「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the control device 7 compares the measured impedance read out and a reference impedance stored in a reference impedance memory 51.例文帳に追加

そして、制御装置７は、読み出した測定インピーダンスと、基準インピーダンスメモリ５１に格納されている基準インピーダンスとを比較する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory comprising a reference potential generating circuit which can generate a stable reference potential at the time of a test mode.例文帳に追加

テストモード時に安定した基準電位を発生することが可能な基準電位発生回路を含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

According to a certain embodiment, each flash sector of the memory cell has a reference cell for reading a sector cell, and a series of reference cells are present as master references for all memory chips.例文帳に追加

ある実施例において、メモリセルの各フラッシュセクタはセクタのセルを読み出すための参照セルをもち、一連の参照セルもまたマスタ参照として作用する全メモリチップ用に存在する。 - 特許庁

To set a threshold level of its reference cell in a short time in a semiconductor memory apparatus using variable threshold value nonvolatile memory cells as a reference current/potential generating means.例文帳に追加

本発明は、リファレンス電流／電位発生手段として、閾値変化型不揮発メモリーセルを用いた半導体記憶装置において、そのリファレンスセルの閾値を短時間で設定することを目的とする。 - 特許庁

A reference memory cell block 2 is provided with 4 strings having memory cells of 4 different thresholds, and reference bitl lines REF1 to REF4 connected to the strings.例文帳に追加

参照メモリセルブロック２には、異なった４種のしきい値のメモリセルを個々に有する４本のストリングと、各ストリングの個々に接続された参照ビット線ＲＥＦ１〜ＲＥＦ４を設ける。 - 特許庁

When the detected manipulated variable is not less than a prescribed reference value stored in a reference value storage memory 110, operation just before is read from a history storage memory 109.例文帳に追加

検出された操作量が基準値記憶メモリ１１０に記憶された所定の基準値以上である場合には、履歴記憶メモリ１０９から直前の操作が読み込まれる。 - 特許庁

The graphic card 6 is provided with a frame memory 14 and a packet generating part 16, and the frame memory 14 is configured to continuously store reference image data corresponding to a reference image before display region change.例文帳に追加

グラフィックカード６内にはフレームメモリ１４およびパケット生成部１６が備わり、フレームメモリ１４は、表示領域変更前の基準画像に対応した基準画像データを保持し続ける。 - 特許庁

Based on a first comparison result, the detected memory charge level of a selected memory element is compared with one selected from that of a second reference memory element having Vt equal to VR1 and that of a third reference memory element having Vt equal to VR3.例文帳に追加

最初の比較結果によって、選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルがＶＲ１に等しいＶｔを有する第２基準メモリ素子とＶＲ３に等しいＶｔを有する第３基準メモリ素子との内から選択された１つと比較される。 - 特許庁

Cell selection circuits 2, 3 are operative to select from the memory cell array MA a memory cell MC whose data is to be read, and to select from the reference cell array RA a reference cell RA at a position corresponding to a position of the memory cell MC selected in the memory cell array MA.例文帳に追加

セル選択回路２，３は、メモリセルアレイＭＡの中からデータを読み出すメモリセルＭＣを選択すると共に参照セルアレイＲＡの中からメモリセルアレイＭＡにおける選択されたメモリセルＭＣの位置に対応する位置の参照セルＲＡを選択する。 - 特許庁

Data are transferred among the memory blocks 1, 2, 3, and 4 so that at least one memory block becomes empty on the basis of reference information obtained from the nonvolatile memory 10.例文帳に追加

揮発性メモリ１０から得られる参照情報に基づいて、少なくとも１つのメモリブロックが空きメモリブロックとなるように、メモリブロック１，２，３，４間でデータを転送する。 - 特許庁

When the totaling result of values of a plurality of reference counters of updated memory areas is 0, the memory areas are released from the processors to which the memory areas are allocated.例文帳に追加

更新されたメモリ領域における複数のリファレンスカウンタの値の合算結果が０である場合に、メモリ領域が割り当てられたプロセッサからメモリ領域を解放する。 - 特許庁

A memory cell current is made to flow in a memory cell when reading out data is compared with a reference current set in accordance with wiring width of word lines connected to this memory cell.例文帳に追加

データの読み出し時にメモリセルに流れるメモリセル電流が、このメモリセルに接続されたワード線の配線幅に応じて設定される基準電流と比較される。 - 特許庁

A second reading operation is executed to read data from a dummy memory cell before a first reading operation for reading data from a real memory cell by using a reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルを利用してリアルメモリセルからデータを読み出す第１読み出し動作の前に、ダミーメモリセルからデータを読み出す第２読み出し動作が実行される。 - 特許庁

Memory areas of the common memory 14 to be allocated to respective processors are secured, and the respective memory areas are provided with a plurality of reference counters corresponding to the plurality of processors one to one.例文帳に追加

