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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Reference Memoryの意味・解説 > Reference Memoryに関連した英語例文

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Reference Memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1980



例文

NOR type flash memory (nonvolatile semiconductor storage device) 1 includes: a memory cell array 11; a dummy memory cell array (reference circuit) 12; a sense amplifier 13; load circuits 14 and 15; pre-charge circuits 16 and 17; and a reference voltage generation circuit 20.例文帳に追加

NOR型フラッシュメモリ(不揮発性半導体記憶装置)1は、メモリセルアレイ11と、ダミーメモリセルアレイ(リファレンス回路)12と、センスアンプ13と、負荷回路14及び15と、プリチャージ回路16及び17と、基準電圧発生回路20とを備えている。 - 特許庁

The method includes determining the resistive state of the memory cell to be read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell to be read with a reference current that can be dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも1つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

The method includes determining the resistive state of the memory cell being read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell being read with the reference current dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも1つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、上記読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell array 1 in which memory cells storing fuse data are arranged, a register 8 for fuse storing fuse data read out from the memory cell and a reference voltage circuit 9 consisting of a differential amplifier for generating reference voltage.例文帳に追加

ヒューズデータが記憶されているメモリセルが配置されているメモリセルアレイ1と、メモリセルから読み出したヒューズデータを格納するヒューズ用レジスタ8と、差動増幅器を有して構成された、基準電圧を発生する基準電圧回路9とを具備する。 - 特許庁

例文

In the inter-frame prediction of a partial image area of a frame section including a partial image, images stored in the long-term reference memory are entirely used as reference images.例文帳に追加

部分画像を含むフレーム区間の部分画像領域のフレーム間予測は、全て、長期間参照メモリに蓄積されている画像を参照画像とする。 - 特許庁


例文

The memory is provided with a reference voltage controlling and generating section 311, an internal power supply reference voltage generating section 321 and an internal power supply voltage generating section 331.例文帳に追加

基準電圧制御及び発生部331、内部電源基準電圧発生部321、及び内部電源電圧発生部331を備える半導体メモリ装置が開示される。 - 特許庁

The position of the wafer holder stage 5 is stored in a nonvolatile memory medium when the reference marks 3a and 3b come to the reference positions.例文帳に追加

この実施の形態においては、基準マーク3a、3bが基準位置に来たときのウェハホルダステージ5の位置を不揮発性記憶媒体中に格納する。 - 特許庁

A reference image frame memory 7 stores a reference image therein to be referenced when decoding following frames, among the decoded images produced by the decoders 5, 6.例文帳に追加

参照画像フレームメモリ7は、デコーダ5,6が生成した復号画像のうち、後続のフレームを復号化する際に参照する参照画像を格納する。 - 特許庁

In a visual inspection control apparatus 10, a reference image for normalization and a reference image for inspection are pre-registered in a template information memory unit 11.例文帳に追加

外観検査制御装置10において,テンプレート情報記憶部11には,正規化用リファレンス画像と,検査用リファレンス画像とがあらかじめ登録されている。 - 特許庁

例文

Similarly, as for a humidity sensor 2, the low-humidity reference value is stored in the nonvolatile memory 8-4, and offset adjustment processing is applied by using the reference value.例文帳に追加

湿度センサ2についても同様にして、低湿度基準値を不揮発性のメモリ8−4に記憶させ、その基準値を用いてオフセット調整処理を施す。 - 特許庁

例文

A comparison decision section 10 compares the optical transmission level reference data in the file memory 8 with comparison reference data in a ROM 9 to decide the result.例文帳に追加

比較判定部10は、ファイルメモリ8内の光送信レベル基準データと、ROM9内の比較用基準データについて比較判定を行う。 - 特許庁

When a determination is made that there is no reference pixel within the size of the paper, the image data stored in the first memory is read out as the reference pixel.例文帳に追加

参照画素が用紙のサイズ以内に存在しないと判定された場合、第1のメモリに格納された画像データを参照画素として読み出す。 - 特許庁

Then, the control section 14 memorizes the calculated reference mounting positions of the electronic components P with respect to the reference position of the substrate retaining section 3 in a memory section 14d.例文帳に追加

そして、制御部14は、算出された基板保持部3の基準位置に対する各電子部品Pの基準実装位置を記憶部14dに記憶する。 - 特許庁

The pixel location of a CCD image sensor 24 corresponding to the reference location RP is stored in a memory 26 for data of the light receiving part 20 as a reference pixel location.例文帳に追加

受光部20のデータ用メモリ26には、基準位置RPに対応するCCDイメージセンサ24の画素位置が基準画素位置として記憶される。 - 特許庁

The reference current can be set an optimum value for each memory cell of which gate width is different by setting a plurality of reference current for each wiring width of word lines.例文帳に追加

