「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

By second release, a reference image corresponding thereto, namely, a reference frame, plural pre-frames fetched before and plural post- frames photographed after the reference image are stored on a memory card 400.例文帳に追加

セカンドレリーズによりこれに対応する基準画像、つまり基準コマと、以前から取り込んでいた複数のプレコマと、基準画像以降に撮影された複数のポストコマとが、メモリカード４００に格納される。 - 特許庁

When the low resolution is set (step 112), since the number of pixels (amount of image data) of the reference image is decreased, an image memory can store reference image data representing many frames of reference images.例文帳に追加

低解像度が設定されると（ステップ112），参照画像の画素数（画像データのデータ量）は少なくなるので，画像メモリに多数駒の参照画像を表す参照画像データを記憶することができる。 - 特許庁

The method further comprises the steps of storing the imaging pattern suitably adhering the ACF4 to the board 2A in the second memory 74, and storing the difference between the imaging pattern of the memory 74 and the imaging pattern of the memory 73 as a reference pattern in a third memory 75 (second memory).例文帳に追加

次に、基板２ＡにＡＣＦ４が適正に貼付された撮像パターンを第２メモリ７４に記憶し、この第２メモリ７４の撮像パターンと、先の第１メモリ７３の撮像パターンとの差を基準パターンとして第３メモリ７５（第２のメモリ）に記憶する。 - 特許庁

The voltage of a reference bit line RBL1 is changed through an NMOS transistor connected between the reference bit line RBL1 and a reference virtual ground line RVGL2 in a second reference memory cell 30-2 and the voltage of a dummy bit line DBL is changed through a transistor in a second dummy memory cell 30-3.例文帳に追加

第２基準メモリーセル３０−２の基準ビットラインＲＢＬ１と基準仮想接地ラインＲＶＧＬ２との間に連結されているＮＭＯＳトランジスタを通じて基準ビットラインＲＢＬ１の電圧を変化させ、第２ダミーメモリーセル３０−３のトランジスターを通じてダミービットラインＤＢＬの電圧を変化させる。 - 特許庁

A data holding characteristic is improved by providing a non- volatile memory group 40 for reference of which a characteristic is inferior to a non-volatile memory in a memory cell array, and rewriting data accumulated in a non-volatile memory by a control circuit 44 based on a referred result of the non-volatile memory group 40 for reference.例文帳に追加

メモリセルアレイ内の不揮発性メモリ（７）に比して特性の劣る参照用の不揮発性メモリ群（４０）を設けて、前記参照用の不揮発性メモリ群（４０）の参照結果に基づいて、制御回路（４４）により前記不揮発性メモリ（７）に蓄積されたデータを再書き込みすることで、データ保持特性の向上を図るものである。 - 特許庁

To solve a problem that when a property of a reference side in differential type read determination operation is achieved by a memory cell (reference cell) in a memory apparatus of a virtual ground system, a leak current through a cell being adjacent to the reference cell is dispersed by the process, thereby, stable read becomes hard.例文帳に追加

仮想接地方式のメモリ装置で、差動型の読出し判定動作における基準側の特性をメモリセル（レファレンスセル）で実現する場合、レファレンスセルに隣接するセルを介した漏れ電流がプロセスでばらつくことにより、安定読出しが困難となる。 - 特許庁

A reference voltage generating circuit generates reference voltage VREFS corresponding to a reference value of memory cell array voltage of this semiconductor memory in accordance with an electric resistance value RS adjusted finely responding to the tuning control signals TSa1-TSa4.例文帳に追加

基準電圧発生回路は、チューニング制御信号ＴＳａ１〜ＴＳａ４に応答して微調整される電気抵抗値ＲＳに応じて、本発明に従う半導体記憶装置のメモリアレイ電圧の基準値に相当する基準電圧ＶＲＥＦＳを生成する。 - 特許庁

A memory cell array is provided with a pair of reference cells 10a, 10b for each same control word line CWL to which a plurality of memory cells 10 are connected.例文帳に追加

メモリセルアレイには、複数のメモリセル１０が接続される同一のコントロールワード線CWL 毎に一対の基準セル１０ａ，１０ｂがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁

Thus, bit line currents simultaneously flow in a memory cell array MCA and a reference memory cell array RMCA and a high speed sensing operation is conducted.例文帳に追加

そのため、メモリセルアレイＭＣＡとリファレンスメモリセルアレイＲＭＣＡとにおいて同時にビット線電流が流れ、高速なセンス動作を行なうことが可能となる。 - 特許庁

When transmitting the data stored in the memory area, the PLC 1 converts the address of the memory area into the MODBUS address in reference to the address association table and transmits it.例文帳に追加

