「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the total of the numbers of cycles of memory access when the variable is allocated is calculated on the basis of the frequency of the reference and the bit width of the variable.例文帳に追加

次に、選定された複数のメモリについて、参照回数と変数のビット幅とに基づいて、変数が割り当てられた場合におけるメモリアクセスのサイクル数の合計を算出する。 - 特許庁

A plunger 12 is actuated so that a pressure value detected by a pressure detection sensor 10 provided in the measurement chamber 9 becomes a reference value stored in a memory part 19.例文帳に追加

次に、プランジャ１２を動作させて、計量室９に設けた圧力検出センサ１０により検出される圧力検出値を記憶部１９に記憶された基準値にする。 - 特許庁

In the reference information of the edited content file, a part 403 which refers to the memory card 107 is rewritten so as to refer to the first chapter 404 of the new fourth content file.例文帳に追加

編集コンテンツファイルの参照情報において、メモリカード１０７を参照していた部分４０３を、新たな第４コンテンツファイルの第１チャプタ４０４を参照するように書き換える。 - 特許庁

The frequency distribution of the achromatic color picture element density is generated by a frequency distribution generating circuit 22, and a reference value slice is decided based on this frequency distribution and registered on a flash memory 19.例文帳に追加

頻度分布生成回路２２で無彩色の画素濃度の頻度分布が生成され、この頻度分布に基づいて基準値スライスが決定されてフラッシュメモリ１９に登録される。 - 特許庁

The name of the recognized destination is displayed on an LCD detection section 4 together with a telephone number of the destination stored in a telephone directory memory section 7 in cross reference with the destination name.例文帳に追加

認識された相手先の名前は、その相手先の名前に対応して電話帳メモリ部７に記憶された相手先の電話番号とともにＬＣＤ表示部４に表示される。 - 特許庁

If the measured TTC dispersion differs by more than a selected amount from a reference dispersion value, a warning signal is provided to indicate that the page of memory has degraded.例文帳に追加

測定されたＴＴＣの分散が、選択された量より大きく基準分散値から異なる場合、メモリの当該ページが劣化したことを示す警告信号が出力される。 - 特許庁

A detachable SD memory card 351 is provided with a camera setting information storage area 3511, a preset setting information storage area 3512, and a reference image data saving area 3513.例文帳に追加

取り外し可能なＳＤメモリカード３５１には、カメラ設定情報記憶エリア３５１１、プリセット設定情報記憶エリア３５１２、及び基準画像データ保存エリア３５１３が設けられている。 - 特許庁

In the operation part 4, when the input voltage value is lower than a threshold on reference to the threshold set beforehand, a pressure is calculated by using a mathematical expression 3 stored in a memory 7.例文帳に追加

演算部４では、予め設定された閾値を参照し、入力された電圧値が閾値よりも低い場合は、メモリー７に記憶された数式３を用いて圧力を算出する。 - 特許庁

Further, a reference address position is changed in the memory range display 15 and the address which is already set is automatically changed corresponding to the changed address.例文帳に追加

更に、そのメモリ範囲表示１５中において参照アドレス位置を変更可能とするとともに、変更されたアドレスに対応させて既に設定されているアドレスを自動的に変更させる。 - 特許庁

On the other hand, when the data exist and processing time is longer than a reference processing time, the data for the set output size are supplied from the buffer memory 103b to the printer 2.例文帳に追加

他方、データが存在し、かつ、処理時間が基準処理時間より大きい場合は、設定されている出力サイズ分のデータをバッファメモリ１０３ｂからプリンタ２に供給する。 - 特許庁

Reference data prescribing the classifications of characteristic values used for the discrimination of scenes and discrimination conditions are stored in a memory 16 for each of a plurality of scenes which can be designated as specific scenes.例文帳に追加

特定シーンとして指定され得る複数のシーンごとに、そのシーンの識別に用いる特徴量の種類と識別条件とを規定した参照データが、メモリ１６内に格納されている。 - 特許庁

