「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A feature quantity frame memory 102 stores pixel position information indicating the position of the reference pixel in an area specified with an address corresponding to the feature quantity of the reference pixel.例文帳に追加

特徴量フレームメモリ１０２は、参照画素の特徴量に対応するアドレスで指定される領域に、参照画素の位置を示す画素位置情報を記憶する。 - 特許庁

Thus, since the reference data is automatically changed when the abnormal state of the memory is detected, the time for periodically changing the reference data is reduced.例文帳に追加

これにより、メモリの異常状態を検出したときに基準データを自動的に変更することができるので、基準データを定期的に変更する手間を削減することができる。 - 特許庁

A magnetic memory device (8) comprises a first magnetic tunnel junction (10) having a first reference ferromagnetic layer (16), a second magnetic tunnel junction (20) having a second reference ferromagnetic layer (26), and a conductive spacer layer (30) between the first reference layer (16) and the second reference layer (20).例文帳に追加

磁気メモリデバイス(8)は、第１の基準強磁性層(16)を有する第１の磁気トンネル接合(10)と、第２の基準強磁性層(26)を有する第２の磁気トンネル接合(20)と、第１の基準層(16)と第２の基準層(20)との間にある導電性スペーサ層(30)とを含む。 - 特許庁

Reference voltages V1, V2, and V3 generated by a reference voltage generating circuit 5 are actually measured in an IC inspection stage, and ideal A/D converted values corresponding to the measured reference voltages V1, V2, and V3 are computed and written as reference data V1D, V2D, and V3D to a memory 14.例文帳に追加

基準電圧生成回路５で生成された基準電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３をＩＣ検査工程で実際に測定し、その実測した基準電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３に対応する理想Ａ／Ｄ変換値を求めて基準データＶ1D、Ｖ2D、Ｖ3Dとしてメモリ１４に書き込む。 - 特許庁

Even if the design reference value of the vehicle is stored in the memory 11 at a later step of an assembling step of the vehicle, the reference vehicle height can be operated by the output voltage and the design reference value and the initialization based on the reference vehicle height can be accomplished.例文帳に追加

車両の組立工程の後工程で車両の設計基準値を記憶部１１に記憶させた場合でも、これら出力電圧と設計基準値とで基準車高を演算することができ、当該基準車高に基づく初期化が実現できる。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with: a first reference cell 28 used for programming or reading data in a nonvolatile memory cell; and an adjust circuit 30 for adjusting a first reference level when the first reference level of the first reference cell 28 is changed.例文帳に追加

本発明は、不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第１レファレンスセル２８と、第１レファレンスセル２８の第１レファレンスレベルが変化した場合、第１レファレンスレベルを調整する調整回路３０と、を具備する半導体装置である。 - 特許庁

If it is impossible to refresh the memory, a reference relationship is established so as to use the data within the refresh cycle of the external memory, while if it is possible to refresh the memory, the external memory is refreshed within the idle time.例文帳に追加

リフレッシュができない場合には使用データが外部メモリのリフレッシュサイクル以内に符号化において使用されるように参照関係を設定し、リフレッシュを行うことが可能な場合には、空き時間内に外部メモリのリフレッシュを行う映像符号化装置。 - 特許庁

An encoding image memory control part 14 reads a coding image of a target of intra-prediction from an original image memory 12 in accordance with an instruction of an intra-prediction encoding control part 11, and a reference original image memory control part 13 reads a region adjacent to the encoding image as a reference original image.例文帳に追加

イントラ予測符号化制御部１１の指示に従い、符号化画像メモリ制御部１４が原画像メモリ１２からイントラ予測対象の符号化画像を読み出すと共に、参照原画像メモリ制御部１３が符号化画像に隣接する領域を参照原画像として読み出す。 - 特許庁

