「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A reference current generator circuit supplies reference current to a sense amplifier in a flash memory device.例文帳に追加

本発明によれば、フラッシュメモリ装置におけるセンスアンプへ基準電流を供給する基準電流発生器回路が提供される。 - 特許庁

The reference transistor RT generates the reference current Iref used for sensing data stored in the memory cell transistor MC.例文帳に追加

リファレンストランジスタＲＴは、メモリセルトランジスタＭＣに記憶されたデータのセンスに用いられる基準電流Ｉｒｅｆを生成する。 - 特許庁

The memory cell (50) includes a magnetic data storage layer (60), a magnetic reference layer (62), and an insulating layer (64) between the magnetic data storage layer (60) and the reference layer (62).例文帳に追加

メモリセル(50)は、磁気データ記憶層(60)と、磁気基準層(62)と、データ記憶層(60)と基準層(62)との間の絶縁層(64)とを含む。 - 特許庁

The security ECU 35 erases the reference ID code associated to the reference registration deleting condition from the memory 35a when the reference registration deleting condition is satisfied.例文帳に追加

セキュリティＥＣＵ３５は、基準登録抹消条件が満たされたとき、該基準登録抹消条件に関連付けされている基準ＩＤコードをメモリ３５ａから消去する。 - 特許庁

A reference dose memory section 203 stores reference dose information in which subject's attribute information are correlated with a reference dose used as a standard of an exposure dose.例文帳に追加

リファレンス線量記憶部２０３が、被検体に係る属性情報と、被ばく線量の基準となるリファレンス線量とを対応付けたリファレンス線量情報を記憶する。 - 特許庁

A reference voltage generating circuit generates reference voltage and verification voltage in accordance with the reference value and the verification value stored in the first and the second memory sections.例文帳に追加

参照電圧生成回路は、第１および第２記憶部に記憶された参照値および検証値に応じて参照電圧および検証電圧を生成する。 - 特許庁

A current buffer circuit in the flash memory device mirrors the reference current, and a plurality of mirrored reference currents is applied to the reference input.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置における電流バッファ回路が該基準電流をミラー動作し且つ複数個のミラー動作した基準電流をセンスアンプの基準入力へ印加する。 - 特許庁

To solve a problem that a reference image is deteriorated and image quality of an encoded moving image is remarkably deteriorated when quantizing the reference image using a large AC coefficient to reduce capacity of a reference image memory.例文帳に追加

参照画像メモリの容量削減のためにＡＣ係数を大きく量子化すると、参照画像が劣化し、符号化される動画像の画質の劣化が顕著になる。 - 特許庁

A reference data memory section store a two-dimensional reference data set, specified by the delay member temperature and the elapsed time from a reference point that is the start timing at which incident acoustic waves are emitted.例文帳に追加

参照データメモリ部は、遅延部材温度と、入射音波の放射開始タイミングを基準とした経過時間とによって規定される２次元の参照データを格納する。 - 特許庁

This comparison and judgment procedure and the judgment reference are preliminarily stored in a program memory part 7.例文帳に追加

この比較判定の手順と判定基準とを予めプログラムメモリ部７に記憶しておく。 - 特許庁

To detect position data on a paper end and a reference mark without using a large-capacity memory.例文帳に追加

大容量のメモリを使用せずに紙端及び基準マークの位置データを検出すること。 - 特許庁

The difference between the average and the AE reference value is stored in a correction value memory 36 as a correction value.例文帳に追加

平均値とＡＥ基準値との差が補正値として補正値メモリ３６に記憶される。 - 特許庁

Reference image data obtained from an imaging means 14 is stored in the image memory 24.例文帳に追加

撮像手段１４により得られた基準画像データは、画像メモリ２４に記憶される。 - 特許庁

In one embodiment, a memory cell device has a conductive magnetic reference layer and data layer.例文帳に追加

１実施態様では、メモリセル装置は、導電性の磁気基準層及びデータ層を有する。 - 特許庁

A comparator 24 compares the digitized reference data 22 from the memory with the digitized data 14.例文帳に追加

比較器２４がメモリからのデジタル化基準データ２２をデジタル化データ１４と比較する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (RAM) with a reference cell more stably magnetized.例文帳に追加

磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

A corresponding point search range 44 of a reference memory 22 is divided into 8 divisions 44-1 to 44-8.例文帳に追加

参照メモリ22の対応点探索範囲44は八つの区分44-1〜8に分割されている。 - 特許庁

The reference signal is set in a coefficient memory of a matched filter 7 as a filter coefficient.例文帳に追加

参照信号は、フィルタ係数としてマッチドフィルタ７の係数メモリに設定される。 - 特許庁

To change the magnetic direction of the reference layer of a magnetic memory cell by a small magnetic field.例文帳に追加

磁気メモリセルの基準層の磁気的向きを小さな磁界で変更できるようにすること。 - 特許庁

To provide a method for reducing the size of reference frame buffer memory and the frequency of access thereto, in a video codec.例文帳に追加

ビデオコーデックにおけるバッファフレームメモリサイズとアクセス量減少の方法の提供。 - 特許庁

A calculation reference data memory 700 has a field list, a ch list and a delay time list.例文帳に追加

計算参照データメモリ７００は、電界リスト、ｃｈリスト及び遅延時間リストを有する。 - 特許庁

An OSD image memory 5 stores an OSD image whose color is a reference color.例文帳に追加

