「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a graphic is recognized by collating character data detected from the direction vector data by a character information detecting part 6 with reference data which is stored in a reference data storage memory 7 by a character collating part 8.例文帳に追加

次に特徴情報検出部６により前記方向ベクトルデータから検出された特徴データと基準データ保管メモリー７に保管されている基準のデータとを特徴照合部８により照合することで図形が認識できる。 - 特許庁

Further, the reference image is divided into a plurality of domains R, and information (domain specification information) for specifying a range of a domain R in the inspection domain 61 is generated in each domain R, and registered in a memory together with the reference image.例文帳に追加

さらに基準画像を複数の領域Ｒに分割し、領域Ｒ毎に、検査領域６１内でその領域Ｒの範囲を特定するための情報（領域特定情報）を作成し、基準画像とともにメモリに登録する。 - 特許庁

The reference voltage (B) can be set surely to an intermediate voltage with the signal voltage (A or C) by repeating read- out operation (HD1-HD4) of a direction, in which polarization inversion is conducted for the reference memory cell (DMC1) plural times.例文帳に追加

リファレンスメモリセルＤＭＣ１に対して分極反転を伴う方向の読み出し動作（ＨＤ１〜ＨＤ４）を複数回繰り返すことで、リファレンス電圧（Ｂ）は確実に信号電圧（ＡまたはＣ）の中間電圧にできる。 - 特許庁

When the reference slot 34 is operated, or the reading/writing operation to a memory module element mounted on the reference slot 34 is performed, the same reading/writing operation is performed for the parallel slots 36 and 38.例文帳に追加

基準スロット３４が動作する時、すなわち基準スロット３４に実装されたメモリモジュール素子に対する読み取り／書込み動作が行われる時、並列スロット３６、３８についても同様に読み取り／書込み動作が行われる。 - 特許庁

It also comprises a memory means (for example, RAM6)for storing reference data in which test pattern data of the vibration test of the test body and a reference transmission characteristics data of the vibrator in vibration test in accordance with the test pattern data are correlated.例文帳に追加

供試体の振動試験の試験パターンデータと、当該試験パターンデータに応じた振動試験における加振部の基準伝達特性データとが対応付けられた基準データを記憶する記憶手段（例えば、ＲＡＭ６）を備える。 - 特許庁

A reference mark adding section 130 adds a reference line to the left end of print image data stored in a print image memory 120 and a head section 150 prints the print image data on a print sheet 800 through a print section 140.例文帳に追加

入力された印刷画像メモリ１２０に記憶されている印刷用イメージデータに、基準マーク付加部１３０で左端に基準線を付して、印刷部１４０を介してヘッド部１５０より印刷用紙８００に印刷する。 - 特許庁

A difference calculation part 2 calculates a difference frame between an image pickup frame constituted of a video signal S1 obtained by digitizing a monitored image and a reference frame outputted from a reference frame storing part 1 and stores the difference frame in a difference frame memory 3.例文帳に追加

差分算出部２で、監視映像をディジタル化した映像信号Ｓ１で構成される撮像フレームと、基準フレーム記憶部１から出力する基準フレームの差分フレームを算出し、差分フレームメモリ３に記憶する。 - 特許庁

To read the stored data of a memory cell transistor 10 having a floating gate, this device is provided with a single gate-type reference transistor 20, a differential sense amplifier 30, and a gate voltage generating circuit 40 for generating the gate voltage of the reference transistor 20.例文帳に追加

浮遊ゲートを有するメモリセルトランジスタ１０の記憶データをリードするために、シングルゲート型のリファレンストランジスタ２０と、差動センスアンプ３０と、リファレンストランジスタ２０のゲート電圧を生成するためのゲート電圧発生回路４０とを設ける。 - 特許庁

The part 16 reads the reference image from the image memory 14, moves the read reference image in parallel by the amount corresponding to the moving vector, and convents the image into a corrected image, which is supplied to an output part 17 via the bus 18.例文帳に追加

画像補正部１６は、画像メモリ１４から参照画像を読み出し、読み出した参照画像を対応する動きベクトルの分だけ平行移動して補正画像に変換し、バス１８を介して出力部１７に供給する。 - 特許庁

When the battery voltage drops to the first reference voltage V1, the imaging limitation sheet number is reduced from 20 to 10 and the capacity of an image memory to be assigned to the storage of the image is reduced as compared with specific reference capacity.例文帳に追加

