「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the occurrence of read errors even in a memory cell storing multiple values by highly accurately generating a reference voltage.例文帳に追加

高精度に参照電圧を発生させて、多値が記憶されたメモリセルにおいても誤読み出しが発生することを防止する。 - 特許庁

A row consisting of reference cells is cut off and/or disabled during a memory access operation period related by the pair of redundant row.例文帳に追加

基準セルからなる行は冗長行対が関与するメモリアクセス動作期間中に切断及び／又はディスエーブルされる。 - 特許庁

To provide an image processing unit capable of contributing to reduce the storage capacity of a reference buffer memory to be referred to in motion compensation prediction.例文帳に追加

動き補償予測で参照される参照バッファメモリの記憶容量削減に資することが可能な画像処理装置 - 特許庁

A traffic analysis unit 6 estimates the traffic for the reference image memory 5 based on the output encoded parameters.例文帳に追加

トラフィック解析部６は、出力された符号化パラメータを基にして、参照画像メモリ５に対するトラフィックをピクチャ単位で見積もる。 - 特許庁

A correction factor is read out of a correction factor memory 15 through the address by each color output part 30 other than the reference color output part.例文帳に追加

基準色以外の各色の出力部３０では，このアドレスにより補正係数メモリ１５から補正係数を読み出す。 - 特許庁

Memory means 14 stores each of the areas set by the setting means 12 and a positional relation among these areas and the reference position.例文帳に追加

記憶手段１４は、設定手段１２で設定した各エリアと、それらのエリアと基準位置との位置関係とを記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of stably applying a reference potential to a sense amplifier when stored data is read.例文帳に追加

記憶されるデータを読み出す際に、基準となる電位をセンスアンプに安定して印加できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The vibration exciting frequency is increased, and the detected vibration amplitude is compared with a reference value held in the memory 8 by a comparator 9.例文帳に追加

加振周波数を上げて検出される振動振幅値を、比較器９によりメモリ８に保持された基準値と比較する。 - 特許庁

A padding circuit 16b of the image encoder 10 reads a macro lock including an object border from a VOP memory 16a as a reference image.例文帳に追加

画像符号化装置10は、パディング処理回路16b にVOP メモリ16a からオブジェクト境界を含むマクロブロックを参照画像として読み出す。 - 特許庁

The phase difference and a value previously stored in a memory are compared, and it is compared whether a difference is larger than a reference value or not (S103).例文帳に追加

位相差と先にメモリに格納された値とを比較して、その差が基準値よりも大きいかどうか比較する（Ｓ１０３）。 - 特許庁

Using their ability to reference a block of memory, it is possible to expose any data to the Python programmer quite easily.例文帳に追加

ブロックメモリを参照するというバッファオブジェクトの機能を使うことで、任意のデータをきわめて簡単にPython プログラマに公開できます。 - Python

To provide a semiconductor memory in which secular change of resistance values of fuses and wirings of a reference voltage generating circuit is prevented.例文帳に追加

基準電圧発生回路のヒューズや、配線の抵抗値の経時変化を防止した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Documents which do not have close reference among documents 206 to 210 saved in the cache memory are all gathered by garbage collection.例文帳に追加

キャッシュ・メモリに保存されるドキュメント２０６〜２１０で、強い参照を持たないものは、すべてガーベッジ・コレクションにより回収される。 - 特許庁

Information representing addresses concerning a preset reference flaw (quasi-defective pixel), and a defective pixel being in the CCD 10 is stored beforehand in a first memory 15 and a second memory 21.例文帳に追加

第１のメモリ１５及び第２のメモリ２１に、ＣＣＤ１０に存在する欠陥画素、及び予め設定された基準キズ（疑似欠陥画素）に関するアドレスを示す情報を記憶しておく。 - 特許庁

The memory part constitutes a ring memory large enough to absorb a phase difference to a predetermined reference phase for each path by a part or all of a plurality of physical memories.例文帳に追加

メモリ部は、複数の物理メモリの一部あるいは全てにより、パス毎に、所定の基準位相との位相差を吸収できるだけのメモリ容量の論理的なリングメモリを構成する。 - 特許庁

