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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Reference Memoryの意味・解説 > Reference Memoryに関連した英語例文

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Reference Memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1980



例文

The control circuit includes a control part 10 controlling to alleviate a light control degree in accordance with a growing accumulated time in reference to a memory recording an accumulated lighting time of the straight-tube fluorescent lamp 5 and the accumulated time recorded in the memory and the reset switch 7 resetting data on the accumulated lighting time of the memory.例文帳に追加

前記制御回路は前記直管形蛍光ランプ5についての累積点灯時間を記録するメモリと該メモリに記録されている累積時間を参照して該累積時間が大きくなるに従って調光度を緩和するように制御する制御部10と前記メモリの累積点灯時間のデータをリセットするリセットスイッチ7を含む。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.例文帳に追加

絶縁膜12上に形成された半導体層13と、半導体層内に形成された第1および第2のトランジスタTr1,Tr2が直列接続されたメモリセル10が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線BLに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

The waveform analyzer for measuring waveform to be measured with a reference of trigger signal, containing in turn in the data memory as waveform data, and indicating desired waveform data from the waveform data contained in the data memory on a display comprises an operation part setting a regenerating speed and regenerating method for the waveform data contained in the data memory.例文帳に追加

トリガ信号を基準として被測定波形を測定し、波形データとしてデータ記憶部に順次格納し、前記データ記憶部に格納された波形データから所望の波形データを表示部に表示させる波形解析装置において、前記データ記憶部に格納された波形データを再生する速度と、再生方法を設定する操作部を備える。 - 特許庁

A level detector 12 of a DRAM (dynamic random access memory) resets a flip-flop 27, 28, when the external reference voltage VR2 becomes lower than the threshold potential in the voltage test mode, to produce the internal power-supply potential VCCP according to the external reference potential VR2, and releases the voltage test mode.例文帳に追加

DRAMのレベル検出器12は、外部基準電位VR2に従って内部電源電位VCCPを生成するための電圧テストモードにおいて、外部基準電位VR2がしきい値電位よりも低下したことに応じてフリップフロップ27,28をリセットし、電圧テストモードを解除する。 - 特許庁

例文

In the case, the similarity calculation part 104a stores the production sum of luminance of a pixel on the reference image calculated by itself and a pixel on another image in a memory 104c, and obtains similarity between the projection point on the reference image and a projection point on another image corresponding to the projection point using the production sum.例文帳に追加

その際、類似度計算部104aは自身で計算した基準画像上の画素と別画像上の画素の輝度の積和をメモリ104cに記憶しておき、これを用いて別の基準画像上の投影点とそれに対応する別画像上の投影点の間の類似度を求める。 - 特許庁


例文

This electronic apparatus is equipped with an impact detection element, a controller 21 for comparing the level of an impact detected by the detection element with a reference value, and a memory 22 in which, when the level of a detected impact exceeds the reference value, the controller 21 stores the state of the excessive impact.例文帳に追加

衝撃検知素子と、この衝撃検知素子によって検出した衝撃レベルを基準値と比較する制御器21と、この制御器21によって前記検出衝撃レベルが基準値を超えた過大衝撃時にその状態を記憶するメモリ22とを備えた電子機器。 - 特許庁

Similarly, the frequency reference value output from the frequency pattern memory 4 is corrected by a current deviation signal from the deflection electromagnet current generator 6 and output to a frequency generator 7, thereby, circuiting beams 11 are accelerated based on the corrected frequency reference value.例文帳に追加

同様に、周波数用パターンメモリ4から出力される周波数基準値が、偏向電磁石電流発生装置6からの電流偏差信号により補正され、高周波発生装置7に出力され、補正された周波数基準値を基に周回ビーム11が加速される。 - 特許庁

The reference voltage REF is applied to gates of NMOS 42 of each detecting circuit, a cell current INS flowing in a NMOS 43 from a memory cell array 10 is compared with the reference current INR, and a detected signal Si being a compared result is outputted to an output node N4i.例文帳に追加

