「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

This allows the assembler to emit one word memory reference instructions based on the global pointer ( gp or $28 ), instead of the normal two words used. 例文帳に追加

これによりアセンブラは、通常では 2 ワードの参照を行うところを、グローバルポインタ( gpまたは$28 )を基準とした 1 ワードのメモリ参照命令を生成可能となります。 - JM

Key and data byte strings may reference strings of essentially unlimited length although any two of them must fit into available memory at the same time. 例文帳に追加

キーとデータのバイト文字列は、基本的には無制限の長さの文字列を参照できるが、しかしいずれも使用可能なメモリに収まっていなくてはならない。 - JM

To provide a ferroelectric memory and its data readout method in which stable reference voltage can be obtained, and accurate readout of stored data can be performed.例文帳に追加

安定したリファレンス電圧を得ることができ、正確な記憶データの読み出しが可能な強誘電体メモリ及びそのデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁

When the storage capacity becomes larger than a prescribed reference value, large article sets and a correlation rule are generated and then the hash tree is erased from the memory 6.例文帳に追加

そして、所定の基準値より大きくなった場合に、大品目セットおよび相関ルールが生成され、その後にハッシュ木がメモリ６から消去される。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device, including a reference potential generating circuit having dependence on temperature and dependence on power supply voltage.例文帳に追加

温度に対する依存性と、電源電圧に対する依存性を有する参照電位発生回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A central operating unit specifies the reference addresses, comparison data and control functions through memory map registers by a configuration interface controller.例文帳に追加

コンフィギュレーション・インターフェース・コントローラにより、中央演算装置は、メモリ・マップ・レジスタを通じて、基準アドレス、比較データおよび制御機能を指定することができる。 - 特許庁

On the other hand, the capacitor 82 and the capacitor 92 are provided in a dummy cell 80 and a dummy cell 90 respectively which are provided separately from the reference cell and the memory cell.例文帳に追加

一方、キャパシタ８２およびキャパシタ９２は、リファレンスセルおよびメモリセルと別に設けられたダミーセル８０およびダミーセル９０内にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A diagnostic device 20 for analyzing a trace stream reconfigures the related memory address from the trace data elements using reference address registers 30-2.例文帳に追加

トレースストリームを分析するための診断装置２０は、参照アドレスレジスタ３０−２を使用して、トレースデータ要素から関連付けられたメモリアドレスを再構成する。 - 特許庁

A clock signal from the PLL circuit 5 is used for a reference clock used when reading the buffer memory 2 and for analog conversion of the D/A converter 3.例文帳に追加

ＰＬＬ回路５からのクロック信号を、バッファメモリ２からの読み出し時や、Ｄ／Ａ変換器３のアナログ変換時における基準クロックとして使用する。 - 特許庁

The data processing means 10 is provided with a memory region 13 where bloodstream conversion data and a plurality of reference data are written.例文帳に追加

このうち、データ処理手段１０にはメモリ領域１３が設けられており、そこには血流量変換データ及び複数の参照データが書き込まれている。 - 特許庁

Erasure is performed simultaneously by sharing a memory cell array 4 for protecting data and a reference cell for read-verify.例文帳に追加

データ保護情報を記録するためのデータ保護用メモリセルアレイ４と、リード／ベリファイ用リファレンスセル３の消去用の回路を共通にし、同時に消去を行う。 - 特許庁

The determination of the memory state includes a sampling operation of the voltage of the second electrode, and a corresponding voltage sampling value is compared with at least one reference voltage.例文帳に追加

記憶状態の判定は、第２電極の電圧をサンプリングすることを含み、対応する電圧サンプリング値は、少なくとも１つの基準電圧と比較する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory and its data rewriting method in which stable reference voltage can be obtained, and accurate read-put of stored data can be performed.例文帳に追加

安定したリファレンス電圧を得ることができ、正確な記憶データの読み出しが可能な強誘電体メモリ及びそのデータリライト方法を提供する。 - 特許庁

A latch circuit 4 responds to a reference clock S to latch the address signals A0 and A1 and the address signals D0-Dm, and supplies them to the frequency conversion memory.例文帳に追加

ラッチ回路４は、アドレス信号Ａ０，Ａ１とアドレス信号Ｄ０〜Ｄｍを基準クロックＳに応答してラッチして周波数変換メモリに供給する。 - 特許庁

A reference beam, which is spatially modulated and diffracted by an interference pattern formed on the holographic memory, is received by a photodetector 130.例文帳に追加

