「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A storage circuit S_1 in the associative memory 100 stores reference data.例文帳に追加

連想メモリ１００内の保存回路Ｓ_１は参照データを保存する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device of a 1T1C type using no reference cell.例文帳に追加

参照セルを用いない１Ｔ１Ｃタイプの強誘電体メモリ装置。 - 特許庁

Meanwhile, a desired digital signal is stored in a reference amplitude memory 52.例文帳に追加

基準振幅メモリ部５２には、所望のデジタル信号が記憶されている。 - 特許庁

The magnetic memory cell includes a reference layer (320) having a preset magnetization.例文帳に追加

磁気メモリセルは、予め設定された磁化を有する基準層(320)を含む。 - 特許庁

REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS BURN-IN METHOD例文帳に追加

基準電圧発生回路、半導体記憶装置及びそのバーンイン方法 - 特許庁

To reduce memory band widths through moving image encoding in which reference padding is performed.例文帳に追加

参照パディングを行う動画像符号化でメモリバンド幅を削減する。 - 特許庁

To surely take out the input and output signals of a reference memory module.例文帳に追加

基準メモリモジュールの入出力信号の取り込みを確実に行う。 - 特許庁

The second transferring means enters the presumed variable control constant data on the basis of the reference data into the RAM memory from the reference data accommodation memory.例文帳に追加

第２の転送手段は基準データ格納メモリからＲＡＭメモリに基準データに基づく推定可変制御定数データを書き込みする。 - 特許庁

The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。 - 特許庁

The semiconductor memory includes a high-speed startup circuit as well as a reference amplifier which generates a reference voltage according to an enable signal and supplies the reference voltage to a sense amplifier through a reference voltage supply line.例文帳に追加

イネーブル信号に応じて、リファレンス電圧を生成し、リファレンス電圧供給ラインを介してセンスアンプに供給するリファレンスアンプと共に、高速立上回路を備える。 - 特許庁

When the detected memory charge level of the selected memory element is larger than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the third reference memory element (step S3), and the selected memory element is in a state 3 or 4.例文帳に追加

選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第１基準メモリ素子のそれより大きいとき、検出されたメモリ電荷レベルは第３基準メモリ素子と比較され（ステップＳ３）、選択されたメモリ素子は状態３又は４のいずれかである。 - 特許庁

A flash memory 29 stores in advance a required reference output value, a temperature sensor 28 measures a reference temperature corresponding to the reference output value, and the flash memory 29 stores the temperature in advance.例文帳に追加

所要の基準出力値をフラッシュメモリ２９に予め記憶し、基準出力値に対応する基準温度を温度センサ２８によって測定してフラッシュメモリ２９に予め記憶する。 - 特許庁

This circuit has a memory cell array 1 having non-volatile memory cells MC and a reference cell array 2, and a data '1' state (a state of current-pull-in) is written in a memory cell MC of the reference cell array 2.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルＭＣを持つメモリセルアレイ１と、参照セルアレイ２を有し、参照セルアレイ２のメモリセルＭＣには、データ“１”状態（電流引き込みがある状態）に書かれている。 - 特許庁

The nonvolatile memory device is provided with a read circuit (self-reference sense circuit 21) of a self-reference sense system used only during test of the reference cell (dummy cell).例文帳に追加

不揮発性記憶装置は、参照セル（ダミーセル）のテスト時にのみ用いられるセルフリファレンス方式の読出回路（セルフリファレンスセンス回路２１）を備える。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array 47ma and a reference cell array 47ra in which a plurality of reference cells being reference when information is read are arranged.例文帳に追加

メモリセルアレイ４７ｍａと、情報を読み出すとき基準となるリファレンスセルが複数配列されたリファレンスセルアレイ４７ｒａとを備える。 - 特許庁

After the second write operation, the difference between the read reference current and the memory cell current for the memory cell can be expanded because threshold voltages for the memory cell is distributed to one side of the first or the second reference memory cell as a border.例文帳に追加

第２書き込み動作後、メモリセルの閾値電圧は、第１または第２リファレンスメモリセルを境界として一方側に分布するため、読み出しリファレンス電流とメモリセルのメモリセル電流との差を大きくできる。 - 特許庁

