「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A nonvolatile memory 5 stores the field angle of the video signal before the adjustment by the operation section 8 and the display field angle after the adjustment in cross-reference with each other.例文帳に追加

不揮発性メモリ５は、操作部８にて調整した際の映像信号の画角と調整後の表示画角とを対応させて記憶する。 - 特許庁

The random number generating method uses a random number memory table 27 which stores random numbers and numerals to derive the random numbers in cross-reference with each other to generate a random number.例文帳に追加

乱数とこの乱数を引き出すための数値とが対応付けられて記憶された乱数テーブル２７を用いて乱数を発生させる。 - 特許庁

The sense amplifier compares a voltage of the bitline with a reference voltage by means of the boosted voltage, and reads data from the memory cell.例文帳に追加

前記センスアンプは、前記昇圧電圧を用いて前記ビットラインの電圧と基準電圧とを比較し、前記メモリセルに保持されたデータを読み出す。 - 特許庁

The tilt is corrected by driving a liquid crystal device LCD for phase correction by drive data stored in a reference memory 19a.例文帳に追加

参照メモリ１９ａに記憶されている駆動データによって位相補正用の液晶素子ＬＣＤを駆動することでチルト補正を行う。 - 特許庁

Then the memory 244 stores correction data required to eliminate the error and to nearly match the image data with the reference color data.例文帳に追加

そして、当該誤差を解消して画像データを前記基準色データにほぼ一致させるのに必要な補正データをメモリー２４４に保持させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which trimming data can be read out correctly in reset sequence even when a reference current is deviated.例文帳に追加

リファレンス電流がずれた場合でも、リセットシーケンスでトリミングデータを正しく読み出すことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The display controller 4 converts codes of colors in the bit map to colors of RGB through palette reference schemes and schemes in the memory 41 for color palettes.例文帳に追加

ディスプレイコントローラ４は、パレット参照配列、カラーパレット用メモリ４１の配列を介して、ビットマップの色のコードをＲＧＢの色に変換する。 - 特許庁

A control section 11 of the image quality adjusting device 10 is provided with a data memory section 12 which memorizes characteristic data of the reference device and the target device 50.例文帳に追加

画質調整装置１０の制御部１１は、リファレンス装置及びターゲット装置５０の特性データを記憶するデータ記憶部１２を備える。 - 特許庁

Further, the printing image data is masked with the reference data of the variable data of the memory 131 in a variable data masking part 141 to be converted to the image data only of the background pattern.例文帳に追加

また、バリアブルデータマスク部１４１でメモリ１３１の可変データの基準データでマスクされ背景絵柄のみの画像データに変換される。 - 特許庁

A memory 53 stores information of knowledge related to a shape of the face, e.g. a head model representing relation between the specific portion and a reference point.例文帳に追加

記憶部５３には、顔の形状に関する知識の情報、例えば、特定部位と基準点の関係を表す頭部モデルが記憶されている。 - 特許庁

To provide a packet processor capable of non-necessitating queuing processing when updating a reference memory and, at the same time, reducing a capacity of Queue.例文帳に追加

参照用メモリの更新時の待ち合わせ処理を不要にすると共にＱｕｅｕｅの容量を低減できるパケット処理装置を提供する。 - 特許庁

When reading data, a specific cell of the reference cell arrays is always activated with respect to an address space having one memory cell as a unit.例文帳に追加

データ読み出し時、１つのメモリセルアレイを単位とするアドレス空間に対して、参照セルアレイのうち特定の参照セルが常時活性化される。 - 特許庁

In the reference cell 27r, information only stored in the memory function member 27r of one side of the gate electrode is referred to by a sense amplifier 22.例文帳に追加

一方、リファレンスセル２７ｒは、ゲート電極の片側のメモリ機能体２７ｒｌに記憶された情報のみがセンスアンプ２２で参照される。 - 特許庁

An 'slip' between the generation angle and the synchronization angle of the reference signal is stored in the nonvolatile memory of the conduction controller for a coil 3.例文帳に追加

コイル３を通電制御する制御装置の不揮発性メモリには、基準信号の発生角度と同期角度との「ズレ角度」が記憶されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that can suppress the increase of the threshold adjusting time which increases as the number of the reference cells increases.例文帳に追加

