「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

Angle data Jh(1)-Jh(6) for correction of the respective shafts J1-J6 are acquired at first in a reference posture condition (step S1), and the angle data are stored in a non-volatile memory 6.例文帳に追加

まず、基準姿勢状態で各軸Ｊ１〜Ｊ６の補正用角度データＪｈ（１）〜Ｊｈ（６）を得（ステップＳ１）、この角度データを不揮発性メモリ６に記憶させる。 - 特許庁

Each memory cell block MC has a plurality of memory cells consisting of a selection transistor Q and a ferroelectric capacitor C, a reference data storing memory cell consisting of a selection transistor QREF and a ferroelectric capacitor CREF, a read-out transistor QR, bit lines BL, sub-bit lines SBL, and a reset line RST.例文帳に追加

各メモリセルブロックＭＣは、選択トランジスタＱと強誘電体キャパシタＣとからなる複数のメモリセルと、選択トランジスタＱＲＥＦと強誘電体キャパシタＣＲＥＦとからなるリファレンスデータ格納メモリセルと、読み出しトランジスタＱＲと、ビット線ＢＬと、サブビット線ＳＢＬと、リセット線ＲＳＴとを有している。 - 特許庁

To provide a motion detecting method capable of reducing the capacity of a high-speed memory and the amount of accessing a frame memory, reducing the capacity of an intermediate result storing memory, eliminating the necessity of doubly reading reference pixel data for one coded block, and exhibiting effects regardless of the size of a motion vector searching range.例文帳に追加

高速メモリの容量を削減できてフレームメモリに対するアクセス量を低減することができるうえに、中間結果保存メモリの容量が小さくて、１符号化ブロックに対する参照画素データを重複して読みだす必要がなく、動きベクトル検索範囲の広さに関わらず効果がある動き検出方法を提供する。 - 特許庁

The storage element includes a memory layer 17 having magnetization which is perpendicular to the film surface and the orientation of which changes in response to the information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film surface which becomes the reference of information stored in the memory layer, and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

The control part 8 decides whether all selected pieces of music can be recorded in the external memory device 16 with the received compressibility by reference to the free capacity of the external memory device 16, and calculates and presents to the user compressibility with which all of the selected pieces of music can be recorded in the external memory device 16 when not.例文帳に追加

制御部８は、外部メモリ装置１６の空き容量を参照し、受け付けた圧縮率で選択された楽曲の全てを外部メモリ装置１６に記録できるかどうかを判定し、記録できない場合には、選択された楽曲の全てを外部メモリ装置１６に記録できる圧縮率を算出しユーザに提示する。 - 特許庁

A continuous address space larger than a maximum continuous address space used for a virtual memory space of the operating system is allocated to configure a reference memory space inside the physical memory space 15, and data are transferred by DMA transfer from a device connected by an input/output bus thereto by a device driver 11.例文帳に追加

物理メモリ空間１５の中に、オペレーティングシステムの仮想メモリ空間に用いる最大連続アドレス空間よりも大きな連続したアドレス空間を割り当てして参照メモリ空間を構成し、デバイスドライバ１１により、それに対して入出力バスで接続されたデバイスからＤＭＡ転送によりデータを転送する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory configured to eliminate the failure accompanying writing by eliminating the need for writing information to a reference voltage generation circuit and to prevent a change in characteristics with lapse of time without losing the advantage that follows up the fluctuation in the memory cell characteristics by the variation in reference voltage in manufacturing.例文帳に追加

基準電圧発生回路に情報を書き込むことを不要にすることで書込に伴う不具合を解消するとともに、基準電圧が、製造上のばらつきによるメモリセル特性の変動に追従する利点を失うことなく、経時的な特性の変化を防止できるようにした不揮発性メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

The differential amplifier AMP controls the load transistor 4 so that drain voltage of the memory transistor 2 is made equal to a first reference voltage Vref1 inputted from the outside, the comparator COM compares an output from this differential amplifier AMP with second reference voltage Vref2, and outputs the compared result as a read-out signal of data from the memory transistor 2.例文帳に追加