メモリエリアに格納しているデータを送信する時はメモリエリアのアドレスをアドレス関連付けテーブルを参照してＭＯＤＢＵＳアドレスに変換して送信する。 - 特許庁

To provide a memory apparatus which can suppress the decrease of readout margin due to fluctuation in reference potential while reducing the area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積を縮小しながら、リファレンス電位の変動に起因する読み出しマージンの減少を抑制することが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of FeRAM in which area of a memory cell is reduced and a dummy cell and reference voltage are not required in read data.例文帳に追加

メモリセルの面積を小さくしながら、データの読出しにおいてダミーセルやリファレンス電圧を不要にしたＦｅＲＡＭの半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The number of pallets of the reference deep color item group is memorized in a memory, and the number of pallets of the first to ninth deep color item groups is memorized in the memory.例文帳に追加

基準濃色品群のパレット数を記憶装置に記憶させるとともに、第１〜９関連濃色品群の各パレット数を記憶装置に記憶させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory in which area per single memory cell is reduced and the constitution of a reference voltage generating circuit is simplified.例文帳に追加

１メモリセル当たりの面積を小さくできる上に、基準電圧発生回路の構成の単純化が実現できる不揮発性記憶装置の提供。 - 特許庁

A control execution portion 18 accesses the link memory through the indirect reference table based on a logical name so that there is no need to know the specific memory location.例文帳に追加

制御実行部１８は、論理名に基づいて間接参照テーブルを介してリンクメモリにアクセスするので、具体的なデータ記憶位置は知らなくて良い。 - 特許庁

To provide a microcomputer device for quickly saving data in a volatile memory to a non-volatile memory when a power supply voltage becomes lower than a reference voltage.例文帳に追加

電源電圧が基準電圧よりも低下したときに、揮発性メモリ内のデータを不揮発性メモリに速やかに退避できるマイコン装置を提供する。 - 特許庁

Reference values for area judgment of the buffer memory are switched by the sector length of transferred data and data transfer is performed according to a judgment result of a buffer memory status signal.例文帳に追加

転送データセクタ長によりバッファメモリの領域判定基準値を切り替え、バッファメモリステータス信号の判定結果に従いデータ転送を行う。 - 特許庁

The reference image data of the background pattern of printing paper 800 are respectively stored in a memory 133 and variable data at every printed matter is successively stored in a memory 131.例文帳に追加

印刷用紙８００の背景絵柄の基準画像データはメモリ１３３に各々記憶され、印刷物ごとの可変データは順次メモリ１３１に記憶される。 - 特許庁

The transitioning gate voltage and the reference current are stored in memory as current-voltage characteristic information for the non-volatile memory bit cell.例文帳に追加

前記遷移ゲート電圧および前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルに対する電流−電圧特性情報としてメモリに格納する。 - 特許庁

An apparatus includes a VCXO, a memory for storing a reference frequency and a reference level as a voltage level for causing the VCXO to generate a clock having the reference frequency, and a D/A converter control unit and a D/A converter which generate the clock having the required frequency by applying the reference frequency stored in the memory and a voltage determined with reference to the reference level to the VCXO.例文帳に追加

ＶＣＸＯと、基準周波数とこの基準周波数のクロックをＶＣＸＯに発生させる電圧のレベルである基準レベルとを記憶するメモリと、必要な周波数のクロックを、メモリに記憶されている基準周波数および基準レベルを基準に求められる電圧をＶＣＸＯに与えて発生させるＤ／Ａコンバータ制御部およびＤ／Ａコンバータと、を有する装置において、下記の処理を行う。 - 特許庁

If it is determined that there is no reference to all data arranged in the external heap memory 112 or starting point data of reference relations included in the all data, from data arranged outside the external heap memory 112, then the external heap memory 112 is determined to be capable of being deallocated.例文帳に追加

外部ヒープメモリ１１２に関して、配置された全データ、あるいは、全データのうちの参照関係の起点データに対して、外部ヒープメモリ１１２以外に配置されたデータからの参照がないと判定した場合、外部ヒープメモリ１１２を解放可能と判定する。 - 特許庁

At an initial write-in operation, of which data are written into the main memory cell array 10, the first area SP1 is selected as the data writing end, and the reference cell 12 for main memory is selected as the reference data writing end.例文帳に追加