基準電圧REFは各検出回路40AのNMOS42のゲートに印加され、メモリセルアレイ10からNMOS43に流れ込むセル電流INSと基準電流INRとが比較されて、出力ノードN4_iに比較結果の検出信号Siが出力される。 - 特許庁

A representative noise characteristic memory 4 stores the corresponding relationship of the output signal of the imaging device used as a reference and a first noise value, and outputs the first noise value of the imaging device as a reference corresponding to the signal level value of the signa outputted from an average value calculating unit 3.例文帳に追加

代表ノイズ特性記憶部4は、基準となる撮像素子の出力信号と第1のノイズ値との対応関係を記憶しており、平均値算出部3から出力された信号の信号レベル値に対応した基準となる撮像素子の第1のノイズ値を出力する。 - 特許庁

例文

The sense amplifier circuit 30 senses the data DS stored in the memory cell array 10 by using reference levels REF1 and REF2, and outputs the read data DR1, DR2 corresponding to the reference levels REF1 and REF2 for the stored data DS.例文帳に追加

センスアンプ回路30は、メモリセルアレイ10に格納されている格納データDSを複数のリファレンスレベルREF1,REF2を用いてセンスし、その格納データDSに関して複数のリファレンスレベルREF1,REF2のそれぞれに対応する複数のリードデータDR1,DR2を出力する。 - 特許庁

例文

Digital shading image data obtained by imaging the object is stored in an image memory 3, a control part 8 extracts the edge on a shading image, sets a reference point in a specified position on the image, and prepares a histogram showing a degree of edge every direction as viewed from the reference point.例文帳に追加

対象物を撮像して得られたディジタル濃淡画像データが画像メモリ3に格納されると、制御部8は、この濃淡画像上のエッジを抽出した後、画像上の所定位置に基準点を設定し、この基準点から見た方向毎のエッジの度合を示すヒストグラムを作成する。 - 特許庁

A scanner section 160 reads in the printed image and stores it in an inspection image memory 170 and a position correcting section 180 reads out that image line by line and then corrects the position by shifting the data, i units of line, such tat the leftmost pixel is aligned with the reference line added at the reference mark adding section 130.例文帳に追加

スキャナ部160が、その印刷されたイメージを読み込み検査画像メモリ170に記憶し、位置補正部180が、そのイメージをラインごとに読み出し、最も左の画素が基準マーク付加部130で付加した基準線の位置になるようライン単位でデータをずらして補正する。 - 特許庁

To enable performing accurate operation without being affected by parasitic capacity of a wiring part and the like in an analog associative memory performing picture operation processing obtaininfg difference between reference data and input data with an analog value and using sum of absolute values of difference between this reference data and input data.例文帳に追加

リファレンスデータと入力データとの差分をアナログ値で求めて、このリファレンスデータと入力データとの差分の絶対値和を使って画像演算処理を行なうアナログ連想メモリにおいて、配線部の寄生容量等の影響を受けずに、精度良い演算が行なえるようにする。 - 特許庁

An A/D converter 15 outputs a combination of digital signals equal to the association of the reference voltage Vref and each channel prestored in the memory 12 out of the digital signals for every combination of all reference voltages Vref and all channels CH1, ..., CHn.例文帳に追加

A/D変換器15は、全ての基準電圧Vrefと全チャンネルCH1,…,CHnとの組み合わせ毎のデジタル信号のうち、予め記憶部12に記憶された基準電圧Vrefと各チャンネルとの対応付けに等しい組み合わせのデジタル信号を出力する。 - 特許庁

A detection section 81 compares the reference image data for referencing stored, in advance, in an image memory 16 with the reference image data for detection acquired by the read section 20 to execute detection processing of foreign materials and stores the information, with respect to the position of each foreign material to a RAM 12.例文帳に追加