A dummy capacitor driving potential VDC is given to one electrode of a dummy capacitor and a reference potential as a standard for judging a data value of a memory cell is generated on the other electrode.例文帳に追加

ダミーキャパシタ駆動電位ＶＤＣは、ダミーキャパシタの一方の電極に与えられ、他方の電極には、メモリセルのデータの値を判定する基準となる参照電位が発生する。 - 特許庁

A memory array 10 compares each piece of the multiple reference data with the search data in parallel and generates multiple comparison current signals C_1 to C_R representing the result of the comparison.例文帳に追加

メモリアレイ部１０は、複数の参照データの各々と検索データとの比較を並列に実行し、その比較結果を示す複数の比較電流信号Ｃ_１〜Ｃ_Ｒを生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which screening for an internal circuit can be performed without inputting directly reference voltage from the outside and without increasing the number of external terminals.例文帳に追加

テスト時において、外部から基準電圧を直接入力することなく、また外部端子を増やすことなく、内部回路に対するスクリーニング試験が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The bit line potential control circuit 7 controls the reference bit line /RBL to a voltage level different from the voltage level of the bit line /BLi during the operation of reading data from the memory cell 21.例文帳に追加

ビット線電位制御回路７は、メモリセル２１からデータを読み出す読み出し動作時に、リファレンスビット線／ＲＢＬをビット線／ＢＬｉの電圧レベルと異なる電圧レベルに制御する。 - 特許庁

The amplifier 70 detects variation of the current and voltage relating to the selected memory cell R_M, and compares these variation with the variation of current and voltage relating to the reference cell R_R.例文帳に追加

アンプ70は、選択されたメモリセルＲ_Ｍに関連する電流及び電圧の変化を検知して、それらを基準セルＲ_Ｒに関連する電流及び電圧の変化と比較する。 - 特許庁

A high voltage comparison cell and a low voltage comparison cell are coupled to each of two sense amplifiers for supplying two discrete reference voltages for comparison with a memory cell voltage.例文帳に追加

高電圧比較セルおよび低電圧比較セルが、メモリセル電圧と比較するための２つの別個の基準電圧を供給する２つのセンス増幅器のそれぞれに結合されている。 - 特許庁

The background colors at corresponding coordinates (x, y) on a recording medium to coordinates (x, y) of specified pixels of image data are discriminated in reference to a database registered in a position information memory 23.例文帳に追加

位置情報記憶部２３に登録されるデータベースに照らし合わせて、画像データの所定の画素の（ｘ，ｙ）座標に相当する記録媒体の（ｘ，ｙ）座標の地色を識別する。 - 特許庁

A processor 24 pre-processes the image signals and compares them with stored reference data corresponding to an acceptable banknote from a memory 25 to determine the authenticity of the banknote and its denomination.例文帳に追加

プロセッサ２４は画像信号を予め処理し、それをメモリ２５からの受領可能紙幣に対応する格納参照データと比較し、紙幣とその金種の信憑性を決定する。 - 特許庁

Complementary data are written in each reference cell 10a, 10b, and data are each re-written so as to be inverted in the polarity at each erase/write operation of the memory cells 10.例文帳に追加

各基準セル１０ａ，１０ｂには互いに相補なデータが書き込まれ、各データは、メモリセル１０の消去／書き込み動作毎にそれぞれ逆の極性となるように反転して書き換えられる。 - 特許庁

A bit line potential selecting means for applying a write-in potential to the bit line of an electric charges accumulating side and applying a ground potential to the bit line of the other side is provided on a memory cell being adjacent to the reference cell.例文帳に追加

レファレンスセルに隣接するメモリセルに対して、電荷蓄積側のビット線に書込み電位、他方のビット線に接地電位を印加するためのビット線電位選択手段を設ける。 - 特許庁

