「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The device is provided with a means for determining the period between two successive milking runs of the dairy animal and the memory stores various reference values for the variable, the reference values depending on the measured period.例文帳に追加

上記装置に該酪農動物の２回の連続する搾乳回の間の期間を確定する手段を設け、上記メモリが上記変数に対する種々の基準値を記憶し、該基準値は測定期間に基づく。 - 特許庁

A reference memory 16 stores reference data indicating a relationship between a distance from the objective lens 2 in the direction of an optical axis and the intensity of the light directed from a distant position to the objective lens 2 detected by the photodetector 7.例文帳に追加

リファレンスメモリ１６には、対物レンズ２からの光軸方向の距離と該距離の位置より対物レンズ２へ向かう光の光検出器７により検出される輝度との関係を示す基準データが格納される。 - 特許庁

A memory 102 stores the initial reference location of a transfer arm, a first correlation between the processing recipe and the sidewall temperature of a processing chamber, and a second correlation between the sidewall temperature of the processing chamber and the corrected value of a reference location.例文帳に追加

記憶部１０２は、搬送アームの初期基準位置と、処理レシピと処理チャンバの側壁温度との第１の相関と、処理チャンバの側壁温度と基準位置の補正値との第２の相関とが記憶されている。 - 特許庁

To always hold a reference level at a predetermined constant level during data reading from a normal cell in a ferroelectric memory device for comparing the potential of data read from the normal cell with the reference level of the reference cell to determine whether the read data is "H" data or "L" data.例文帳に追加

ノーマルセルから読み出したデータの電位をリファレンスセルのリファレンスレベルと比較して、その読み出しデータが”Ｈ”データか”Ｌ”データかを判別する強誘電体記憶装置において、ノーマルセルからのデータの読み出し時には、前記リファレンスレベルを常に所定の一定レベルに保持する。 - 特許庁

The reference voltage detecting circuit 1 comprises a reference voltage generating circuit 11 having little power supply voltage dependence and temperature dependence, an ADC 12 having little temperature dependence on outputting an ADC output voltage that depends on the reference voltage, a nonvolatile memory 13, and a comparison and computation circuit 14.例文帳に追加

基準電圧検知回路１は電源電圧依存性及び温度依存性が小さい基準電圧発生回路１１、電源電圧に依存するＡＤＣ出力電圧を出力し、温度依存性が小さいＡＤＣ１２、不揮発性メモリ１３、及び比較演算回路１４から構成されている。 - 特許庁

In a memory area accessible by an active program, data generated in a certain area are inspected to determine whether data corresponding to a set abnormal condition are included.When such data are included, reference relationships to the data are classified into allowed reference relations and prohibited reference relations.例文帳に追加

実行中のプログラムが利用可能なメモリ領域中の、ある領域に生成されたデータを検査し、設定された異常状態に該当するデータがあるかをチェックし、ある場合はそのデータに対する参照関係を許可された参照関係と許可されない参照関係に分類する。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor memory device, a program control circuit 1 sets the threshold of a first reference cell RFCO depending on the results obtained when a trimming sense amplifier 8 compares the thresholds of the first reference cell RFCO and the second reference cell SRC.例文帳に追加

この発明の不揮発性半導体メモリ装置では、トリム用センスアンプ８が第１のリファレンスセルＲＦＣ０のしきい値と第２のリファレンスセルＳＲＣのしきい値とを比較した結果に基いて、プログラム制御回路１は、書込回路ＷＣにより第１のリファレンスセルＲＦＣ０のしきい値を設定する。 - 特許庁

A CPU 212, receiving an instruction by user's operation, calculates a gray scale ratio as gray scale adjustment data of a reference white board on the basis of gray scale data of a reference original and the reference white board read under the same conditions acquired by a shading data detection section 211, and stores the data to a nonvolatile memory 213.例文帳に追加