差動増幅器ＡＭＰは、メモリトランジスタ２のドレイン電圧が外部から入力された第１基準電圧Ｖref1となるよう負荷トランジスタ４を制御し、比較器ＣＯＭは、この差動増幅器ＡＭＰからの出力と第２基準電圧Ｖref2とを比較し、その比較結果をメモリトランジスタ２からのデータの読み出し信号として出力する。 - 特許庁

Classification adaptive processing section 24-1 to 24-n calculate a prediction value corresponding to a target pixel of a predicted frame stored in a prediction frame memory 21 by using pixel data configuring the classification adaptive processing, based on a prediction tap at each position within a searching area having, as a center, a target pixel of a reference frame stored in a reference frame memory 22.例文帳に追加

基準フレームメモリ２２に記憶された基準フレームの着目画素を中心とする探索範囲内の各位置の予測タップに基づいて、クラス分類適応処理部２４−１乃至２４−ｎで、クラス分類適応処理を構成する画素データにより、予測フレームメモリ２１に記憶された予測フレームの注目画素に対応する予測値が演算される。 - 特許庁

Classification adaptive processing sections 24-1 to 24-n calculate a prediction value corresponding to a target pixel of a predicted frame stored in a prediction frame memory 21 by using pixel data configuring the classification adaptive processing on the basis of a prediction tap at each position within a searching range while centering a target pixel of a reference frame stored in a reference frame memory 22.例文帳に追加

基準フレームメモリ２２に記憶された基準フレームの着目画素を中心とする探索範囲内の各位置の予測タップに基づいて、クラス分類適応処理部２４−１乃至２４−ｎで、クラス分類適応処理を構成する画素データにより、予測フレームメモリ２１に記憶された予測フレームの注目画素に対応する予測値が演算される。 - 特許庁

The purpose is attained by using the buffer memory controller which detects a voice data interactive signal to stop writing to a buffer memory 15, generates a reference time timing signal on the basis thereof, stores a write address to the buffer memory 15 in this case, and controls reading from the buffer memory 15 from the same address as the write address.例文帳に追加

バッファメモリ１５に対する書き込み動作を停止する音声データインアクティブ信号の検出し、これに基づいて基準時刻タイミング信号を生成し、このときのバッファメモリ１５に対する書き込みアドレス値を記憶し、この書き込みアドレス値と同じアドレス値から、前記バッファメモリ１５に対する読み出し動作を開始するように制御するバッファメモリ制御装置を以ってして課題の解決に当たる。 - 特許庁

Read-out of data is performed accurately by generating reference voltage based on detection voltage from a dummy memory cell in which data '1' is recorded by which output voltage is not changed when read-out operation of data is performed, in a ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、データの読み出し動作を行ったときに出力電圧に変化が起こらないデータ“１”の記録されたダミーメモリセルからの検知電圧を基に基準電圧を発生させることにより、データの読み出しを正確に行う。 - 特許庁

Re-compressing a picture used for prediction reference purpose after its expansion and before being stored in an external memory can remarkably reduce the capacity of a memory required for decoding.例文帳に追加

本発明によれば、伸長した後であるが外部メモリ内に格納する前に、予測用の参照として使用したピクチャの再圧縮を行うことによって、デコーディング処理によって必要とされるメモリの寸法を著しく減少させることが可能である。 - 特許庁

A first deterioration detecting circuit detects deterioration of the characteristic of the real memory cell when the number of erasing pulses impressed until the time the data of the real memory cell are erased is equal to or smaller than a preset first reference frequency, and outputs a first detection signal.例文帳に追加

第１劣化検出回路は、リアルメモリセルのデータが消去されるまでに印加された消去パルスの数が予め設定された第１基準回数以下のときに、リアルメモリセルの特性の劣化を検出し、第１検出信号を出力する。 - 特許庁

Before data of a selected memory cell is detected, the control part generates the reference voltage based on the current flowing in one bit line out of a plurality of bit lines connected to a plurality of memory cells in a half-selected state detected by the sense amplifier.例文帳に追加