When data are read out from memory cells (MC1, DMC1), first, read-out operation (HD1-HD4) of a direction, in which polarization inversion is performed for a reference memory cell DMC1 is repeated plural times.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ１，ＤＭＣ１）からデータを読み出す際に、まず、リファレンスメモリセルＤＭＣ１に対して分極反転を伴う方向の読み出し動作（ＨＤ１〜ＨＤ４）を複数回繰り返す。 - 特許庁

A sense amplifier circuit 8a is operative to detect and compare a value of a current flowing through the selected memory cell MC and a value of a current flowing through the selected reference cell RC, and thereby read data of the memory cell.例文帳に追加

センスアンプ回路８ａは、選択されたメモリセルＭＣを流れる電流値と選択された参照セルＲＣを流れる電流値とを比較検出してメモリセルのデータを読み出す。 - 特許庁

To keep a memory module with a wireless function at the same position without reference to the rotation of a part rotating the memory module with the wireless function when the module is held to the part.例文帳に追加

無線機能付きメモリモジュールを回転する部品に保持するにあたり、部品の回転にかかわらず無線機能付きメモリモジュールの位置を同じとすることを可能とすることである。 - 特許庁

In a method for software simulation, it is determined whether there is a history or not by accessing a retrieval history in a history memory area, with reference to an address for each accessing to a simulation memory during the execution of a simulation (step 51).例文帳に追加

シミュレーション実行中のシミュレーションメモリ領域のアクセスごとに、ステップ５１において、アドレスを参照して履歴メモリ領域の検索履歴をアクセスし履歴の有無を判定する。 - 特許庁

In this way, in searching, an address of the data registration memory storing the search object (registration data) can be recognized immediately by referring to the address of the index reference memory.例文帳に追加

これによって、検索時には、インデックス参照メモリの前記アドレスを参照することにより、直ちに検索対象（登録データ）を格納しているデータ登録メモリのアドレスを知ることが可能になる。 - 特許庁

By connecting the first memory cell of the first cell array 10-1 and the first reference cell of the fourth cell array 10-4 to the sense amplifier SA, data of the first memory cell are read.例文帳に追加

第１のセルアレイ１０−１の第１のメモリセルと第４のセルアレイ１０−４の第１の参照セルとがセンスアンプＳＡに接続されることで第１のメモリセルのデータが読み出される。 - 特許庁

The memory control section 140 reads a reference image having been thinned out from the memory 200 for decoding image data processed by bidirectional predictive encoding and dual-prime predictive encoding.例文帳に追加

メモリ制御部１４０は、両方向予測符号化及びデュアルプライム予測符号化された画像データの復号用として、メモリ２００から間引き処理を行った参照画像を読み出す。 - 特許庁

A memory 16 stores an image information (face picture) received from a camera 12 and a telephone number entered by a keyboard 24 in cross reference with each other as memory dial information 16a.例文帳に追加

カメラ１２によって入力された画像情報（顔画像）とキーボード２４から入力された電話番号とを対応付けてメモリダイヤル情報１６ａとしてメモリ１６に記憶しておく。 - 特許庁

An untrusted executable code program is loaded into a preallocated memory range (sandbox) from which reference to an outside memory area by the program is restricted.例文帳に追加

信頼されない実行可能なコードプログラムは予め割り当てられたメモリ範囲（サンドボックス）内にロードされ、このプログラムによるサンドボックの外側のメモリ領域に対するリファレンスが制限される。 - 特許庁

The pixel data of the first frame (reference frame) is stored in a unit A with multiple memory cells in a memory cell array unit 20a arranged in a straight binary form in a direction to which a bit line BL is extending.例文帳に追加

第１のフレーム（参照フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ａの、ビット線ＢＬが延びる方向に並ぶ複数のメモリセルからなるユニットＡに、ストレートバイナリの形式で記憶する。 - 特許庁

The display device 11 creates a circle graph denoting the consumed capacity of the memory in area in cross-reference with time base on the basis of the consumed memory capacity table 141 and allows a display section 12 to display the graph.例文帳に追加

