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Reference Memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1980件
Whether this photographed image is defined as the reference image is judged (S2), and if the photographed image is defined as the reference image (route of yes), the photographed image information is stored in a frame memory 6 (S3).例文帳に追加
そして、この撮影画像を基準画像にするか否かを判断し(S2)、基準画像にする場合(YESのルート)、撮影した画像情報をフレームメモリ6内に格納する(S3)。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit device is provided with a plurality of memory cells 10 divided into a plurality of groups, and a reference potential selecting circuit 14 setting reference potentials Vref1, Vref2 being different for each group.例文帳に追加
半導体集積回路装置は、複数のグループに分けられた複数のメモリセル10と、前記グループ毎に異なるリファレンス電位Vref1,Vref2を設定するリファレンス電位選択回路14とを具備する。 - 特許庁
The lowest reference frequency band of the reception level is selected at a frequency controller 14, among a plurality of reference frequency bands for different frequency bands stored in a memory 13.例文帳に追加
周波数コントローラ14にて、メモリ13に記憶した異なる周波数帯の複数の基準周波数帯における受信レベルの最も低い基準周波数帯を選定する。 - 特許庁
When the measured start time exceeds the reference time, the start time is stored in a memory (S9), and the reference time is re-set to the start time (S10).例文帳に追加
計測した始動時間が設定された基準時間を超えた場合、当該始動時間をメモリに格納する(S9)とともに、当該基準時間を当該始動時間で再設定する(S10)。 - 特許庁
To provide a reference voltage generating circuit which generates an accurate reference potential, so that a sense amplifier correctly discriminates whether the data read from memory cells are '1' or '0'.例文帳に追加
メモリセルから読み出したデータが“1”または“0”のいずれであるのかを、センスアンプで正しく判定できるように、正確な基準電位を発生する基準電圧発生回路を提供する。 - 特許庁
For the purpose, the reference value is set again to a level at which the pattern can clearly be detected and the newly set reference value is stored in the nonvolatile memory 48 at each time (steps S6, S7).例文帳に追加
そこで、前記パターンが明確に検出できるレベルに基準値を設定し直し、新たに設定した基準値をその都度不揮発メモリ48に格納し直す(ステップS6,S7)。 - 特許庁
A tilt actuator 19 for displacing the holographic memory medium in the radial tilt direction is driven to adjust an incident angle of the reference beam in the radial tilt direction to the reference angle Sr.例文帳に追加
そして、ホログラフィックメモリ媒体をラジアルチルト方向に変位させるチルトアクチュエータ19を駆動制御して、参照光のラジアルチルト方向の入射角度を基準角度Srに整合させる。 - 特許庁
The test data generation circuit generates test data and writes them in the memory synchronously with the reference clock and outputs write data corresponding to test data synchronously with the reference clock.例文帳に追加
テストデータ生成回路はテストデータを生成し、基準クロックに同期して前記メモリに書き込むと共に、基準クロックに同期してテストデータに対応する書き込みデータを出力する。 - 特許庁
A microcomputer 245 reads the reference data, and reads image data obtained by photographing a prescribed object from a memory 244 and calculates the error between the image data and the reference color data.例文帳に追加
マイコン245は、この基準データを読み出すとともに、メモリー244から所定の被写体を撮影して得られた画像データを読み出し画像データと前記基準色データとの誤差を算出する。 - 特許庁
In this semiconductor memory, a MOS transistor 19A constituting a reference level boost-up circuit is connected between a tail bias signal line 106 and a reference level input line 103.例文帳に追加
この半導体記憶装置は、リファレンスレベル突き上げ回路29を構成するMOSトランジスタ19Aを、テールバイアス信号線106とリファレンスレベル入力線103の間に接続した。 - 特許庁
Checking that the reference count is at least 1does not work -- the reference count itself could be in freed memory and may thus be reused for another object!例文帳に追加
参照カウントが 1 以上かどうか調べる方法はうまくいきません -- 参照カウント自体も解放されたメモリ上にあるため、その領域が他のオブジェクトに使われている可能性があります! - Python
To provide a stable read margin in a nonvolatile semiconductor memory device having constitution in which an average current of two reference cells is made a reference current.例文帳に追加
本発明は、2つのリファレンスセルの平均電流をリファレンス電流とする構成の不揮発性半導体記憶装置において、安定した読み出しマージンを提供することを目的とする。 - 特許庁
When correcting data of the IC card based on the PKCS #15, information about reference relation between the files previously stored in a memory of the IC card is acquired, and is stored as reference relation data.例文帳に追加
