「SBT」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this case, the ferroelectric capacitor 10 is formed on the lower SBT film.例文帳に追加

この場合、強誘電体キャパシタ１０は下部ＳＢＴ膜上に形成される。 - 特許庁

The bismuth layered structural ferroelectric material including SBT(strontium bismuth tantalate), SBTN (niobium-doped SBT) or the like is analyzed by Raman spectroscopy, so that its phases can be quantitatively determined in addition to being identified.例文帳に追加

ラマン分光法によりＳＢＴ，ＳＢＴＮなどを含むビスマス層状構造強誘電体材料を分析し、相の判別のみならず定量も行なうことができる。 - 特許庁

This on-vehicle display device has the substrate SBT built in the device body, connectors CN1, CN2 for electrical connection fixed on the substrate SBT and earth members SPE1, SPE2 formed in a disc spring to connect the substrate SBT to a reference potential, and the earth members SPE1, SPE2 are held between the connectors CN1, CN2 and the substrate SBT.例文帳に追加

装置本体に内蔵された基板ＳＢＴと、基板ＳＢＴ上に固定された電気的接続のためのコネクタＣＮ１，ＣＮ２と、基板ＳＢＴを基準電位に接続するための板ばね状に形成されたアース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２とを、有し、アース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２は、コネクタＣＮ１，ＣＮ２と基板ＳＢＴとの間に挟持されている。 - 特許庁

The method may additionally include a process which forms a lower SBT film on the ground film 8.例文帳に追加

下地膜８上に下部ＳＢＴ膜を形成する工程を更に具備してもよい。 - 特許庁

To provide a solution for forming a bismuth strontium tantalate (SBT) thin film capable of forming the SBT thin film being formed at 750°C or lower and having a large residual polarization value.例文帳に追加

薄膜形成温度が７５０℃以下であり、かつ残留分極値が大きいＳＢＴ薄膜が得られるタンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）薄膜形成用溶液を提供する。 - 特許庁

To lower a crystallization temperature of a SBT(Sr, Bi, Ta) ferroelectric thin film and further improve morphology.例文帳に追加

ＳＢＴ強誘電体薄膜の結晶化温度を低下させると共に、モフォロジーを改善する。 - 特許庁

Consequently, a region on the substrate SBT necessary for setting of the connectors CN1, CN2 can be commonly used for setting of the SPE1, SPE2 and accordingly, it is possible to increase the part mounting feasible area of the substrate SBT.例文帳に追加

これによれば、コネクタＣＮ１，ＣＮ２の設置に必要な基板ＳＢＴ上の領域をアース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２の設置用に共用できるので、基板ＳＢＴの部品実装可能面積を拡大できる。 - 特許庁

The semiconductor memory has lower electrodes 5 having a substantially L-shaped cross section, SBT films 6 formed on the lower electrodes 5 and upper electrodes 7 formed on the SBT films 6.例文帳に追加

この半導体メモリは、実質的にＬ字形状の断面を有する下部電極５と、下部電極５上に形成されたＳＢＴ膜６と、ＳＢＴ膜６上に形成された上部電極７とを備えている。 - 特許庁

When the valet trigger radio wave Sbt is received, the vehicle 1 is in a valet state in which the use of the vehicle is limited.例文帳に追加

車両１は、このバレートリガ電波Ｓbtを受信すると、車両使用に制限がかかったバレー状態に入る。 - 特許庁

A ferroelectric capacitor of this dielectric element is constituted of both electrodes 5 and 6 and the SBT film 7.例文帳に追加

誘電体素子である強誘電体キャパシタは、両電極５，６及びＳＢＴ膜７によって構成される。 - 特許庁

Then in an oxygen atmosphere, an SBT thin film 102 (substrate 101) of fluoride structure is heated to about 800°C, so that an SBT thin film 103 of aurivillus structure, oriented in <115> direction, is formed on the substrate 101.例文帳に追加

次に、酸素雰囲気中において、蛍石構造のＳＢＴ薄膜１０２（基板１０１）を８００℃程度に加熱し、基板１０１の上に、＜１１５＞方向に配向したアウリビリウス（Aurivillus）構造のＳＢＴ薄膜１０３が形成された状態とする。 - 特許庁