検出部81は、画像メモリ16に予め格納された参照用の基準画像データと、読取部20によって取得された検出用の基準画像データと、を比較することにより、異物の検出処理を実行し、各異物の位置に関する情報をRAM12に格納する。 - 特許庁

When the node A is at an H-level, it is in a second recording state, erase pulses are applied to the transistor 34, a threshold voltage is made low, the reference voltage Vrefsa is set at a first reference voltage Vrefsa 1, and, in addition, the erasing operation of a memory cell array is performed.例文帳に追加

そして、第2の記録状態に遷移する時は、第2の基準電圧を利用することにより、第1の記録状態にあった全てのセルトランジスタが、第2の基準電圧より低い閾値電圧となり、実質的に第2の基準電圧に対して消去動作が行われたことになる。 - 特許庁

In the information sharing system between nodes, in which a plurality of nodes 10 to 14 form a node group connected in a row via a network with the node 10 as the head node, each node is provided with a head node reference area, a next node reference area, and a distributed shared memory.例文帳に追加

ノード10を先頭ノードとして複数のノード10〜14がネットワークを介して一列に接続されたノード集団を形成するノード間情報共有システムにおいて、各ノードは、先頭ノード参照領域と、次ノード参照領域と、分散共有メモリを備える。 - 特許庁

An electrification range of the heating resistor 7 is set by a control part on the basis of both distance data of the width direction B from a resistor position reference 53 of the heating resistor 7 to the measurement reference 52 of the thermal head position detecting part 51 that is preliminarily stored in a flash memory, and the position detection data.例文帳に追加

あらかじめフラッシュメモリに記憶されている、発熱抵抗体7の抵抗体位置基準53からサーマルヘッド位置検知部51の測定基準52までの幅方向Bの距離データと、位置検出データとに基づいて、制御部にて発熱抵抗体7の通電範囲を設定する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a comparison means for comparing the resistance value of a memory element 101, which is selectively connected to an input terminal, with the resistance value of a reference resistor 104; and a reference resistor section 10 capable of selecting one of a plurality of resistance values, and capable of selectively connecting to the input terminals.例文帳に追加

半導体装置は、入力端子に選択接続される記憶素子101の抵抗値をレファレンス用抵抗104の抵抗値と比較する比較手段と、複数の抵抗値のうちの一つを選択可能かつ前記入力端子に選択接続可能な基準抵抗部10とを備える。 - 特許庁

The CPU determines whether or not the voltage V1 is within a tolerance to a reference voltage value corresponding to the output current held in a reference voltage value memory (S3) and, if the tolerance is exceeded, further determines whether or not the voltage V1 is not higher than a predetermined value (S6).例文帳に追加

CPUはその電圧V1が基準電圧値メモリに保持された出力電流に対応した基準電圧値と対する許容範囲に入っているか否かを判定し(S3)、その範囲を逸脱している場合にはさらに電圧V1が所定値以下であるか否かを判定する(S6)。 - 特許庁

An MPU 21 compares the comparison data obtained from the photodetection luminance distribution and the angle θ from a reference direction obtained by a gyrosensor 40 with reference data stored in a memory 22 to detect the position of the truck 30 according to the comparison result.例文帳に追加

該受光輝度分布及びジャイロセンサ40で得られる基準方向からの角度θから得られる比較データと、移動領域内の複数の位置における受光データであり、メモリ22に記憶されている基準データとを、MPU21において比較し、比較結果に基づいて台車30の位置を検出する。 - 特許庁

After digitizing colors and thickness of a photographed image, those of the photographed image are compared with those of a reference image in a memory, and a portion where differences in colors and thickness between the photographed image and the reference image exceed prescribed threshold values is determined as a temporary abnormal portion of winding by a first winding determining means.例文帳に追加