制御部は、選択されたメモリセルのデータを検出する前に、センスアンプにより検出された半選択状態とされた複数のメモリセルに接続された複数のビット線のうち１つのビット線に流れる電流に基づき基準電圧を生成する。 - 特許庁

The motion search part 6 searches and obtains the motion vector from the encoding image held in a frame memory 8 and the reference image encoded in the past and similarly held in the frame memory 8 within the motion vector search range set by the CPU 1.例文帳に追加

動き探索部６は、このＣＰＵ１によって設定された動きベクトル探索範囲内において、フレームメモリ８に保持される符号化画像と同じくフレームメモリ８に保持される過去に符号化した参照画像とから動きベクトルを探索して求める。 - 特許庁

Results of the plurality of times of spectroscopic measurement performed for the same sample while changing the shutter speed are stored temporarily in a data memory 11 and a data is selected for each wavelength range with reference to the data stored in the memory 12.例文帳に追加

分光測定時にはシャッタ速度を変えて同一試料に対する分光測定を複数回行った結果をそれぞれデータメモリ１１に一旦蓄積し、メモリ１２に格納しておいたデータを参照して波長範囲毎にデータを選択する。 - 特許庁

A distributed memory storage access part 151 receives a request to access the file from a UAP 161, and executes access to the fragment 191 separately arranged in the physical memory area 171 of a host computer in reference to file management information 137.例文帳に追加

分散メモリストレージアクセス部１５１はＵＡＰ１６１からファイルへのアクセス要求を受け付け、ファイル管理情報１３７を参照して自ホスト計算機の物理メモリ領域１７１に断片化して配置された断片１９１へのアクセスを実行する。 - 特許庁

The voice of a specified person detected before scheduled program end using the spectrum analyzer 6 is stored in a first memory 7 as a judging reference voice, and the voice detected past the scheduled program end time by a spectrum analyzer 6 is stored in a second memory 8.例文帳に追加

番組終了予定前にスペクトルアナライザ６で検出された特定者の音声は判定基準音声として第１メモリ７に記憶し、番組終了予定時刻経過後にスペクトルアナライザ８で検出された音声は第２メモリ８に記憶する。 - 特許庁

A virtual server system prepares a dedicated partition (a high-speed I/O partition) for accessing I/O resources, virtually allocates a high-capacity memory to the high-speed I/O partition, caches all data of a guest image and processes all reference and update of data on the memory.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ資源にアクセスするための専用パーティション（高速Ｉ／Ｏパーティション）を設け、当該高速Ｉ／Ｏパーティションに大容量のメモリを仮想的に割り当て、ゲストイメージのデータを全てキャッシュし、データの参照や更新を全てオンメモリ上で処理する。 - 特許庁

To provide a device which calculates the sum of absolute differences for a plurality of reference pictures in parallel by the first memory access to a target picture and is an arithmetic unit capable of reducing a memory size by reducing the number of memories, and to provide its method.例文帳に追加

対象ピクチャへの１度のメモリアクセスで複数の参照ピクチャに対する差分絶対値和演算を並列に行なう装置であって、メモリ数を削減し、メモリ量を減少させることが可能な演算装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

Since the memory arrangement information is set so as to successively load the partial programs in a shared area in an overwriting form, a specified partial program is never present on the memory for a long time, and the illicit reference becomes difficult by this portion.例文帳に追加

メモリ配置情報は、共通するエリアに順次部分プログラムが上書きされる形でロードされるように設定されているので、特定の部分プログラムがメモリ上に長時間存在することはなく、その分、不正参照されにくくなる。 - 特許庁

Respective practical measured densities of reference density patches C1 to K5 stored in a measured density memory 25b by a density measurement sensor 80 are set as respective measured densities of respective dither matrixes at respective set densities stored in a correspondence density data memory 25a.例文帳に追加

測定濃度メモリ２５ｂに記憶された基準濃度パッチＣ１からＫ５の濃度測定センサ８０による実際の各測定濃度を、対応濃度データメモリ２５ａに記憶された各設定濃度のときの各ディザマトリクスの各測定濃度として設定する。 - 特許庁