The intensity of difference signal Sub0 becomes a value close to the intensity of the beat signal Sbt and almost corresponds to the intensity of the target.例文帳に追加

差信号Ｓｕｂ０の強度は、ビート信号Ｓｂｔの強度に近い値となり、概ね物標の強度に対応する。 - 特許庁

Then, in an oxygen gas 105 atmosphere, the amorphous SBT thin film 104 (substrate 101) is heated to 650°C or about.例文帳に追加

次に、酸素ガス１０５の雰囲気中において、非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４（基板１０１）を６５０℃程度に加熱する。 - 特許庁

An SrBi2Ta2 O9(SBT) film 7 which is a ferroelectric film is formed so as to join the lower surface to both electrodes 5 and 6.例文帳に追加

両電極５，６にその下面が接合するように強誘電体膜であるＳｒＢｉ_2Ｔａ_2Ｏ_9（ＳＢＴ）膜７が形成されている。 - 特許庁

A segment Sa is moved to a segment Sb in the direction of joining end surfaces Sat and Sbt, a male fitting 1 is inserted sideway into a gap C between female fittings 2 by fitting a fitting protrusion 2c into a fitting recess 1c, and the surfaces Sat and Sbt are made to abut on each other.例文帳に追加

セグメントＳｂに対してセグメントＳａを接合端面Ｓａｔ，Ｓｂｔの方向に移動させ、雌金具２の隙間Ｃに雄金具１を横から嵌合凸部２ｃと嵌合凹部１ｃを嵌合させて挿入し、接合端面Ｓａｔ，Ｓｂｔどうしを互いに当接させる。 - 特許庁

By this heat treatment, an SBT thin film 106 having an Aurivillius structure oriented in a <115> direction is formed on the substrate 101.例文帳に追加

この加熱処理により、基板１０１の上に、＜１１５＞方向に配向したアウリビリウス構造のＳＢＴ薄膜１０６が形成された状態を得る。 - 特許庁

Then an SBT (SbBi2Ta2 O9) film 5 of film thickness of about 150 nm is formed on the Ir lower-part electrode 4, and after that a Pt upper-part electrode is formed.例文帳に追加

次に、Ｉｒ下部電極４上に、膜厚１５０ｎｍ程度のＳＢＴ膜５を形成し、その後、Ｐｔ上部電極を形成した。 - 特許庁

Also, the diffusion of the oxygen ions and their removals from the SBT thin film are markedly suppressed by the electrical coupling of holes with the oxygen ions.例文帳に追加

また、上記正孔が酸素イオンと電気的に結合して、酸素イオンの拡散および上記ＳＢＴからの離脱が著しく抑制される。 - 特許庁

A lower electrode Ir layer 36, a ferroelectric film [SrBi_2Ta_2O_9 (SBT)] 38 and an Ir layer 40a for upper electrode formation are formed on a foundation one by one.例文帳に追加

下地上に、下部電極Ｉｒ層３６と強誘電体（ＳＢＴ）膜３８と上部電極形成用のＩｒ層４０ａを順次形成する。 - 特許庁

A capacitor insulation film comprising an SBT film 7 as an oxide dielectrics film, and a capacitor upper electrode comprising an IrSiN film 8, are provided.例文帳に追加

酸化物系誘電体膜としてのＳＢＴ膜７からなるキャパシタ絶縁膜と、ＩｒＳｉＮ膜８を含むキャパシタ上部電極とを備えている。 - 特許庁

The dielectric film forming method is provided with a process for improving the surface of a SiO_2 film 2 by irradiating the SiO_2 film 2 with plasma 3 and a process for forming an SBT raw-material film 5 by depositing mist of SBT raw-material 4 on the improved surface of the SiO_2 film 2.例文帳に追加

この誘電体膜の形成方法は、被成膜面としてのＳｉＯ_2膜２にプラズマ３を照射することによって、ＳｉＯ_2膜の表面を改質する工程と、その改質されたＳｉＯ_2膜の表面上に、霧状のＳＢＴ原料４を堆積することによって、ＳＢＴ原料膜５を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