ユーザ操作の指示により、ＣＰＵ２１２はシェーディングデータ検出部２１１で獲得した同一条件で読み取った基準原稿と基準白板の濃度データから濃度比を基準白板の濃度調整データとして算出し、不揮発メモリ２１３に保存する。 - 特許庁

A reference time is inputted to the memory 11 of a microcomputer 4, the end time of a received wave signal received simultaneously with transmission of an ultrasonic wave is compared with the reference time in a discriminating circuit 12, and when the end time exceeds the reference time, short range obstacle present is determined.例文帳に追加

マイクロコンピュータ４のメモリ１１には、基準時間が入力されており、判別回路１２で、超音波送信と同時に受信する受信波信号の終了時間とこの基準時間とを比較し、この終了時間が基準時間を超過した場合に近距離障害物有りと判定する。 - 特許庁

The electric charge storing packet 25 storing the reference electric charges and an empty packet 25 other than that are transferred in a horizontal direction to output a reference signal corresponding to the reference electric charges and a transfer residual signal corresponding to the electric charges remaining in the empty packet, and the outputted signals are stored in a memory 142 so that the signals are correlated.例文帳に追加

基準電荷が蓄積された電荷蓄積パケット２５とそれ以外の空パケット２５を水平方向に転送して、基準電荷に応じた基準信号と、空パケットに存在する電荷に応じた転送残り信号とを出力させ、これらを対応付けてメモリ１４２に記憶する。 - 特許庁

The measuring signal S1-0 and the reference signal S2-0 related to an analyte solution YA are acquired from two sample corresponding relations having a reference signal 2 most approximate to the reference signal S2-0 are selected from the sample corresponding relations SA1-SA5 stored in a memory 90D to be read.例文帳に追加

アナライト溶液ＹＡについての測定信号Ｓ１−０、参照信号Ｓ２−０、を取得し、メモリ９０Ｄに記憶されているサンプル対応関係ＳＡ１〜ＳＡ５の中から、参照信号Ｓ２−０に最も近似する参照信号Ｓ２を有するものを２つ選択して読み出す。 - 特許庁

A reference line decision means 8 which has cells arranged in matrix is placed over image information IP expanded in an image memory and then rotated to estimate a row ny where more than a specific number of black cells are successive on the reference line decision means 8 as an X- axial reference line.例文帳に追加

画像メモリに展開した画像情報ＩＰに、複数のセルが行列に配置されたリファレンスライン判別手段８を重ね合わせた後、これを回転させ、リファレンスライン判別手段８に黒セルが所定数以上連続する行ｎｙをＸ軸リファレンスラインと推定する。 - 特許庁

A motion compensation predict unit corrects a high-frequency component of a reference image 15 stored to a motion compensation predict frame memory, has an interpolation image generation unit 43 that generates a reference image 207 of virtual pixel precision, and generates a prediction image by using either the reference image 15 or the reference image of the virtual pixel precision depending on a motion vector.例文帳に追加

動き補償予測部は、動き補償予測フレームメモリに格納された参照画像１５の高周波成分を補正して、仮想画素精度の参照画像２０７を生成する補間画像生成部４３を有し、動きベクトルに応じて参照画像１５または仮想画素精度の参照画像２０７のいずれか一方を用いて予測画像を生成する。 - 特許庁

Arbitrary three of the seven reference bank memories are adaptively allocated for the movement detection of integer precision, the other arbitrary three reference bank memories are adaptively allocated for the movement detection of decimal precision, and the remaining one reference bank memory is adaptively allocated for the preliminary transfer of the image data of the reference microblock used for the movement detection of the next object microblock.例文帳に追加

この７個の参照バンクメモリのうち、任意の３個は整数精度の動き検出用に適応的に割り付けられ、他の任意の３個は小数精度の動き検出用に適応的に割り付けられ、残る１個は次対象マクロブロックについての動き検出に使用する参照マクロブロックの画像データの予備転送用として適応的に割り付けられる。 - 特許庁