バッテリ電圧が第１基準電圧Ｖ１まで低下した場合は、撮像限界枚数を２０枚から１０枚に低下させ、画像の記憶に割り当てる画像メモリの容量を所定の基準容量よりも低下させる。 - 特許庁

In order to perform a (p) well variation test, the memory device is provided with an IPL decoding logic circuit 60, a reference voltage generator 70, an IPL voltage reference multiplexer 80, a (p) well voltage feedback circuit 90, and a differential amplifier circuit 36.例文帳に追加

ｐウェル変化テストを実行するために、メモリ・デバイスには、ＩＰＬデコード論理回路６０、基準電圧発生器７０、ＩＰＬ電圧基準マルチプレクサ８０、ｐウェル電圧フィードバック回路９０、差動増幅器回路３６が設けられる。 - 特許庁

When one frame image data derived from white reference image is enveloped on the memory means, a minimum domain data containing all the endoscope data is detached from all the domains of the white reference image.例文帳に追加

白色基準画像から由来する１フレーム分の画像データがメモリ手段に展開されたとき、その白色基準画像データの全領域から内視鏡像データの全てを含む最小領域データが検出される（図７、図１０）。 - 特許庁

A memory element includes a MTJ structure consisting of: a memory layer which has magnetization perpendicular to the film surface and holds information by a magnetization state of a magnetic material; a magnetization fixed layer having magnetization perpendicular to the film surface serving as a reference for information stored in the memory layer; and an intermediate layer made of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に対して垂直な磁化を有し、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる、膜面に対して垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とにより、ＭＴＪ構造を持つ。 - 特許庁

The image processor for performing real-time image processing comprises a table for performing conversion from a logic memory number to a physical memory number in image processing for successively performing switching input for each frame, a table for holding a reference number of each physical memory number, a holding list of unused physical memory numbers, and the like, in which assignment of physical memories is dynamically performed.例文帳に追加

本発明は、リアルタイムで画像処理を行う装置において、フレーム毎に順次切換入力を行う画像処理で、論理メモリ番号から物理メモリ番号へ変換を行うテーブルと各物理メモリ番号の参照数を保持するテーブルと未使用物理メモリ番号の保持リスト等を設け、動的に物理メモリの割当を行う画像処理装置に関する。 - 特許庁

The high precision LUT49B is used at a proofreading control section 82 for creating a newest LUT at an LUT creating section 88 based on reference data from a test pattern memory 84 and measurement data (from a read data memory 86), i.e. measurement of that print.例文帳に追加

高精度ＬＵＴ４９Ｂは、校正制御部８２において、テストパターンメモリ８４から基準データとそのプリントの計測結果である計測データ（読取データメモリ８６）からＬＵＴ生成部８８で最新のＬＵＴが生成される。 - 特許庁

The AP server 12 comprises a memory 26, a data processing section 22 for commanding the DB server 14 to read data, and a data compression section 24 for converting the data transmitted from the DB server 14 into data of a tree structure including reference type data and storing it in the memory 26.例文帳に追加

APサーバ12は、メモリ26と、DBサーバ14に対しデータの読み出しを指令するデータ処理部22と、DBサーバ14から送信されたデータを参照型データを含む木構造のデータに変換し、メモリ26に格納するデータ圧縮部24を備える。 - 特許庁

The programming circuit 102 operates first in a 1st programming mode, and applies writing pulses to the memory elements increasing the writing capabilities of the writing pulses step by step until the thresholds of the memory elements become equal to the reference voltage or higher.例文帳に追加

プログラム回路１０２は、まず第１のプログラミングモードで動作し、記憶素子のしきい値が第１の基準電圧以上となるまで、書込みパルスの書込み能力を段階的に上昇させつつ記憶素子に書込みパルスを印加する。 - 特許庁

A read-out unit reads out the reference information associated with the telephone number of the calling terminal from the calling user information memory, and reads out the address associated with the telephone number of the called terminal from the called user information memory.例文帳に追加

読出部は、発信端末の電話番号に関連付けられた参照情報を発信ユーザ情報記憶部から読み出し、着信端末の電話番号に関連付けられたアドレスを着信ユーザ情報記憶部から読み出す。 - 特許庁

The reference current is set larger than an intermediate value between first cell current flowing when the memory cell is off and second cell current flowing when the memory cell is on, and is set smaller than the second cell current.例文帳に追加

基準電流は、メモリセルがオフしている場合に流れる第１のセル電流とメモリセルがオンしている場合に流れる第２のセル電流との中間値よりも、大きく設定され、且つ、第２のセル電流よりも、小さく設定されている。 - 特許庁