While an angle of tilt ≤ ψ ≤ of an SBT thin film 1 is changed every 1° in a range of 0°≤ψ≤90°, and at the same time, an angle of incidence θof an incident X ray 5 is changed every 0.025° in a range of 0°≤θ≤90°, the X ray 5 is incident on the SBT thin film 1.例文帳に追加

ＳＢＴ薄膜１の傾き角ψを０度≦ψ≦９０度の範囲内において１度間隔で変化させるとともに、入射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０度の範囲内において０．０２５度間隔で変化させながら、ＳＢＴ薄膜１に入射Ｘ線５を照射する。 - 特許庁

In this state, if the operational procedure of the operation buttons 36, etc. follows the regular procedure, the valet trigger radio wave Sbt is transmitted from the portable machine body 44 toward the vehicle 1.例文帳に追加

このとき、操作ボタン３６…操作手順が正規手順に沿うものであれば、携帯機本体４４からバレートリガ電波Ｓbtが車両１に向けて発信される。 - 特許庁

At first, a Bi precursor is supplied to form a Bi oxide molecular layer (suitably, one-molecular layer), and then an SBT ferroelectric thin film is formed on the upper layer of the Bi oxide molecular layer.例文帳に追加

最初にＢｉ前駆体を供給してＢｉ酸化物分子層（好適には一分子層）を形成し、その上層にＳＢＴ強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

A ferroelectric thin film 30, constituting a ferroelectric capacitor 33 of a ferroelectric memory element, is formed out of an SBT thin film, having added Zr elements as the elements for feeding holes.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ３３を構成する強誘電体薄膜３０は、正孔を供給する元素としてＺrが添加されたＳＢＴ薄膜で形成されている。 - 特許庁

To form an SBT thin film oriented in the specific direction other than c-axis direction even on a semiconductor substrate where a ferroelectric memory device is easily generated.例文帳に追加

強誘電体メモリデバイスの作成が容易に行える半導体基板の上であっても、ｃ軸方向以外の特定の方向へ配向したＳＢＴ薄膜が形成できるようにする。 - 特許庁

A laminar superlattice material which has at least three kinds of metal elements such as strontium bismuth tantalate (SBT) is used for forming a protective barrier on the surface of the internal component in a reaction chamber.例文帳に追加

ストロンチウムビスマスタンタレート（ＳＢＴ）等の３種以上の金属元素を有する層状超格子材料を使用して、反応室の内部コンポーネントの表面上に保護バリヤーを形成する。 - 特許庁

The solution for forming the bismuth strontium tantalate (SBT) thin film is characterized by comprising a compound which generates water when it is pyrolyzed, an organometallic compound and an organic solvent.例文帳に追加

熱分解して水を発生する化合物と有機金属化合物および有機溶剤とを含有することを特徴とするタンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）薄膜形成用溶液。 - 特許庁

A capacitor insulation film comprising an SBT film (oxide dielectrics film) 15 which is a ferroelectrics film, and a capacitor lower electrode comprising an IrSi film 12 or IrSiN film 13, are provided.例文帳に追加

強誘電体膜であるＳＢＴ膜（酸化物系誘電体膜）１５を含むキャパシタ絶縁膜と、ＩｒＳｉ膜１２またはＩｒＳｉＮ膜１３を含むキャパシタ下部電極とを備えている。 - 特許庁

With a substrate temperature (film forming temperature) being kept at about 370°C by an ECR sputtering, a metal oxide (SBT) consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a substrate 101.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により基板温度（成膜温度）を３７０℃程度とした状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる金属酸化物（ＳＢＴ）を基板１０１の上に堆積する。 - 特許庁

With a substrate in a non-heated state, an amorphous SBT thin film 104 consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a platinum layer 103 by ECR sputtering.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４が、プラチナ層１０３の上に堆積された状態とする。 - 特許庁