In the motion vector detection circuit, within reference image data DAT2 read out of a reference image data memory 3 in order to calculate a differential absolute value with present image data DAT1, an image block of 8 pixels×8 lines of an encode target and reference image data DAT3 of 10 pixels×10 lines containing its peripheral one pixel are stored in a neighboring reference image data buffer 10.例文帳に追加

現在画像データＤＡＴ１との差分絶対値を算出するために参照画像データメモリ３から読み出した参照画像データＤＡＴ２の内で、符号化対象の８画素×８ラインの画像ブロックとその周囲１画素を含む１０画素×１０ラインの参照画像データＤＡＴ３を近傍参照画像データバッファ１０に格納しておく。 - 特許庁

Reference potential inputted to a shared amplifier 6m is switched by a switching means 19 either when data is read from a two value memory region 22 or when the data is read from a four value memory region 21.例文帳に追加

２値記憶領域２２からのデータ読み出し時と、４値記憶領域２１からのデータ読み出し時とで、共通のセンスアンプ６ｍに入力される参照電位を、切り替え手段１９によって切り替える。 - 特許庁

To greatly improve data retention characteristics of a second cell (reference cell, redundancy memory cell, OTP area or the like) having a process and a structure almost similar to those of a first cell (memory cell) without unnecessarily increasing the number of steps.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

A read word line RWL and a write word line WWL are arranged, corresponding to the row of an MTJ memory cells and a bit line BL and reference voltage wiring SL are arranged corresponding to the column of the MTJ memory cells.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルの行に対応してリードワード線ＲＷＬおよびライトワード線ＷＷＬが配置され、ＭＴＪメモリセルの列に対応してビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬが配置される。 - 特許庁

To substantially improve data retention characteristics of a second cell (a reference cell, a redundancy memory cell, an OTP region, etc.), comprising substantially the same steps and same structure as those of a first cell (memory cell), without increasing the number of steps needlessly.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

A semiconductor memory device 100A is provided with memory cell arrays 10A, 10B, a data bus 40, a reference voltage generating circuit 72, a voltage drop circuit 73, a VPP generating circuit 76, a circuit group 77, and a test circuit 80.例文帳に追加

半導体記憶装置１００Ａは、メモリセルアレイ１０Ａ，１０Ｂと、データバス４０と、基準電圧発生回路７２と、電圧降圧回路７３と、ＶＰＰ発生回路７６と、回路群７７と、テスト回路８０とを備える。 - 特許庁

To provide a means to jumpingly improve the performance of a semiconductor memory device important in industry, in reference to the constitution of a non-volatile type semiconductor memory device driven at a low voltage by a low power consumption.例文帳に追加

低電圧および低消費電力で駆動する不揮発型半導体記憶装置の構成に関わるものであり、産業上重要な半導体記憶装置の性能を飛躍的に向上させる手段を提供する。 - 特許庁

In the processing by the LAO processing 19 and processing for decoding a compressed moving image, a reference frame memory 17 used to refer to the previous frame data is shared, so an unnecessary frame memory is reducible.例文帳に追加

ＬＡＯ処理部１９での前述の処理と圧縮動画像を復号する処理において、前フレームデータを参照する際に用いる参照フレームメモリ１７を共用するので、余分なフレームメモリを削減することができる。 - 特許庁

A read word line RWL and a write word line WWL are arranged corresponding to a row of an MTJ memory cell, and a bit line BL and a reference voltage wiring SL are arranged corresponding to a column of the MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルの行に対応してリードワード線ＲＷＬおよびライトワード線ＷＷＬが配置され、ＭＴＪメモリセルの列に対応してビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬが配置される。 - 特許庁

The sense amplifier 9 reads data from the memory cell based on the voltage of the bit line BL connected to the memory cell 11 to receive a precharge voltage during the reading operation and a reference voltage in response to the control signal.例文帳に追加