実写画像の色と濃度を数値化後、実写画像のそれをメモリ中の基準画像のそれと照合し、実写画像上で基準画像との色差、濃度差が共に所定のしきい値を超えた部分を、第1の巻き判定手段で仮の巻き異常部分と判定する。 - 特許庁

The strong symmetry interpolation filter 84 executes filter processing to a reference image from a frame memory 72 using 18 pieces of filter coefficients calculated by a strong symmetry filter coefficient calculation section 85, and outputs the reference image after variable filter processing to a selector 86.例文帳に追加

対称性強の補間フィルタ84は、フレームメモリ72からの参照画像に対して、対称性強のフィルタ係数算出部85により算出された18個のフィルタ係数を用いてフィルタ処理を施し、可変フィルタ処理後の参照画像をセレクタ86に出力する。 - 特許庁

In read access, a first switch and a second switch are turned on in a pre-charge period before a memory cell is accessed so that charges of a bit line charge voltage generating circuit are distributed to a bit line and a reference bit line, to thereby charge the bit line and the reference bit line to an initial voltage.例文帳に追加

リードアクセス時、メモリセルをアクセスする前の予備充電期間に第1及び第2スイッチを導通させ、ビット線充電電圧発生回路の電荷をビット線及びリファレンスビット線に分配することによって、ビット線とリファレンスビット線とを初期電圧に充電する。 - 特許庁

This system is provided with a frequency dividing function part 2 for frequency-dividing a clock source 1, a reference address generation part 3 for generating and outputting a random address by address start signals 6 from the frequency dividing function part 2 and a reference data storage memory part 4 for providing the frequency dividing function part 2 with a frequency division numerical value 8.例文帳に追加

クロック源1を分周する分周機能部2と、分周機能部2からのアドレス開始信号6にてランダムアドレスを生成出力する参照アドレス生成部3と、分周機能部2へ分周数値8を提供する参照データ格納メモリ部4を有している。 - 特許庁

Circuit constant of the reference voltage generating circuit is decided so that a temperature coefficient (V/°C) of the output high voltage is equalized to a temperature coefficient of threshold voltage of a MOS switching transistor performing ON/OFF of applying high voltage for a memory transistor by giving a temperature coefficient (V/°C) to the reference voltage.例文帳に追加

前記基準電圧に温度係数(V/℃)を持たせることにより、出力高電圧の温度係数(V/℃)がメモリトランジスタへの高電圧印加をON/OFFするMOSスイッチングトランジスタのしきい値電圧の温度係数(V/℃)に等しくなるように基準電圧生成回路の回路定数を決める。 - 特許庁

A PC 10 reads the CAD data (wiring pattern information, solder resist information and SYLK information) from a CAD data memory 20, determines a portion serving as a reference in the visual inspection as a reference data, and inputs it into a visual inspection device 30.例文帳に追加

PC10は、CADデータメモリ20からCADデータ(配線パターン情報、ソルダーレジスト情報及びシルク情報)を取り込み、各CADデータを重ね合わせた情報に基づいて、外観検査の際に基準とする箇所を基準データとして決定し、外観検査装置30に入力する。 - 特許庁

The motion vector prediction device 12 extracts the prediction motion vector used as reference and specified by MPEG4 with respect to the focused brightness component block from the motion vector memory 13 to calculate the prediction motion vector with respect to the focused brightness component block by using the extracted reference prediction motion vector.例文帳に追加

動きベクトル予測器12は、注目の輝度成分ブロックについて、MPEG4により規定される参照とする予測動きベクトルを動きベクトルメモリ13より抽出し、抽出された参照予測動きベクトルを用いて注目の輝度成分ブロックについての予測動きベクトルを算出する。 - 特許庁

The controlling circuit selects a second memory cell in which a reading current flowing after the selection transistor is turned on becomes a maximum value as a second reference cell from a second cell array under a state that the same first logic causing the resistance value to increase is stored in all of a plurality of second memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第2のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第1の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第2のメモリセルを第2の参照セルとして第2のセルアレイから選定する。 - 特許庁