At first, encoding data of the I and P frames to be an rear part reference picture are decoded and held in a movement correcting memory 19 and, then, encoding data of the B frame is decoded through the use of the front part and rear part reference pictures held by a frame memory 18 and the movement correcting memory 19.例文帳に追加

先ず、動き補償範囲について、後方参照画像となるＩ，Ｐフレームの符号化データをデコードして動き補正用メモリ１９に保持し、次に、Ｂフレームの符号化データを、フレームメモリ１８及び動き補正用メモリ１９の保持した前方及び後方参照画像を用いてデコードする。 - 特許庁

At this time, the difference between the memory potential stored in the memory element 145 at the dark time and an amplifier reference potential given to the read amplifier 146 is detected by a digital operation circuit 150, and the amplifier reference potential is set to the memory potential at the dark time or a potential proximate to it.例文帳に追加

このとき、デジタル演算回路１５０にて、暗時におけるメモリ素子１４５に蓄積されたメモリ電位と読み出しアンプ１４６に与えるアンプ基準電位との差が検出され、アンプ基準電位を暗時のメモリ電位、あるいはその近傍電位に演算設定することが行われる。 - 特許庁

A reference voltage generation circuit outputting adjusted reference voltage has a memory element group in which adjusted data can be written, a memory for adjustment having a latch circuit set at reset and set in accordance with adjusted data written in the memory element group, and an amplifier circuit outputting output reference voltage in accordance with adjusted data.例文帳に追加

本発明は，調整された基準電圧を出力する基準電圧生成回路において，調整データを書き込み可能なメモリ素子群と，リセット時にリセットされ，その後メモリ素子群に書き込まれた調整データに応じてセットされるラッチ回路とを有する調整用メモリと，調整データに応じた出力基準電圧を出力する増幅回路とを有する。 - 特許庁

A counter counts a number N_H of the memory cells having a resistance higher than a resistance of each reference cell or a number N_L of the memory cells having a resistance lower than the resistance of each reference cell on the basis of the result of detecting data of the plurality of memory cells storing first logical data using each reference cell storing the first logical data.例文帳に追加

カウンタは、第１の論理データを格納する複数のメモリセルのデータを該第１の論理データを格納する参照セルを用いて検出した結果に基づいて、参照セルの抵抗値よりも高い抵抗値を有するメモリセルの個数Ｎ_Ｈまたは参照セルの抵抗値よりも低い抵抗値を有するメモリセルの個数Ｎ_Ｌをカウントする。 - 特許庁

The image decoding apparatus then holds a frame structure memory for storing a reference image in a frame structure corresponding to frame prediction, and a field structure memory for storing a reference image in a field structure corresponding to field prediction.例文帳に追加

そして、画像復号化装置は、フレーム予測に対応したフレーム構造で参照画像を記憶するフレーム構造用メモリと、フィールド予測に対応したフィールド構造で参照画像を記憶するフィールド構造用メモリとを保持する。 - 特許庁

As a result, the normalized reading signal of a specified memory cell is compared with the normalized reference signal of a reference cell described by '0' or '1', and the contents of the memory cell as '1' or '0' can be detected.例文帳に追加

その結果、特定のメモリーセルの正規化された読出信号を、「０」または「１」で記述される基準セルの正規化された基準信号と比較し、そして、それにより、「１」または「０」としてのメモリーセル内容を検知することも可能である。 - 特許庁

On the other hand, an SOC comparator section 170 determines whether or not the detected SOC decreases below the SOC reference value by comparing the SOC reference value stored on a memory 171 with the detected SOC stored on an SOC memory 172.例文帳に追加

一方、ＳＯＣ比較部１７０は、メモリ１７１に格納されているＳＯＣ基準値と、ＳＯＣメモリ１７２に格納されている検出ＳＯＣとを比較し、検出ＳＯＣがＳＯＣ基準値を下回っていないかを判断する。 - 特許庁