各プロセッサに割り当てられる共有メモリ１４のメモリ領域を確保し、各メモリ領域に複数のプロセッサと１対１に対応する複数のリファレンスカウンタを設ける。 - 特許庁

The memory system for housing the large number of memory modules is disclosed, in which reference voltages of different levels are applied to each of the large number of memory modules.例文帳に追加

多数のメモリモジュールの各々に相異なるレベルの基準電圧を印加することを特徴とする多数のメモリモジュールをハウジングするためのメモリシステムを開示している。 - 特許庁

In a second write operation following the first write operation, a read reference current, which is a mean current for the first and the second reference memory cell, is selected as a write reference current and the data is written only to the memory cell.例文帳に追加

第１書き込み動作に続く第２書き込み動作において、第１および第２リファレンスメモリセルの平均電流である読み出しリファレンス電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルのみにデータが書き込まれる。 - 特許庁

In a reference voltage generating circuit 3, reference voltage generating reference memory cells (1-1 to 1-n) which are constituted of ferroelectric capacitors (2-1 to 2-n) and transistors (1-1 to 1-n) are connected to the same reference bit line 8.例文帳に追加

この基準電圧発生回路３は、強誘電体キャパシタ(２-１〜２-ｎ)とトランジスタ(１-１〜１-ｎ)からなる基準電圧発生用リファレンスメモリセル(１-１〜１-ｎ)が、同一の基準ビット線８に接続されている。 - 特許庁

A specific reference signal pattern is read from a reference signal pattern memory 18 having a plurality of reference signal patterns stored therein beforehand based on a navigation map information 19 and outputted to a reference signal generating part 12.例文帳に追加

予め複数の参照信号パターンが記憶された参照信号パターンメモリ１８から、ナビゲーション地図情報１９に基づいて特定の参照信号パターンを読み出して参照信号発生部１２に出力する。 - 特許庁

A face reference information detection unit 54 applies the head model stored in the memory 53 to the image by use of the coordinates of the specific portion, and detects face reference information at that time, i.e., the reference point or a reference line of the face.例文帳に追加

顔基準情報検出部５４は、特定部位の座標を用いて、記憶部５３に記憶された頭部モデルを画像にあてはめ、そのときの顔基準情報、即ち、顔の基準線または基準点を検出する。 - 特許庁

The deterioration determining portion 13 calculates an attenuation ratio of a luminance value based on a reference luminance value stored in a reference luminance data storage 22 of the memory 8 and a reference value of an attenuation ratio stored in a reference attenuation ratio storage 23.例文帳に追加

劣化判別部１３は、メモリ８の基準輝度データ記憶部２２に記憶される基準輝度値と基準減衰率記憶部２３に記憶される減衰率の基準値ともとに輝度値の減衰率を計算する。 - 特許庁

A slave current end of the memory-type current mirror outputs a driving current based on the reference current when the channel switch provides the reference current to the memory-type current mirror, and the slave current end of the memory-type current mirror holds the driving current when the channel switch stops providing the reference current.例文帳に追加

チャンネルスイッチが基準電流をメモリ型電流ミラーに提供している時、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端は、基準電流に基づいて駆動電流を出力し、チャンネルスイッチが基準電流を停止している時、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端は、駆動電流を保持する。 - 特許庁

A reference picture controller FMCtr uses an analysis result of the picture reference structure to write a reference picture, having a high possibility of referring to a picture to be written the multi-frame memory FrmMem, as well as, to store the reference picture in the cache memory CacheMem.例文帳に追加

参照ピクチャ管理器ＦＭＣｔｒは、前記ピクチャの参照構造の解析結果を用いて、復号化対象ピクチャの参照可能性の高い参照ピクチャを前記マルチフレームメモリＦｒｍＭｅｍに書き出すと共に、前記キャッシュメモリＣａｃｈｅＭｅｍにも格納する。 - 特許庁

The sequence of registration data is digitized, a numerical value acquired by the digitalization is used as an address of an index reference memory, and an address of a data registration memory storing the registration data is stored in the address of the index reference memory.例文帳に追加

登録データの並びを数値化し、前記数値化により得られた数値をインデックス参照メモリのアドレスとし、前記インデックス参照メモリの当該アドレスに登録データを格納しているデータ登録メモリのアドレスを格納する。 - 特許庁

To suppress a data reading precision from being degraded due to production variation in reference cell characteristics and deterioration with age in a nonvolatile semiconductor memory device for executing data readout by access comparison between a selective memory cell and a reference memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルとリファレンスメモリセルとのアクセス比較によってデータ読出を実行する不揮発性半導体記憶装置において、リファレンスセル特性の製造ばらつきおよび経時劣化に対応して、データ読出精度の悪化を抑制する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in a reference memory cell system, in which standard electric potential is finely controlled for high accuracy screening.例文帳に追加

基準電位を細かく制御し、高精度のスクリーニングを可能にしたリファレンスメモリセル方式の強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of times of memory access when calculating a pixel value of a reference block, and to decrease memory access bands required for a moving picture decoding apparatus.例文帳に追加