そして、生成したメモリ使用テーブル１４１に基づいて、時間軸を基準としてメモリ使用量を面積にて示す円グラフを作成し、表示部１２に表示させる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal.例文帳に追加

本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a printer and a printer system, capable of decoding operation with a low frequency of memory access, by dispensing with read access from a main memory for reference data.例文帳に追加

参照用データのメインメモリからのリードアクセスを不要にすることによって、少ないメモリアクセスで、デコード動作が可能であるプリンタおよびプリンタシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁

When the switch 16 is turned on, the data stored in the main memory 13 in reference with the telephone number of the mobile phone 2 are read and transferred to the memory 23 of the mobile phone 2.例文帳に追加

スイッチ１６がオンの場合は、携帯電話機２の電話番号に関連付けてメインメモリ１３に記憶されているデータを読み出して携帯電話機２のメモリ２３に転送する。 - 特許庁

The nonvolatile memory is provided with a substrate 1, a split-gate memory cell transistor MC formed on the substrate 1, and a reference transistor RT formed on the substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリは、基板１と、基板１上に形成されたスプリットゲート型のメモリセルトランジスタＭＣと、基板１上に形成されたリファレンストランジスタＲＴとを備える。 - 特許庁

The state of the memory cell M4 is sensed by comparing the potential of the bit line MBL0 connected to the drain of the memory cell 4 with a generated reference potential by a differential sense amplifier 16.例文帳に追加

メモリセルＭ４のドレインに接続されたビット線ＭＢＬ０の電位と、生成されたリファレンス電位とを差動センスアンプ１６で比較することにより、メモリセルＭ４の状態をセンスする。 - 特許庁

These data are stored in ring buffer memory 5 at a prescribed input rate, and when a data storage of the ring buffer memory 5 exceeds a prescribed reference value, track jump of the pickup 2 is performed.例文帳に追加

このデータは、リングバッファメモリ５に、所定の入力レートで記憶され、リングバッファメモリ５のデータの記憶量が所定の基準値を超えた場合、ピックアップ２のトラックジャンプが行われる。 - 特許庁

The pixel reference part 15 reads the pixel before conversion from the cache memory 20 at the conversion request when the pixel before conversion positioned at the coordinates before conversion is stored in the cache memory 20.例文帳に追加

画素参照部１５は、変換要求に基づいて、変換前座標に位置する変換前画素がキャッシュメモリ２０に記憶されている場合に、変換前画素をキャッシュメモリ２０から読み出す。 - 特許庁

The encoder has only to reserve a minimum number of memories as the past sample memory 3 and the reference channel memory 4, the encoder needs not to use many work memories and can perform compression encoding in real time.例文帳に追加

過去サンプルメモリ３、基準チャンネルメモリ４として最小限のメモリを確保すれば良いので、ワークメモリを多く使用する必要がなく、リアルタイムで圧縮符号化を行うことができる。 - 特許庁

In one memory cell group, capacity of a memory cell is varied by reducing a reference voltage value referred at the time of write-in or read-out of data for one part of the memory cell, the sum of capacity of cells of a whole memory cell group is made integral multiple of integral power of 2 bits.例文帳に追加

１個のメモリセルグループにおいて、データの書き込みまたは読み出し時に参照する基準電圧値を、一部のメモリセルに対して少なくすることによりメモリセルの容量を変え、メモリセルグループ全体のメモリセルの容量の和が２の整数乗ビットの整数倍になるようにする。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory array including a plurality of memory cells having any of phase change elements, metal oxide resistance elements, and solid electrolytic elements, and a reference cell, and a reading circuit for reading data of a cell selected from the plurality of memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、相変化素子、金属酸化物抵抗素子、及び、固体電解質素子のいずれかを有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路とを具備する。 - 特許庁

A reference address generating part 72 receives a UV coordinate value from a shader 30, and converts it into a reference address for referring to a texture, and refers to a texture map or an instruction map stored in a texture memory 76 based on the reference address.例文帳に追加