メインメモリセルアレイ１０にデータが書き込まれる初回の書込み動作時には、データ書込み先として第１領域ＳＰ１が選択され、リファレンスデータの書込み先としてメインメモリ用リファレンスセル１２が選択される。 - 特許庁

Palette numbers and schemes of respective values of RGB are stored in the memory 31 for color palettes, and codes of colors in the bit map and palette reference schemes for referring to palette numbers are stored in the memory 3 for palette reference schemes.例文帳に追加

カラーパレット用メモリ４１には、パレット番号とＲＧＢの各値の配列が記憶され、パレット参照配列用メモリ３には、ビットマップの色のコードとパレット番号を参照するパレット参照配列を記憶している。 - 特許庁

Data are stored in a memory so that each line of a reference image memory can be folded so that the reading data width can be reduced, and that multiple reference data necessary for a parallel matching operation can be simultaneously read.例文帳に追加

参照画像メモリの各行を折り畳む形でデータをメモリ内に格納することにより、読み出しデータ幅を稼ぎ、並列マッチング演算に必要な複数の参照データを同時に読み出すことを可能にする。 - 特許庁

An image signal converter 6 outputs a luminance signal, obtained from the current image frame memory 3 and the reference image frame memory 5 to a sampling section 7, where the image data and the reference image data are sampled.例文帳に追加

画像信号変換器６は現画像フレームメモリ３及び基準画像フレームメモリ５から供給される信号から輝度信号をサンプリング部７に出力し、そこで画像データと基準画像データのサンプリングを行う。 - 特許庁

The number of twin memory cells for reference in the reference cell array 600 and arrangement coincide with the number of twin memory cells 100 arranged in the small blocks 215 being the minimum unit on manufacturing process of a cell array and arrangement.例文帳に追加

リファレンスセルアレイ６００中のリファレンス用ツインメモリセルの個数及び配列は、セルアレイの製造工程上の最小単位のであるスモールブロック２１５に配置されたツインメモリセル１００の個数及び配列と一致している。 - 特許庁

In this semiconductor memory, a refresh logic circuit (8) is started in the case of detecting a prescribed minimum deviation at the time of comparing the feature amount of at least one reference memory cell (10) with a reference value (VREF).例文帳に追加

半導体メモリ装置では、少なくとも１つの基準メモリセル（１０）の特徴量と基準値（ＶＲＥＦ）との比較の際、所定の最小偏差が検出された場合に、リフレッシュ論理回路（８）が開始される。 - 特許庁

The ferroelectric storage device has a first memory cell MCO which includes a ferroelectric capacitor and a first reference cell RMCO which includes a ferroelectric capacitor for holding the reference potential of the data held by the first memory cell MCO.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを含む第１のメモリセルＭＣ０と、該第１のメモリセルＭＣ０が保持するデータの参照電位を保持する強誘電体キャパシタを含む第１のリファレンスセルＲＭＣ０とを有している。 - 特許庁

Thus, programming margin is secured, by the dependence of the read-out reference signals on the programming reference signals, while programming of the memory cell can be performed, without reading out its memory states during programming process.例文帳に追加

したがって、プログラミング基準信号への読出し基準信号の依存性によりプログラミングマージンが確保されるとともに、プログラミング処理中にその記憶状態を読み出さずにメモリセルのプログラミングが行なえる。 - 特許庁

An interpolation circuit 56 rereads the reference image data by a command from the control circuit 63, and voxel spaces of an interpolation memory and a composite memory are filled with the reference image data read corresponding to a combination of keys.例文帳に追加

補間回路５６は制御回路６３からの指令により参照画像データを再度読み直し、補間メモリ、合成メモリのボクセル空間がキーの組み合わせに対応して読み出された参照画像データで埋められる。 - 特許庁

An X-ray inspection image memory 11 stores X-ray inspection image data output from an X-ray area sensor 6, and a reference nondefective image memory 12 stores reference nondefective image data for determining existence of foreign matter.例文帳に追加

Ｘ線検査画像メモリ１１がＸ線エリアセンサ６から出力されたＸ線検査画像データを記憶し、基準良品画像メモリ１２が異物の有無を判定するための基準良品画像データを記憶する。 - 特許庁

This invention provides an NVM readout structure using reference memory cells, to distinguish threshold voltage difference between a reference memory cell M_rf and a readout NVM cell M_C with appropriate detection speed and excellent accuracy.例文帳に追加

本発明は、参照メモリセルを利用したＮＶＭ読取構造を提供して、適切な検出速度及び良好な正確度により参照メモリセルM_rf及び読取ＮＶＭセルM_Cの両者間のしきい電圧差を識別する。 - 特許庁