ワード線の配線幅毎に複数の基準電流を設定することで、ゲート幅の異なるメモリセル毎に、基準電流を最適な値に設定できる。 - 特許庁

During the step in which memory cells are read and refreshed, the main reference cell and a subreference cell connected to the reference bit line and the bit lines are activated.例文帳に追加

メモリセルを読み出してリフレッシュする段階において、基準ビット線およびビット線に接続された主基準セルおよび副基準セルが活動化される。 - 特許庁

A reference current I0+I1 is formed by using the activated reference cells RC0 and RC1 and is used in reading out the data of the memory cells MC.例文帳に追加

そして、この活性化された基準セルRC0、RC1を用いて基準電流I0+I1を生成し、メモリセルMCのデータを読み出す際に使用する。 - 特許庁

The black and white judgment to image data of a read original is performed based on the reference data read from a reference data storage part 62 assigned to a memory.例文帳に追加

メモリに割り当てられている基準データ記憶部62から読み出した基準データに基づいて、読み取った原稿の画像データに対する白黒判定を行う。 - 特許庁

A memory part 25 stores a reference pattern and a matching processing part 21 detects an area image that best matches the reference pattern from a photographed image.例文帳に追加

メモリ部25は、標準パターンを保持しており、マッチング処理部21は、撮影画像から最も標準パターンと合致する領域画像を検出する。 - 特許庁

The reference unit 33 retrieves personal information from a personal information memory unit 31 based on the personal information number and transmits the result to the document reference unit 21.例文帳に追加

参照部33は、個人情報番号に基づいて個人情報記憶部31から個人情報を取得し、その結果を文書参照部21へ送信する。 - 特許庁

The read reference current generation circuit 120 generates a monitor voltage Vmon that varies according to variation of the read reference current Iref and a threshold voltage of the memory cell Mcell.例文帳に追加

リードリファレンス電流生成回路120は、リードリファレンス電流IrefおよびメモリセルMcellの閾値電圧のばらつきに応じて変化するモニタ電圧Vmonを生成する。 - 特許庁

A control circuit 20 compares density read by the density sensor 11 with a reference value stored in the ten-gradation density reference value memory 22.例文帳に追加

濃度センサ11により読取った濃度を制御回路20により10階調濃度基準値メモリ22に格納されている基準値と比較する。 - 特許庁

A comparator 10 compares the reproducing clock information with a reference clock generated by a reference clock generator 11 to output the result to the memory control circuit 7.例文帳に追加

比較器10は、再生クロック情報と、基準クロック発生器11が発生する基準クロックトとを比較し、その結果を、メモリ制御回路7へ出力する。 - 特許庁

FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING REFERENCE CIRCUIT GENERATING REFERENCE VOLTAGE BEING VARIABLE IN ACCORDANCE WITH VARIATION IN POLARIZATION STATE OF FERROELECTRIC CAPACITOR例文帳に追加

強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を有する強誘電体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁

A first sense amplifier G3 compares a current outputted from the memory cell MC with a first reference current outputted from a reference current generating circuit G5.例文帳に追加

第1のセンスアンプG3は、メモリセルMCから出力された電流と基準電流生成回路G5から出力された第1の基準電流とを比較する。 - 特許庁

To detect a bit error in a reference history without adding redundancy bit to the reference history in a cache memory device of Nway set associative system.例文帳に追加

Nウェイ・セット・アソシアティブ方式のキャッシュメモリ装置において、参照履歴に冗長ビットを付加することなく、参照履歴のビットエラーを検出する。 - 特許庁

A frame number memory RefNoMem temporarily stores a reference frame number RefNo and outputs a neighboring reference frame number PrevRefNo in the case of encoding a target block.例文帳に追加

フレーム番号メモリRefNoMemは参照フレーム番号RefNoを一時的に記憶し、対象ブロックを符号化する際に近傍参照フレーム番号PrevRefNoを出力する。 - 特許庁

A memory 114 stores the prior reference plane 401 in response to selection of a reference plane save option 140, and the display 118 switches from the display of the current reference plane 402 to restore the prior reference plane 401 in response to selection of the reference plane restore option 142.例文帳に追加

メモリ(114)が、基準面保存オプション(140)の選択に応答して前の基準面(401)を保管し、ディスプレイ(118)は、基準面復元オプション(142)の選択に応答して、前の基準面(401)を復元するために、現在の基準面(402)の表示から切り替える。 - 特許庁

Reference to a memory area allocated to the functional circuit module is also made fast associatively with tasks of high priority.例文帳に追加