To provide a method for reading dual bit memory cells and a y- decoder system configured for reading two sides by using a multi-reference cell by reading two sides especially in reading of dual bit memory cells.例文帳に追加

本発明の課題は、デュアルビット・メモリセルの読み取りに関し、特に、２サイドの読み取りによってマルチリファレンスセルを使用してデュアルビット・メモリセルを読み取る方法及び２サイド読取用に構成されたｙ−デコーダ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When program operation for the memory cell MC is performed, program for a program object cell PMC and refresh for a refresh object cell RMC are performed using a threshold of the second reference cell RC2 corresponding to a program state of the memory cell MC to verify.例文帳に追加

メモリセルＭＣへのプログラム動作時には、プログラム対象セルＰＭＣに対するプログラムと共に、リフレッシュ対象セルＲＭＣに対するリフレッシュを、メモリセルＭＣのプログラム状態に対応する第２リファレンスセルＲＣ２の閾値をベリファイに用いて行う。 - 特許庁

A microcomputer 14, sensing the voltage waveform of a power system by a voltage sensing circuit 52, stores the sensed voltage waveform in a memory 54 to output as a reference signal Iref the voltage waveform stored in the memory 54 at a predetermined timing synchronized with the input fed from a zero-crossing sensing circuit 28.例文帳に追加

マイコン１４は、電圧検出回路５２によって検出した電圧波形をメモリ５４に記憶し、ゼロクロス検出回路２８から入力に同期させた所定のタイミングで、メモリに記憶した電圧波形を基準信号Ｉref として出力する。 - 特許庁

In this memory leak detection device in a computer system mounted with garbage collection, an arithmetic processing means 10 decides presence/absence of possibility of memory leak occurrence in reference to information related to a change of the number of objects generated before and after the garbage collection.例文帳に追加

ガベージコレクションを実装したコンピュータシステムにおけるメモリリーク検出装置であって、演算処理手段１０は、ガベージコレクションの前後に生成されるオブジェクト数の変化に関する情報を参照し、メモリリーク発生の可能性の有無を判定する。 - 特許庁

The nonvolatile memory device achieves a programmable register that utilizes a nonvolatile resistive storage element with a resistive state changed according to a current value, consequently the nonvolatile memory device can adjust redundancy and a reference level in a software manner.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、電流値に応じて抵抗状態が変化する不揮発性抵抗記憶素子を利用したプログラム可能なレジスタを実現してソフトウェア的にリダンダンシー及びレファレンスレベルを調整することができるようになる。 - 特許庁

The operation method includes: a step of implementing a first program operation and a first verifying operation for a memory cell until a cell with a threshold voltage higher than a first reference voltage occurs, and a step of implementing a second program operation and implementing a second verifying operation using a second reference voltage higher than the first reference voltage when the cell with the threshold voltage higher than the first reference voltage occurs.例文帳に追加

閾値電圧が第１基準電圧より高いセルが発生するまでメモリセルの第１プログラム動作及び第１検証動作を遂行する段階と、前記閾値電圧が前記第１基準電圧より高いセルが発生すれば、第２プログラム動作を実施し、前記第１基準電圧より大きい第２基準電圧を利用して第２検証動作を実施する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

When an apex of the model data is detected and that on the other side of the objective position on the predetermined reference plane is detected, mapping of the apexes is carried out via a mirror image relationship with respect to the reference plane, and consequently, memory usage for image processing can be reduced.例文帳に追加

そして、このモデルデータの頂点を検出し、所定の基準面の対象となる位置の他方側の頂点を検出することで、基準面に対して鏡像関係を以て頂点を写像し、画像処理におけるメモリの使用量を抑制する。 - 特許庁

When screening of a ferroelectric memory device of 2Tr.2C and 1Tr.1C is performed, adjusted reference voltage Vref is applied to one side of an input of a voltage detecting means (sense amplifier) SA from an external terminal Tvref for inputting reference voltage.例文帳に追加