Before an earthquake breaks out, a reference pattern corresponding to the equipment is previously stored in a reference pattern memory section 3.例文帳に追加

なお、地震発生前に、上記機器に対応する参照パターンを、参照パターン記憶部３に予め記憶する。 - 特許庁

The magnetic random access memory is provided with a reference cells in a memory cell array 11 and is constituted in such a manner that the data of the reference cell in the readout is inverted to prevent the data of the selected cell from changing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１に参照セルを設け、読み出し時に参照セルのデータを反転し、選択セルのデータを変化させないようにしている。 - 特許庁

To shorten a test time for setting a threshold voltage of a reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルの閾値電圧を設定するための試験時間を短縮する。 - 特許庁

A portion of the cell arrays forms a memory cell array MA that has the cells as memory cells MC, and another portion of the cell arrays forms a reference cell array RA that has the cells as reference cells RC.例文帳に追加

一部のセルアレイは、セルをメモリセルＭＣとするメモリセルアレイＭＡ、他の一部のセルアレイがセルを参照セルＲＣとする参照セルアレイＲＡとなる。 - 特許庁

In testing a reference memory cell MC_REF, the cell current of the reference memory cell MC_REF is directly measured from an external terminal 3 via a write driver 31.例文帳に追加

リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのテスト時において、外部端子３からライトドライバ３１を介してリファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのセル電流を直接測定する。 - 特許庁

First and second memory sections store a reference value and a verification value for generating reference voltage and verification voltage of nonvolatile multi-level memory cells.例文帳に追加

第１および第２記憶部は、不揮発性の多値メモリセルの参照電圧および検証電圧を生成するための参照値および検証値を記憶する。 - 特許庁

The state detection section 4 detects the state of the reference memory cell 3a.例文帳に追加

状態検出部４は、参照メモリセル３ａの状態を検出する。 - 特許庁

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT SUCH AS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM)例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）等の集積回路用の基準電圧発生器 - 特許庁

A mark 70 indicating a reference pitch is put above the memory 68.例文帳に追加

また、メモリ６８の上方には基準ピッチを示すマーク７０が付されている。 - 特許庁

A reference position memory unit 10 stores a position where the speed becomes zero.例文帳に追加

基準位置記憶器１０は、速度がゼロになったときの位置を記憶する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND PROGRAM METHOD AND VERIFICATION METHOD FOR REFERENCE CELL THEREFOR例文帳に追加

磁気メモリ装置、このためのリファレンスセルのプログラム方法及び検証方法 - 特許庁

A magnetic random access memory 10 comprises a memory cell MC, and a reference cell RC which is referred to at the time of reading out data in order to generate a reference level.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ１０は、メモリセルＭＣと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルＲＣとを備える。 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY HAVING REFERENCE MAGNETO-RESISTANCE AND READ-OUT METHOD THEREFOR例文帳に追加

基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリ及びその読出し方法 - 特許庁

A memory cell MC and a reference cell RC are constituted of MTJ elements.例文帳に追加

メモリセルＭＣ及びレファレンスセルＲＣは、ＭＴＪ素子から構成される。 - 特許庁

More concretely, a memory signal of the selected memory cell is read out first, then the reference signal corresponding to the almost non-polarization state is generated using the memory cell, and a memory state is determined by comparing the memory signal with the reference signal.例文帳に追加

より具体的には、まず選択したメモリセルの記憶信号を読み出し、次に該メモリセルを用いて略無分極状態に相当する参照信号を生成し、該記憶信号と該参照信号を比較することで記憶状態を判定する。 - 特許庁

An image memory storing an image from which block noise is removed by a deblocking filter is used as a short-term reference memory for a frame not including a partial image, and a memory area corresponding to a first frame including a partial image is assigned as a long-term reference memory for a first frame including a partial image.例文帳に追加

デブロッキングフィルタでブロックノイズを除去された後の画像を蓄積する画像メモリにおいて、部分画像を含まないフレームに対しては短期間参照（short-term reference）メモリとして使用し、部分画像を含むフレームに対しては部分画像を含む最初のフレームに相当するメモリ領域を長期間参照（long-term reference）メモリとして割り当てる。 - 特許庁

A sense amplifier compares a current flowing in the memory cell with the reference voltage and detects data read out from the memory cell.例文帳に追加