When a pattern of write data is a frequent pattern (YES at ST101) and the write data has already been retained in memory (YES at ST103), then the memory management device sets a common reference on any write data having the frequent pattern.例文帳に追加

このメモリ管理装置では、書き込みデータのパターンが頻出パターンである場合に(ステップ101のYES)、その書き込みデータがメモリに既に保持されていれば(ステップ103のYES)、それ以後は、その頻出パターンを持つ書き込みデータについては共有参照が設定される。 - 特許庁

To make easily readable data by reducing a reference current value that is compared with the cell current in a semiconductor storage device where each memory cell is composed of two kinds of transistors with mutually different in resistance and threshold, and a selected memory cell allows a cell current corresponding to read data to flow.例文帳に追加

オン抵抗及び閾値が異なる2種類のトランジスタで各メモリセルが構成され、選択されたメモリセルが読出しデータに対応するセル電流を流す半導体記憶装置において、そのセル電流と対比する参照電流の値を下げてデータ読出しを容易にする。 - 特許庁

In the case of dividing a frame read from a frame memory into blocks and applying inter-frame coding to the blocks, a motion vector detector 217 calculates the motion vector of each block, detects a distance between the block and a reference frame with respect to the motion vector and stores them in an attached information memory.例文帳に追加

フレームメモリから読み出した1フレームをブロックに分割し、その分割したブロックをフレーム間符号化する場合、動きベクトル検出器217により、そのブロックの動きベクトルを算出し、その動きベクトルに関する参照フレームとの間の距離を検出して、それらを付加情報メモリに記憶する。 - 特許庁

In the television camera, signals in required areas including an imaging object among output video signals of an imaging element are segmented by an FIFO memory, and also required areas of a reference image are segmented by an image memory, so that those segmented video signals are outputted to be displayed in a line.例文帳に追加

撮像素子の出力映像信号のうち撮像対象を含む必要な領域の信号をFIFOメモリを用いて切り出し、かつ、参照画像の必要な領域を画像メモリを用いて切り出して、それら切り出された映像信号を並べて表示できるように出力する。 - 特許庁

An inspection result by each erratic pagination inspection device 20 is memory-stored into a proper portable memory 22b-1 collated by a collating means 22b-2, but an image to be inspected is stored only when a correlation value with a reference image is determined to be a prescribed correlation value or less.例文帳に追加

各乱丁検査装置20による検査結果は、照合手段22b−2により照合した適正な携帯型メモリ22b−1にそれぞれ記憶保存するが、被検査画像については基準画像との相関値が所定の相関値以下と判定されたもののみ保存する。 - 特許庁

When the memory cell array U is accessed, the reference cell RCELLL is selected; when the potential of the bit line BITLn is reduced to an L level, a pre-charge signal PCGU becomes the L level, a read operation from the memory cell array U is stopped, and the next precharging is performed.例文帳に追加

メモリセルアレイUがアクセスされるときには、リファレンスセルRCELLLが選択され、ビット線BITLnの電位がLレベルに低下すると、プリチャージパルス信号PCGUがLレベルになり、メモリセルアレイUからの読み出し動作が停止するとともに次のプリチャージが行われる。 - 特許庁

Digitized input luminance signal data are stored in a memory, the input luminance signal data are compared with luminance signal data read out of the memory to decide a still picture part, and the data of the decided still picture are compared with reference level data to detect the level of the still picture.例文帳に追加

デジタル化された入力輝度信号データをメモリに記憶し、入力輝度信号データとメモリから読み出された輝度信号データとを比較して静止画像部分を判別するとともに、判別された静止画像のデータを基準レベルデータと比較することにより、静止画像のレベルを検出する。 - 特許庁