The temperature sensor 150 detects the temperature (T) of the memory device 150, uses the data from the temperature sensor 150 and the reference memory cell 160 and updates writing current (Ix_PA, Iy_PA, Ix_AP, Iy_AP, Ix and Iy) used to program the array 100 of the memory cell 130.例文帳に追加

温度センサ(150)は、メモリデバイス(50)の温度(T)を検出し、温度センサ(150)及び基準メモリセル(160)からのデータを用いて、メモリセル(130)のアレイ(100)をプログラムするために使用される書き込み電流（Ix_PA、Iy_PA, Ix_AP, Iy_AP, Ix, Iy)を更新する。 - 特許庁

To solve a problem that restriction in continuance of a memory area which can be explicitly secured and used and reference relation among data for use spoils the convenience of a memory, in a method for managing the memory by garbage collection.例文帳に追加

ガベージコレクションによってメモリ管理する方法において、明示的に確保、利用可能なメモリ領域の存続及び利用する際のデータ間の参照関係の制約は、メモリの利便性を損ねている。 - 特許庁

A reference counter corresponding to each processor which manages a memory area is made to count up by one when the memory area is allocated to the processor, and made to count down by one when the memory area is released.例文帳に追加

メモリ領域を各プロセッサに割り当てるときに、メモリ領域を管理するプロセッサに対応するリファレンスカウンタに１を加算し、メモリ領域を解放するときにリファレンスカウンタから１を減算する。 - 特許庁

A central arithmetic processing system 12 of a calculation server system 1 has: a reference design data selection means 122 which selects a piece of reference design data from the plurality of reference design data stored in a reference design data memory means 132 of a memory means 13 based on the addition of prescription data; and an arrangement design means 123 which processes the acquired reference design data based on the prescription data.例文帳に追加

計算サーバ装置１の中央演算処理装置１２は、処方データの加入度に基づいて、記憶手段１３の基準設計データ記憶手段１３２に記憶された複数の基準設計データから、基準設計データを選択する基準設計データ選択手段１２２と、取得した基準設計データを、処方データに基づいて、加工するアレンジ設計手段１２３とを有する。 - 特許庁

A pointer processing means 35 discriminates a state of justification and alarm on the basis of the extracted channel pointer and the read reference data, generates new reference data on the basis of the result of discrimination, and a reference data update means 36 uses the new reference data to update the reference data of the same channel stored in the reference data memory 34.例文帳に追加

ポインタ処理手段３５は、抽出されたチャネルポインタと読み出された参照データとから、ジャスティフィケーションおよびアラームの状態を判定し、その判定結果に基づいて新たな参照データを生成し、参照データ更新手段３６はこの新たな参照データで、参照データメモリ３４の同一チャネルの参照データを更新する。 - 特許庁

To provide a programming method of a ferroelectric memory device which can regulate a level of a reference voltage.例文帳に追加

レファレンス電圧のレベルを調節することができる強誘電体メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The data file management device converts the data in every address book for reference into the data of a predetermined format to store the converted data in a memory.例文帳に追加

参照する全てのアドレスブックのデータを所定のフォーマットのデータに変換し、メモリ上に保持する。 - 特許庁

To process an interrupt event processing sequence, a branch event processing sequence, and a memory reference event processing sequence at high speed.例文帳に追加

割り込みイベント処理シーケンス、分岐イベント処理シーケンス、メモリ参照イベント処理シーケンスを高速に処理する。 - 特許庁

In this way, optimum compromise is achieved among the memory sizes of the video decoder, frequency of accessing the reference frame, and the amount of computation.例文帳に追加

こうして、ビデオデコーダのメモリサイズと参考フレームのアクセス及び計算量の間の折衷を達成する。 - 特許庁

To reduce memory capacity of reference data for correction in a shading correction circuit for an imaging unit.例文帳に追加

撮像装置のシェーディング補正回路において、補正用の基準データのメモリ容量を削減できるようにする。 - 特許庁

The plurality of memory cells (12') respectively have sense layers (18) and reference layers (40) separated by insulation layers (22).例文帳に追加

複数のメモリセル（１２´）はそれぞれ、絶縁層（２２）によって分離されるセンス層（１８）と基準層（４０）とを有する。 - 特許庁

Then, the signal beam and the reference beam are emitted to the holographic memory medium to execute the recording and reproducing operations.例文帳に追加

しかる後、ホログラフィックメモリ媒体に信号光および参照光を照射して、記録／再生動作を実行する。 - 特許庁