参照光はホログラフィックメモリに形成されている干渉パターンによって空間的に変調され、かつ回折されて、フォトディテクタ１３０で受光される。 - 特許庁

Then, the coordinates of the point indicated on the reference image information is associated with the photographed image information, and the associated information is stored in the frame memory 6 (S7).例文帳に追加

次に、前記基準画像情報上に指示されたポイントの座標情報と撮影画像情報を関連付けてフレームメモリ６内に格納する（Ｓ７）。 - 特許庁

An apparatus for measuring three dimensional coordinates comprises a probe posture controller, a coordinates setting part, a reference coordinates memory, an angle difference detector and a posture compensation part.例文帳に追加

本発明の三次元座標測定装置は、プローブ姿勢制御部、座標設定部、基準座標記憶部、角度差検出部、および姿勢補正部を備える。 - 特許庁

To provide a memory device that can generate the reference voltage not affected by the voltage fluctuations of the power supply and is suitable for a burn-in test.例文帳に追加

電源電圧の変動の影響を受けない参照電圧が生成される記憶装置であって、バーンインテストを行うのに適した記憶装置を実現する。 - 特許庁

To provide a reference fail bit verification circuit in which a time required for data erasing operation can be shortened and a nonvolatile semiconductor memory device including the same.例文帳に追加

データ消去動作にかかる時間を短縮させうる基準フェイルビット確認回路及びこれを含む不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The robot control device RC includes a memory unit storing each instruction point, which regulates a welding line, and an assistant point for calculation of the reference surface paired with each other.例文帳に追加

ロボット制御装置ＲＣは、溶接線を規定する各教示点と、基準面を算出するための補助点とを、対にして記憶する記憶部を備える。 - 特許庁

File data areas are secured on a memory, and file data are read in the file data areas to analyze the file data, and event data which are reference data are referred to.例文帳に追加

メモリ上にファイルデータ領域を確保し、ファイルデータをファイルデータ領域に読み込み、ファイルデータを解析して、参照データであるイベントデータを参照する。 - 特許庁

In an image reader (scanner) of a line-sequentially reading type, reference smear amount data on the smear generated at each color component is stored in first memory.例文帳に追加

線順次読取り方式の画像読取装置（スキャナ）に、各色成分毎に発生するスミアの基準スミア量データを第１のメモリに格納しておく。 - 特許庁

To provide a reference signal generating circuit minimizing effects of the change of a processing condition and noise, and to provide the synchronous semiconductor memory having the same.例文帳に追加

工程条件の変化やノイズの影響を最小化する基準信号発生回路とこれを備える同期式半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The injection charge amplifier (30) determines whether a sensed memory cell is in a first or second resistive state as compared to a reference cell.例文帳に追加

注入電荷増幅器(30)は、センシングされたメモリセルが基準セルと比較して第1の抵抗状態であるか、又は第2の抵抗状態であるかを判定する。 - 特許庁

Determination is made, based on a type of encoding of the decompressed block and a position of the corresponding reference frame, or a given topology pattern and a size of the frame memory.例文帳に追加

これはこの圧縮解除ブロックの符号化タイプと対応参考フレームの位置、或いは付与されたトポロジーパターンとフレームメモリの容量によりなされる。 - 特許庁

A frame buffer 10 stores an image generated by performing local decoding on a predictively encoded image, and a reference prediction mode memory 102 stores information showing a used prediction mode.例文帳に追加

フレームバッファ10は予測符号化された画像をローカルデコードした画像を記憶し、参照予測モードメモリ102は使用した予測モードを示す情報を記憶する。 - 特許庁

A magnetic memory cell 40 has a data storage layer 50 for storing a variable magnetic field, a reference layer 54 in which a magnetization direction is pinned, and a tunnel barrier 52.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、変更可能な磁界を記憶するデータ記憶層５０と、磁化方向がピン留めされた基準層５４と、トンネル障壁５２とを有する。 - 特許庁

A network system comprises: a communication portion for exchanges of data with other control apparatuses; a link memory 15 for storing data shared through the network; an indirect reference table 16 for storing logical names and pointers used to access data stored in the link memory; and a database 17 of variables in which logical names are associated with memory addresses in the indirect reference table storing the pointers of the logical names.例文帳に追加

他の制御装置との間でデータ交換をする通信部と、ネットワークを介して共有するデータを格納するリンクメモリ１５と、論理名とリンクメモリに格納されたデータをアクセスするためのポインタを格納する間接参照テーブル１６と、論理名と、その論理名についてのポインタが格納された間接参照テーブル内のメモリアドレスを対応付けた変数データベース１７とを有する。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁

The image processing apparatus performing motion compensation processing comprises a memory 10 for storing image data, and an address generating section 11 for comparing a reference image address obtained from motion vectors mvx and mvy with an image boundary address, and accessing the memory with the image boundary address to read out image data from the memory if the reference image address deviates from the range of the image boundary address.例文帳に追加

動き補償処理を行う画像処理装置であって、画像データを記憶するメモリ１０と、動きベクトルｍｖｘ，ｍｖｙから求められた参照画アドレスと画像境界アドレスとの比較を行い、この結果、参照画アドレスが画像境界アドレスの範囲外である場合、画像境界アドレスによりメモリにアクセスしメモリから画像データを読み出すアドレス生成部１１と、を有するものである。 - 特許庁

The set associative type cache memory device equipped with a memory cell part which holds data and tags, an LRU memory part representing reference history information on cache blocks, and a circuit which makes a hit/miss decision has an instruction for changing the LRU of a corresponding cache block to the block which was referred to in the remote past.例文帳に追加

データとタグを保持するメモリセル部と、キャッシュブロックの参照履歴情報を表すＬＲＵメモリ部と、ヒット／ミスを判定する回路を具備するセットアソシアティブ方式のキャッシュメモリ装置において、該当キャッシュブロックのＬＲＵを最も遠い昔に参照したブロックに変更する命令を備える。 - 特許庁

The shared memory includes: a packet storage memory for storing the divided fixed length packets sequentially to pages designated by a pointer link; and a pointer storage memory for storing a next pointer representing a page to be linked next in cross-reference with pages of the pointer link and an access count representing the number of valid data in each page.例文帳に追加

共有メモリは，分割した固定長パケットをポインタリンクにより指定されたページに順に格納するパケット格納メモリと，ポインタリンクのページに対応して次にリンクするページを表す次ポインタとページ内の有効データ数を表すアクセスカウントとを格納するポインタ格納メモリとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a comparator is used to compare, with a predetermined reference, an electrical change obtained in a state similar to a state in which a memory element has a resistance value of a second state, without changing the resistance value of the memory element from a first state to the second state.例文帳に追加

メモリ素子の抵抗値を第１状態から第２状態に変化させることなく、比較器による、メモリ素子が第２状態の抵抗値をもつ状態と同様の状態で得た電気的変化と、一定基準との比較が可能な半導体メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

When a mobile phone 2 is loaded on the charging apparatus 1 when a switch 16 is turned off, a control section 12 reads data from a memory 23 of the mobile phone 2 and once stores the data to a sub memory 14 and thereafter stores the data to a main memory 13 in reference with a telephone number of the mobile phone 2.例文帳に追加

スイッチ１６がオフの場合に、携帯電話機２を充電装置１に装着すると、制御部１２は携帯電話機２のメモリ２３からデータを読み出してサブメモリ１４に一旦保持した後、携帯電話機２の電話番号に関連付けてメインメモリ１３に記憶する。 - 特許庁

Also, a memory using condition monitoring function 37 calculates a free capacity after performing memory interruption, checks the free capacity of the memory area, and when the free capacity becomes lower than a set monitoring reference, issues an alarm to the application programs 33 and 34 or the like.例文帳に追加

また、メモリ使用状況監視機能３７はメモリ割り込みを実行した後の空き容量を計算してメモリ領域の空き容量をチェックし、設定されている監視基準よりも空き容量が低下すると、アプリケーションプログラム３３、３４等に対して警告を発行する。 - 特許庁

An image synthesis unit 240 holds the reference image at a predetermined position in a holding region of an image memory 250 and synthesizes respective converted images on the image memory 250 to obtain a synthesized image, which is held in the image memory 250 as a new history image.例文帳に追加

画像合成部２４０は、画像メモリ２５０の保持領域における所定の位置に基準画像を保持させ、変換された各画像を画像メモリ２５０上に合成させることにより合成画像とし、この合成画像を新たな履歴画像として画像メモリ２５０に保持させる。 - 特許庁

To disclose a technology for accurately testing the characteristics of a memory array by rechanging reference voltage and timing to be adjusted for a test of memory cells in particular in a software manner without requiring a different process regarding a test mode controller that utilizes a nonvolatile ferroelectric memory.例文帳に追加

本発明は不揮発性強誘電体メモリを利用したテストモード制御装置に関し、特にメモリセルのテストのため調整されるレファレンス電圧及びタイミングを別途のプロセスなくソフトウェア的に再変更し、メモリセルアレイの特性を正確にテストするようにする技術を開示する。 - 特許庁

When the compared result is less than the reference ratio, a 2nd memory part 3b in a 1st transmission/ reception control means 3 is set up to a stand-by state and received data written in a 1st memory part 2b in the 1st transmitting/receiving part 2 are directly transferred and written in a main memory part 6.例文帳に追加