Based upon an integrating period and working power rates read out of a nonvolatile memory 5a, working power rates are calculated with reference to a measured value of consumed power by a power measuring circuit 3 to store these at a predetermined area in the memory 5a, when a date and time is within the integrating period.例文帳に追加

不揮発性メモリ5aから読み出した積算期間及び使用電力料金に基づいて、日時が積算期間内であるとき、電力計測回路3による消費電力の計測値を参照して使用電力料金を算出し、これを不揮発性メモリ5aの所定の領域に格納する。 - 特許庁

The image encoding device is provided with a block memory 1, maximum/minimum value detecting part 2, first threshold calculating part 3, average value calculating part 4, frequency calculating part 5, reference value calculating part 6, correction information generating part 7, second threshold calculating part 8, quantizing part 9 and encoding memory 10.例文帳に追加

画像符号化装置の構成はブロックメモリ1、最大・最小値検出部2、第1閾値算出部3、平均値算出部4、頻度算出部5、基準値算出部6、補正情報生成部7、第2閾値算出部8、量子化部9、符号メモリ10を備えて構成される。 - 特許庁

The portable telephone is provided with a memory which storages plural addresses to one entry in conjunction with an identifier identifying whether the plural addresses are effective or invalid, respectively, wherein an invalid address is determined with reference to the memory before an origination, and if the address is determined as the invalid address, the address is changed into an effective address.例文帳に追加

1エントリに対して複数のアドレスを格納し、複数のアドレスをそれぞれ有効か無効かの識別子と関連付けて格納する記憶部を有し、発信前に記憶部を参照して無効なアドレスを判断し、無効なアドレスと判断されると有効なアドレスへと変更する。 - 特許庁

This is remapped in reference to the mapping information file 10 by a mapping conversion device 13 to generate an object 7A having an assembly having a memory arrangement image 8A (=6B), whereby the objects 7A and 5B can mutually refer to assembly variables in a shared memory 9.例文帳に追加

これをマッピング情報ファイル10を参照し、マッピング変換装置13により、再マッピングしてメモリ配置イメージ8A(=6B)となる集成体を有するオブジェクト7Aを生成することで、オブジェクト7A、5Bは、共有メモリ9において集成体変数を相互参照することが可能となる。 - 特許庁

An edge detecting part 32 acquires the reference side from the slip definition storage part 4, acquires the front side image or rear side image to perform the edge detection from the front side image memory 21 or rear side image memory 22 and detects the longitudinal and lateral edge parts of the slip.例文帳に追加

エッジ検出部32は帳票定義格納部4から基準面を取得し、表面画像メモリ21または裏面画像メモリ22からエッジ検出を行う表面イメージ画像または裏面イメージ画像を取得し、帳票の縦方向のエッジ部分及び横方向のエッジ部分を検出する。 - 特許庁

At the time of writing data for a memory transistor 5 in a semiconductor device 1, a writing voltage Vpp having a value (Vb+Vc1+Vc2) obtained by adding a first capacitor voltage Vc1 and a second capacitor voltage Vc2 to a fixed reference voltage Vb is applied to the control gate 13 of the memory transistor 5.例文帳に追加

半導体装置1では、メモリトランジスタ5に対するデータの書き込み時に、メモリトランジスタ5のコントロールゲート13に、書き込み電圧Vppとして、一定の基準電圧Vbに第1キャパシタ電圧Vc1および第2キャパシタ電圧Vc2を加えた値(Vb+Vc1+Vc2)が印加される。 - 特許庁

A CPU 508 detects the reception power of arriving reference signals, detects the residual capacity of a memory for storing information to be transmitted, and performs control so as to change at least either a communication speed or an exchange system on the basis of the detected reception power and the residual capacity of the memory.例文帳に追加

CPU508は、到来する基準信号の受信電力を検出し、伝送するところの情報を格納するメモリの残量を検出し、前記検出された受信電力とメモリ残量とに基づいて通信速度及び交換方式の少なくとも一方を変更するように制御する。 - 特許庁