リファレンスセルの個数が増加することによるしきい値調整時間の増加を低減できる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device 20 comprises a reference voltage detecting circuit 1, a microcomputer-logic circuit section 2, a memory section 3, and a controller 4.例文帳に追加

半導体集積回路装置２０には、基準電圧検知回路１、マイコン・論理回路部２、メモリ部３、及び制御部４が設けられている。 - 特許庁

A measurement circuit 202 includes a reference current generator 212, the memory cell 114, a bit line precharge circuit 218, and comparison/latch circuits 220, 222.例文帳に追加

測定回路２０２は、基準電流発生器２１２と、メモリセル１１４と、ビット線プリチャージ回路２１８と、比較／ラッチ回路２２０、２２２とを含む。 - 特許庁

Using a borrowed reference after the owner has disposed of it risks using freed memory and should be avoidedcompletely.例文帳に追加

所有者が参照を放棄した後で借用参照を使うと、解放済みメモリを使用してしまう危険があるので、絶対に避けねばなりません。 - Python

The light output of the fluorescent lamp 23 is controlled to be almost constant in reference to the accumulated lighting time in the non-volatile memory 24.例文帳に追加

不揮発性メモリ２４の累積点灯時間を参照して蛍光ランプ２３の光出力がほぼ一定となるように制御する方式である。 - 特許庁

A time difference setting part 80 sets time differences with respect to the reference time to be stored in a back-up memory 118 as the first-third time differences 120-121.例文帳に追加

時差設定部８０は、基準時間に対する時差を設定し、第１〜第３時差１２０〜１２１としてバックアップメモリ１１８に記憶する。 - 特許庁

A sampling part 21 conducts intermittently by M pieces memory processing for sample values of a reference signal Sr and a measured signal Sx with respect to the first memory 24 and the second memory 26, in a prescribed period longer than a period, of a clock signal Cs, multiplied with a plurality of M times.例文帳に追加

標本化部２１は、第１のメモリ２４と第２のメモリ２６に対する基準信号Ｓｒと被測定信号Ｓｘのサンプル値の記憶処理を、クロック信号Ｃｓの周期の複数Ｍ倍より長い所定周期でＭ個ずつ間欠的に行う。 - 特許庁

A decoder block of the printer stores a result obtained by decoding compressed data in an internal buffer memory, reads out it as reference line data when decoding a next line to perform decode operation, and reads out the data stored in the buffer memory to write it to the main memory during copy operation for a previous line as well.例文帳に追加

プリンタのデコーダブロックは圧縮データをデコードした結果を、内部のバッファメモリへ蓄え、次ラインのデコード時に、参照ラインデータとして、読み出し、デコード動作し、また、前ラインのコピー動作時も、バッファメモリに保持されているデータを読み出し、メインメモリへ書き出す。 - 特許庁

Current path length on wirings arranged in the direction of crossing the reference cell RMC are automatically balanced regardless of an address selection result among current paths that pass a selected memory cell RMC# and a selected reference cell RMC#.例文帳に追加

選択メモリセルＲＭＣ♯および選択リファレンスセルＲＭＣ＃を通過する電流経路の間で、リファレンスセルＲＭＣと交差する方向に配置された配線上での経路長は、アドレス選択結果にかかわらず自然に均衡する。 - 特許庁

Then prediction information of the reference image candidate area 15-2 is obtained from the prediction information memory 11 and the image area that the prediction information 16-2 indicates has decided as a reference image candidate area 15-3.例文帳に追加

次に、参照画像候補領域１５−２の予測情報１６−２を予測情報メモリ１１から取得し、予測情報１６−２が示す画像領域を参照画像候補領域１５−３とする。 - 特許庁

A 3:2 pull-down information generating circuit 14 generates the reference 3:2 pull-down information from the video stream subjected to compression encoding at first and stores the generated reference 3:2 pull-down information to a 3:2 pull-down data memory 15.例文帳に追加

３：２プルダウン情報生成回路１４は最初に圧縮符号化された映像ストリームから基本３：２プルダウン情報を生成し、生成した基本３：２プルダウン情報を３：２プルダウンデータ用メモリ１５に格納する。 - 特許庁

To provide a door controller of an elevator capable of optimizing the reference value for overload detection, and detecting the overload with high accuracy by using the reference value without requiring any memory for keeping the control data for each floor or any complicated computation processing.例文帳に追加