２Ｔｒ・２Ｃや１Ｔｒ・１Ｃの強誘電体記憶装置のスクリーニングに際して、参照電圧入力用外部端子Ｔｖｒｅｆから調整された参照電圧Ｖｒｅｆを電圧検知手段（センスアンプ）ＳＡの一方の入力に印加する。 - 特許庁

The psychological state of the driver is judged by a psychological state judging part 110b based on the operation number measured by the operation number measuring part 110a before the vehicle starts traveling and the reference number read from a reference value memorizing memory 109.例文帳に追加

車両が走行を開始するまでの間に操作個数計測部１１０ａによって計測された操作個数と、基準値記憶メモリ１０９から読み込んだ基準個数とに基づいて、心理状態判定部１１０ｂにより運転者の心理状態が判定される。 - 特許庁

The inverse quantization is applied to the compensated DCT coefficient by an inverse orthogonal converter 111 and is stored as a reference image in a reference image memory 114 via an adder 112 and a two-dimensional block inverse converter 113 as a decoded image signal.例文帳に追加

補正ＤＣＴ係数は、逆直交変換器１１１により逆ＤＣＴ処理され、復号された画像信号として加算器１１２及び２次元ブロック逆変換器１１３を介して、参照画像メモリ１１４に参照画像として格納される。 - 特許庁

The robot control system 10 includes: a processing part 110 for performing the visual servoing on the basis of a reference image and an imaged image; a robot controller 120 for controlling a robot 30 on the basis of a control signal; and a memory 130 for memorizing the reference image and the masked image.例文帳に追加

ロボット制御システム１０は、参照画像と撮像画像とに基づきビジュアルサーボを行う処理部１１０と、制御信号に基づきロボット３０を制御するロボット制御部１２０と、参照画像とマスク画像とを記憶する記憶部１３０とを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor memory device comprises a process of forming dummy cells 61_1 to 61_8 so as to be situated next to a reference cell 41_2, and a process of injecting an impurity into the dummy cells 61_1 to 61_8 using a mask for covering the reference cell 41_2.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る製造方法は、リファレンスセル４１_２に隣接するようにダミーセル６１_１〜６１_８を形成する工程と、リファレンスセル４１_２を覆うマスクを用いて、ダミーセル６１_１〜６１_８に不純物を注入する工程と、を含んでいる。 - 特許庁

For temperature data signals at a plurality of prescribed temperatures, a data signal DP generated by a time numerical value converting circuit 16 to which each pulse signal Pa, Pb with a phase difference as a reference value t is entered, is stored as a reference data signal DK in a memory 22.例文帳に追加

メモリ２２には、複数の所定温度における温度データ信号に対して、位相差が基準値ｔの各パルス信号Ｐａ，Ｐｂを入力した時間数値変換回路１６が生成するデータ信号ＤＰを基準データ信号ＤＫとして記憶されている。 - 特許庁

Then adder circuits 43, 48, a multiplier circuit 44, a divider circuit 45 correct the black level D0-b stored in a memory 42 by their arithmetic operations to obtain black correction reference data D2-b after the correction and the image data Dshb0 are obtained by the black correction reference data D2-b.例文帳に追加

そこで、メモリ４２に記憶されている黒レベル値Ｄ0_bを、加算回路４３，４８、乗算回路４４、除算回路４５による演算で補正して、この補正後の黒補正基準データＤ2_bを求め、この黒補正基準データＤ2_bにより画像データＤshb0を求める。 - 特許庁

The fuel remaining amount display device is provided with a memory part 9 storing a plurality of display characteristics enabling correction of reference display characteristic on a control means which detects the fuel remaining amount in a fuel tank and drive-controls the display means by a reference display means based on the detection value.例文帳に追加

燃料タンク内の燃料残量を検出し、この検出値に基づいた基準表示手段により表示手段を駆動制御する制御手段に、基準表示特性を補正可能とする複数の表示特性を記憶した記憶部９を設ける。 - 特許庁