PKCS#15に準拠したICカードのデータを修正する時、予めICカードのメモリに記憶されているファイル間の参照関係の情報を取得し、参照関係データとして記憶する。 - 特許庁
When the simulation image is indicated as a reference image by an operation part 12, the image temporarily stored in the memory 45 and the reference image indicated by the operation part 12 are displayed on the image monitor 17.例文帳に追加
操作部12で前記シミュレーション画像を参照画像として指定すると、画像モニタ17に、メモリ45に一時記憶した画像と、操作部12で指定した参照画像を表示する。 - 特許庁
To provide a non-volatile ferroelectric memory device in which a reference level is stabilized and quick response speed can be obtained, while a reference level can be kept without being affected by a noise.例文帳に追加
参照レベルを安定化させて速い応答速度が得られると同時に、ノイズの影響を受けずに参照レベルを維持することのできる不揮発性強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
A decoding object frame and a reference frame are stored in an compressed form in a frame memory M1, a reference frame that is reversibly compressed by a compression circuit A1 is stored in a frame memory M2, and reference frames that are nonreversibly compressed by compression circuits A2 and A3 are stored in frame memories M3 and M4.例文帳に追加
フレームメモリM1には圧縮されない形態で復号化対象フレーム及び参照フレームが記憶され、フレームメモリM2には圧縮回路A1で可逆圧縮された参照フレームが記憶され、フレームメモリM3、M4には圧縮回路A2、A3で非可逆圧縮された参照フレームが記憶される。 - 特許庁
When an operator judges that the color tone of a printed matter is sufficiently close to that of the reference sheet, a control panel 15 designates to replace the original reference image data stored in the image memory 24 through the CPU 23 by new reference image data, i.e. the image data of a printed matter stored in the image memory 25.例文帳に追加
オペレータが印刷物の色調と基準紙の色調とが十分近いと判断したときには、コントロールパネル15から指示を行うことにより、画像メモリ25に記憶された印刷物画像データを新たな基準画像データとして、CPU23を介して画像メモリ24に記憶されていた元の基準画像データと置換される。 - 特許庁
The spare memory part 19 is provided with a spare cell array 17 provided as a spare of the memory cell array 7 having a plurality of nonvolatile spare cells 39, a nonvolatile second reference cell 13 being reference, and a second sense amplifier 15 reading out data of the spare cell 39 based on an output of the spare cell 39 and an output of the second reference cell 13.例文帳に追加
予備記憶部19は、メインセルアレイ7の予備として設けられ複数の不揮発性スペアセル39を有するスペアセルアレイ17と、基準となる不揮発性第2リファレンスセル13と、スペアセル39の出力と第2リファレンスセル13の出力とに基づいてスペアセル39のデータを読み出す第2センスアンプ15とを備える。 - 特許庁
A central processing part 1 intermittently executes a program stored in a program memory 2, and stores the number of references from variables in a heap memory 4 or a static variable storing part 7 as a reference count number in the heap memory 4 by making it correspond to a memory region, and opens the memory region whose reference count number is 0 each time the execution of the processing of the program is ended.例文帳に追加
中央処理部1が、プログラムメモリ2に格納されたプログラムを断続的に実行し、ヒープメモリ4または静的変数記憶部7内の変数からの参照の数を参照カウント数として、ヒープメモリ4内にメモリ領域に対応づけて格納し、プログラムの処理が実行終了するごとに、参照カウント数が0であるメモリ領域を開放するガベジコレクション処理を行うメモリ管理方法及びメモリ管理装置である。 - 特許庁
The comparison and computation circuit 14 inputs a reference voltage output from the reference voltage generating circuit 11 and compares the ADC output voltage output from the ADC 12 that digital-converts the reference voltage with a memory set value stored in the nonvolatile memory 13 and computes, and then outputs the computed signal to the microcomputer-logic circuit section 2 and the memory section 3 via the controller 4.例文帳に追加
比較演算回路14は、基準電圧発生回路11から出力した基準電圧を入力し、この電圧をデジタル変換するADC12から出力されたADC出力電圧と不揮発性メモリ13に記憶されたメモリ設定値とを比較演算し、演算した信号をマイコン・論理回路部2及びメモリ部3に制御部4を介して出力する。 - 特許庁
In the semiconductor memory constituted so that a data signal from a memory cell and a reference signal from a reference cell are compared by a differential sense amplifier 150A-0 and data is read out, the memory provided with a feedback circuit 200A-0 having a function limiting relative variation between a reference signal VREF and a data signal VDA-0 inputted to the differential sense amplifier 150A-0.例文帳に追加