The dielectric element comprises a capacitor lower electrode including IrSiN film 20, a capacitor insulation film including a ferroelectric SBT film (oxide series dielectric film) 22, and a capacitor upper electrode including IrSiN film 23.例文帳に追加

ＩｒＳｉＮ膜２０を含むキャパシタ下部電極と、強誘電体膜であるＳＢＴ膜（酸化物系誘電体膜）２２を含むキャパシタ絶縁膜と、ＩｒＳｉＮ膜２３を含むキャパシタ上部電極とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for producing a sintered body of SBT oxide (a complex oxide having the same crystalline structure as Bi_2SrTa_2O_9 and containing Bi, Sr and Ta) having a smaller average crystal particle size than known ones.例文帳に追加

焼結体の平均結晶粒径が従来のものより小さいＳＢＴ（Ｂｉ_2ＳｒＴａ_2Ｏ_9と同じ結晶構造を有し、ＢｉとＳｒとＴａとを含有する複合酸化物）焼結体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the navigation apparatus 100, an input section 240 properly generates a contact detection signal Sgs or a depression detection signal Sbt on the basis of an entry operation of an operation means of the input section 240 and outputs the signal to a control signal output means.例文帳に追加

ナビゲーション装置１００は、入力部２４０にて、この入力部２４０が有する操作手段の入力操作に基づいて、接触検出信号Ｓgsまたは押圧検出信号Ｓbtを適宜生成して処理部３４０の制御信号出力手段へ出力する。 - 特許庁

The capacitive element is constituted of a laminated body comprising a lower electrode 102 formed of platinum, a capacitive insulating film 103 composed of SBT (SrTaBiO) containing an element, e.g. titanium, for absorbing hydrogen in crystal grain boundaries, inter-grating positions or pores and an upper electrode 104 formed of platinum.例文帳に追加

容量素子は、白金よりなる下部電極１０２と、水素を吸蔵する元素、例えばチタンが結晶粒界、格子間位置又は空孔に含まれたＳＢＴ（ＳｒＴａＢｉＯ）よりなる容量絶縁膜１０３と、白金よりなる上部電極１０４との積層体からなる。 - 特許庁

To provide a coating solution capable of forming a bismuth strontium tantalate (SBT) thin film used for semiconductor memory, particularly a ferroelectric thin film for forming a uniform Bi-based ferroelectric thin film free from uneven coating on a substrate and to provide a method for forming the ferroelectric thin film.例文帳に追加

半導体メモリなどに用いられるタンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）薄膜を形成しうる塗布溶液、さらに詳しくは基板状に塗布ムラのない均一なＢｉ系強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜溶液および、該強誘電体薄膜の形成方法に関する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method which can easily detect an adhesion, etc. of a solid CVD material in a material flow path in a carburetor, in the formation of a film of PZT, BST, SBT and PLZT, and can obtain a ferroelectric film having the superior quality and purity, without degrading the production yield.例文帳に追加

ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴの成膜において、気化器内の原料流路における固体ＣＶＤ原料の付着等を容易に検知することができ、歩留りを低下させることなく、品質、純度が優れた強誘電体膜が得られる気相成長方法を提供する。 - 特許庁

When the electrode 28 is formed of Ir of an Ir/IrO2, an SBT is used as the film 29, so that Ir precipitates in, for example, 6-inch wafer which is suppressed to 100 pieces or fewer, and the nondefective rate of an integrated FeRAM of 256 kbits can be set to 90% or higher.例文帳に追加

また、下部電極２８をＩrあるいはＩr/ＩrＯ_2によって形成した際に、誘電体膜２９としてＳＢＴを用いることによって、例えば６インチウェハにおけるＩr析出物を１００個以下に抑えて、２５６ｋビットの集積化ＦeＲＡＭの良品率を９０％以上にできる。 - 特許庁

As a result, even if hydrogen which could not be prevented with a diffusion barrier 32, when the ferroelectric memory element is subjected to hydrogen sintering processing bonds with oxygen contained in the SBT thin film to form oxygen vacancies, electrons generated from the oxygen vacancies are so neutralized by the holes as to very much reduce the leakage current of the ferroelectric memory element.例文帳に追加