Positioning is made once at application of power (S1, S2), positioning information is stored, and a photographed image is stored in a storage memory in cross-reference with the positioning information (S4-S8) (Figure 2 (a)).例文帳に追加

電源オン時に１回測位を行ない（Ｓ１、Ｓ２）、測位情報を保持し、撮影画像に保持されている測位情報を対応付けて保存メモリに記憶する（Ｓ４〜Ｓ８）（図２（ａ））。 - 特許庁

A control circuit 104 reads the characteristics of the displacement detected by the displacement detection section 102 from the memory 103 and computes corrected luminous energy with respect to a reference luminous energy.例文帳に追加

制御回路１０４は、当該位置ずれ検出部１０２で検出された位置ずれ量の特性をメモリ１０３から読み出し、基準光量に対する補正光量を演算する。 - 特許庁

When the reference signal S2 is not superimposed by a changeover control section 12 and a switch SW1, the setting data stored in the color temperature data memory 13 are fed to a video preamplifier 2.例文帳に追加

切換制御部１２及びスイッチＳＷ１によって基準信号Ｓ２を非重畳としたら、色温度データメモリ１３に記憶された設定データを映像プリアンプ２に供給する。 - 特許庁

A personal information storage part 14 performs reference/editing in a region on a memory storing the personal information of the telephone directory, mail and the schedule in response to a request from a control part 19.例文帳に追加

個人情報蓄積部１４は電話帳、メール、スケジュール等の個人情報を蓄積したメモリ上の領域で、制御部１９の要求によって参照／編集を行う。 - 特許庁

To enable the image processing of a processing-object pixel data to be realized by one memory means whose capacity equals to the number of a reference line and the number of parts as well as its cost to be reduced.例文帳に追加

容量が参照ライン数分である１つの記憶手段により処理対象画素データの画像処理を実現し、部品点数及びコストを減少させることを可能とする。 - 特許庁

In a decoding process in each hierarchy, operation by reference to the DCT factor of the hierarchy is performed, and the result of the operation is written in the memory part 206 as the DCT factor of the other identical hierarchy.例文帳に追加

各階層のデコード処理では、当該階層のＤＣＴ係数を参照した演算を行い、演算結果を他の同一階層のＤＣＴ係数としてメモリ部２０６に書き込む。 - 特許庁

When the engine is determined to be started, the calculated average battery voltge V1 is updated and stored in the memory as the reference battery voltage V1' for a next determination whether or not the engine is started.例文帳に追加

このとき成功と判定されれば、上記算出した平均バッテリ電圧Ｖ１を次のエンジン始動成功判定のための基準バッテリ電圧Ｖ１’としてメモリに更新記憶する。 - 特許庁

To reduce the defective read rate of a trimming parameter in an inspection process in a nonvolatile memory requiring trimming of word line voltage and read reference voltage at the time of read operation.例文帳に追加

読出し動作時にワード線電圧や読出し参照電圧のトリミングが必要である不揮発性メモリにおいて、検査工程におけるトリミングパラメータの読出し不良率を低減する。 - 特許庁

The internal memory can be arranged on a chip and can comprise at least one set of first buffer which is (i) optimum for movement compensation and (ii) used for storing at least one set of sub set of a reference frame, stored to the external memory of outside of a chip.例文帳に追加

内部メモリはチップ上に配置することができるとともに、（ｉ）動き補償に適し（ｉｉ）チップ外の外部メモリに格納された少なくとも１つの基準フレームのサブセットを格納するための少なくとも１つの第１のバッファを含むことができる。 - 特許庁

Furthermore, when discrepancy occurs, the internal condition of the design data is overwritten to be the same as the internal condition of the reference data, or the memory in the design data is rewritten to be the same as the written data to the memory in the refrence data, to continue the function simulation.例文帳に追加