Also, a reference level is fixed and a pulse potential given to a plate line PL is adjusted by a potential generating circuit 2 at the testing time, and the quantity of read-out electric charges from a memory cell is reduced, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally.例文帳に追加

または、リファレンスレベルを固定して、テスト時に電位発生回路２によりプレート線ＰＬに与えるパルス電位を調整し、メモリーセルからの読み出し電荷量を小さくして、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。 - 特許庁

To secure a sufficient data holding time by shortening a period in which a bit line BL and a reference bit line ZBL are kept at a L level in a semiconductor memory provided with a memory cell storing data.例文帳に追加

本発明はデータを記憶するメモリセルを備える半導体記憶装置に関し、ビット線ＢＬやリファレンスビット線ＺＢＬがＬレベルに維持される期間を短縮することで十分なデータ保持時間を確保することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a memory bandwidth reduction effect due to a subsample by continuously acquiring pixels required for encoding processing at the time of reading image data and reference image data being a target of the encoding processing from an input image memory.例文帳に追加

符号化処理の対象となる画像データおよび参照画像データを入力画像メモリから読み出す際に符号化処理に必要な画素を連続して取得でき、これによってサブサンプルによるメモリバンド幅削減効果を発揮できる。 - 特許庁

To save the trouble of setting the content of a process to be performed on input image data by a user, and to prevent a shortage of memory capacity of a memory of the image processing apparatus even when there is an increase in the number of reference images.例文帳に追加

ユーザによる入力画像データに対する処理内容の設定に関する負担を軽減するとともに、登録画像数が増加した場合でも画像処理装置に備えられるメモリの記憶容量が不足することを防止する。 - 特許庁

The reference value to be compared with the output of he means 9 is previously stored in a previously storable nonvolatile memory 13 and the stored contents in the memory 13 are read by the microcomputer 12 at a proper time is the use time.例文帳に追加

予め記憶可能な不揮発性メモリ１３に電力検出手段９の出力と比較する基準値を予め記憶しておき、使用時に適時に不揮発性メモリ１３の記憶内容をマイクロコンピュータ１２で読み込むようにした。 - 特許庁

In outputting data from the cache memory 4, the data which are not stored in the cache memory 14 are complemented by data generated based on the reference value by data generation parts 16, 21 on the basis of the information stored in the management table 25.例文帳に追加

キャッシュメモリ１４からデータを出力する際、管理テーブル２５の格納情報に基づいて、キャッシュメモリ１４に格納されなかったデータについては、データ生成部１６，２１が参照値を基に生成したデータにて補完する。 - 特許庁

The memory management involves identifying one or more data items occurring in the course of execution and accessible to the processing task at the execution point, which specify reference values pointing to the respective ones of the memory areas (step 140).例文帳に追加

そのメモリ管理は、実行のコースにおいて生じ、メモリエリアのそれぞれをポイントする基準値を指定する実行点における処理タスクによりアクセス可能である、１つまたはそれ以上のデータアイテムの識別（段階１４０）を含む。 - 特許庁

The portable telephone set of this invention is provided with a memory that stores character strings entered by key operations and having been used as part of a sentence in cross-reference with number of past utilized times and a control circuit that controls the operation of the memory.例文帳に追加

本発明に係る携帯電話機は、キー操作により入力されて文章の一部として利用された文字列を過去の利用回数と共に蓄積するメモリと、該メモリの動作を制御する制御回路とを具えている。 - 特許庁

A memory cell is composed of a series connection body of a selection transistor and two memory transistor, while a defective state of this series connection body is simulated, and a defective model for generating a reference signal at the time of reading out data is provided.例文帳に追加

メモリセルを選択トランジスタと２個のメモリトランジスタとの直列接続体で構成すると共に、この直列接続体の不良状態を模擬し、データ読み出し時の参照信号を発生するための不良モデルを設ける。 - 特許庁

The decoding device 100 is designed to perform a decoding process by making the decoding unit 101 perform a decoding process using a predicted reference image stored in a frame memory 102 and store an image of decoding result into the frame memory 102.例文帳に追加

復号化装置１００は、復号化部１０１がフレームメモリ１０２に格納されている予測参照画像を利用して復号処理を行い、復号結果画像をフレームメモリ１０２に格納することにより復号化処理を行う。 - 特許庁

Two frame memories FM1 and FM2 disposed in a decoding part 102 decoding compressed picture data by using a prediction reference picture are made common as a frame memory for generating display picture and a frame memory for displaying display picture.例文帳に追加