センスアンプは、メモリセルに流れる電流と基準電圧を比較してメモリセルから読み出されたデータを検出する。 - 特許庁

During the period of the memory read operation, the transistor, the reference cell and the addressed memory cell form a differential amplifier circuit.例文帳に追加

メモリ読取動作期間中、トランジスタと、基準セルと、アドレスされたメモリセルとが差動増幅器回路を形成する。 - 特許庁

A memory cell array block in the memory apparatus which is divided basing a twist bitline as reference is addressed in a block address.例文帳に追加

ツイストビットラインを基準に分けられるメモリ装置内のメモリセルアレイブロックがブロックアドレスによりアドレッシングされる。 - 特許庁

During memory cell data read operation, the selected memory cell and the current reference circuit including the ReRAM reference cell are activated simultaneously, and the current reference circuit is configured to provide a current from the selected memory cell and the reference current from the current reference circuit to a sense amplifying circuit of ReRAM.例文帳に追加

メモリセルデータ判読動作時に、選択されたメモリセルと前記ＲｅＲＡＭ基準セルを含む前記電流基準回路が同時に活性化され、ＲｅＲＡＭのセンス増幅器回路は、選択されたメモリセルからの電流と前記電流基準回路からの基準電流が提供されるように構成される。 - 特許庁

Memory states of a multi-bit memory cell are demarcated, by generating read-out reference signals having levels that constitute boundaries of the memory state.例文帳に追加

記憶状態の境界を構成するレベルの読出し基準信号を発生することにより、複数ビットメモリセルの記憶状態を分界する。 - 特許庁

If necessary reference image data exist in the neighboring reference image data buffer 10 in a subsequent process, the neighboring reference image data buffer 10 is read instead of the reference image data memory 3.例文帳に追加

次の処理で必要な参照画像データが近傍参照画像データバッファ１０に存在すれば、参照画像データメモリ３ではなく近傍参照画像データバッファ１０を読み出す。 - 特許庁

A reference position detecting sensor 18 for detecting a rotation reference position is also built in the encoder 14, and a duty value of the each pulse is stored in a memory 34 using the reference position as a reference.例文帳に追加

また、エンコーダ１４には回転基準位置を検出する基準位置検出センサ１８が内蔵されており、その基準位置を基準として各パルスのデューティ値をメモリ３４に記憶する。 - 特許庁

The angle difference detector takes in the second reference coordinates set in the second object to be measured and obtains the angle difference between the first reference coordinates and the second reference coordinates of the reference coordinates memory.例文帳に追加

角度差検出部は、第２被測定物に設定された第２基準座標を取り込み、基準座標記憶部の第１基準座標と、第２基準座標との角度差を求める。 - 特許庁

A reference wave data generation unit 142 generates a two-dimensional reference wave pattern reproducing the interference wave on the basis of the radio wave information stored by the reference wave memory.例文帳に追加

参照波データ生成部１４２は、参照波メモリが保持する電波情報に基づいて、干渉波を再現した２次元参照波パターンを生成する。 - 特許庁

Reference voltage (VREF-VREf2) is generated according to a current flowing in the reference cell, and memory cell data are detected using this reference voltage.例文帳に追加

参照セルを流れる電流に従って基準電圧（ＶＲＥＦ−ＶＲＥＦ２）を生成し、この基準電圧を用いてメモリセルデータを検出する。 - 特許庁

When testing, a gate voltage of the reference cell transistor T2r is set, and a reference current made to flow through the reference memory cell 3 for testing is adjusted.例文帳に追加

試験時において基準セルトランジスタＴ２ｒのゲート電圧が設定され、試験用基準メモリセル３に流れる基準電流が調節される。 - 特許庁

A reference image compression control unit 8 sets a compression mode when a reference image is stored in the reference image memory 5 based on the estimated traffic.例文帳に追加

参照画像圧縮制御部８は、見積もられたトラフィックを基にして、参照画像メモリ５への参照画像の格納における圧縮態様を設定する。 - 特許庁

To establish a reference signal for a memory cell of a MRAM array having high reliability.例文帳に追加

MRAMアレイのメモリセルのための信頼性の高い基準信号を確立すること。 - 特許庁