参照ブロックの画素値を算出する際にメモリアクセスの回数を削減し、動画復号装置に必要なメモリアクセス帯域を減らす。 - 特許庁

A video card 1 includes a video memory 2, a memory 3 for palette reference schemes, a display controller 4, a D/A converter 5, an interface 6 and a connector 7.例文帳に追加

ビデオカード１は、ビデオメモリ２、パレット参照配列用メモリ３、ディスプレイコントローラ４、Ｄ／Ａコンバータ５、インターフェース６、コネクタ７を備える。 - 特許庁

The memory cell 11 includes a resistance change element 13, and a reference memory cell 22 provided in the reading circuit 20 includes a resistance change element 23.例文帳に追加

メモリセル１１は抵抗変化素子１３を含み、読み出し回路２０に備えられた参照メモリセル２２は抵抗変化素子２３を含む。 - 特許庁

Measured data stored in the measured data memory 120b_1 is corrected based on reference data stored in the reference data memory 120b_2, stored in a corrected data memory 120b_3, and the remaining capacity of the fuel cell is obtained from output of the corrected data memory 120b_3 and output of the measured data memory 120b_1.例文帳に追加

そして、基準データ記憶部１２０ｂ_2 に記憶された基準データに基づいて、測定データ記憶部１２０ｂ_1 に記憶された測定データが補正されて補正データ記憶部１２０ｂ_3 に記憶され、その出力と上記測定データ記憶部１２０ｂ_1 の出力から燃料電池の残容量が求められる。 - 特許庁

Soft-reference magnetic memory cells(202) are provided in electrical contact with and located at each intersection.例文帳に追加

軟基準磁気メモリセル(202)は各交差点と電気的に接触し、かつ各交差点に配置される。 - 特許庁

The memory device 414 stores, for example, a first reference derailleur position for a second sprocket 54B.例文帳に追加

記憶装置４１４は、例えば、第２スプロケット５４Ｂのための第１基準ディレーラ位置を記憶する。 - 特許庁

Accordingly, the electric characteristics of the reference memory cell MC_REF are highly accurately measured.例文帳に追加

したがって、リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦの電気的特性を高精度に測定することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell comprising a reference layer which is pinned and which does not require a magnetization direction.例文帳に追加

ピン留めされた磁化の向きを必要としないリファレンス層を有する磁気メモリセルの提供。 - 特許庁

To reduce power consumption during retrieving of content reference memory, and to increase retrieval operation speed.例文帳に追加

内容参照メモリの検索時の消費電力を低減しかつ検索動作を高速化する。 - 特許庁

To provide a method for renaming memory reference to a stack place in a computer processing system.例文帳に追加

コンピュータ処理システムにおいてスタック場所に対するメモリ参照をリネームする方法を提供する。 - 特許庁

The processing device comprises a memory suitable for storing a reference value for the variable in relation to the dairy animal.例文帳に追加

該処理装置は該酪農動物に関する変数に対する基準値を記憶するメモリを含む。 - 特許庁

The second load element includes an end connected with a bit line of a reference cell array within the flash memory device.例文帳に追加

第２負荷素子は、フラッシュメモリ装置内の基準セルアレイのビットラインに一端が連結される。 - 特許庁

This memory cell array 1 is provided with an auxiliary cell array 2 used for adjusting a reference potential.例文帳に追加

このメモリセルアレイ１に対して、参照電位調整に用いられる補助セルアレイ２が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, the device comprises a sense amplifier circuit 300 which detects a current difference between the memory cell and the reference cell.例文帳に追加

メモリセルと基準セルとの電流差を検出する感知増幅器回路をさらに含む。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device has a regular cell array 200 and a reference cell array 600.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、レギュラーセルアレイ２００とリファレンスセルアレイ６００とを有する。 - 特許庁

As for each pair, the rectangular region larger than a reference area is selected and registered in a memory.例文帳に追加

各組について、基準面積より大きい方の矩形領域を選択してメモリに登録する。 - 特許庁

The system for setting the reference cell threshold voltage of the memory device is provided.例文帳に追加

本発明によれば、メモリ装置の基準セル閾値電圧を設定するためのシステムが提供される。 - 特許庁

This reflected light is stored in a memory 9 as a reference value at the step of initial adjustment.例文帳に追加

この反射光は初期調整段階における基準値としてメモリ９に記憶される。 - 特許庁

A system and a device having memory provided with a reference-initiated sequential sensing function are disclosed.例文帳に追加

基準始動式シーケンシャルセンシング機能を具備するメモリを有するシステム及び装置を開示する。 - 特許庁

The optical image and the reference image in units of inspection stripe are sequentially stored in a flash memory 122.例文帳に追加

検査ストライプ単位の光学画像及び参照画像はフラッシュメモリ１２２に逐次格納される。 - 特許庁