予測参照画像を用いて圧縮画像データを復号する復号部１０２に設けられている２つのフレームメモリＦＭ１、ＦＭ２を、表示画像生成用のフレームメモリ及び表示画像表示用のフレームメモリとしても共有化する。 - 特許庁

The memory device includes: a memory cell MC configured by connecting a variable cell resistor Rcell and an access transistor AT in series between a plate line PL and a bit line BL; a drive control unit (a reference voltage generation control circuit 14 is a principal part); and the sense amplifier 7.例文帳に追加

可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴをプレート線ＰＬとビット線ＢＬとの間に直列接続させているメモリセルＭＣと、駆動制御部（参照電圧発生制御回路１４が要部）と、センスアンプ７とを有する。 - 特許庁

In the filtering processing part 4, H (hue), S (chroma) and I (lightness) components are determined from RGB values in each pixel unit in the images on the image memory 2a and the image memory 2b, and an image of an object to be inspected 6a and a reference image 6b are generated.例文帳に追加

フィルタリング処理部４においては、画像メモリ２ａと画像メモリ２ｂ上の画像を、画素単位で、ＲＧＢの値から、Ｈ（色相）、Ｓ（彩度），Ｉ（明度）成分を求め、被検物体像６ａ、リファレンス画像６ｂを生成する。 - 特許庁

The portable phone extracts a telephone number from downloaded information and stores the telephone number in a telephone directory memory, and non-telephone number information in advertisement information except the telephone number is stored in an information storage memory in cross-reference with the telephone number.例文帳に追加

携帯電話は、ダウンロードされた情報から電話番号を抽出して電話帳メモリに保存し、広告情報のうち電話番号を除く非電話番号情報を電話番号に関連づけて情報格納メモリに保存する。 - 特許庁

A write control section 5 writes data to the phase adjustment memory 6 on the basis of the reference VC-3 and a read control section 9 reads data from the phase adjustment memory 6 depending on the result of write by the write control section 5.例文帳に追加

書込み制御部５は基準ＶＣ−３を基に位相調整メモリ６への書込みを行い、読出し制御部９は書込み制御部５による書込み結果に応じて位相調整メモリ６からの読出しを行う。 - 特許庁

In a read-out step, data before a synchronous character initially detected is read out from a memory, by excluding data of a position on a memory in which a synchronous character yet to be detected obtained based on an initially detected synchronous character as reference to be located.例文帳に追加

読み出しステップは、最初に検出された同期文字より前のデータを、最初に検出された同期文字を基準にして得られた未検出同期文字のあるべきメモリ上位置のデータを除いて、メモリから読み出す。 - 特許庁

In the image print system PS, the digital still camera 12 extracts a reference frame image selected by a user and an adjacent frame image consecutive to the reference frame image in time series among still pictures included in a moving picture during reproduction, and writes reference image data and adjacent image data to a memory card MC.例文帳に追加

画像印刷システムＰＳでは、ディジタルスチルカメラ１２は、再生中の動画に含まれる静止画の中から、使用者によって選択された参照フレーム画像と該参照フレーム画像と時系列的に連続する隣接フレーム画像を抽出し、参照画像データと隣接画像データをメモリカードＭＣに書き込む。 - 特許庁

An inverter controller 2 includes a rectifier circuit RC, a main relay 10, a smoothing capacitor C, the inverter circuit 30 having switching elements Tr1-6, a capacitor discharge control section 110, a voltage detection section 120, and a memory 130, which stores a reference voltage value Vs and a reference duty ratio D, corresponding to the reference voltage Vs.例文帳に追加

インバータ制御装置２は、整流回路ＲＣ、メインリレー１０、平滑コンデンサＣ、スイッチング素子Ｔｒ１〜６有するインバータ回路３０、コンデンサ放電制御部１１０、電圧検出部１２０、および基準電圧値Ｖｓと基準電圧値Ｖｓに対応する基準デューティ比Ｄとを記憶する記憶部１３０を備える。 - 特許庁

The event and the number of years corresponding thereto is registered in a memory table of a server 30, and the system reads the requesting person file 31, removes the reference name and the reference date, calculate the elapsed years for the registered person, based on the reference date, compares the elapsed years with the table, and determines whether there is a relevant event.例文帳に追加

サーバ３０にはイベントとそれに対応する年数がメモリテーブルに記憶されており、依頼人ファイル３１を読み込んで基準名と基準日を取り出し、基準日に基づいて登録対象者の経過年数を計算し、その経過年数と前記テーブルを比較してイベントに相当するものがあるかどうかを判定する。 - 特許庁