The standard image data and reference image data of the OK image group are stored in the OK image storage part 20a of a memory card 20, and the standard image data and reference image data of the NG image group is stored in the NG image storage part 20b of the memory card 20 or is discarded.例文帳に追加

ＯＫ画像グループの基準，参照画像データは、メモリカード２０のＯＫ画像格納部２０ａに格納し、ＮＧ画像グループの基準，参照画像データは、ＮＧ画像格納部２０ｂに格納する、あるいは破棄する。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a memory cell MC, having a ferroelectric capacitor CM storing binary data in a non-volatile state according to positive or negative residual polarization, and a dummy cell DC having a capacitor CD for reference generating reference voltage.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、残留分極の正負に応じて二値データを不揮発に記憶する強誘電体キャパシタＣＭを持つメモリセルＭＣと、参照電圧を発生する参照用キャパシタＣＤを持つダミーセルＤＣとを有する。 - 特許庁

The data read-out circuits (5-8) identify the first data (D_1) stored in the first memory cell (C_i1) from a reference cell electrical state of the reference cell (R_i, R_ef) and a first electrical state of the first memory cell (C_i1).例文帳に追加

データ読み出し回路（５〜８）は、リファレンスセル（Ｒ_ｉ、Ｒ_ｅｆ）が有するリファレンスセル電気的状態と第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）が有する第１電気的状態とから、第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）に記憶されている第１データ（Ｄ_１）を同定する。 - 特許庁

Reliability of memory programming and read-out is improved, by generating both sets of reference signals by the reference cell tracking vibrations in an operating characteristics of the memory cell with changes in conditions, such as temperature, system voltages.例文帳に追加

温度やシステム電圧などの条件の変化に伴って起きるメモリセルの動作特性の変動を追跡する基準セルによって、両方の基準信号の組を発生することにより、メモリプログラミングおよび読出しの信頼性が向上する。 - 特許庁

Thereby, at read-out, potentials of the word line RWL0 for reference cell (or word line RWL1 for reference cell) and the memory array normal word line MWL (or memory array redundant word line ReWL) are made rise synchronously with each other.例文帳に追加

これによって、データの読み出し時に、リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０（またはリファレンスセル用ワード線ＲＷＬ１）とメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬ（またはメモリアレイ通常ワード線ＲｅＷＬ）との電位が同期して立上がる。 - 特許庁

The read-out time of the data to the first memory cell MCO is so set as to be made shorter than the read-out time of the reference potential to the first reference cell RMCO or the write time of the data to the first memory cell is so set as to be made shorter than the write time of the reference potential to the first reference cell RMCO.例文帳に追加

第１のメモリセルＭＣ０に対するデータの読み出し時間は、第１のリファレンスセルＲＭＣ０に対する参照電位の読み出し時間よりも短いか、又は第１のメモリセルに対するデータの書き込み時間は、第１のリファレンスセルＲＭＣ０に対する参照電位の書き込み時間よりも短くなるように設定されている。 - 特許庁

A character string for abnormality detection preliminarily stored in the memory is discriminated by a character string discrimination part 73, when an abnormal state detection part 74 detects an abnormal state of the memory based on its discrimination result, reference data is generated by reading a white reference board by a scanner 2 and the reference data is stored in the reference data storage part 62.例文帳に追加

メモリに予め記憶されている異常検出用文字列を文字列判別部７３により判別し、その判別結果に基づいて異常状態検出部７４がメモリの異常状態を検出したときには、スキャナ２で白基準板を読み取ることにより基準データを生成し、その基準データを基準データ記憶部６２に記憶させる。 - 特許庁

The data updating circuit performs erasure operation varying threshold voltage of a memory cell of an object of data update so as to coincide with the prescribed reset reference voltage being one of plural reference voltage and being not any of the maximum value or the minimum value out of plural reference voltage, after that, threshold voltage of the memory cell is varied so as to coincide with reference voltage corresponding to data after update of the memory cell.例文帳に追加