センスアンプ９は、制御信号に応答して、メモリセル１１に接続され読み出し動作に際してプリチャージ電圧を印加されたビット線ＢＬの電圧と参照電圧とに基づいて、メモリセルのデータを読み出す。 - 特許庁

A current flowing in the memory cell is compared with reference current levels 91, 92 in the first and the second current paths, while electric charges corresponding to the current flowing the memory cell are accumulated respectively in first and second accumulation parts.例文帳に追加

第１、第２の電流経路で、メモリセルに流れる電流とリファレンス電流レベル９１，９２とを比較するとともに、メモリセルに流れる電流に応じた電荷をそれぞれ第１、第２の蓄積部に蓄える。 - 特許庁

In reference image data held in a frame memory, pixel data within a synthetic search range 260a that is a sum of two motion vector search ranges for those target macro blocks are simultaneously transferred to a high-speed memory.例文帳に追加

フレームメモリに保持された参照画像データのうち、それらの対象マクロブロックに対する２つの動きベクトル探索範囲の和である合成探索範囲２６０ａの画素データを一度に高速メモリに転送する。 - 特許庁

By the second reading operation, the residual polarized value of the ferroelectric capacitor of the reference memory cell reduced by the heat treatment or the like of the manufacturing process is returned to an original value before reading access to the real memory cell.例文帳に追加

第２読み出し動作によって、製造工程の熱処理等により減少するリファレンスメモリセルの強誘電体キャパシタの残留分極値を、リアルメモリセルの読み出しアクセス前に元の値に戻すことができる。 - 特許庁

The image decoding reduction rate decision section 107 utilizes the image size displayable in the section 111 and the size of the reference memory and image display memory 109 to decide a decodable reduction rate for the coded image data.例文帳に追加

画像復号縮小率決定部１０７は、画像表示部１１１に表示可能で、かつ、符号化された画像データを参照用メモリ兼画像表示メモリ１０９を利用して復号可能な縮小率を決定する。 - 特許庁

A calculation part 42 calculates the degree of probability of the specific substance as the angle θ formed by the vector of the measured data (L_1, L_2 and L_3) stored in the memory 24 and the vector of the reference data (R_1, R_2 and R_3) preliminarily stored in the memory.例文帳に追加

計算部４２はメモリ２４に記憶された測定データ（Ｌ_1，Ｌ_2，Ｌ_3）のベクトルと、メモリに予め記憶された基準データ（Ｒ_1，Ｒ_2，Ｒ_3）のベクトルのなす角θとして特定物質の確率度を算出する。 - 特許庁

A sense amplifier circuit compares the reference current to a drain current generated by a non-volatile memory bit cell as sweeping gate voltages are applied to the non-volatile memory bit cell until a transitioning gate voltage is identified.例文帳に追加

センスアンプ回路は、遷移ゲート電圧が識別されるまで不揮発性メモリビットセルに掃引ゲート電圧が印加されるとき、前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルによって生成されるドレイン電流と比較する。 - 特許庁

Sampling points α of a reference white plate 3002 are read out for 64 lines, subjected to shading correction and averaging before being stored in a sampling memory 104 in order to detect dust of the data stored in a sampling memory 104.例文帳に追加

基準白板３００２のサンプリングポイントαが６４ライン分読み取られ、シェーディング補正され、平均処理された後、サンプリングメモリ１０４に保管され、サンプリングメモリ１０４に保管されたデータのゴミ検知が行われる。 - 特許庁

When a data plural-time reference detecting means 7 detects that the data causing the line conflict is accessed again by a processor 1, the processor 1 makes access to another area on the memory by the memory controller 5.例文帳に追加

そして、ラインコンフリクトを起こすデータがプロセッサ１によって再びアクセスされることをデータ複数回参照検出手段７が検出すると、メモリコントローラ５によってプロセッサ１はメモリ上の別の領域にアクセスする。 - 特許庁