各階床毎に制御データを保持するためのメモリや複雑な演算処理を必要とせずに、過負荷検出の基準値を最適化でき、その基準値を用いて過負荷検出を高精度に行う。 - 特許庁

To provide a memory device and a reference current setting method capable of setting a proper reference current whereby data can accurately be read on the basis of a trimming code thereby avoiding a conforming computer from being discriminated as nonconforming computer.例文帳に追加

トリミングコードに基づいてデータを正確に読み出すことができる適切なリファレンス電流の設定を可能とし、良品を不良品として判定することが無いメモリ装置とリファレンス電流設定方法を提供する。 - 特許庁

To allow a reference voltage generator of a FeRAM to provide high data integrity over a long period of time by periodically calibrating reference voltage so as to track the changes in a memory cell due to a factor such as temperature and aging.例文帳に追加

FeRAMの基準電圧発生器は、周期的に温度及び老化のような要因によるメモリセルの変化を追跡するように基準電圧を校正することによって、長期にわたって、高いデータの完全性を提供する。 - 特許庁

Then prediction information 16-1 of the reference image candidate area 15-1 is acquired from a prediction information memory 11; and the image area that the prediction information 16-1 indicates is decided as a reference image candidate area 15-2.例文帳に追加

次に、参照画像候補領域１５−１の予測情報１６−１を予測情報メモリ１１から取得し、予測情報１６−１が示す画像領域を参照画像候補領域１５−２とする。 - 特許庁

A moving vector detecting part 15 obtains the standard image and the reference image from an image memory 14, calculates the moving vectors of the standard image and the reference image, and outputs the vectors to an image-correcting part 16 via a bus 18.例文帳に追加

動きベクトル検出部１５は、画像メモリ１４から基準画像と参照画像を取得し、基準画像と参照画像との動きベクトルを算出してバス１８を介して画像補正部１６に出力する。 - 特許庁

For each determination point for a specific reference state of charge, a state-of-charge correction part (6e) replaces a measurement value of the state of charge with the reference state of charge, on the basis of a discharge characteristic table in a memory (6a).例文帳に追加

充電状態修正部（６ｅ）は充電状態の測定値を、メモリ（６ａ）内の放電特性表に基づき、特定の基準充電状態に対する確定点ごとにその基準充電状態で置換する。 - 特許庁

Although a reference amplifier gain of the transmission and receiving portion in the analog processing portion 20 is previously set in the parameter memory 96 inside in the digital processing portion 20, the reference amplifier gain needs to be corrected because of temperature variations.例文帳に追加

デジタル処理部９内に存在するパラメータメモリ９６には、予めアナログ処理部２０内の送受信部の基準アンプゲインが設定されているが、温度変化により、この基準アンプゲインを補正する必要がある。 - 特許庁

Since the "0" displacement, being conventionally in a special state of the reference pixel transfer amount in the neighboring searching is no longer produced, the transfer amount of the reference pixel transferred from a frame memory 14 can be reduced.例文帳に追加

従来、近傍探索において参照画素転送量の特殊状態であった「０」変位が発生しなくなるのでフレームメモリ１４から転送される参照画素の転送量を低減することが可能になる。 - 特許庁

The magnetic memory cell comprises a data layer (110), the soft reference layer (130) having lower magnetic energy than the data layer (110) has, and a spacer layer (120) disposed between the data layer (110) and reference layer (130).例文帳に追加

データ層（１１０）と、前記データ層よりも磁気エネルギーが低い軟らかい基準層（１３０）と、前記データ層（１１０）と前記軟らかい基準層（１３０）の間に配置されたスペーサ層（１２０）とを含む磁気メモリセル。 - 特許庁

The line memory 7 stores image data inside the reference pixel area of one picked-up image and image data on a horizontal line corresponding to the vertical position of the reference pixel area in the other picked-up image.例文帳に追加

ラインメモリ７は、一方の撮像画像における基準画素領域内の画像データと、他方の撮像画像における基準画素領域の垂直位置に対応した水平線上の画像データとを記憶する。 - 特許庁

In a decoder which motion-compensates a moving image and decodes it, a reference image storing section includes a compression section 1200, a memory section 1201 and an extension section 1202, and template-encodes and stores a reference image.例文帳に追加