参照アドレス生成部７２は、シェーダ３０からＵＶ座標値を受け取り、テクスチャを参照するための参照アドレスに変換し、参照アドレスにもとづいてテクスチャメモリ７６に格納されたテクスチャマップまたは命令マップを参照する。 - 特許庁

When a user selects one of a plurality of titles and sets a reference thumbnail picture Si (Sa), the selected thumbnail picture Si is extracted as reference fragmental information (reference frame), and its frame number is stored in a memory S[i] (i=0) (S1, S2).例文帳に追加

複数のタイトルの一つを選んでユーザが基準サムネイル画像Ｓｉを設定すると（Ｓａ）、この選定されたサムネイル画像Ｓｉが基準断片情報（基準フレーム）として抽出され、そのフレーム番号がメモリＳ［ｉ］（ｉ＝０）に保存される（Ｓ１〜Ｓ２）。 - 特許庁

Reference potential precharge of a memory cell array 1 is performed by selecting a bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDAL connected to a control circuit 3.例文帳に追加

メモリセルアレイ１の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＡＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁

The reference potential precharge of a memory cell array 2 is performed by selecting the bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDBL connected to a control circuit 3.例文帳に追加

メモリセルアレイ２の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＢＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁

Reference circuits (A2, Q3, Q4) are provided with first and second resistive elements (RH, RL) for applying the reference current to the second input node (75) of the differential amplifier to provide a reference value to be compared with the sense current to determine the state of the memory cell (RM).例文帳に追加

基準回路(A2,Q3,Q4)は、差動増幅器の第2の入力ノード(75)に基準電流を加えるための第1と第2の抵抗素子(Ｒ_Ｈ,Ｒ_Ｌ)を備え、メモリセル(Ｒ_Ｍ)の状態を判定するためにセンス電流と比較される基準値を提供する。 - 特許庁

Before starting diagnosis operation, a reference pattern corresponding to the equipment is reset based on the reference pattern stored in the reference pattern memory section 3 before the earthquake broke and the fluctuation quantity obtained in the predetermined period after the earthquake broke out.例文帳に追加

そして、地震発生前に参照パターン記憶部３に記憶された参照パターン、及び、地震発生後の所定期間に得られた上記変動量に基づいて、診断運転の開始前に、機器に対応する参照パターンを再設定する。 - 特許庁

To maintain a dust detecting function in a reading position of a white reference member, to reduce the capacitance of a memory for storing white reference data generated by reading the white reference member, to reduce circuit scale for control, and also to reduce manufacturing costs.例文帳に追加

基準白部材の読取位置のごみ検知機能を維持するとともに、基準白部材の読取により生成された白基準データを格納するためのメモリの容量を削減し、かつ制御のための回路規模を低減し、製造コストを低減すること。 - 特許庁

This device has a frame memory 102 for storing image data, and a processing purpose memory 316 for storing reference pixel coordinates and a filter coefficient beforehand, and the reference pixel coordinate data of this processing purpose memory are given to the frame memory 102 as read addresses of the image data and the filter coefficients are given to the filter 304 respectively, and processed image data are obtained.例文帳に追加

画像データを記憶するフレームメモリ１０２と、画像データを加工する場合の参照画素座標とフィルタ係数とを予め記憶する加工用メモリ３１６を有し、この加工用メモリ３１６の参照画素座標のデータがフレームメモリ１０２に対して画像データの読み出しアドレスとして、また、フィルタ係数がフィルタ３０４にそれぞれ与えられて加工された画像データを得る。 - 特許庁

The method for executing program verification operation has a step 81 for programming a reference memory cell, a step 83 for programming a plurality of memory cells, a step 85 for generating a set signal using content of the reference memory cell, and steps 87, 89 starting the program verification operation for the plurality of memory cells using the set signal.例文帳に追加

プログラム検証動作を実施するための方法であって、基準メモリセルをプログラムするステッ８１プと、複数のメモリセルをプログラムするステップ８３と、前記基準メモリセルの内容を用いてセット信号を生成するステップ８５と、前記セット信号を用いて、前記複数のメモリセルに対する前記プログラム検証動作を開始するステップ８７，８９と、を有するように構成する。 - 特許庁