その結果、水素シンター処理の際に拡散バリア３２で防止できなかった水素がＳＢＴ中の酸素と結合して酸素空格子が形成されても、上記正孔によって酸素空格子による電子が中和されて本強誘電体メモリ素子のリーク電流が極めて小さくなる。 - 特許庁

This dielectric element is provided with the lower electrode, provided with an IrSiN film 14 with a function for suppressing diffusion of oxygen, an SBT film 19 as the oxide-based dielectric film formed on the lower electrode and an SiN film 17 with the function of suppressing the diffusion of oxygen, arranged in regions other than the lower electrode.例文帳に追加

酸素拡散を抑制する機能を有するＩｒＳｉＮ膜１４を含む下部電極と、下部電極上に形成され、酸化物系誘電膜としてのＳＢＴ膜１９と、下部電極以外の領域に配置され、酸素拡散を抑制する機能を有するＳｉＮ膜１７とを備えている。 - 特許庁

To provide a vaporizing device to vaporize and feed a film forming material to a film forming device such as a CVD on the practical level in the practical use of a ferroelectric memory (FeRAM) using SrBi2Ta2O9(SBT), Pb(Zr, Ti)O3(PZT), etc., of a non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリーの、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９（ＳＢＴ）、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３（ＰＺＴ）などを用いた強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の実用化において、これらの膜を作成するための成膜原料を実用化レベルでＣＶＤのような成膜装置に気化させて供給するための気化装置を提供する。 - 特許庁

When acquiring the contact detection signal Sgs, the control signal output means produces a notice control signal and outputs the signal to a voice control means and when acquiring the depression detection signal Sbt, the control signal output means produces a processing control signal and outputs the signal to a display control means, the voice control means and a guide leading arithmetic means properly.例文帳に追加

制御信号出力手段は、接触検出信号Ｓgsを取得すると報知制御信号を生成して音声制御手段へ出力し、押圧検出信号Ｓbtを取得すると処理制御信号を生成して表示制御手段、音声制御手段、案内誘導演算手段へ適宜出力する。 - 特許庁

A buffer layer 12 made of a metal oxide and a lower electrode layer 13 made of a conductive oxide having a perovskite structure are epitaxially grown on an Si single crystal substrate 11. a ferroelectric layer 14 made of SBT is further grown epitaxially with its (c) axis tilted to 45-55° from a direction perpendicular to the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１１上に、金属酸化物からなるバッファ層１２、ペロブスカイト構造の導電性酸化物からなる下部電極層１３をエピタキシャル成長させ、さらにＳＢＴからなる強誘電体層１４を、そのｃ軸を基板に垂直な方向から４５〜５５°傾けてエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A mask ROM (memory) 30 includes a first memory cell 10 constructed of a first capacitor 11 having an SiN film 5 with a permittivity of ε_1, and a second memory cell 20 constructed of a second capacitor 21 having a SBT film 4 with a permittivity of ε_2 higher than the permittivity of ε_1 of the SiN film 5.例文帳に追加

マスクＲＯＭ（メモリ）３０は、誘電率ε_１を有するＳｉＮ膜５を含む第１キャパシタ１１により構成された第１メモリセル１０と、ＳｉＮ膜５の誘電率ε_１よりも大きい誘電率ε_２を有するＳＢＴ膜４を含む第２キャパシタ２１により構成された第２メモリセル２０とを備えている。 - 特許庁

To provide a vaporizing/supplying apparatus and a vaporizing/supplying method wherein in formation of ferroelectric films such as PZT, BST, SBT, and PLZT, vaporization is effectively achieved with one vaporizer without causing deterioration of each CVD stock material and adhesion of solid matter, and vaporized gas is supplied to a semiconductor manufacturing apparatus to ensure a high quality high purity semiconductor film.例文帳に追加

ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴ等の強誘電体膜等の成膜において、各々のＣＶＤ原料の劣化や固形物の付着を起こすことなく１個の気化器で効率よく気化し、半導体製造装置へ供給して、高品質、高純度の半導体膜が得られる気化供給装置及び気化供給方法を提供する。 - 特許庁