At the time of read-out operation of data, an access current Iac in accordance with a pass current of a selection memory cell and the prescribed reference current Ir are made to flow respectively in the node Nc and the node Nd by a current transmission circuit 50a and a reference current generation circuit 60.例文帳に追加

データ読出動作時には、電流伝達回路５０ａおよび基準電流発生回路６０によって、選択メモリセルの通過電流に応じたアクセス電流Ｉａｃおよび所定の基準電流Ｉｒが、ノードＮｃおよびＮｄにそれぞれ流される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device using a plurality of reference clocks with different frequencies, which ensures a preset latency for internal operation by dividing the plurality of reference clocks to have the same frequency and phase.例文帳に追加

互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックを用いる半導体メモリ装置において、基準クロックを分周して周波数及び位相を等しくすることにより、半導体メモリ装置の内部動作が既設定のレイテンシを保障して実行できるようにすること。 - 特許庁

To this judgment means 30, the 'abnormal installation judgment level' stored in the abnormal installation level memory means 29 is given and with this reference value, whether or not the output level from the filter circuit 25 is within +40% of the reference value is judged.例文帳に追加

この判別手段３０には、設置異常レベル記憶手段２９に記憶されている「設置異常判定レベル」が与えられており、これを基準値として、フィルタ回路２５からの出力レベルがその基準値の＋４０％以内であるか否かが判断される。 - 特許庁

A switch circuit SW1 is provided in a MRAM containing, for example, a TMR element Rij and an N channel MOS transistor Mij to apply either the reference voltage VrefN or the burn-in test reference voltage VrefB larger than the reference voltage VrefN to a memory element.例文帳に追加

例えばＴＭＲ素子ＲｉｊおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｉｊをメモリ素子として含むＭＲＡＭの場合において、参照電圧ＶｒｅｆＮをメモリ素子に印加するか、あるいは、参照電圧ＶｒｅｆＮよりも大きな値のバーンインテスト用参照電圧ＶｒｅｆＢをメモリ素子に印加するかを切り換えることが可能な切り換え回路ＳＷ１を設ける。 - 特許庁

A device 10 includes an electronically controllable robot 12 for carrying a laser cutting head 22 to a reference position and a distance compensating device 26 for controlling the robot 12 with regard to a reference position coordinates stored in memory, and for compensating a distance from a workpiece to the laser cutting head 22 after the laser cutting head 22 is carried to the reference position coordinates.例文帳に追加

デバイス１０は、レーザ切断ヘッド２２を基準位置へと運ぶ、電子的に制御可能なロボット１２と、メモリに格納された基準位置座標に対してロボット１２を制御し、レーザ切断ヘッド２２が基準位置座標運ばれた後で被加工物からレーザ切断ヘッド２２までの距離を補正する距離補正デバイス２６とを含む。 - 特許庁

A ghost detection means 40 detects ghosts, based on a reference waveform included in the reception television signal appearing at the input terminal 1 and on a no-distortion reference waveform stored in advance in a reference signal waveform memory 50, to provide a tap gain to the transversal filter of the near-ghost eliminating section 10 and a transversal filter of the non near-ghost eliminating section 20.例文帳に追加

ゴースト検出手段４０は、入力端子１に出現する受信テレビジョン信号に含まれる基準波形と、基準信号波形メモリ５０に予め記憶されている無歪みの基準波形とに基づきゴーストを検出して、近接ゴースト除去部１０のトランスバーサルフィルタと非近接ゴースト除去部２０のトランスバーサルフィルタとにタップ利得を供給する。 - 特許庁

The color measuring instrument 100 is characterized in that a color image selected from among color images taken by a camera 121 is stored as a reference image in a second memory 112B, and that, when calculating a color difference between the reference image and another color image, color difference calculation is performed with brightness components removed from the reference image and from the color image.例文帳に追加

カメラ１２１により撮像されたカラー画像の内選択されたカラー画像を基準画像として第二メモリ１１２Ｂに記憶し、この基準画像と他のカラー画像との色差を演算する際、基準画像及びカラー画像の明度成分を除いて色差を演算するようにしたことを特徴とする測色装置１００を提供する。 - 特許庁