さらに、不一致が生じた場合には、設計データの内部状態を参照データの内部状態と同じに書き換え、あるいは、設計データ内のメモリを参照データ内のメモリへの書き込みデータと同一に書き換えた上で、機能シミュレーションを続行する。 - 特許庁

An impedance comparator section 150 determines whether or not the amount of water remaining in the system decreases below the threshold by comparing the impedance reference value ins (refer to Fig. 3) stored on a memory 151 with the measurement impedance stored on a measurement memory 152.例文帳に追加

インピーダンス比較部１５０は、メモリ１５１に格納されているインピーダンス基準値ｉｎｓ（図３参照）と、測定メモリ１５２に格納されている測定インピーダンスとを比較することで、当該システムに残存する水分量が閾値を下回ったか否かを判断する。 - 特許庁

A Hall IC 20 is provided with the memory for storing an output value of the liquid level, and the uppermost position and the lowermost position of the float 16 set by using the reference position writing tool 21 are written in the memory as the uppermost liquid level and the lowermost liquid level respectively.例文帳に追加

ホールＩＣ２０に液面レベルの出力値を格納するメモリを設け、このメモリに、基準位置書き込み治具２１を用いて設定したフロート１６の最上位位置及び最下位位置を、それぞれ最上位液面レベル及び最下位液面レベルとして書き込む。 - 特許庁

To provide a threshold value control circuit of a nonvolatile memory element in which variation in the threshold value of a reference cell, that holds a prescribed threshold value in a freely changeable manner corresponding to the change in the storage condition of the nonvolatile memory element, is suppressed and the threshold value is set to the prescribed threshold value in a short time.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の記憶状態の変更により所定の閾値を変更自在に保持する参照セルの当該閾値を、その閾値ばらつきを抑制して短時間で所定値に設定可能な不揮発性メモリ素子の閾値制御回路を提供する。 - 特許庁

The controller 136 is configured to store the solid ink stick type data in a memory 182 in response to an initialization signal and to operate the solid ink printer with reference to the solid ink stick type data stored in the memory 182 by the controller 136.例文帳に追加

コントローラ１３６は、初期化信号に応答して前記固体インクスティック種類データをメモリ１８２に保存し、コントローラ１３６によってメモリ１８２内に保存された固体インクスティック種類データを参照して固体インクプリンターを動作させるように、構成される。 - 特許庁

Even if oscillation frequencies of the laser 15 and the laser 15a are not strictly coincident, desired data already recorded can be read by adjusting rotation of the volume holographic memory 10 and adjusting an incident angle of the reference light for the volume holographic memory 10.例文帳に追加

レーザ１５とレーザ１５ａの発振波長が厳密に一致しなくても体積ホログラフィックメモリ１０を回転調整することで体積ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の入射角を調整すれば、所望の記録済みデータの読込みが可能となる。 - 特許庁

A base station memory stores a selected incoming call identifier in cross reference with a specific handset identifier, and a base station decides whether or not the incoming call originates from the incoming call identifier that is stored and selected in the base station memory.例文帳に追加

選択された着信呼識別子は、特定のハンドセット識別子と関連づけられて基地局メモリ（１１）内に格納され、基地局（１０）は、着信呼がこの基地局メモリ（１０）に格納された選択された着信呼識別子から発しているか否かを決定する。 - 特許庁

When the developing section 2 develops a specified image having the same attributes subsequently, reference information of the compressed image in the cache memory area 6 is stored in the spool memory area 5 and developing and compression are not performed.例文帳に追加

その後の展開部２による画像への展開時に、同じ属性を有する特定の画像に展開される場合には、キャッシュ記憶領域６内の圧縮画像を参照する参照情報をスプール記憶領域５に記憶させ、展開処理及び圧縮処理を行わない。 - 特許庁

The control part 24 displays the display elements based on the screen data and accepts the operations to the display elements during replacing the memory card 32, and when the memory card 32 is replaced, the control part 24 displays the display elements including a new character string with reference to new table data.例文帳に追加