ＯＳＤ画像メモリ５には、その色彩が基準であるＯＳＤ画像が記憶されている。 - 特許庁

In the memory, reference image data in the photographing of the first time by the bracketing photography are stored.例文帳に追加

メモリには、ブラケティング撮影での初回撮影時の基準画像データが格納される。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a programmable memory element has a reference layer and a storage layer.例文帳に追加

さまざまな実施例によれば、プログラム可能メモリ素子は、基準層と記憶層とを有する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device has a reference circuit 1 and a word line voltage generating circuit 2.例文帳に追加

本発明は、リファレンス回路１と、ワード線電圧生成回路２と、を有するものである。 - 特許庁

A plurality of memory cells are specified by a plurality of generated internal reference row addresses.例文帳に追加

生成された複数の内部基準行アドレスを用いて複数のメモリセルを指定する。 - 特許庁

To suppress variance in decision reference during verification in a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリにおいて、ベリファイ時の判定基準のばらつきを抑制すること。 - 特許庁

TEMPERATURE SENSING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF ADJUSTING REFERENCE POTENTIAL FOR TEMPERATURE COMPARISON例文帳に追加

半導体メモリの温度検知回路および温度比較用リファレンス電位調整方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device capable of adjusting the level of the reference voltage.例文帳に追加

レファレンス電圧のレベルを調節することができる強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A library memory 342 stores a plurality of reference positions of the face image in the image.例文帳に追加

ライブラリメモリ３４２は、顔画像の前記画像上における複数の基準位置を記憶する。 - 特許庁

After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.例文帳に追加

その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁

The changing step includes determining a history read reference level for correct reading of at least one history cell, selecting a memory read reference level according to a first read reference level and reading of a nonvolatile memory array cell associated with at least one history cell using the memory read reference level.例文帳に追加

変更ステップは、少なくとも１つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第１読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも１つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。 - 特許庁

A DRAM 1 is a semiconductor memory device in which read-out of data is performed by comparison of a potential of a memory cell and a reference potential of a reference cell, and the device is provided with capacitors 22, 32 and capacitors 82, 92, and a potential line 18 supplying the reference potential to the reference cell.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、キャパシタ２２、３２、およびキャパシタ８２、９２、リファレンスセルに参照電位を供給する電位線１８を備えている。 - 特許庁

A controller 11 reads out a predetermined reference point, located ahead and a reference speed corresponding to the reference point which are stored in a reference drive information memory 14b of an information memory section 14, based on the current position detected by a GPS receiver 18.例文帳に追加

制御部１１は、ＧＰＳ受信器１８にて検出した現在位置に基づいて、情報記憶部１４の基準運転情報記憶部１４ｂに記憶した、前方にある予め定めた基準地点とその基準地点に対する基準速度を読み出す。 - 特許庁

It is discriminated whether or not attached information identical with attached information stored in the memory 4 is stored in reference to the attached information stored in the memory 4.例文帳に追加

メモリ４に格納された付属情報を参照し、それと同一の付属情報が格納されているか否か判別する。 - 特許庁

To provide technique for monitoring reference voltage generated in a semiconductor memory device to simplify memory access operation.例文帳に追加

メモリアクセス動作を簡単化させるために半導体メモリ装置において発生される基準電圧をモニタする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory of a 1T/1C type in which a ferroelectric capacitor of a memory for reference potential hardly deteriorates.例文帳に追加

参照電位用メモリセルの強誘電体キャパシタが劣化し難い、１Ｔ／１Ｃタイプの強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The memory cell 1 is connected to a current comparison circuit 2 and a reference memory cell 3 for testing is connected to the current comparison circuit 2.例文帳に追加

メモリセル１は電流比較回路２に接続され、該電流比較回路２には試験用基準メモリセル３が接続されている。 - 特許庁

The magnetization direction of the memory layer 3 can be varied by current penetrating the memory layer 3, the first nonmagnetic layer 4, and the reference layer 2.例文帳に追加

記憶層３の磁化方向は、記憶層３、第１非磁性層４、及び参照層２を貫く電流により可変とされる。 - 特許庁

To generate a reference level without using a dummy cell in a ferroelectric memory device having 1T1C memory cell structure.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃメモリセル構造の強誘電体メモリ装置において、ダミーセルを用いることなくリファレンスレベルの発生を可能とする。 - 特許庁

A logical level of data held in the memory cell is detected depending on whether a memory cell current is larger than the reference current or not.例文帳に追加

メモリセル電流が基準電流より大きいか小さいかにより、メモリセルに保持されているデータの論理レベルが検出される。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device having a test mode for testing a memory cell and a spare memory cell itself for saving the reference cell.例文帳に追加

リファレンスセルおよびリファレンスセルを救済するスペアメモリセル自体を試験するテストモードを備えた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can reduce the variations in the reference signals used to detect the data in the memory cells.例文帳に追加

メモリセルのデータを検出するために用いられるリファレンス信号のばらつきを低減させた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A video output circuit 9 properly transfers reproduction picture data of the reference picture from the decoding frame memory to the display frame memory.例文帳に追加

ビデオ出力回路（９）は、参照画像の再生画像データを復号用フレームメモリから表示用フレームメモリに適宜転送する。 - 特許庁

Readout of information of a selected memory cell and the reference potential precharge of the memory cell to be selected next are overlappingly performed.例文帳に追加

選択されたメモリセルの情報の読み出しと次に選択されるメモリセルの参照電位プリチャージはオーバーラップして行われる。 - 特許庁