する。 - 特許庁

The analog reference power supply voltage output circuit is disposed between an Mth memory block and an (M+1)th memory block among the first to Nth memory blocks.例文帳に追加

アナログ基準電源電圧出力回路が、第１〜第Ｎのメモリブロックのうちの第Ｍのメモリブロックと第Ｍ＋１のメモリブロックとの間に配置される。 - 特許庁

The memory 18 outputs digitized reference data 22 in response to the synchronization signal by control of a memory controller 19.例文帳に追加

メモリ制御器１９の制御により、メモリ１８が同期信号に応答してデジタル化基準データ２２を出力する。 - 特許庁

A shared data copying memory reference control means assigns the memory areas referred by the data read processing module.例文帳に追加

共有データ複写メモリ参照制御手段は、データ読出し処理モジュールが参照するメモリ領域の割当てを行う。 - 特許庁

An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス５０は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ（ＭＲＡＭセルブロック５２，基準ＭＲＡＭセルブロック５４）を備える。 - 特許庁

This device has a reference cell for detecting a state of a memory cell and for verifying data written in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの状態を検出するための、そしてメモリセルに書き込まれたデータを検証するための基準セルを有する。 - 特許庁

The reference memory space is memory-mapped and referred to from an application 16 executed on the operating system.例文帳に追加

さらに該参照メモリ空間をメモリマッピングしてオペレーティングシステム上で実行されるアプリケーション１６から参照可能にする。 - 特許庁

The memory access address comparator includes two comparators which compare inputted memory an access address with the respective reference addresses.例文帳に追加

メモリ・アクセス・アドレス比較器は、入力メモリ・アクセス・アドレスをそれぞれの基準アドレスと比較する２つの比較器を含む。 - 特許庁

To delay a reference clock for data capture with a high frequency clock of a memory controller.例文帳に追加

メモリ制御装置の高周波数クロックでデータ取込用基準クロックを遅延する。 - 特許庁

To reinforce a signal which is obtained during a readout operation with reference to a magnetic memory cell.例文帳に追加

磁気メモリ・セルに対する読み取り操作中に得られる信号を増強する。 - 特許庁

Thus, an optimum reference voltage suitable for a storage memory cell 11 can be generated.例文帳に追加

したがって、記憶用メモリセル１１に応じた最適な基準電圧を発生できる。 - 特許庁

When the reference current is smaller than the memory cell current, the bit line voltage decreases.例文帳に追加

基準電流がメモリセル電流よりも小さい場合、ビット線電圧は低下する。 - 特許庁

The reference value and the input value obtained thereafter are recorded in a nonvolatile memory 261c.例文帳に追加

基準値と、その後得られた入力値は不揮発性メモリ２６１ｃに記録する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a reference cell 21 and a detection circuit 5.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、リファレンスセル２１と検出回路５とを具備する。 - 特許庁

When the reference current is larger than a memory cell current, a bit line voltage increases.例文帳に追加

基準電流がメモリセル電流よりも大きい場合、ビット線電圧は増大する。 - 特許庁

A correction value to be a reference stored in a memory (24) is appropriately applied for temperature compensation.例文帳に追加

メモリ（２４）に格納された基準となる校正値が適切に温度補償される。 - 特許庁

To suppress the reduction of yield of the semiconductor memory caused by a defective reference cell.例文帳に追加

リファレンスセル不良による半導体記憶装置の歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

The data reproduction device 10 has: a reference relationship memory 11; derivation method memory 12; a reference candidate extracting section 13; and a restoration method extracting section 14.例文帳に追加

データ再現装置１０は、参照関係記憶部１１と、導出方法記憶部１２と、参照候補抽出部１３と、復旧方法抽出部１４とを有する。 - 特許庁

To provide an improved reference current generation circuit, in which fluctuation of reference current of a detection circuit of a memory for determining a condition of a nonvolatile memory cell is suppressed.例文帳に追加

不揮発性メモリセルの状態を判断するメモリの検出回路の基準電流の変動を抑制した改良された基準電流発生回路を提案する - 特許庁

When a main memory is referenced from a channel, a pre-fetch operation is performed in parallel with the actual reference to the main memory, to register reference-target data into a cache in advance.例文帳に追加

チャネルから主記憶を参照する場合に、実際の主記憶参照と並行してプリフェッチ動作を行い、参照の対象となるデータを先行してキャッシュに登録する。 - 特許庁

To fast perform image decoding processing at low cost by reducing access to a memory for reading reference data without newly providing a memory for storing the reference data.例文帳に追加

参照データを格納するメモリを新たに設けることなく、参照データを読み出すためのメモリへのアクセスを低減し、低コストで高速に画像復号処理を行う。 - 特許庁

A computer 13 stores data being the reference of the brightness, data being the reference of the color tone and data being the reference of a position to a memory in advance, and sets a reference specimen to the stage of the microscope 1.例文帳に追加

計算機１３は、あらかじめ明るさの基準となるデータ、及び色合いの基準となるデータ、位置の基準となるデータをメモリに格納し、顕微鏡１のステージに基準試料をセットする。 - 特許庁

An image at a prescribed position in the image as a whole is set to be a reference surface, the average of pixel values within the reference surface is calculated, and the average is stored in a reference value memory 34 as an AE reference value.例文帳に追加

全体画像中の所定位置の画像が基準面と設定され、基準面内の画素値の平均値が計算され、平均値がＡＥ基準値として基準値メモリ３４に記憶される。 - 特許庁

In this case, a reference channel memory 4 stores samples of a reference channel obtained as an output of the prediction error conversion means 20.例文帳に追加

この際、予測誤差変換手段２０の出力として得た基準チャンネルのサンプルを基準チャンネルメモリ４に記憶しておく。 - 特許庁

To make reliability of read-out data high and to make life time of elements long without increasing the number of memory cells for reference (reference cell).例文帳に追加

参照用メモリセル（リファレンスセル）数を増大させることなしに、読み出しデータの信頼性が高く且つ素子寿命を長くする。 - 特許庁

To provide a reference voltage generation device for a semiconductor memory where reference voltage can be changed freely to a desired level from outside.例文帳に追加

外部から基準電圧を所望するレベルに自由に変更できる半導体メモリの基準電圧発生装置を提供する。 - 特許庁