データ更新回路はデータ更新対象のメモリセルの閾電圧を複数の参照電圧の１つであり、上記複数の参照電圧の中の最大値または最小値のいずれでもない所定のリセット参照電圧と一致するように変化させる消去動作を実施し、その後、該メモリセルの閾電圧を該メモリセルの更新後データに対応する参照電圧と一致するように変化させる。 - 特許庁

Further, the communication apparatus is provided with a parameter memory 3 for storing the destination information and the parameter memory 3 may store the acquired destination information as reference destination information.例文帳に追加

さらに、宛先情報を記憶するパラメータメモリ３を設け、取得した宛先情報を参照宛先情報としてパラメータメモリ３に記憶させるようにするとよい。 - 特許庁

If there is no task, the flash memory erasure task searches an unused data area (ineffective area) in the card, with reference to a management table in a memory (S13).例文帳に追加

タスクがない場合、フラッシュメモリ消去タスクはカード内に使われていないデータ領域（無効領域）があるか否かを、メモリにある管理テーブルを参照して探索する（Ｓ１３）。 - 特許庁

A stripe pattern of the projector 10 is read out from a frame memory 110 to be written in a reference stripe pattern memory 111, and the written stripe pattern is corrected by recoding.例文帳に追加

投影装置１０のストライプパターンをフレームメモリ１１０から読み出して基準ストライプパターンメモリ１１１に書き込み、書き込んだストライプパターンを再コード化により補正する。 - 特許庁

The number of pallets of the reference deep color item group LB is memorized in a memory, and the number of pallets of first to ninth relating deep color item groups LB1-9 is memorized in the memory.例文帳に追加

基準濃色品群ＬＢのパレット数を記憶装置に記憶させるとともに、第１〜９関連濃色品群ＬＢ１〜９の各パレット数を記憶装置に記憶させる。 - 特許庁

In a 1T1C type ferroelectric memory, a reference level is adjusted by a potential generating circuit 1 at the testing time, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃ型強誘電体メモリーでは、テスト時にリファレンスレベルを電位発生回路１により調整し、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。 - 特許庁

When the memory card 3 receives the command from the computer 2, the memory controller 30 analyzes and executes the received command in reference to command analysis information 91.例文帳に追加

メモリカード３がコンピュータ２からコマンドを受信すると、メモリコントローラ３０はコマンド解析情報９１を参照することにより、受信したコマンドを解析し、実行する。 - 特許庁

A memory cell in which threshold voltage in the non-selection block BLOCK1 is low state is turned on, and a channel layer formed on the memory cell being turned on is made reference voltage 0 V.例文帳に追加

上記非選択ブロックBLOCK1内のしきい値電圧が低い状態のメモリセルがオンして、そのオンしたメモリセルに形成されたチャネル層が基準電圧０Ｖとなるようにする。 - 特許庁

The word line RWL0 for reference cell is a word line activated when a memory array normal word line MWL being not a redundant line of a memory array MA is selected.例文帳に追加

リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０は、メモリアレイＭＡの冗長でないメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁

This method includes changing a read reference level for reading a group of memory cells as a function of changes in a threshold voltage distribution of a different group of memory cells.例文帳に追加

本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。 - 特許庁

To provide a flash memory device, having stable operation without failures in read-out and having a profitable reference cell circuit, having sufficient margin when a memory cell is read out.例文帳に追加

読出し失敗することなく安定した動作を有し、メモリセルを読出すに際し十分なマージンを持った有利な基準セル回路を有するフラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

A memory writing processing section 223 writes a value of a reference drawing enabling signal KS to the current address of a memory 250 for every pulse generation of the drawing timing signals TG.例文帳に追加

メモリ書き込み処理部２２３は、描画タイミング信号ＴＧのパルスが発生する毎に基準描画許可信号ＫＳの値をメモリ２５０の現在アドレスに書き込む。 - 特許庁

To expand a memory macro according as a frequency becomes high with increase of power consumption in a memory part by influence of high frequency increase of a system reference clock.例文帳に追加