または、前記比較結果が前記基準比率以下であるときには、第１の送受信制御手段３の第２のメモ部3bをスタンバイ状態に設定し、前記第１の送受信手段２の第１のメモリ部2bに書き込んだ受信データを主メモリ部６へ直接転送して書き込む。 - 特許庁

A storage frame into a reference frame memory 18 and coding parameters D, S thereof are determined so that a decoding processing load may be within a permissible range for all the speeds instructable in the double speed/random reproduction in start of coding during an H.264 encoding processing process, and a reference frame memory history table 24 is created and updated.例文帳に追加

Ｈ．２６４エンコード処理過程で、符号化開始時に、倍速／ランダム再生で指示可能とする全速度について、デコード処理負荷が許容範囲内となるように、参照フレームメモリ１８への保存フレームとその符号化パラメータＤ，Ｓを決定し、参照フレームメモリ履歴テーブル２４を作成更新する。 - 特許庁

In the acquisition (711, 721) of reference pixels, interpolation processing (712, 722), and the storage of interpolation results (713, 723), the first processing and the second processing are independently executable, the locality of a memory is improved and a hit rate of a cache memory is increased by performing interpolation processing whose reference picture number is the same at a time.例文帳に追加

参照画素の取得（７１１、７２１）、補間処理（７１２、７２２）、補間結果の保存（７１３、７２３）は、第１処理と第２処理は独立して実行が可能なため、参照ピクチャ番号が同じ補間処理をまとめて処理することにより、メモリの局所性を高め、キャッシュメモリのヒット率を向上させる。 - 特許庁

When an update frequency value is equal to or more than a reference value, the SSD1 writes the data in a block whose data rewrite frequency is less than a prescribed frequency in a flash memory 7, and when the update frequency value is less than the reference value, writes the data in a block whose data rewrite frequency is equal to or more than the prescribed frequency in the flash memory 7.例文帳に追加

ＳＳＤ１は、更新頻度値が基準値以上であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数未満のブロックに当該データを書き込み、更新頻度値が基準値未満であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数以上のブロックに当該データを書き込む。 - 特許庁

In an H.264 encoding processing process, at the start of encoding, a storage frame to a reference frame memory 18 and encoding parameters D and S are determined so that a decoding processing load is within an allowable range on entire speed that can be instructed in the double-speed/random reproduction, and a reference frame memory history table 24 is created/updated.例文帳に追加

Ｈ．２６４エンコード処理過程で、符号化開始時に、倍速／ランダム再生で指示可能とする全速度について、デコード処理負荷が許容範囲内となるように、参照フレームメモリ１８への保存フレームとその符号化パラメータＤ，Ｓを決定し、参照フレームメモリ履歴テーブル２４を作成更新する。 - 特許庁

An image signal converter 6 outputs a luminance signal obtained from the current image frame memory 3 and the reference image frame memory 5 to a binary processing section 7, where the difference data of the luminance signal of each image and the reference image data are compared to obtain binary processing data and a projection arithmetic section 9 obtains a projection value from the binary processing data.例文帳に追加

画像信号変換器６は現画像フレームメモリ３及び基準画像フレームメモリ５から供給される信号から輝度信号を２値化部７に出力して、そこで、各画像の輝度信号の差分データと基準値とを比較して２値化し、影射演算部９によって２値化データから射影値を求める。 - 特許庁

A memory 27 of the battery system 11 stores a predetermined charging pattern according to the kind of the battery 12, and a reference value generation circuit 26 generates a reference value of charging, based on the quantity of electricity detected by a detector 25 for detecting the quantity of electricity momentarily and a charging pattern stored in the memory 27.例文帳に追加

電池システム１１のメモリ２７には、電池１２の種類に応じて予め定められた充電パターンが記憶され、基準値発生回路２６は電気量検出器２５で時々刻々検出される電気量及びメモリ２７に記憶された充電パターンに基づいて充電の基準値を発生する。 - 特許庁

This method of discharging the erase voltage in a semiconductor memory device includes a step of performing a first discharge on an CSL voltage in a semiconductor memory device, a step of comparing the CSL voltage with the reference voltage, and a step of performing a second discharge on the CSL voltage when the CSL voltage is lower than the reference voltage.例文帳に追加

半導体メモリ装置のＣＳＬを１次ディスチャージする段階と、ＣＳＬ電圧を所定基準電圧と比較する段階と、ＣＳＬ電圧が基準電圧より低い場合、ＣＳＬを２次ディスチャージする段階と、を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の消去電圧のディスチャージ方法。 - 特許庁