メモリセルからのデータ信号とリファレンスセルからの参照信号とを差動型センスアンプ150A−0で比較してデータを読み出すように構成された半導体記憶装置において、差動型センスアンプ150A−0に入力される参照信号VREFとデータ信号VDA−0との間の相対的変化を制限する機能を有する帰還回路200A−0を備える。 - 特許庁
A voltage selection unit 13 selects any one of the plurality of reference voltages Vref stored in the memory 12, outputs the selected reference voltage from a reference voltage output unit 14, changes selection of the reference voltages Vref every time when A/D conversion of all channels CH1, ..., CHn is completed, and then outputs all reference voltages Vref sequentially.例文帳に追加
電圧選択部13は、記憶部12に記憶された複数の基準電圧Vrefの何れか1つを選択して基準電圧出力部14から出力させ、全チャンネルCH1,…,CHnのA/D変換が完了する毎に基準電圧Vrefの選択を変更して、全て基準電圧Vrefを順次出力させる。 - 特許庁
This ferroelectric memory device includes: a reference program part for adjusting and outputting the voltage of a reference level control signal by using a programmable register device to control the on/off of a switch for adjusting the capacitance of a capacitor connected to a driving power source; and a reference voltage generating part for outputting the reference voltage in accordance with the reference level control signal.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置は、プログラマブルレジスタ装置を利用し、駆動電源に連結されたキャパシタの容量を調節するスイッチのオン・オフを制御することにより、レファレンスレベル制御信号の電圧を調節して出力するレファレンスプログラム部、及び前記レファレンスレベル制御信号に応じてレファレンス電圧を出力するレファレンス電圧発生部を含む。 - 特許庁
The electronic equipment device 1 includes: a DDR memory 2; a control IC 3 for controlling the writing/reading of data to the DDR memory 2; and a voltage output circuit 4 for setting a reference Vref-ddr in the DDR memory 2 and a reference voltage Vref-ic in the controller IC 3.例文帳に追加
電子機器装置1は、DDRメモリ2と、DDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しを制御するコントロールIC3と、DDRメモリ2における基準電圧Vref−ddr及びコントロールIC3における基準電圧Vref−icを設定する電圧出力回路4とを備える。 - 特許庁
To accurately program a reference element for reading the memory state by separating the memory function from the transistor operation function of a gate insulating film, thinning the gate insulating film to suppress the short channel effect without losing the memory function, and facilitating miniaturization.例文帳に追加
メモリ機能と、ゲート絶縁膜が担うトランジスタ動作機能とを分離し、メモリ機能を損なわず、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャンネル効果を抑制し、微細化を図り、メモリ状態を読み出すための基準素子を、正確にプログラムする。 - 特許庁
Since image data are sequentially stored in the memory 21, in interlocking with the scanning applied to the film 5 in this case, the image data can be stored to a predetermined memory address in cross-reference with the position of each frame image in the memory 21.例文帳に追加
そのとき、フィルム5に対するスキャン動作に連動して、画像データを順次メモリ21に記憶するので、メモリ21内の各コマの画像の位置に対応して、予め決まったメモリアドレスに画像データを記憶することができる。 - 特許庁
A reference potential generating circuit of a ferroelectric memory is provided with memory cells CR00 to CR02, CR10 to CR12 storing m pieces of high level data and memory cells CR03 to CR13 storing n pieces of low level data.例文帳に追加
強誘電体メモリのリファレンス電位発生回路において、複数m個のハイレベルを記憶したメモリセル(CR00〜CR02、CR10〜CR12)と複数n個のローレベルを記憶したメモリセル(CR03、CR13)を備えている。 - 特許庁
To provide a color correcting device which requires less memory capacity by paying attention to the redundancy of a color correction reference table memory when a document-kind, recording-paper-kind, or image-processing- mode corresponding color correction is performed by a memory interpolation system.例文帳に追加
原稿種あるいは記録紙種あるいは画像処理モード対応色補正をメモリ補間方式で行う場合の色補正参照テーブルメモリの冗長性に着目し、よりメモリ容量を必要としない色補正装置を提供する。 - 特許庁
To provide a memory capable of easily setting a reference potential and also capable of exactly discriminating data.例文帳に追加
参照電位を容易に設定することが可能であるとともに、正確にデータを判別することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁
To achieve two-dimensional decoding being necessary to achieve a reasonable array aspect ratio for a large capacity content reference memory.例文帳に追加
大容量の内容参照メモリのために合理的なアレイのアスペクト比を達成するのに必要な、2次元復号を実現する。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus which achieves a memory access optimized for a reference image in a decoding process of an encoded data.例文帳に追加