Two depth characteristic data showing relations between output values of the photosensor 14 obtained by radiating light to a reference medium individually by light sources 12 and 13 and a depth position of the reference medium and correction data for compensating the output variance of the photosensor 14 to the depth position of the reference medium are stored in the memory part 22.例文帳に追加

メモリ部２２には、光源１２，１３より基準媒体に別々に光を照射した時のフォトセンサ１４の出力値と基準媒体の深さ位置との関係を示す２つの深度特性データと、基準媒体の深さ位置に対するフォトセンサ１４の出力ばらつきを補償するための補正データとが記憶されている。 - 特許庁

The reference ID code being the same ID code as the ID code individually set with every corresponding portable machine 2, is stored in a memory 35a by being associated to a reference registration deleting condition being an index of whether or not the reference ID code is erased when what kind of condition is satisfied.例文帳に追加

メモリ３５ａには、対応する携帯機２毎に個別に設定されたＩＤコードと同一のＩＤコードである基準ＩＤコードが、どのような条件が満たされたときに基準ＩＤコードが消去されるのかの指標となる基準登録抹消条件と関連付けされて記憶されている。 - 特許庁

Then, the wiring width concerned is compared with a wiring width at a reference position corresponding to the measurement position of a confirming pattern that becomes a comparison reference being stored in a reference image memory 7 by a comparison circuit 8, and the presence or absence of a defect in the pattern to be inspected is judged based on a compared result by a judgment circuit 9.例文帳に追加

そして、比較回路８にて当該配線幅と基準画像メモリ７に記憶されている比較基準となる良品パターンの前記測定位置と対応する基準位置での配線幅とが比較され、判定回路９で比較結果に基づいて被検査パターンにおける欠陥の有無が判定される。 - 特許庁

In the defect detection device 1, a reference image acquired relative to the one swath on a reference die is stored in an image memory 51, and compared with an image to be inspected acquired relative to a swath corresponding to the reference image of a die to be inspected by a defect detection part 52, to thereby detect a defect of the image to be inspected.例文帳に追加

欠陥検出装置１では、基準ダイの１つのスワスについて取得された基準画像が画像メモリ５１に記憶され、被検査ダイの基準画像に対応するスワスについて取得された被検査画像と欠陥検出部５２において比較されて被検査画像の欠陥が検出される。 - 特許庁

This apparatus includes an address generating part for generating addresses; a memory for outputting a clock enable signal which specify the enablement or disablement of a reference clock on the basis of an address from the address generating part; and a timing generating part for enabling or disabling the reference clock by the clock enable signal of the memory and outputting a timing signal on the basis of this enabled or disabled reference clock.例文帳に追加

本装置は、アドレスを発生するアドレス発生部と、このアドレス発生部からのアドレスにより、基準クロックの有効または無効を規定するクロックイネーブル信号を出力するメモリと、このメモリのクロックイネーブル信号により基準クロックを有効または無効にして、この有効、無効にされた基準クロックに基づいて、タイミング信号を出力するタイミング発生部とを備えたことを特徴とする装置である。 - 特許庁

A voltage regulator for the dynamic random access memory is provided with a voltage reference circuit for generating a reference voltage, and a plurality of power amplifiers having gains larger than 1 for amplifying supply voltages to supply power to the dynamic random access memory and responding to the reference voltage, and a control circuit for generating a control signal to control the plurality of power amplifiers.例文帳に追加

本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータは、基準電圧を生成する電圧基準回路と、ダイナミックランダムアクセスメモリに電力を供給するために、供給電圧を増幅する複数の電力増幅器であって、基準電圧に応答し、１よりも大きなゲインを有する複数の電力増幅器と、複数の電力増幅器を制御する制御信号を生成する制御回路と、を有している。 - 特許庁

This memory module including semiconductor memory chip is provided with a reference voltage generation circuit for generating a reference voltage to decide a High level and a Low level of one two signals in one of two pads installed in a semiconductor memory chip to which complementary two signals to determine the timing of data transfer are input/output.例文帳に追加

半導体記憶チップを含むメモリモジュールが、データ転送のタイミングを決める互いに相補的な２つの信号が入出力される半導体記憶チップが有する２つのパッドのうち一方のパッドに、２つの信号のうち一方の信号のＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルとを判定する基準電圧を生成して２つの信号のうち他方の信号に換えて印加する基準電圧生成回路を有する。 - 特許庁