また、制御部２４は、メモリカード３２を交換する間も、画面データに基づいて、表示要素を表示し、表示要素への操作を受け付けており、メモリカード３２が交換されると、新たなテーブルデータを参照して、新たな文字列を含む表示要素を表示する。 - 特許庁

As current values (I1+I2) and (I3+I4) flowing from respective data line to a load element are the same at any time, potential difference between data lines is amplified by time accumulation of difference of a current value of a selection memory cell and a current value of a memory cell for reference.例文帳に追加

それぞれのデータ線から負荷素子へ流れる電流値（Ｉ１＋Ｉ２）と（Ｉ３＋Ｉ４）は、どの時点でも同じになるので、データ線対間の電位差は選択メモリセルの電流値と参照用メモリセルの電流値の差分の時間累積によって増幅される。 - 特許庁

Then adjustment value data for adjusting the pitch, envelope, etc., of a musical tone signal so that the measured acoustic characteristic data match with reference acoustic characteristic data registered in a memory 104 or on a storage medium 120 are generated and stored in the memory 104.例文帳に追加

そして、測定された音響特性データがメモリ１０４あるいは記憶媒体１２０に登録された基準音響特性データと一致するように、楽音信号のピッチやエンベロープなどを調整する調整値データを生成してメモリ１０４に格納する。 - 特許庁

A semiconductor memory in which a characteristic is changed with time is previously excluded by providing the semiconductor memory with a burn-in circuit and applying burning voltage to fuses and wirings of a reference voltage generating circuit to which voltage is not applied in a normal operation state.例文帳に追加

半導体記憶装置にバーンイン回路を設けて、通常の動作状態において電圧が印加されない基準電圧発生回路のヒューズや配線にバーンイング電圧を印加することにより、特性が経時変化する半導体記憶装置を予め排除する。 - 特許庁

The addressing of the memory 8 is made on the basis of a value resulting from applying A/D conversion to a signal detected by the PIN-PD 5 and of a value resulting from applying A/D conversion to a voltage in response to the detected temperature and the memory 8 stores a value providing an optimum bias voltage in cross reference with this addressing.例文帳に追加

メモリ８は、ＰＩＮ−ＰＤ５で検出した信号をＡ／Ｄ変換した値と上記検出した温度に応じた電圧をＡ／Ｄ変換した値とをアドレスとし、このアドレスと対応して最適なバイアス電圧が得られる値が記憶されている。 - 特許庁

A key frame is subjected to in-key-frame coding or inter-frame coding on the basis of a difference signal between a reference frame stored in a key block memory 2 and an input frame (key frame) (ST3) and the coded result is outputted (ST19), locally decoded (ST8), and a key frame memory 1 stores the result.例文帳に追加

キーブロックメモリ２に格納した参照フレームと入力フレーム（キーフレーム）との差分信号に基づきキーフレームをフレーム内符号化またはフレーム間符号化し（ＳＴ３）出力する（ＳＴ１９）と共に、局部復号化し（ＳＴ８）キーフレームメモリ１に蓄積する。 - 特許庁

A syntax element replacement part 150 determines whether the index value becomes "0" irrespective of the value of the mvd syntax element when the mvd syntax element of the reference submb is stored in the syntax element memory 112, and when it is determined that the index value becomes "0", replaces the mvd syntax element of the reference submb with "0" to be stored in the syntax element memory 112.例文帳に追加

シンタックスエレメント置換部１５０は、参照ｓｕｂｍｂのｍｖｄシンタックスエレメントをシンタックスエレメントメモリ１１２に格納する際に、該ｍｖｄシンタックスエレメントの値に関わらず、その指標値が「０」になるか否かの判定をすると共に、指標値が「０」になると判定したときに、該参照ｓｕｂｍｂのｍｖｄシンタックスエレメントを「０」に置換えてシンタックスエレメントメモリ１１２に格納する。 - 特許庁