A user operates a key operation section 7 to allow a control section 1 to store memo data being the information related to an image file to a memory section 6 in cross-reference with the image file.例文帳に追加

ユーザがキー操作部７を操作して、制御部１に、画像ファイルに対応付けて、画像ファイルに関する情報であるメモデータをメモリ部６に記憶させる。 - 特許庁

Decision section 44-46 decide whether or not the input data are coincidence with the coincidence detection condition based on the reference data from the pattern memory 43.例文帳に追加

判定部４４〜４６は、入力データが一致検出条件に一致するか否かをパターンメモリ４３からの参照データに基づいて判定する。 - 特許庁

In an advertisement registration server 6, a registration acceptance part 63 accepts it, refers to a device information storage part 64 and gains a device ID in reference to a device information memory part 54.例文帳に追加

広告登録サーバ６では、登録受付部６３がこれを受け付けて、デバイス情報記憶部６４を参照して、デバイスＩＤを取得する。 - 特許庁

To provide a computer for improving a high-speed operation by executing a load operation before a store operation, while preventing vague memory reference, and to provide a method for controlling the computer.例文帳に追加

曖昧なメモリ参照を回避しつつストア操作の前にロード操作を実行し動作の高速化が図られた計算機とその制御方法を提供する。 - 特許庁

In a preferable execution form, the respective arrays are provided with the number of the memory cells sufficient for storing two digital words for indicating an optical signal and a reference signal.例文帳に追加

好適な実施態様において、各アレイは光信号と基準信号を表す二つのデジタルワードを記憶するのに十分な数のメモリセルを含む。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device utilizing resistance change based on the magnetization direction of a magnetic layer which can reduce an area proportion of a reference cell.例文帳に追加

磁性層の磁化方向に基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置に関し、リファレンスセルの面積割合を小さくできる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

When a performance valid time passes from the start of the round involved, a control part determines in reference to a working memory whether the round in transit is the noticed round or not.例文帳に追加

ラウンドの開始から演出有効時間が経過すると、制御部はワーキングメモリを参照して移行中のラウンドが告知ラウンドであるか否かを判定する。 - 特許庁

In this method (400), a value of an input side of the cell (210) is compared to the reference value the input side of the memory cell provides an indication that writing operation is completed.例文帳に追加

方法(400)は、セル(210)の入力側の値を基準値と比較し、メモリセル(210)の入力側は、書き込み動作が完了したという指示を提供する。 - 特許庁

When the count value reaches the prescribed number of times, the first positions of the nose and eyes are made reference positions and written in a face part position memory 40.例文帳に追加

そして、制御部５０は、カウント値が所定回数になると、最初の鼻及び眼の位置を基準位置として、顔部品位置メモリ４０に書き込む。 - 特許庁

Since this invention starts a line in the horizontal mode in the expansion processing on the way of data, data of reference lines are not required and the capacity of the memory in use can be saved.例文帳に追加

また、途中からの伸長処理であっても水平モードのラインから開始するので参照ラインのデータを必要とせず、メモリ使用量を節約できる。 - 特許庁

A real amplification transistor of the real memory cell has a gate, a source, and a drain connected to a connection node, a reference voltage line, and a real read line respectively.例文帳に追加

リアルメモリセルのリアル増幅トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインが、接続ノード、基準電圧線およびリアル読み出し線にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

The discrimination/recognition in a picture processor is based on picture data stored in a picture memory with a reference to an area recognition threshold.例文帳に追加

画像処理部における区別・認定は、領域認識閾値を基準として画像メモリに格納された画像データに基づいて行われることを特徴とする。 - 特許庁

The intensity of a reference spectrum is fetched out of a memory means 54 in a comparing/judging means 55 and compared with the measured intensity of the spectrum.例文帳に追加

比較・判断手段５５において、記憶手段５４から基準スペクトル強度が取り出され、これら基準スペクトル強度と測定スペクトル強度とが比較される。 - 特許庁