システム基準クロックの高周波数化の影響により、メモリ部における消費電力増加と共に、高周波数化に対応したメモリマクロの大型化が課題となっている。 - 特許庁

Further, by adding a second line memory 7 to a first line memory 1 for phase control, an arbitrary fixed delay is realized on the bases of reference clock signal not exceeding 1 (H).例文帳に追加

また、位相調整用の第一のラインメモリ１のほかに第二のラインメモリ７を追加し、１（Ｈ）以下の基準クロック信号単位の任意の固定遅延を実現する。 - 特許庁

Then, a CPU 6 displays a reference route stored in the nonvolatile memory 10 and at the same time, displays map data stored in the image memory 9 for display.例文帳に追加

次にＣＰＵ６は、不揮発性メモリ１０に格納された参考ルートを表示させると共に、表示用画像メモリ９に格納されている地図データを表示させる。 - 特許庁

To test a memory being operated at higher speed by a test apparatus generating a reference clock of low speed in a memory test method.例文帳に追加

本発明はメモリ試験方法に関し，低速度の基準クロックを発生する試験装置により高速で動作するメモリの試験を行うことを可能にすることを目的とする。 - 特許庁

When performing correction writing, the control circuit performs correction writing to the selected memory cell when the threshold voltage of the reference memory cell is a threshold voltage at an erasure level.例文帳に追加

制御回路は、補正書き込みに際し、参照メモリセルのしきい値電圧が消去レベルのしきい値電圧である場合に、選択メモリセルへの補正書き込みを行う。 - 特許庁

A memory cell 27m and a reference cell 27r are formed on both sides of a gate electrode, and provided with memory function members having functions of holding charges or polarization.例文帳に追加

メモリセル２７ｍ及びリファレンスセル２７ｒは、共に、ゲート電極の両側に形成されて、電荷または分極を保持する機能を有するメモリ機能体を備える。 - 特許庁

To eliminate the need to subject a memory cell to high temperatures during the manufacturing of magnetic memory cells, and reduce the influence of a demagnetization field from a reference layer on a sense layer.例文帳に追加

磁気メモリセルの製造時にメモリセルを高温にさらす必要性をなくすとともに、基準層から発生する消磁界がセンス層に与える影響を低減すること。 - 特許庁

To provide a bias voltage application circuit in which the bias voltage is applied to a memory cell and a reference cell for a semiconductor storage device, and current difference for the both memory cells can be detected at high speed.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリセルとリファレンスセルにバイアス電圧を印加して、両メモリセルの電流差を高速に検知可能なバイアス電圧印加回路を提供する。 - 特許庁

A sense amplifier, which can set a reference current Iref to be supplied to a bit line in accordance with the varied characteristics of the memory transistor, is used in the semiconductor memory.例文帳に追加

本発明の半導体メモリでは、ビット線に供給される規準電流Ｉref をメモリトランジスタの特性ばらつきに応じて設定できるセンスアンプが使用される。 - 特許庁

A sense amplifier 7 detects memory information by comparing a discharge potential (Vo) of a bit line BL, to which one side of an electrode of a memory cell resistance Rcell in a memory cell MC is connected, with a reference potential (/Vo).例文帳に追加

センスアンプ７は、メモリセルＭＣ内のメモリセル抵抗Ｒｃｅｌｌの一方の電極が接続されたビット線ＢＬの放電電位（Ｖｏ）を参照電位（／Ｖｏ）と比較することにより、記憶情報を検出する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with; a memory array which includes a plurality of memory cells which have magnetoresistive elements and reference cells; and a reading circuit 9 which reads out the data of selection cells selected from among the plurality of memory cells.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路９とを具備する半導体記憶装置を用いる。 - 特許庁