符号化データの復号処理において参照画像に最適化されたメモリアクセスを実現可能な画像処理装置を提供する。 - 特許庁
Then a memory 8 counts and stores number of times of the arrival of incoming calls in cross reference to the caller telephone number.例文帳に追加
非通知の発信電話番号に含まれる市外番号および市内局番に基づいて、その発信者の地域を表示する。 - 特許庁
In this case, the other ends 32 of the memory cell capacitances 16, 21 and other ends 33 of the reference cell capacitances 8, 15 are electrically separated.例文帳に追加
ここで、メモリセル容量16、21の他端32と参照セル容量8、15の他端33は、電気的に分離されている。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus which achieves a memory access optimized for a reference image in a decoding process of encoded data.例文帳に追加
符号化データの復号処理において参照画像に最適化されたメモリアクセスを実現可能な画像処理装置を提供する。 - 特許庁
Respective conversion rates between a reference currency kind of plural set currency kinds are stored in a currency conversion rate setting memory 25.例文帳に追加
通貨換算レート設定メモリ25には設定された複数の通貨種の基準通貨種に対する各換算レートが記憶される。 - 特許庁
To generate a reference voltage by which read-out is performed accurately, without causing malfunction, in a 1T1C-type ferroelectric memory device.例文帳に追加
1T1C型強誘電体メモリ装置において、誤作動することなく正確に読み出せるリファレンス電圧を発生する。 - 特許庁
When power source voltage drops to be equal to or under reference voltage (3.4V), lens housing operation and data writing operation in a flush memory are started.例文帳に追加
電源電圧が基準電圧(3.4V)以下に低下したら、レンズ収納とフラッシュメモリへのデータ書き込み動作を開始する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory obtained by tracking the threshold voltage characteristic of reference-side cell transistors to the characteristic of a core-side cell transistor.例文帳に追加
レファレンス側セルトランジスタの閾値電圧特性をコア側セルトランジスタの特性にトラッキングさせた不揮発性メモリを提供する - 特許庁
To decrease the memory areas in use and match, with high accuracy, a signal output level with a reference output value within a threshold value range.例文帳に追加
使用するメモリ領域を少なくし、信号出力レベルを基準出力値に閾値の範囲内で高精度に一致させる。 - 特許庁
Reference dither data are divided into a plurality of threshold sets so that the data are stored successively in storage areas having successive addresses in the memory.例文帳に追加
また、基準ディザデータを複数の閾値セットに分け、これをメモリのアドレスの連続する記憶領域に順番に記憶する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory capable of reducing the chip area of a reference side, and performing high-speed reading.例文帳に追加
レファレンス側のチップ面積を小さくすることができ、しかも、高速読み出しを行うことができる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
Then the generated index image data are recorded in a memory card 12 in cross-reference with moving picture data obtained by the photographing of the moving picture.例文帳に追加
そして、生成したインデックス画像データを動画撮影において得られた動画データに関連付けてメモリ・カード12に記録する。 - 特許庁
A correct reference image loop is automatically retrieved from an image memory according to which cell in a stress protocol is active.例文帳に追加
正しい参照画像ループを、ストレス・プロトコル内のどのセルがアクティブであるかに基づいて画像フレーム・メモリから自動的に検索する。 - 特許庁
A memory stores the cross-reference between difference values of the homochromatic image signals between the first and second channels and temperatures.例文帳に追加
メモリは、第1チャネルおよび第2チャネル間での同色の画像信号の差分値と温度との対応関係を記録している。 - 特許庁
The second comparator receives a high reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a second value in accordance with this.例文帳に追加
第2の比較器は、高い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第2の値を出力する。 - 特許庁
The first comparator receives a low reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a first value in accordance with this.例文帳に追加
第1の比較器は、低い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第1の値を出力する。 - 特許庁
As a result, the data stored in the white memory 280 becomes the average value of the data added 16 times, that is, white or black reference data.例文帳に追加
その結果、白メモリ280に記憶されたデータが、16回加算したデータの平均値、つまり白又は黒のリファレンスデータとなる。 - 特許庁
A signal light beam and a reference light beam are arranged in a plane including a rotary-symmetrical axis of the volume holographic memory 10.例文帳に追加
信号光ビーム及び参照光ビームは体積ホログラフィックメモリ10の回転対称軸を含む平面内に配置されている。 - 特許庁
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