優先度の高いタスクと連動して機能回路モジュールに割当てたメモリ領域参照も高速化。 - 特許庁

Furthermore, a history memory 6 stores the address at that time to cross-reference between the image data and both the data above.例文帳に追加

また、そのときのアドレスを履歴メモリ6に書き込んで画像データと上記の両データとを関連付ける。 - 特許庁

When an IDR (Instantaneous Decoding Refresh) picture emerges, the long-term reference memory is refreshed by the IDR picture.例文帳に追加

IDR(Instantaneous Decoding Refresh)ピクチャが出現した場合には、長期間参照メモリは該IDRピクチャにリフレッシュされる。 - 特許庁

The memory cell of a word line WL1 to which reference voltage is supplied is cut off when write-in.例文帳に追加

この書込みの際に基準電圧が供給されるワード線WL1のメモリセルがカットオフされる。 - 特許庁

A reference wave memory 171 holds radio wave information of other stations causing interference waves previously.例文帳に追加

参照波メモリ171は、干渉波の原因となる他局の電波情報を予め保持している。 - 特許庁

A reference position of a punched hole to be formed corresponding to each size of recording paper is memorized in a second memory part 9.例文帳に追加

記録用紙の各サイズに対応するパンチ穴の基準位置を第二記憶部9に記憶しておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device whose reliability with reference to the impact ionization of a MOS transistor is high.例文帳に追加

MOSトランジスタのインパクトイオン化に対する信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To register data referred to in a document in a cache memory of a printing apparatus in accordance with the location of reference.例文帳に追加

文書内で参照されるデータを参照場所に応じて印刷装置のキャッシュメモリに登録する。 - 特許庁

A reference to a memory location is obtained to use to transfer the request to the target node.例文帳に追加

その要求をターゲット・ノードに転送するために使用するための記憶場所への参照が入手される。 - 特許庁

To provide a content reference memory which can perform a retrieval operation promptly with low current consumption.例文帳に追加

検索動作を高速かつ低消費電流で実行することのできる内容参照メモリを提供する。 - 特許庁

In a magnetic memory cell 40, a data storage layer 50 is provided, a reference layer 54 is provided, and a tunnel barrier 52 is provided.例文帳に追加

磁気メモリ・セル40は、データ記憶層50、基準層54およびトンネル・バリヤ52を備えている。 - 特許庁

A reference image as a basis is recorded in a memory 30 when an electronic endoscope apparatus is shipped.例文帳に追加

電子内視鏡装置の出荷時において、基準となる参照画像がメモリ30に記録される。 - 特許庁

This semiconductor storage device comprises a plurality of memory transistors M11 to M2n and a reference potential line.例文帳に追加

複数のメモリトランジスタM11〜M2nと、このメモリトランジスタ群に接続された基準電位線とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which rising speed of a reference current can be increased.例文帳に追加

基準電流の立ち上がりの高速化を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a content reference memory performing a high-speed retrieval operation with low current consumption.例文帳に追加

検索動作を高速かつ低消費電流で実行することのできる内容参照メモリを提供する。 - 特許庁

The memory cell array is constituted of a data cell array 12, a reference cell array 13A and dummy cell arrays 13B, 13C.例文帳に追加

メモリセルアレイは、データセルアレイ12、レファレンスセルアレイ13A及びダミーセルアレイ13B,13Cから構成される。 - 特許庁

The semiconductor storage comprises: a memory cell array 4; a R/W control circuit 5; and a reference resistance circuit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルアレイ4と、R/W制御回路5と、基準抵抗回路とを備える。 - 特許庁

An MRAM cell array includes a memory cell group 200 and a reference cell, connected to the same bit line BL2.例文帳に追加

MRAMセルアレイは、同じビット線BL2に接続されたメモリセルグループ200と参照セルとを含む。 - 特許庁

A feature point search regions 42 for suburbs of a reference image memory 20 is divided into 8 divisions 42-1 to 42-8.例文帳に追加

基準画像メモリ20の郊外用特徴点探索領域42は八つの区分42-1〜8に分割されている。 - 特許庁

A memory stores a plurality of pieces of reference data on the main subject for one main subject.例文帳に追加

メモリは、主要被写体に関する参照データを1つの主要被写体に対して複数記憶する。 - 特許庁

The microcomputer 38 of the target 10 stores the distances of the reference- point members in a nonvolatile memory 36.例文帳に追加

ターゲット10のマイクロコンピュータ38は不揮発性メモリ36に基準点部材の距離を記憶させる。 - 特許庁

例文

Therefore, the written state of each memory cell 10 is exactly reflected on each reference cell 10a, 10b.例文帳に追加

よって、各基準セル10a,10bには各メモリセル10の書き込み状態が正確に反映される。 - 特許庁




  
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