When the data reference requirement related to the engine part is given from the external host device 20 during the power-saving mode, the controller part reads copy data VM' stored in the volatile memory of the controller part instead of reading data (an operation parameter VM) of the nonvolatile memory of the engine part, and notifies the host device.例文帳に追加

省電力モード中に外部のホスト装置20からエンジン部に関するデータ参照要求があると、コントローラ部はエンジン部の不揮発性メモリのデータ(動作パラメータVM)を読み出す代わりに、コントローラ部の揮発性メモリに記憶されているコピーデータVM'を読み出してホスト装置に通知する。 - 特許庁

An image forming device is provided with a storage medium remaining capacity control means 14 for controlling the usable remaining capacity of the storage medium for storing image data and the memory shape setting means 16 for comparing usable remaining capacity with a given reference value and setting the memory shape of the image data in compliance with the comparison result.例文帳に追加

画像データを記憶する記憶媒体の使用可能な残容量を管理する記憶媒体残容量管理手段(14)と、使用可能な残容量と所定の基準値を比較して比較結果に応じて画像データの記憶形態を設定する記憶形態設定手段(16)とを有する。 - 特許庁

The blood pressure data related to the measured time within a prescribed period of time (for example, 10 minutes) from the measured time of reference blood pressure data is searched out of the blood pressure data stored in the memory as specific data (S42, S50) depending on the operation of an operational part (a memory call switch).例文帳に追加

そして、操作部(記憶呼出スイッチ)が操作されることに応じて、メモリに記憶された血圧データのうち、基準の血圧データの測定時刻から所定時間(たとえば10分)内の測定時刻と対応付けられた血圧データを、特定データとして検索する(S42,S50)。 - 特許庁

A controlling circuit selects a first memory cell in which a reading current flowing after a selection transistor is turned on becomes a maximum value as a first reference cell from a first cell array under a state that the same first logic causing a resistance value to increase is stored in all of a plurality of first memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第1のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第1の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第1のメモリセルを第1の参照セルとして第1のセルアレイから選定する。 - 特許庁

Furthermore, the scanner 3 comprises a memory 16A for recording image data relating to an image of an object to be read that is read by the first and second scan units 31, 32, and a CPU 3A for generating shading data based on image data relating to the reference white board 44 recorded in the memory 16A.例文帳に追加

スキャナ装置3は、さらに、第1,第2の走査ユニット31,32によって読み取られた前記読取対象物の画像に係る画像データを記録するメモリ16Aと、メモリ16Aに記録された基準白板44に係る画像データに基づいてシェーディングデータを生成するCPU3Aを備える。 - 特許庁

A comparator circuit 5, connected to the bit-line BL, through which the memory cell information is transmitted, compares a voltage value corresponding to the current value flowing through the bit-line BL driven by the load circuit 4, with a reference voltage and read out the value for the memory cell information from its output terminal.例文帳に追加

コンパレータ回路5は、メモリセル情報が伝達されるビット線BLと接続されており、負荷回路4により駆動されてビット線BLに流れる電流値に対応する電圧値を所定の基準電圧値と比較して、その出力端からメモリセル情報の値を読み出す。 - 特許庁

例文

When a photography condition is set by an operator, a photography plan setting screen control section 204 determines whether or not an exposure dose that the subject receives when X ray is radiated from the photography condition exceeds the reference dose correlated with the attribute information of a photography object or the subject by referring to the reference dose information stored in the reference dose memory section 203.例文帳に追加

また、撮影計画設定画面制御部204が、操作者によって撮影条件が設定された場合に、リファレンス線量記憶部203により記憶されたリファレンス線量情報を参照して、当該撮影条件でX線が照射された場合の被ばく線量が撮影対象の被検体の属性情報に対応するリファレンス線量を超えているか否かを判定する。 - 特許庁




  
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