動画像を動き補償して復号化する復号化装置において、参照画像記憶部は、圧縮部１２００とメモリ部１２０１と伸長部１２０２とを含み、参照画像をテンプレート符号化して記憶する。 - 特許庁

A reference value for a fractionation signal level is set beforehand in a memory part 15, and a fractionation signal level calculation part 9 calculates the fractionation signal level of the selected peak based on the reference value for the fractionation signal level.例文帳に追加

記憶部１５には予め分画信号レベル用の基準値が設定されており、分画信号レベル算出部９は分画信号レベル用の基準値に基づいて選択ピークの分画信号レベルを算出する。 - 特許庁

A correction section 103 corrects the reference location of the transfer arm on the basis of the processing recipe set in the recipe setter 101 and the initial reference location, the first correlation, and the second correlation stored in the memory 102.例文帳に追加

補正部１０３では、レシピ設定部１０１で設定された処理レシピと、記憶部１０２に記憶された初期基準位置、第１の相関及び第２の相関に基づいて、搬送アームの基準位置が補正される。 - 特許庁

Biometrics reference data D1 of many and unspecified persons is registered in a memory 1A of an IC card 1, and a result D3 of matching calculation between this reference data and biometrics data D2 of the person is registered.例文帳に追加

ＩＣカード１のメモリ１Ａに、不特定多数の人のバイオメトリクス参照データＤ１を登録し、この参照データと本人のバイオメトリクスデータＤ２とのマッチング計算をしてその結果Ｄ３を登録しておく。 - 特許庁

The charging state correcting section (6e) substitutes the measured value of charging state by a specific reference charging condition for each fixed point to the reference charging state, based on discharge characteristics table in memory (6a).例文帳に追加

充電状態修正部（６ｅ）は充電状態の測定値を、メモリ（６ａ）内の放電特性表に基づき、特定の基準充電状態に対する確定点ごとにその基準充電状態で置換する。 - 特許庁

An edge quantity decision circuit 5 decides whether or not the quantity of the edge part exceeds a reference value according to the binary data stored in the memory 6 and outputs a vehicle approach signal as a trigger signal when the reference value is exceeded.例文帳に追加

エッジ量判定回路５が、メモリ６に格納された二値データに基づいて、エッジ部の量が所定の基準値を超えるかどうか判定し、超えたときに、トリガ信号である車両接近信号を出力する。 - 特許庁

The feature amount analysis section 206 compares the feature amount of the operating states extracted in the feature extracting section 202 and the reference feature amounts stored in the reference feature memory 204 to make troubleshooting.例文帳に追加

特徴量解析部２０６は、特徴量抽出部２０２で抽出された実働状態の特徴量と基準特徴量記憶部２０４に格納してある基準特徴量とを比較して、故障診断を行なう。 - 特許庁

Thus, when a P picture and an I picture which are reference frames are also input, a decoding operation is made to store data in the frame memory, so that an extremely high speed decoding of a plurality of reference frames in a certain one frame can be made unwanted.例文帳に追加

このように、リファレンスフレームであるＰピクチャ、Ｉピクチャ入力時にも復号動作を行ってフレームメモリに格納することで、ある１フレーム内での複数のリファレンスフレームの極めて高速な復号を不要にできる。 - 特許庁

In a memory, bias circuits 112, 212, 312, 412 biasing a sense amplifier 114 by vriation voltage V_B using current reference 108 for supplying a reference current and control circuits 106, 120.例文帳に追加

メモリにおいて、バイアス回路（１１２、２１２、３１２、４１２）が、基準電流を供給するための電流基準（１０８）と制御回路（１０６、１２０）とを用いて、変動電圧（Ｖ_Ｂ）でセンス増幅器（１１４）をバイアスする。 - 特許庁

A reference clock is inputted to an IC 1 to be tested from a reference clock oscillator 2, and an output signal having a minutely deviated frequency is converted into binary digital output data by a digitizer 3 and memorized in A region in a memory 4.例文帳に追加

基準クロック発振器２から基準クロックを被試験ＩＣ１に入力し、周波数が微少に偏移した出力信号をデジタイザ３で２値のデジタル出力データへ変換し、メモリ４のＡ領域へ記憶する。 - 特許庁